CN104838485A - 在载板上的可卸式基板 - Google Patents

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Abstract

公开了一种用于提供在载板11上的可卸式基板13a的方法与系统。该方法包括提供具有辐射可固化粘合剂12m的粘结层12的载板11；选择性地以第一辐射14a来辐照粘结层12的第一区域分部12a，以选择性地至少部分地固化第一区域分部12a；提供基板13并使基板13与粘结层12的第一区域分部12a与第二区域分部12b接触；固化与基板13接触的第二区域分部12b以在第二区域分部12b与基板13之间形成粘附区域15b。第一区域分部12a形成卸除区域15a，由于在与基板13接触之前，第一区域分部12a比第二区域分部12b更为固化的缘故，粘结层12与基板13之间的在卸除区域15a的粘附力低于在黏着区域15b的粘附力。

Description

在载板上的可卸式基板
技术领域
本发明涉及一种在载板上的可卸式基板以及一种用于提供其的方法与系统。
柔性显示器代表在下一代显示器技术中即将到来的趋势。柔性显示器可包括柔性基板，其具有制造于其上的诸如薄膜晶体管(TFT)的电子装置或其他组件。制造电子装置，尤其是集成电路，可能包括苛刻的加工条件，例如，在光刻步骤中暴露于辐射和/或真空，和/或，例如在烘烤步骤期间，暴露于高温。在直接于柔性基板上制造电子装置的期间遇到的一个问题，可能是该基板的低的尺寸稳定性和/或热稳定性。这可能会导致，例如，在光刻曝光期间的对准问题。用于改善基板的稳定性的解决方案可为在制造期间将该基板粘附至载板。
一方面，在该基板与载板之间的粘附性应强到足以耐受在制造期间所遇到的各种加工条件，例如，高温、真空、UV辐射以及快速加速。另一方面，在制造后，该粘附性不应阻止基板从载板卸除而不损及电子装置。在这两个准则之间找到折衷方案可能会是一个挑战。
背景技术
作为第一个解决方案，WO2011/151457公开了一种技术，包括：使用一种或多种粘合剂组件将装置用基板固定至载板；在该装置用基板上形成电子元件且该装置用基板因此固定至该载板；且此后降低该一种或多种粘合剂组件的至少一种的粘附强度以促进该基板从该载板的卸除。粘附强度的降低是由阈值温度所引发。遗憾地，这样的粘合剂组件可能不适合用于耐受在制造期间遇到的高温(>200℃)或其他的苛刻的加工条件。
作为另一解决方案，US 2012/0201961公开了一种用于制作应用于柔性电子装置的基板结构的方法，包括提供载板，在具有第一区域的载板上形成剥离层，并在该剥离层与具有第二区域的载板上形成柔性基板，其中该第二区域大于该第一区域，且该柔性基板对该载板具有的粘附力大于该剥离层对该载板的粘附力。通过沿着具有较低粘附力的该剥离层两端切割可从该载板分离该具有较大粘附力的剥离层。不幸的是，此方法依赖于经溶液处理而能够粘附至该载板的箔。同样地，此方法可能不适用于大型基板。
需要一种在载板上的可卸式基板，所述基板能够耐受在制造期间遇到的苛刻的加工条件，但在加工后可被容易地移除。进一步需要能够处理更广泛种类的基板。相应地，需要提供所述在载板上的可卸式基板的方法以及用于实施所述方法的系统。
发明内容
在第一方面，提供了一种提供在载板上的可卸式基板的方法。该方法包括提供具有辐射可固化粘合剂的粘结层的载板。该方法进一步包括以每单位面积第一辐射剂量选择性地辐照该粘结层的第一区域分部，以选择性地至少部分地固化该第一区域分部，其中该粘结层的第二区域分部未受辐照或是以低于每单位面积第一辐射剂量的每单位面积第二辐射剂量进行辐照，使得第一区域分部比第二区域分部更为固化。该方法进一步包括提供基板并使该基板与第一区域分部和第二区域分部接触；固化与第二区域分部接触的基板，以在第二区域分部与基板之间形成粘附区域。第一区域分部形成卸除区域，其中，由于与基板接触之前，第一区域分部比第二区域分部更为固化的缘故，粘结层与基板之间的在卸除区域的粘附力，低于在粘附区域的粘附力。
在制造期间，该基板通过在粘附区域所施加的相对强的粘附力被粘附至载板。在制造后，基板可沿着在卸除区域内无粘附区域的周界来切除。基板的切除部分从而形成可卸式基板，由于在卸除区域所施加的相对弱的粘附力，该可卸式基板可被卸除。因此，提供一种用于提供在载板上的可卸式基板的方法，该可卸式基板能够耐受在制造期间所遇到的苛刻的加工条件但在加工后可被容易地移除。
提供具有辐射可固化粘合剂的粘结层，其中通过在使基板接触到粘结层上之前选择性地辐照该辐射可固化粘合剂，可选择性地对该层的不同区域分部控制粘附力。在使基板接触该粘结层，且粘结层被进一步固化后，那些先前未经过辐射被固化的区域将会以与基板接触的状态固化，从而形成与基板相对强的连接。反之，那些与基板接触之前已至少部分地被固化的区域将会与其形成较弱的连接或不与其形成连接。具有可调的粘附力的粘结层并不需要箔经受溶液处理或是能够直接粘附至载板。此外，粘附区域以及卸除区域的粘附力的可调性，可允许处理大型的基板而不在加工或卸除期间受损。例如，通过在接触基板之前部分地固化卸除区域，此卸除区域仍可表现轻度的粘附力，该轻度的粘附力足以防止基板在，例如，真空加工条件期间，在此区域中脱层的。因此，提供一种方法，通过该方法可加工各种各样的基板，例如，经预制的箔与大型基板。
在第二方面，提供了一种用于提供在载板上的可卸式基板的系统。该系统包括供给系统、辐射系统、基板涂覆系统、固化系统，以及控制器。安置控制器用来控制供给系统以提供具有辐射可固化粘合剂的粘结层的载板。进一步安置控制器用来控制辐射系统，来以每单位面积第一辐射剂量选择性地辐照粘结层的第一区域分部，以选择性地至少部分地固化第一区域分部，其中粘结层的第二区域分部未受辐照或是以低于每单位面积第一辐射剂量的每单位面积第二辐射剂量进行辐照，使得第一区域分部比第二区域分部更为固化。进一步安置控制器来控制基板涂覆系统，以提供基板并使基板与第一区域分部和第二区域分部接触。进一步安置控制器来控制固化系统，以固化与基板接触的第二区域分部，以在第二区域分部与基板之间形成粘附区域。第一区域分部形成卸除区域，其中由于与基板接触之前，第一区域分部比第二区域分部更为固化的缘故，粘结层与基板之间的在卸除区域的粘附力，低于在粘附区域的粘附力。
依据第二方面的系统可具有与依据第一方面的方法相似的优点。
在第三方面，提供了在载板上的可卸式基板，包括基板、载板以及粘结层。基板适合用于在其上制造电子装置。安置载板用于运载基板。粘结层通过基板与载板之间的固化的粘合剂而形成。固化的粘合剂可获自固化辐射可固化粘合剂。粘结层被分为第一区域分部与一第二区域分部。卸除区域系形成在第一区域分部与基板之间，并且粘附区域形成在第二区域分部与基板之间。基板与粘结层之间的在卸除区域的粘附力，低于在粘附区域的粘附力。通过在基板接触粘结层之前，使得在第一区域分部的辐射可固化粘合剂比在第二区域分部的更为固化，可获得较低的粘附力。
依据第三方面的在在载板上的可卸式基板可通过依据第一方面的方法或依据第二方面的系统来获得。因此，所述在载板上的可卸式基板可具有相似的优点。
附图说明
从以下描述、所附权利要求和附图，本发明的设备、系统和方法的这些和其他特征、方面以及优点将会变得更好理解，其中：
图1显示了用于提供在载板上的可卸式基板之的方法的实施方式；
图2显示了用于提供在载板上的可卸式基板的系统；
图3A至3C显示了在载板上的可卸式基板的实施方式；
图4A显示了使基板与粘结层接触的步骤的实施方式；
图4B显示了切割基板的步骤的实施方式；
图4C显示了从卸除区域卸除可卸式基板的步骤的实施方式；
图5显示了被分为第一与第二区域分部的粘结层的实施方式；
图6A显示了作为辐射剂量函数的剥离力的对比图。
图6B显示了剥离试验的实施方式。
图7显示了在辐射可固化粘合剂的实施方式中包含的环氧树脂；
图8A显示了用本发明公开的方法所获得的在载板上的可卸式基板的实施方式；
图8B显示了用不同方法所获得的在载板上的可卸式基板；
图8C显示了用又一不同方法所获得的另一在载板上的可卸式基板；
图9A与9B显示了方法的步骤的实施方式，其中将另外的基板粘附至在载板上的可卸式基板。
具体实施方式
除非另有定义，当在说明书的上下文和附图中读到时，所有本文所使用的术语具有与本发明所属的技术领域中普通技术人员所通常理解的相同的含义。进一步将会理解的是，这些术语，例如在常用字典中所定义的那些，应被解释为具有与他们在相关技术的上下文中的含义一致的的含义，且除非本文有明确定义，将不会以理想化的或过于正式的意义被解释。在某些情况下，众所周知的装置与方法的详细描述可被省略，以不使本发明系统与方法的描述难以理解。用于描述特定实施方式的术语并非意在限制本发明。如本文所使用的，除非上下文另外清楚地指出，单数形式"一个(a)"、"一种(an)"以及"该"同样意在包括复数形式。术语"和/或"包括一种或多种的相关所列项目的任意和全部组合。进一步将会理解的是，术语"包含(comprises)"和/或"包括(comprising)"规定所述特征的存在但并不排除一个或多个其他特征的存在或添加。所有公开、专利申请、专利以及其他本文所提及的参考文献通过引用整体被并入。在发生矛盾的情况下，本发明说明书(包括定义)将会支配。
如本文所使用，术语“基板”具有其在材料科学中的通常含义，作为包含表面的物体，在该表面上进行加工。
基板优选地适合用于在其上制造电子装置，例如，集成电路。加工可包括在一个或多个加工步骤(例如，层沉积、曝光、固化等)中在基板上制作电子结构。在典型的半导体制造工艺中，基板可为硅晶片。在柔性电子装置的生产中，该基板通常包括箔。术语“箔”是指包含一个或多个材料层的片材。优选地，箔是可挠性的，使得其可被用于卷对卷(roll to roll)(R2R)或片对卷(roll to sheet)(R2S)制造工艺。为此，如果箔可被辊轧或弯曲超过50cm或更小(例如，12cm)的曲率半径，而不失去其基本的功能，例如，电子功能，则箔可被认为是可挠性的。或者，或同时，如果箔具有小于500Pa·m3的抗弯刚度，则箔可被认为是可挠性的，。
如本文所使用，载板包括能够运载基板的结构。为了本公开内容的目的，将基板粘附至载板优选地改善了基板的尺寸稳定性和/或热稳定性。例如，结合后的载板和基板的抗弯刚度可高于基板单独的抗弯刚度。作为进一步的实例，当将基板粘附至载板时，沿着基板的表面的热膨胀系数可更小。作为进一步的实例，当将基板和或放置于其上的电子装置粘附至载板时，基板和或放置于其上的电子装置可更加不易破裂。
如本文所使用，粘结层是能够将相邻表面(例如，载板与基板的表面)粘结在一起的层。粘结层通常包含能够粘附至相邻表面的粘合剂。因此粘合剂粘结可指粘结技术，其中中间层(粘结层)用来连接载板与基板。用来涂覆粘合剂粘结层的典型工艺步骤可包括清洁与预处理这些表面、涂覆粘结层、使这些表面在其间与粘结层接触，以及固化粘结层中的粘合剂。该粘结层可，例如，通过旋转涂布、辊层压、喷墨印刷、喷涂、丝网印刷、浮花压制法、配给或雕版印刷，被涂覆至一个或两个表面上。在一个实施方式中，粘结层可作为在溶液中的粘合剂化合物来涂覆，其中在涂覆后溶液被蒸发。
粘合剂通常包含材料，当该材料固化时会与接触该材料的表面形成粘合剂粘结。粘合剂的固化可包括粘合剂(例如，从液态至固态)的硬化。固化还可包括粘合剂在粘度上的增加。典型地，如果在与表面接触之前粘合剂被完全地或部分地固化，则粘合剂可更加不容易与所述表面形成粘合剂粘结。这可能，例如，是粘合剂在表面上降低的润湿性的结果。
粘合剂的固化速度可取决于，例如：湿度、温度、辐射，和/或所施加的压力。在本公开内容中，优选使用辐射可固化粘合剂，即，粘合剂的固化速度可受诸如电磁辐射(例如，紫外线)或离子辐射(例如，质子束)的辐射所影响。辐射可固化粘合剂的固化速度另外也可受其他因素(例如温度)影响。粘合剂层的固化状态可为累积过程，例如，辐射剂量可以加快的速度部分地固化粘合剂层，但在辐射停止后，该层继续以更低的速度固化。还可加速固化，例如，当粘合剂经受升高的温度时加速固化。
在一个实施方式中，粘合剂包含通过聚合反应固化的化合物。聚合反应可，例如，包括阳离子诱导的聚合反应。粘合剂可进一步包含引发剂，该引发剂在辐射的影响下催化聚合反应，例如，光酸，在光子能的影响下，释出阳离子，例如，质子。辐射可固化粘合剂的优点，特别是光可固化粘合剂的优点，是通过控制在粘合剂上的辐射剂量，可局部地控制固化速度。在与表面接触之前，通过预固化粘结剂层，粘附强度势可被控制。固化的程度可，例如，由粘合剂的粘度和/或玻璃化转变温度来确定。粘度和/或玻璃化转变温度可，例如，为在粘合剂中(例如，通过聚合反应)所形成的交联的百分比的函数。粘度也可为粘合剂的温度的函数。
在一个实施方式中，通过固化粘合剂，粘合剂的玻璃化转变温度，例如，通过在粘合剂中诱导形成的交联，而升高。例如，SU-8的玻璃化转变温度的范围可在约50℃(对未曝光的膜)至约230℃(在交联之后)之间。为了在制造期间维持稳固的连接，粘合剂的玻璃化转变温度优选设定高于在所述制造期间遇到的最高温度。例如，假设在一系列的制造工艺中，基板/粘合剂的最高温度为220℃。在此情况中可有利于通过辐射和/或温度来固化粘合剂，使得粘合剂的玻璃化转变温度升至高于220℃，例如，230℃。
下文中，参照附图，更充分地描述本发明，其中显示了本发明的实施方式。然而，本发明可以许多不同形式来实施且不应被解释为限于本文所阐述的这些实施方式。相反地，提供这些实施例是为了使本公开内容将是全面的且完整的，并且将充分地向本领域技术人员传达本发明的范围。示例性实施方式的描述旨在结合附图被阅读，附图被认为是整个书面说明书的一部分。为清楚起见，在这些附图中，系统、组件、层、以及区的尺寸与相对尺寸可被夸大。参照横剖面图示描述实施方式，这些图示是本发明可能理想化的实施方式与中间结构的示意图。
在说明书中，相关术语及其派生词应被解释为是指在讨论中的当下所描述或显示在附图中的方向。除非另有说明，这些相关词是为了便于描述，并且不需要该系统在特定方向被建构或运作。进一步将理解的是，当一个元件或层被称为在另一个元件或层"之上"、"连接至"或"耦合至"另一个元件或层时，它可为直接在另一个元件或层上，直接连接或耦合至另一个元件或层，或者可存在中间元件或层。相反，当一个元件被称为"直接在"另一个元件或层"之上"、"直接连接至"、"直接耦合至"或"与"另一个元件或层"接触"，则不存在中间元件或层。进一步将理解的是，当方法的特定步骤被称为在另一个步骤之后，其可直接跟着所述另一个步骤，或者在进行该特定步骤之前可进行一个或多个中间步骤。相似的附图标记通篇指代相似的元件。
图1显示了一种用于提供在载板11上的一可卸式基板13a的方法的步骤。载板11以及其他层显示在横剖面的侧视图中。
在该方法的步骤(S1)中，载板11配置有辐射可固化粘合剂12m的粘结层12。在一个实施方式中，载板11包括刚性结构，例如，由硅或玻璃晶片建造，或包含金属。这具有一个优点：粘附至载板11的基板13也可表现为刚性结构。或者，在另一个实施方式中，载板11可为可挠性的，例如，可挠性箔。这具有一个优点：结合后的载板与基板可为可挠性的而被使用，例如，在卷对卷制程中使用。可挠性箔也可包含金属箔，例如包含不锈钢。
优选地，提供粘结层12作为在载板11上的连续层。如本文所使用，术语“连续的”是指下述事实：粘结层的结构布置在沿着粘结层的表面的方向上，具有很大程度的平移对称。换言之，粘结层并不遭受由，例如，粘结层不同部分的分别涂覆处理，造成的在层内的间隙或不均匀。因为粘结层是连续的且不包含不同粘附/卸除材料的分别涂覆区域，例如，粘结层可为更平坦的，这可导致，例如，在电子结构的涂覆中，改善的准确性。
优选地，提供粘结层12作为在载板11上的均质层。如本文所使用，术语“均质的”是指下述事实：粘结层的化学组成在沿粘结层的表面的方向上具有很大程度的平移对称。换言之，在整个粘结层中使用单一化合物或均质混合物用。因为具有不同功能性的粘结层可由一种组合物构成，它能够在单一工艺步骤中来涂覆。用于涂覆连续且均质的粘结层的工艺的实例可为旋转涂布。当然，随着连续性与均质性的程度的变化，还可使用其他方法用于涂覆粘结层12。
在该方法的步骤(S2)中，粘结层12的第一区域分部12a是以每单位面积第一辐射剂量14a来选择性地辐照以选择性地至少部分地固化第一区域分部12a。粘结层12的第二区域分部12b是以少于每单位面积第一辐射剂量14a的每单位面积第二辐射剂量14b来辐照。如此，第一区域分部12a比第二区域分部12b更为固化。固化的程度可影响在随后的固化步骤中粘合剂的粘结势。优选地，第二区域分部12b完全没有受到辐照以在第二区域分部12b维持粘合剂的完整粘结势。
在一个实施方式中，第一和/或第二辐射剂量14a、14b包含在紫外线波长范围内的电磁辐射，即，具有低于450纳米的波长，例如，介于10与450nm之间。例如，在一个实施方式中，将Hg光源的g线(435nm)或更常见地i线(365nm)用作用于辐射剂量的波长。优选地，粘合剂对所使用的特定波长是敏感的且该波长能够通过所涂覆的基板，例如，玻璃或箔。电磁辐射具有一个优点：它能够容易地以所需的形状来成像，使得第一区域分部12a与第二区域分部12b可被明确地界定。
在该方法的步骤(S3)中，提供基板13并使其与粘结层12接触。具体地，基板13接触第一区域分部12a与第二区域分部12b两者。接触表面，特别是第二区域分部12b与基板13的接触表面可决定在载板11上的基板13的粘结强度。优选地，基板13覆盖粘结层12。基板可为刚性或可挠性的，例如，包含PEN、PET、PEEK、PI或PEI的箔。
在该方法的步骤(S4)中，当与基板13接触时第二区域分部12b被固化。如参照图2可进一步解释，所述固化可，例如，由第三辐射剂量14c所造成。固化的第二区域分部12b从而在第二区域分部12b与基板13之间形成粘附区域15b。通过所述固化，在粘结层12与基板13之间的粘附力可增加至少两倍，优选地增加更多倍，例如，百倍。例如，可使用如参照图6B所描述的剥离试验测量粘附力。第一区域分部12a形成卸除区域15a，其中在粘结层12与基板13之间的粘附力低于在粘附区域15b中的粘附力。该较低的粘附力可因为在与基板13接触之前，第一区域分部12a比第二区域分部12b更为固化。
例如，当第一区域分部12a更为固化时，辐射可固化粘合剂12m可能已经更为硬化。这可能导致在随后基板13的接触表面降低的润湿性，以及更低的粘附力。还有其他的粘附机制可能起作用。预固化粘合剂的作用可与典型的胶相比，典型的胶在其硬化之后变得不起作用。
在一个实施方式中，如所显示的，该方法进一步包括，当基板通过粘结层12粘结至载板11时，在基板13上制造电子装置17的步骤(S5)。该步骤不一定需要在与前述步骤相同的位置进行。例如，如以步骤(S1)至(S4)生产的在载板上的可卸式基板可被储存和/或传送至专用制造位置。在一个实施方式中，结合后的载板与基板具有标准半导体晶片的尺寸。载板与基板因此可作为晶片而通过(半导体)晶片加工机器来处理，所述晶片通常做成尺寸为厚度700微米且直径200mm或300mm的圆盘。标准装置晶片尺寸可，例如，在“SEMI M1-抛光单晶硅晶片的规格(SEMI M1-Specifications forPolished Single Crystal Silicon Wafers)”中找到。当然这些尺寸可为不同的(例如，用于制造一些显示器)，基板通常可包含厚度在400nm与1200nm之间且表面积在300mm乘400mm与3.5mm乘3.5m之间的玻璃。
在一个实施方式中，该方法进一步包括，沿着界定可卸式基板13a的周界16来切割基板13的步骤(S6)。优选地，周界16在无粘附区域15b的卸除区域15a内。如此，基板13可容易地以来自粘附层最小的阻力从粘结层12剥离。可选地，周界16可在卸除区域15a与粘附区域15b之间的边界上。周界16也可在粘附区域15b中，虽然这可导致在卸除基板13上增加困难。在基板被切割之后，可卸式基板13a可从卸除区域15a卸除，例如，通过从沿着周界16的一个位置开始从粘结层剥离可卸式基板13a。还可以想到用于从载板11卸除可卸式基板13a的其他方法，例如，使用抽吸装置均匀地拉动可卸式基板13a。
优选地，在切割基板13期间，粘结层12被保持完好。如此，当可卸式基板13a被卸除时，粘结层12可更加易于留在载板11上。优选地，在切割该基板13期间，载板11被保持完好。如此，载板11可再使用来运载另一基板。虽然本图显示了在载板11上的单一可卸式基板13a，或者，在载板11上可提供多个可卸式基板，每个沿着各自的周界切割。多个可卸式基板可被界定在共同的卸除区域15a上，或者可有多个卸除区域。多个卸除区域可在粘结层上形成图案，其中多个粘附区域被界定在这些卸除区域之间。优选地，这些卸除区域由一些粘附区域所环绕。当然，在单一可卸式基板13a从载板11移除后，它也可被进一步分开。
在一个实施方式(未显示)中，该方法进一步包括加热基板13至高于基板13在制造(S5)期间所遇到的最高温度的温度，以改善基板13在制造(S5)期间的尺寸稳定性。所述加热优选地发生在固化(S4)第二区域分部12b之后且在基板13上制造(S5)电子装置17之前。这些发明人观察到，在所述预加热之后，在制造期间，在不同制造工艺之间的热的变化对基板的尺寸稳定性可有较少的影响。这尤其在下述情况被观察到：若在将基板粘附至载板之后实施预加热。预加热温度可为，例如，比最高的所预期的加工温度高10℃或更多。
在一个实施例中，例如，在步骤(S5)期间，在载板上的可卸式基板可遇到一个或多个下述制造和/或加工步骤：
A.传送：粘结层的粘附力优选地足够高且持久，以防止当载板在盒子中被传送或者通过在光刻工具中的传送系统被传送时，基板的脱层。
B.用抗蚀剂的旋转涂布：旋转涂布是一种在基板的表面上涂覆薄层(例如，光致抗蚀剂)的技术。载板可以3000RPM的典型速度旋转；这意味着粘结层的径向力优选地足够高以防止脱层或是基板滑出载板。
C.预烘：在约90℃下将光致抗蚀剂的层烘烤一段时间至硬化。这意味着所使用的技术优选地在热态下持续。
D.曝光：利用UV光与掩模，可以在光致抗蚀剂层中制造图案。光致抗蚀剂层可在光通过掩模之处被活化。为了具有良好的光束焦点，表面平坦度优选低于1μm。此外，载板上结合后的基板的厚度优选低于1.2mm。通常，将任何导线或真空软管连接至载板可能并非优选，因为光刻工具使用内部晶片传送与对准系统。
E.曝光后烘烤：该步骤与预烘步骤相似，只是现在的温度为约120℃且烘烤时间更长。这再次意味着粘结优选地在热态下持续。
F.显影：将在载板上的结合后的基板在清洗液浴中清洗一定时间，以除去不需要的光致抗蚀剂。这意味着夹持技术优选地抵抗(极性)液体。
G.等离子体处理：为了确认所有不需要的阻剂被除去，在载板上的基板进行等离子体处理。这意味着小的有机粒子可通过电离气体来除去。为了确定基板停留在载板上，夹持技术优选地在等离子体与真空环境中持续。
H.金属层沉积工艺：当光致抗蚀剂层被曝光并显影时，图案的负片可通过在基板的整个表面上涂覆金属层来制造。金属沉积处理是一种溅镀技术，其中离子化的金属分子被涂覆在基板的表面上。为了确定基板停留在载板上，夹持技术优选地能够耐受等离子体与真空环境。通常也可在沉积与曝光光致抗蚀剂之前沉积金属层，且在其后通过在光致抗蚀剂中的孔蚀刻金属。
I.湿法蚀刻工艺：在光致抗蚀剂图案上的不需要的金属层可通过除去剩余的光致抗蚀剂图案来除去。这通过在丙酮浴中的湿法蚀刻来完成。这意味着夹持技术优选地抵抗蚀刻化学液体。
J.沉积氧化层：这是决定在半导体层中的移动性的层。移动性越高，晶体管变得越快。为了获得高移动性，氧化层优选在高温(>250℃)退火2至6小时。
K.相对于第一层的几个层的对准。薄膜电子结构可由几个图案化的层(金属、半导体、绝缘体等)构成，其可全部被对准于设计的界限内，通常位移优选地低于5μm，例如，用于显示器涂覆。
图2显示了用于提供在载板11上的可卸式基板13a的系统20。系统20包含供给系统28、辐射系统22、基板涂覆系统23、固化系统24，以及控制器27。
安置系统20的控制器27来控制供给系统28，用于提供具有辐射可固化粘合剂12m的粘结层12的载板11。供给系统28可，例如，为传送系统或其他用于提供具有粘结层12的载板11的手段。
在一个实施方式中，如所显示的，系统20另外包括层涂覆系统21，用于将粘结层12涂覆至载板11上。虽然优选地造成均匀且均质的粘结层，这可使用任何已知的层涂覆技术来进行。层涂覆系统21可，例如，包括用于印刷粘结层12的喷墨印刷设备，或用于喷射涂覆粘结层12的喷涂设备。在一个实施方式中，用于将粘结层12涂覆至载板11的工艺包括，旋转涂布粘结层12。这具有一个优点：可形成更加均匀平坦的层。代替包含层涂覆系统21的系统20，载板11与粘结层12也可被分别制作。
进一步安置系统20的控制器27用来控制辐射系统22。控制辐射系统22用于以每单位面积第一辐射剂量14a来选择性地辐照粘结层12的第一区域分部。这可选择性地至少部分地固化第一区域分部。粘结层12的第二区域分部未受辐照，或是以低于每单位面积第一辐射剂量14a的每单位面积第二辐射剂量进行辐照。如此，在涂覆基板之前，第一区域分部比第二区域分部12b更为固化。
在一个实施方式中，辐射系统22包括辐射的来源与掩模，其中掩模安置在该来源与粘结层12之间，用于选择性地辐照第一区域分部。辐射的来源可，例如，包括UV光源。此外，辐射系统22可包括投影物镜用于成像使掩模的图案至粘结层12上，尤其用来辐照将会成为将被放置在粘结层12上的基板13的卸除区域的区域。
进一步安置系统20的控制器27来控制基板涂覆系统23用于提供基板13并使基板13与粘结层12接触。基板13因此可与粘结层12的第一与第二区域分部相接触。在一个实施方式中，基板涂覆系统23包括层压系统41，用于将基板13层压至粘结层12上。基板13可包含由供应辊(未显示)所提供的箔。还可使用用于将基板13涂覆至粘结层12上的其他手段，例如，机械手臂。虽然如在所显示的一个优选实施方式中，基板13包含可挠性箔，并且载板11包含刚性支撑结构，或者，基板13也可为刚性的和/或载板为可挠性的。
进一步安置系统20的控制器27来控制固化系统24，用于固化与基板13接触的第二区域分部12b。固化的第二区域分部12b因此可在第二区域分部12b与基板13之间形成粘附区域15b。因为在与基板13接触之前，第一区域分部12a比第二区域分部12b更为固化的缘故，第一区域分部12a形成卸除区域15a，在粘结层12与基板13之间卸除区域15a具有的粘附力低于粘附区域15b的粘附力。
在一个实施方式中，固化系统24可包括与辐射系统22相似的辐射系统，或者可能甚至是相同的系统。可安置固化系统24用于以每单位面积第三辐射剂量14c来辐照第二区域分部，每单位面积第三辐射剂量14c足够至少部分地进一步固化所述第二区域分部以形成粘附区域15b。每单位面积第三辐射剂量14c可与每单位面积第一辐射剂量14a相似。
应领会到的是，不一定仅选择性地辐照粘附区域15b。相反地，可辐照整个粘结层12。由于卸除区域已经通过辐射系统22而被预固化，因此在辐射14c的影响下，该卸除区域可比粘附区域15b更加不易粘附地粘结至基板13。优选地，如果粘附区域15b通过辐射14c被固化，则对所述辐射14c来说基板13是通透性的。或者，或除了辐射之外，固化系统24也可采用其他用于在粘附区域15b固化粘结层12的机制，其不需要基板的通透性。
在一个实施方式中，固化系统24可另外包括，或者作为辐射系统的另一选择包括，用于加热粘结层12以固化粘结层的加热系统。优选地，所述加热系统加热粘结层12，至少最初(在固化之前)高于粘附区域的玻璃化转变温度但低于至少部分固化的卸除区域的玻璃化转变温度。如此，粘合剂可在粘附区域15b中液化并润湿基板13，但不在卸除区域15a中液化。粘附区域15b的玻璃化转变温度可因为固化而升高。
在一个实施方式中，系统20进一步包括切割系统26。切割系统26可包括，例如，刀、激光切割工具或任何其他用于割开基板13的工具。进一步安置系统20的控制器27来控制切割系统26，用于沿着界定可卸式基板13a的周界16来切割基板13。优选地，周界16位于没有粘附区域15b的卸除区域15a内。这可降低对于随后从载板11卸除可卸式基板13a所需要的力。周界16可由控制切割工艺的控制器27来界定。控制器27可，例如，包含具有指令的存储器，用于以一定形状和/或以与卸除区域15a有一定距离间隔来切割基板13。
在一个实施方式中，如所显示的，系统20进一步包括电子装置制造系统25。进一步安置系统20的控制器27来控制电子装置制造系统25，用于当基板通过粘结层12粘结至载板11时，在基板13上制造电子装置17。电子装置制造系统25可包括亚组件系统，例如，光致抗蚀剂层涂覆系统。应领会到的是，这可为与用来涂覆辐射可固化粘合剂12m的层相同或相似的涂覆系统。电子装置制造系统25可进一步包括曝光工具，例如，在光刻设备中使用的曝光工具。应领会到的是，曝光工具可与辐射系统22和/或固化系统24相同或相似。曝光工具、辐射系统22和/或固化系统24也可共享共有的组件，例如，共有的辐射源。电子装置制造系统25可进一步包括显影系统用于显影曝光的光致抗蚀剂层。应领会到的是，显影系统可与固化系统24共享组件，例如，烘箱。
一般而言，将会清楚的是，虽然系统20显示为包括许多离散系统区块21～26，但这些区块可全部完全地或部分地整合或分成不同的系统区块。虽然显示单一控制器27控制这些系统区块21～26，但控制器也可被部分地或完全地整合入分离的系统区块本身。这些整合过的控制器可全部或部分地由中央控制器协调，或者一些控制器可自主地运行。一些系统组件可不需要特定的指令，例如，固化系统24可包括烘箱，该烘箱无进一步的指令被连续的保持在特定的温度。
控制器27可包含一个或多个处理器，所述一个或多个处理器被配置来依据本系统与方法进行操作运行，例如，对系统组件21～26和/或传送器28提供控制信号。处理器可为用于依据本系统进行的专用处理器，或者可为通用处理器，其中仅许多功能中的一个运作用来依据本系统进行。处理器可利用程序部分、多个程序段来运作，或者可为利用专用或多用途的集成电路的硬件装置。可使用任何类型的处理器，例如，专用的或共享的处理器。处理器可包括微处理器、中央处理器(CPU)、数字信号处理器(DSP)、ASIC，或任何其他处理器或控制器，例如，执行相同功能并采用电子技术与体系结构的数字光学装置，或模拟电子电路。
控制器27可进一步包括存储器，存储器可为处理器的一部分或者可操作地耦合至处理器。存储器可为任何适合类型的存储器，数据被储存在所述存储器中。任何适于本系统及方法使用的能够储存和/或传输信息的已知或已开发的介质可用作存储器。存储器也可储存可由处理器存取的用户偏好和/或应用数据，以配置其依据本系统与方法进行操作运行。
此外，虽然显示每个系统组件21～26在分离的载板11上并行工作，但这些系统组件21～26也可在单独的载板上依次工作。虽然附图显示了离散数量的载板11，但载板也可由连续的结构组成，例如，连续的箔，其中载板的不同的部位同时或依次用不同系统组件来处理。相似地，涂覆至载板的基板13也可包含连续的箔，并且该结合可，例如，用于卷对卷制程。在制造期间，为了改善基板箔11的尺寸稳定性和/或热稳定性，可将基板箔11粘附至载板箔。
图3A至3C显示了在载板11上的可卸式基板13a的实施方式。如所显示的，该周界16所界定的可卸式基板13a，最初是通过粘结层12粘附至载板11的较大基板13的一部分。粘结层12通过在基板13与载板11之间的固化的粘合剂所形成。固化的粘合剂可获自固化辐射可固化粘合剂12m。粘结层12被分成第一区域分部12a与第二区域分部12b。粘附区域15b形成在第二区域分部12b与基板13之间。第一区域分部12a形成了卸除区域15a，在粘结层12基板13之间，卸除区域15a具有的粘附力低于粘附区域15b的粘附力。如参照图1与2所讨论的，这可能因为：在与基板13接触之前，第一区域分部12a比第二区域分部12b更为固化。
在涂覆基板之前，粘结层的局部预固化可导致当基板13被涂覆时(图1，步骤S4)，粘结层12的表面对基板13在粘附区域15b呈现程度高于在卸除区域15a的润湿性。在最终固化后(图1，步骤S4)，粘结层12在粘附区域15b可比在卸除区域15a，与基板13更为缠结。
在一个实施方式中，基板13对可用于固化辐射可固化粘合剂12m的辐射是通透性的。这具有一个优点：当基板覆盖粘附区域15b时，粘附区域15b可通过所述辐射被固化。
图3A显示了在载板11上的可卸式基板13a的一个实施方式，其可发生在参照图1所描述的方法的步骤(S1)～(S4)完成后。具体地，所得的粘结层在载板11与基板13之间形成了具有不同粘附特性的卸除区域15a和粘附区域15b。
图3B显示了在载板11上的可卸式基板13a的一个实施方式，其可发生在另外同样完成步骤(S5)之后，即，在电子装置17被制造在基板13上之后。如所显示的，该电子装置17优选位于卸除区域15a内，使得包括电子装置17的箔可局部地从载板11卸除。
图3C显示了在载板11上的可卸式基板13a的一个实施方式，其可发生在另外同样完成步骤(S6)之后，即，在沿着周界16将可卸式基板13a切割后。
图4A显示了使基板13与粘结层12接触的步骤(S3)的一个实施方式。具体地，所显示的实施方式包括使用层压工具41辊压柔性基板13。层压工具41可，例如，包含辊。在一个实施方式中，层压工具41包括，当其被应用时，用于在基板13上施加压力的工具。这可改善在粘结层12上的基板13的粘附性。在另一个或进一步的实施方式中，层压工具41包括加热工具，该加热工具用于当涂覆基板13时，局部地加热粘结层12。这也可改善在粘结层12上的基板13的粘附性。在一个实例中，层压工具41包括热辊层压机，所述热辊层压机具有>90℃的温度，例如，高于在粘附区域中的粘合剂的玻璃化转变温度，并且在应用时对基板施加在2巴与3巴之间的压力。
图4B显示了使用切割系统26切割基板的步骤的一个实施方式，切割系统26包含激光切割机。如所显示的，激光切割机发射激光束26a，激光束26a沿着周界16切割基板13。优选地，将激光切割机调整用于仅切割基板13并使得粘结层12基本上是完好的。如此，当可卸式基板13a被卸除时，粘结层12可被保留在载板11上。
图4C显示了从卸除区域15a卸除可卸式基板13a的步骤(S7)的一个实施方式。具体地，通过从沿着周界16的位置开始剥离可卸式基板13a，可卸式基板13a从卸除区域15a被卸除。在所显示的实施方式中，卸除通过卸除工具42来进行。卸除工具42可包括用于将其本身附着至可卸式基板13a的工具。例如，卸除工具42可包括真空通道(未显示)用于制造局部的负压(under-pressure)致使可卸式基板13a粘贴至卸除工具42。
在所显示的实施方式中，卸除工具42包括配有最小半径的辊，使得具有电子装置17的可卸式基板13a在卸除过程中不会被可卸式基板13a的过度弯曲所损坏。在一个实例中，发现，具有电子装置层17的柔性基板具有100μm的层厚度为，柔性基板可通过使用12cm或更大的卸除半径来移除而受不损坏。
图5显示了在载板(不可见)上方的粘结层的实施方式的顶视图，其中粘结层被分成第一区域分部12a与第二区域分部12b。如所显示的，第一区域分部12a沿周界16被第二区域分部12b所环绕。这可具有一个优点，由第一区域分部12a所形成的卸除区域从各个方向被由第二区域分部12b所形成的粘附区域所遮蔽。例如，在真空条件下，该遮蔽在卸除区域15a还可防止基板13的脱层，卸除区域15a在粘结层的中央。
如所示的载板11具有典型晶片的尺寸，如圆板。在本实施方式中，例如，为了粗略对准的目的，圆形的一侧被扁平化。这种形状的载板具有一个优点：其可被用于现有的半导体制造仪器而无需修改。当然还可使用其他形状的载板。替代所显示的离散载板，载板还可包含连续的结构，例如，连续的载板箔。在连续的载板箔的一个实施方式中，卸除区域位于箔的中央通道(lane)中且在箔的边侧被粘附区域所环绕。该实施方式具有一个相似的优点：卸除区域从粘结层的各个方向被粘附区域所遮蔽。
图6A显示了一系列剥离试验的对比图，例如，如在图6B的实施方式中所阐明的进行的剥离试验。
图6B显示了180°剥离试验的一个实施方式，其中可卸式基板13a通过力F从卸除区域15a被剥离。卸除区域15a是粘结层12的一部分，粘结层12连接基板13与载板11。粘结层进一步包含粘附区域15b。当基板13沿着周界16被切割时，形成可卸式基板13a，周界16位于卸除区域15a内。在一个剥离试验中，测量相对于粘结层12的界面以一定的恒速以一定的角度剥离基板13a所需的力F，在该情况下，180度平面角。
参照图6A，对不同样品进行剥离试验，其中改变辐射剂量D，在涂覆基板13之前将辐射剂量施予至粘结层12，即，在如图1中所讨论的步骤(S2)期间。辐射剂量D被规范化为接受辐射剂量的粘结层的表面积并且以毫焦耳每平方厘米(mJ/cm2)测量。在施予辐射剂量D之后，使基板与粘结层接触(参见图1，步骤S3)。在接触之后，粘结层被进一步固化(参见图1，步骤S4)，通过所述固化在粘结层12与基板13之间形成可变的粘合剂连接。
如图6A中所描绘的，剥离力F规范化为被剥离的基板13a的宽度且以牛顿每米(N/m)来测量。对剥离力F的等效测量可为从粘结层剥离基板的单位表面积所需要的剥离能E。该能也可被称为断裂能，即，使粘结层与基板之间的界面断裂所需的能。断裂能E也可以焦耳每平方米(J/m2)来测量。
测量剥离力F是一种量化和/或比较基板13与粘结层12之间的粘附力的方法。粘附力可被认为是当基板从粘结层被剥离时抵抗剥离力的力。粘附力可取决于基板被剥离的条件。比较粘结层两个不同区域或不同样品之间的粘附力的一种方法可为在相同或相似的条件下使用剥离试验。例如，在粘结层12与基板13之间卸除区域15a具有的粘附力低于粘附区域15b的粘附力的陈述，可被解释为说明用来将基板13从粘结层12的卸除区域15a剥离所需要的剥离力低于用来将基板13从粘附区域15b剥离所需要的剥离力，其中剥离在同等条件下进行，例如，相同的剥离角度180°、剥离速率0.01m/s、温度293K和/或其他条件。
本剥离试验是对于包含如图5所显示的卸除区域与粘附区域的布置的粘结层来进行。边缘部分(粘附区域15b)的粘附力相对高且中间部分(卸除区域15a)的粘附力可被调整，例如，可调整粘合剂的粘度性质以找到一个对于合适的应力条件的折衷方案。
生产图6A的图的使用的进一步的实验条件如下：
–  剥离条件：剥离角度180°(相对于粘结层的平面角度)，剥离速率：0.01m/s(米每秒)；
–  温度：室温(293开氏温度)
–  环境压力：标准大气(1巴)
–  粘结层：粘合剂SU-8，厚度：5μm(旋转涂布)；
–  基板：25μm厚的箔，材料：聚对苯二甲酸乙二酯(PEEK)；
–  载板：硅晶片，厚度700微米，直径150毫米；
–  辐射：在365nm处的紫外线，Hg光源的i线，
–  卸除区域：初始剂量D：0～1000mJ/cm2(在涂覆基板之前)，总剂量1000～2000mJ/cm2；表面：具有140毫米直径的圆形区域；
–  粘附区域：初始剂量：0mJ/cm2(在涂覆基板之前)，总剂量1000～2000mJ/cm2；环绕卸除区域的表面4～5mm宽的通道；固化：在95℃后烘15分钟，弛豫时间10分钟；
–  固化：在250℃下硬烤15分钟。
继续参考图6A，方块标记60A描绘了接受到高于图1的步骤(S2)期间的Dmax的相对高的辐射剂量的试样。这已造成在涂覆基板之前，在卸除区域的辐射可固化粘合剂相对良好地固化。当粘合剂随后以与基板接触的状态被进一步固化时，卸除区域所产生的粘附力变得相对地低，低于Fmin。发现到虽然在高于250℃的加工温度后，基板能够被卸除而没有损坏，但粘附强度却不足以挨过典型的真空条件或温度冲击。因此，发现到在基板13上制造(图1之步骤S5)电子装置的期间，在卸除区域15a至少需要最小粘附力Fmin以在制造期间使基板13保持功能完好。
菱形标记60C描绘了接受到低于在步骤(S2)期间的Dmin的相对低的辐射剂量的试样。这已经造成在涂覆基板之前，在卸除区域的辐射可固化粘合剂相对地未固化。当粘合剂随后以与基板接触的状态被进一步固化时，卸除区域所产生的粘附力变得相对地高，高于Fmax。发现到虽然基板挨过真空与温度冲击，但其无法被可再现移除而不损坏基板(在图中的*指出基板在剥离测量结束前被撕裂)。因此，发现到在卸除区域15a的最大粘附力Fmax最多允许达到在从卸除区域15a卸除可卸式基板13a的期间(步骤S7，例如，在图4C中所显示的)基板13a保持功能完好。
三角形标记60B描绘了接受到在Dmin与Dmax(200～450mJ/cm2)之间的辐射剂量D的试样。因此，因为剥离力F为辐射剂量D的双射的(bijective)(一对一)单调函数，除去基板所需的剥离力在如前面所测定的Fmin与Fmax之间。发现到基板在加工条件期间与从卸除区域卸除该基板期间皆保持完好。应领会到的是，在加工条件期间，卸除区域所需的力Fmin，可部分取决于遮蔽卸除区域的粘附区域的强度与布置。具体地，在缺少粘附区域的情况下，在加工期间所需的最小力Fmin可超过所允许的用来卸除基板的最大力Fmax，并且不会有任何合适的范围来满足这两个条件。因此，本发明所公开的实施方式提供了一个优点：在卸除区域的可容易调整的粘附力，加上在能至少部分地遮蔽卸除区域的粘附区域的强的粘附力。
在一个实施方式中，如所讨论的，对应于那些条件测定最小力与最大力Fmin与Fmax，在最大力和最小力之间基板挨过加工条件与卸除条件两者。可与特定的粘附区域的强度与布置相结合来测定这些。因此，参照图1，调整每单位面积第一辐照剂量14a来部分地固化第一区域分部12a，以调整卸除区域15a的粘附力F在所述最小粘附力Fmin与所述最大粘附力Fmax之间。粘附力F由与基板(13)接触的第一区域分部(12a)的进一步固化产生。如果第一区域分部12a在第一辐射剂量14a期间固化较少，则粘附力会较强，而如果第一区域分部12a在第一辐射剂量14期间固化较多，则粘附力不强。应领会到的是，通过调整卸除区域的粘附力，可对比，例如，仅具有最小粘附力的卸除区域来处理较大的基板。
在位于载板上的可卸式基板的一个实施方式中，例如，如在图6B中所显示，如在环境条件(室温293K，压力1巴)下以0.01m/s的剥离速率的180°剥离试验中所测量的，在基板与粘结层12的卸除区域15a之间的粘附力F在45N/m与65N/m之间。在一个进一步的实施方式中，如通过相同的剥离试验所测量的，在基板与粘结层12的粘附区域15b之间的粘附力F高于70N/m。在一个进一步的实施方式中，卸除区域具有大于100cm2的表面积，例如，用于制造7英寸对角线的柔性显示器，可使用约135cm2的卸除区域。在一个进一步的实施方式中，粘附区域形成环绕卸除区域的带，具有2mm的最小带宽，优选大于3mm。在一个实施方式中，如在同等剥离条件下所测量的，例如，在环境条件下以0.01m/s的剥离速率的180°剥离试验中，粘附区域的粘附力是卸除区域的粘附力的两倍以上。
图7显示了在辐射可固化粘合剂的实施方式中包含的环氧树脂。一种合适的辐射可固化粘合剂通常被称为“SU-8”。SU-8是一种以环氧树脂、γ-丁内酯和三芳基锍盐(triaryl sulfonium salt)为基础的3组份UV-敏感负性光致抗蚀剂。光刻构成基于在UV辐射期间释放路易斯酸的光引发剂三芳基锍(triaylium-sulfonium)。该酸作为催化剂用于聚合反应。
因此，在一个实施例中，辐射可固化粘合剂12m包含光引发剂，例如，光酸，该引发剂(例如，通过阳离子诱导的聚合反应)催化辐射可固化粘合剂的固化。在一个进一步的实施方式中，辐射可固化粘合剂12m包含环氧化物。虽然显示了环氧化物的一个实例，还有其他环氧化物也是合适的。通常，还可使用其他辐射可固化粘合剂，例如，在一个实施方式中，辐射可固化粘合剂包含具有含杂原子的环的分子，其通过阳离子开环聚合来反应。除了阳离子开环聚合外，还可使用用于辐射诱导的聚合的其他机制，并且还可通过不同于聚合的其他机制来固化粘合剂。
图8A显示了以本发明公开的方法获得的在载板11上的可卸式基板13的实施方式30。如所显示的，由于所公开的制造方法，粘附区域15b与卸除区域15a可由初始均匀的粘结层12形成。这具有一个优点：粘结层可非常平坦。
图8B显示了不同的方法获得的在载板11上的可卸式基板13的实例81。具体地，该方法使用形成粘附区域15b的粘附带。卸除区域15a通过缺少粘附带来形成。与图8A的实施方式30相比，实例81具有一个缺点：基板13具有由于由在载板11上的粘附带15b的高度所形成的间隙83造成的大的不均匀。
图8C显示了以又一不同的方法获得的在载板11上的之可卸式基板13的另一个实例82。具体地，与图8B的实例81相似，粘附带用来形成粘附区域15b。与实例81不同，将另外的卸除带涂覆在粘附带之间以部分抵销高度差。然而，因为不同于图8A的实施方式30，等卸除区域15b与粘附区域15a并不是由初始均匀的粘结层12形成，一些高度差可能仍然存在并且在分离的区域之间还可存在间隙84。
图9A与9B显示了在(例如，参照图1)所描述的方法中包括的进一步的步骤的实施方式。
图9A显示了步骤(S5b)，其中基板13为第一基板并且该方法进一步包括层压第二基板93至第一基板13上。图9A的步骤(S5b)可按照图1的步骤(S5)。在步骤(S5b)中，第二粘合剂层92被涂覆在基板13与电子装置17之上。第二基板93被粘附至第二粘合剂层92。
图9B显示了沿着周界16切割第二基板93的步骤(S6b)，其中可卸式基板13a包含来自第一基板与第二基板13、93的部分。图9B的步骤(S6b)可代替图1的步骤(S6)。应领会到的是，较低基板13的卸除区域15a可用来卸除整个堆叠体。换言之，粘合剂层92不需要包含卸除区域。
由于聚合物基板低的尺寸稳定性与热稳定性，直接在柔性聚合物基板上制造柔性电子装置(例如，TFT)是复杂的。先前已知用于通过粘附至刚性基板来改善箔的尺寸稳定性的解决方案可能有缺点，例如，所允许的加工温度可能是低的(<200℃)，或者该解决方案可能昂贵、耗时，并且可能需要额外的加工步骤与设备。
在一个先前的解决方案的实例中，使用粘结脱粘结制造方案，其中基板(例如，聚合物箔)用临时粘合剂粘结至刚性载板。在TFT加工后，箔可通过热、溶剂、光和/或机械触发来脱粘结。然而，由于使用的胶系统的化学，粘结脱粘结解决方案可被限制在200℃。大多数临时粘合剂是如蜡和可溶性胶的聚合物粘结材料。这些系统通常可具有低于200℃的温度界限。高于该温度，临时粘附力可变成永久地粘结至箔和载板，因此对载板来说箔可能不容易被脱层。如此，耐高温的聚合物箔可能无法充分发挥其效益。
前述解决方案的另一个实例可被称为EPLaR(激光卸除塑基电子技术((electronicson Plastic by laser release)。可溶液可处理的聚合物(例如，聚酰亚胺，PI)被沉积在刚性载板上。在TFT加工之后，聚合物箔可通过激光卸除(界面熔化(Interfacial Melting))来脱粘结。然而，该工艺可能昂贵并且需要额外的步骤。产率也可能是一个问题。该工艺对于大型区域的合适性可能是有问题的。该工艺可耐受高温(～300℃)，但仅当聚合物膜能被溶液处理时可被使用。因此，自支撑膜(free standing films)，诸如像PEN、PEEK、PI、PEI等的挤压箔可能无法使用。此外，为了固化沉积的聚合物膜，可需要>300℃的高温和>60分钟的长时间。同样，脱层可需要高功率激光、光学透通性载板以及长的脱粘结时间，使得该工艺较为不便。
通常涂覆的临时粘合剂具有低于200℃的耐温性。高于该温度，临时粘附力可变成永久粘结至箔和载板，因此箔不能被容易地脱层。已开发了一些粘合剂可层压并脱层箔，而不使箔上的图案破裂。开发途径是提供在加工期间牢固粘结的粘合剂层，但在工艺结束后应容易地卸除箔，而没有任何粘合剂痕迹留在箔上。然而这导致了一个矛盾：粘合剂能够牢固粘结至箔和载板，但在脱层期间也能微弱粘结。这里的解决方案是找到一个最佳的粘结强度。
应领会到的是，因为在粘附区域与卸除区域中粘结层是分开的，所以使用本发明内容可不再需要找到一个最佳的粘结强度。通过选择一个永久性粘合剂并选择性地将箔粘结至载板，可以在高温处理(>200℃)后，将箔的未粘结部分脱层，而在脱层期间无需施加太多的机械应力。如此，与临时粘合剂解决方案相比，可达到更高的加工温度。
因此，通过具有可耐高温的辐射可固化粘合剂(例如，SU-8)的分段粘附，本发明公开的方法与系统提供了可挠性聚合物箔与刚性基板的临时粘结，其可耐受高温(例如，250℃)和TFT制造工艺(如真空、UV光刻、旋转涂布、干法与湿法蚀刻、等离子体处理等)。在TFT加工之后，箔可通过切割(例如，激光、刀等)被容易地脱层而不用对TFT结构施加太多的机械应力。此外，该方法还可适用于大型区域加工(>6英寸直径)。与一些仅能够使用溶液处理的膜的其他解决方案相比，本发明公开的方法的另一个优点主要可为，关于聚合物箔类型的选择没有限制。
此外，通常期望对基板提供平坦的刚性载板而能够在基板(例如，箔)上进行光刻工艺。为了能够提供在载板上的平坦的箔的解决方案以进行光刻工艺，不希望选择性地沉积粘合剂，因为这可能造成在粘结的区域与未粘结的区域之间的高度差，导致空气被困在刚性载板与箔之间(参见图8B与8C)。通过使用辐射可固化粘合剂，可以选择性地切断粘结力同时维持平坦度。因此，可以具有在载板上的粘合剂的均质(homogenous)且平坦的覆盖。通过选择性地将在载板上的粘合剂的一部分暴露于，例如，UV光，可控制粘附力。如此，箔可被层压至粘合剂之上，且该箔将会大部分粘贴至粘合剂的未暴露的部分。如此，在层压后，聚合物表面可非常平坦，例如，具有低于1μm的表面均方根粗糙度。因为UV光已经广泛用于薄膜电子装置制造而不需要额外的工具。
如所讨论与显示的实施方式的各种组件提供了一些益处，例如提供在载板上的可卸式基板。当然，应领会到的是，上述实施方式或工艺的任何一个可与一个或多个其他实施方式或工艺结合，以在寻找并匹配设计与优点时提供甚至更进一步的改进。应领会到的是，本发明对在可挠性箔基板上制造电子装置提供特定的益处，并且通常可被用于任何应用，其中基板将被牢固但可卸除地粘附至载板。
最后，以上论述旨在仅仅说明本发明的系统且不应被解释为限制所附权利要求至任何特定实施方式或实施方式的组。因此，虽然已参照本发明的系统的具体的示例性实施方式来特别详细地描述本发明的系统，但应领会到的是，本领域普通技术人员可作出许多的修改和替代的实施方式而不背离在随后的权利要求所阐明的本发明的系统与方法的范围。说明书与附图因此被视为说明的方式且非意在为了限制所附权利要求的范围。
在解释所附的权利要求时，应理解的是词语"包含(comprising)"不排除在给定的权利要求中所列的那些以外的其他元素或行为的存在；在元素之前的词语"一个(a)"或"一种(an)"不排除多个这样的元素的存在；在权利要求中的任何附图标记不限制它们的范围；几个“手段”可以由相同或不同的产品或实现的结构或功能来表示；除非明确声明，否则任何公开的装置及其部分可与另外的部分结合在一起，或者分成另外的部分。仅凭在彼此不同的权利要求中陈述某些措施并不意味着不能有益地使用这些措施的组合。

Claims (15)

1.用于提供在载板(11)上的可卸式基板(13a)的方法，所述方法包括：
(S1)提供具有辐射可固化粘合剂(12m)的粘结层(12)的所述载板(11)；
(S2)以每单位面积第一辐射剂量(14a)选择性地辐照所述粘结层(12)的第一区域分部(12a)，以选择性地至少部分地固化所述第一区域分部(12a)，其中所述粘结层(12)的第二区域分部(12b)未受辐照或是以低于所述每单位面积第一辐射剂量(14a)的每单位面积第二辐射剂量(14b)进行辐照，使得所述第一区域分部(12a)比所述第二区域分部(12b)更为固化；
(S3)提供基板(13)并使所述基板(13)与所述第一区域分部(12a)和所述第二区域分部(12b)接触；
(S4)固化与所述基板(13)接触的所述第二区域分部(12b)，以在所述第二区域分部(12b)与所述基板(13)之间形成粘附区域(15b)；其中所述第一区域分部(12a)形成卸除区域(15a)，由于在与所述基板(13)接触之前，所述第一区域分部(12a)比所述第二区域分部(12b)更为固化的缘故，所述粘结层(12)与所述基板(13)之间的在所述卸除区域(15a)的粘附力低于在所述粘附区域(15b)的粘附力。
2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
(S5)当所述基板通过所述粘结层(12)粘结至所述载板(11)时，在所述基板(13)上制造电子装置(17)。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述制造步骤(S％)在标准大气压力(1巴)下进行。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，进一步包含：
(S6)沿着在无所述粘附区域(15b)的所述卸除区域(15a)内周界(16)切割所述基板(13)，所述周界(16)界定所述可卸式基板(13a)。
5.根据权利要求4所述的方法，进一步包含：
(S7)通过从沿着所述周界(16)的位置开始剥离所述可卸式基板(13a)，从所述卸除区域(15a)卸除所述可卸式基板(13a)。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述第一区域分部(12a)被所述第二区域分部(12b)沿着其周界(16)环绕。
7.根据权利要求2和5或从属于权利要求2和5的任一权利要求所述的方法，其中，
在所述基板(13)上制造(S5)电子装置(17)期间，在所述卸除区域(15a)至少需要最小粘附力(Fmin)以使所述基板(13)在所述制造(S5)期间保持功能完好；
在从所述卸除区域(15a)卸除(S7)所述可卸式基板(13a)期间，在所述卸除区域(15a)最多允许最大粘附力(Fmax)，以使所述基板(13a)在所述卸除(S7)期间保持功能完好；并且
在接触所述基板(13)之前，调整所述每单位面积第一辐照剂量(14a)来部分地固化所述第一区域分部(12a)，以调整所述卸除区域(15a)的粘附力(F)在所述最小粘附力(Fmin)与所述最大粘附力(Fmax)之间，所述粘附力(F)由进一步固化与所述基板(13)接触的所述第一区域分部(12a)产生。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，提供所述粘结层(12)(S1)作为在所述载板(11)上的连续且均质的层。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述基板(13)包含可挠性箔，并且所述载板(11)包含刚性支撑结构。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中所述第一和/或第二辐射剂量(14a、14b)包含在紫外线波长范围内的电磁辐射。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述辐射可固化粘合剂(12m)包含催化所述辐射可固化粘合剂的固化的光引发剂。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中所述辐射可固化粘合剂(12m)包含具有含杂原子的环的分子，其通过阳离子开环聚合来反应。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的方法，其中所述基板(13)为第一基板，并且所述方法进一步包括层压第二基板(93)至所述第一基板(13)上；以及沿着所述周界(16)切割所述第二基板(93)，其中所述可卸式基板(13a)包含来自所述第一和第二基板(13、93)的部分。
14.用于提供在载板(11)上的可卸式基板(13a)的系统，所述系统包括供给系统(28)、辐射系统(22)、基板涂覆系统(23)、固化系统(24)，和控制器(27)，安置所述系统用于
-控制所述供给系统(28)来提供所述具有辐射可固化粘合剂(12m)的粘结层(12)的载板(11)；
-控制所述辐射系统(22)来以每单位面积第一辐射剂量(14a)选择性地辐照所述粘结层(12)的第一区域分部(12a)，以选择性地至少部分地固化所述第一区域分部(12a)，其中所述粘结层(12)的第二区域分部(12b)未受辐照或以低于所述每单位面积第一辐射剂量(14a)的每单位面积第二辐射剂量(14b)进行辐照，使得所述第一区域分部(12a)比所述第二区域分部(12b)更为固化；
-控制所述基板涂覆系统(23)来提供基板(13)并使所述基板(13)与所述第一区域分部(12a)和所述第二区域分部(12b)接触；
-控制所述固化系统(24)来固化与所述基板(13)接触的所述第二区域分部(12b)，以在所述第二区域分部(12b)与所述基板(13)之间形成粘附区域(15b)；其中所述第一区域分部(12a)形成卸除区域(15a)，由于在与所述基板(13)接触之前，所述第一区域分部(12a)比所述第二区域分部(12b)更为固化的缘故，在所述粘结层(12)与所述基板(13)之间的在所述卸除区域(15a)的粘附力低于在所述粘附区域(15b)的粘附力。
15.位于载板(11)上的可卸式基板(13a)，包含：
-基板(13)；
-载板(11)；以及
-在所述基板(13)与所述载板(11)之间的粘结层(12)，
-其中所述粘结层通过从固化辐射可固化粘合剂(12m)获得的固化的粘合剂来形成；
-其中所述粘结层(12)被分成第一区域分部(12a)和第二区域分部(12b)；其中卸除区域(15a)形成在所述第一区域分部(12a)与所述基板(13)之间，并且粘附区域(15b)形成在所述第二区域分部(12b)与所述基板(13)之间；其中所述基板(13)与所述粘结层(12)之间的在所述卸除区域(15a)的粘附力低于在所述粘附区域(15b)的粘附力；
-其中所述较低的粘附力通过在所述基板(13)接触所述粘结层(12)之前，所述辐射可固化粘合剂(12m)在所述第一区域分部(12a)比在所述第二区域分部(12b)更为固化来获得。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105428261A (zh) * 2015-12-23 2016-03-23 南通富士通微电子股份有限公司 使用uv膜固定基板的smt方法
CN110676207A (zh) * 2019-09-27 2020-01-10 云谷（固安）科技有限公司 分离装置以及分离方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9991311B2 (en) 2008-12-02 2018-06-05 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Dual active layer semiconductor device and method of manufacturing the same
US9721825B2 (en) 2008-12-02 2017-08-01 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
US20140127857A1 (en) * 2012-11-07 2014-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Carrier Wafers, Methods of Manufacture Thereof, and Packaging Methods
US9087777B2 (en) * 2013-03-14 2015-07-21 United Test And Assembly Center Ltd. Semiconductor packages and methods of packaging semiconductor devices
TWI524998B (zh) * 2013-09-25 2016-03-11 友達光電股份有限公司 基板之黏結及分離的方法
US9554472B2 (en) * 2013-12-19 2017-01-24 Intel Corporation Panel with releasable core
US9522514B2 (en) 2013-12-19 2016-12-20 Intel Corporation Substrate or panel with releasable core
WO2015156891A2 (en) * 2014-01-23 2015-10-15 Arizona Board Of Regents, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Method of providing a flexible semiconductor device and flexible semiconductor device thereof
US10381224B2 (en) 2014-01-23 2019-08-13 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an electronic device and electronic device thereof
WO2017034644A2 (en) 2015-06-09 2017-03-02 ARIZONA BOARD OF REGENTS a body corporate for THE STATE OF ARIZONA for and on behalf of ARIZONA STATE UNIVERSITY Method of providing an electronic device and electronic device thereof
CN106663640B (zh) 2014-05-13 2020-01-07 代表亚利桑那大学的亚利桑那校董会 提供电子器件的方法及其电子器件
US9741742B2 (en) 2014-12-22 2017-08-22 Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University Deformable electronic device and methods of providing and using deformable electronic device
US10446582B2 (en) 2014-12-22 2019-10-15 Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University Method of providing an imaging system and imaging system thereof
WO2016168341A1 (en) 2015-04-13 2016-10-20 Royole Corporation Support and detachment of flexible substrates
DE102016106351A1 (de) * 2016-04-07 2017-10-12 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Bonden zweier Substrate
KR20190013917A (ko) * 2016-05-30 2019-02-11 차이나 와퍼 레벨 씨에스피 씨오., 엘티디. 패키징 구조체 및 패키징 방법
EP3618587A4 (en) * 2017-04-27 2020-04-08 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. CARRIER AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING SUBSTRATE IN WHICH THE CARRIER IS USED
WO2019049588A1 (en) 2017-09-07 2019-03-14 Mapper Lithography Ip B.V. METHODS AND SYSTEMS FOR COATING A SUBSTRATE
KR102179165B1 (ko) 2017-11-28 2020-11-16 삼성전자주식회사 캐리어 기판 및 상기 캐리어 기판을 이용한 반도체 패키지의 제조방법
GB201801457D0 (en) * 2018-01-30 2018-03-14 Pragmatic Printing Ltd Integrated circuit manufacturing process and apparatus
US11331221B2 (en) * 2019-12-27 2022-05-17 Convatec Limited Negative pressure wound dressing
CN113675129B (zh) * 2021-07-24 2023-07-28 福州大学 粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080099134A1 (en) * 2006-03-20 2008-05-01 Fujifilm Corporation Method for fixing plastic substrate, circuit substrate and method for producing same
CN101857778A (zh) * 2009-04-08 2010-10-13 日东电工株式会社 热固型芯片接合薄膜
US20120003470A1 (en) * 2010-07-05 2012-01-05 Nitto Denko Corporation Active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive for re-release and dicing die-bonding film

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19850873A1 (de) 1998-11-05 2000-05-11 Philips Corp Intellectual Pty Verfahren zum Bearbeiten eines Erzeugnisses der Halbleitertechnik
JP2002249744A (ja) * 2001-02-26 2002-09-06 Sekisui Chem Co Ltd 光硬化型粘接着剤組成物、粘接着剤及び粘接着剤の剥離方法
JP2004300231A (ja) 2003-03-31 2004-10-28 Nitto Denko Corp 熱剥離性両面粘着シート、被着体の加工方法および電子部品
US20060207967A1 (en) 2003-07-03 2006-09-21 Bocko Peter L Porous processing carrier for flexible substrates
GB0327093D0 (en) 2003-11-21 2003-12-24 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates
JP4443962B2 (ja) * 2004-03-17 2010-03-31 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP4897882B2 (ja) 2006-07-05 2012-03-14 アリゾナ ボード オブ リージェンツ ア ボディー コーポレート アクティング オン ビハーフ オブ アリゾナ ステイト ユニバーシティ 硬質担体を基板に暫定的に取り付ける方法
KR20090017014A (ko) 2007-08-13 2009-02-18 삼성전자주식회사 가요성 표시 장치의 제조 방법
TWI370940B (en) 2008-03-14 2012-08-21 E Ink Holdings Inc Carrier and method for manufacturing a flexible display panel
TWI354854B (en) 2008-09-15 2011-12-21 Ind Tech Res Inst Substrate structures applied in flexible electrica
TWI421809B (zh) 2009-04-17 2014-01-01 Ind Tech Res Inst 可撓曲基板自載板上脫離的方法及可撓式電子裝置的製造方法
WO2010146524A1 (en) 2009-06-19 2010-12-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Conformable electronic devices and methods for their manufacture
TWI406207B (zh) 2009-11-05 2013-08-21 Prime View Int Co Ltd 可撓性顯示裝置的製造方法
GB2481187B (en) 2010-06-04 2014-10-29 Plastic Logic Ltd Processing substrates
DE102011050746A1 (de) * 2011-05-31 2012-12-06 Hologram Industries Research Gmbh Mehrschichtkörper, Verfahren zu dessen Herstellung und Herstellung fälschungssicherer Dokumente unter dessen Verwendung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080099134A1 (en) * 2006-03-20 2008-05-01 Fujifilm Corporation Method for fixing plastic substrate, circuit substrate and method for producing same
CN101857778A (zh) * 2009-04-08 2010-10-13 日东电工株式会社 热固型芯片接合薄膜
US20120003470A1 (en) * 2010-07-05 2012-01-05 Nitto Denko Corporation Active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive for re-release and dicing die-bonding film

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105428261A (zh) * 2015-12-23 2016-03-23 南通富士通微电子股份有限公司 使用uv膜固定基板的smt方法
CN110676207A (zh) * 2019-09-27 2020-01-10 云谷（固安）科技有限公司 分离装置以及分离方法
CN110676207B (zh) * 2019-09-27 2021-11-16 云谷（固安）科技有限公司 分离装置以及分离方法

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