CN104835648A - 氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其包括以下步骤:S1.钛片的预处理;S2.阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列;S3.自组装制备氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列。本发明的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列采用自组装和煅烧技术制得氧化铋纳米颗粒和二氧化钛纳米管的复合物,解决了现有工艺中制工序复杂,耗时长、稳定性差等问题。
Description
技术领域
本发明涉及材料技术领域,特别是涉及一种氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法。
背景技术
二氧化钛(TiO2)作为一种新型的n型半导体材料,因其具有突出的化学稳定性、光电特性、生物相容性、抗腐蚀性等特点,已经广泛应用于光催化降解污染物、燃料敏化太阳能电池、生物医用材料、气体传感器和光解水制氢等方面。
与二氧化钛纳米颗粒相比,阳极氧化法制备的二氧化钛纳米管阵列具有更大的比表面积、更高的表面能、容易回收重复利用和电子和空穴的负荷率较低等优点,受到了人们更多的关注和研究。但是,二氧化钛纳米管阵列仍存在着一些缺点,限制了它在很多方面的应用。例如,(1)TiO2的禁带宽度较宽(锐钛矿为3.2eV,金红石为3.0eV),只能吸收3~5%的太阳光能(λ<387nm),太阳能利用率低;(2)TiO2纳米管的光生电子空穴对的复合率仍然较高,光催化活性低。
针对上述问题,可将金属、非金属以及半导体纳米粒子与二氧化钛纳米管阵列相复合。从而,大大改善TiO2纳米管阵列的光电及催化性能,提高太阳能的利用率。
具体地,复合纳米半导体是将至少两种具有不同能带结构的纳米半导体以某种方式结合在一起,形成的复合型纳米材料。通过该复合方式,能使TiO2禁带宽度减小,有效抑制电子空穴对的复合,从而提高光催化效率。此外,由于二者的禁带宽度差异,能够使光生电子和空穴得以有效的分离,因此提高了光电转换效率。例如,Bi2O3是一种p型半导体,禁带宽度为2.8eV,与TiO2复合后,形成了p-n异质结,使TiO2纳米管阵列的光响应区域从紫外区向可见区方向发生红移,从而提高了对太阳能的利用率。
现有技术中,采用脉冲电沉积法将Bi填充在TiO2纳米管内,利用热处理得到Bi2O3/TiO2纳米棒-纳米管阵列,该复合阵列因Bi2O3的填充而具有较强的可见光吸收。然而,上述制备方法的工艺条件相对比较复杂,而且在颗粒尺寸及分散性等方面的可控性较差。
因此,针对上述问题,有必要提出进一步的解决方案。
发明内容
有鉴于此,本发明提供了一种氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法,以克服现有技术中存在的不足。
为了实现上述目的,本发明实施例提供的技术方案如下:
一种氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其包括以下步骤:
S1.对钛片进行清洗;
S2.以清洗后的钛片为阳极,以铂片为阴极,同时插入含有氟化铵和水的乙二醇溶液中,施加电压,进行阳极氧化,制得TiO2纳米管阵列,再将制得的TiO2纳米管阵列进行煅烧;
S3.配制含铋离子的乙二醇溶液和含碱的乙醇溶液,溶液分散均匀后,将二者分别进行超声处理,同时将步骤S2中的TiO2纳米管阵列轮流浸入进行超声处理的含铋离子的乙二醇溶液和含碱的乙醇溶液中,浸入完毕后,对TiO2纳米管阵列进行清洗、干燥,重复浸入、清洗、干燥的操作后,再将干燥后的TiO2纳米管阵列进行煅烧,得到氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列。
作为本发明的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法的改进,所述步骤S1中,所述钛片为纯钛或钛合金,所述钛片的尺寸为1.5cm×3.0cm。
作为本发明的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法的改进,所述步骤S1具体包括:依次采用丙酮、乙醇和去离子水对钛片超声清洗20~60min。
作为本发明的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法的改进,所述步骤S2中,氟化铵的质量百分比浓度为0.1~1.0wt%,水的体积百分比浓度为1.0~5.0v%。
作为本发明的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法的改进,所述步骤S2中,进行阳极氧化的电压为40~60V,时间为2~4h。
作为本发明的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法的改进,所述步骤S2中,将制得的TiO2纳米管阵列在空气中进行煅烧,煅烧的温度为300~500℃,锻烧的时间为1~5h,煅烧的升温和降温速率均为3~5℃/min。
作为本发明的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法的改进,所述步骤S3中,含铋离子的乙二醇溶液浓度为1.0~10.0mM;含碱的乙醇溶液为氨水的乙醇溶液或氢氧化钠的乙醇溶液,含碱的乙醇溶液的浓度为0.01~1.0M。
作为本发明的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法的改进,所述步骤S3中,对TiO2纳米管阵列进行清洗时,利用无水乙醇进行清洗。
作为本发明的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法的改进,所述步骤S3中,在烘箱内对TiO2纳米管阵列进行干燥,干燥温度为30~60℃。
作为本发明的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法的改进,所述步骤S3中,定义将步骤S2中的TiO2纳米管阵列分别浸入经过超声处理的含铋离子的乙二醇溶液和含碱的乙醇溶液为一次循环,循环次数为1~20次,浸入溶液的时间为5~20min。
作为本发明的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法的改进,所述步骤S3中,将干燥后的TiO2纳米管阵列在空气中进行煅烧,煅烧的温度为400~600℃,锻烧的时间为1~2h,煅烧的升温和降温速率均为3~5℃/min。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列采用自组装和煅烧技术制得氧化铋纳米颗粒和二氧化钛纳米管的复合物,解决了现有工艺中制工序复杂,耗时长、稳定性差等问题。具有工艺简便易操作,可控制氧化铋颗粒的分散和尺寸大小的优点。氧化铋纳米颗粒修饰的二氧化钛纳米管阵列一方面可提高复合物的光吸收能力;另一方面可将其光响应拓展至可见光区,提高太阳光的利用率。与未复合的TiO2相比较,制得的复合氧化铋纳米颗粒的TiO2纳米管阵列光催化剂,在紫外光下降解10mg/L的甲基橙是未修饰二氧化钛纳米管光催化速率的1.95倍。且光催化降解污染物的效率明显提高,具有良好的化学稳定性能和可回收性,可实现氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的低成本、大规模工业化应用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法的流程示意图;
图2为本发明制得的二氧化钛纳米管阵列的SEM图,视图a为正面形貌图,视图b为侧面形貌图;
图3为实施例中制备的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的SEM形貌图,其中,视图a、d、e、f为氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的正面形貌图,视图b、c为氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的侧面形貌图;
图4(a)~(c)分别为实施例1中制备的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的TEM、HRTEM和EDS谱图,其中,EDS谱图为图3中视图a所示氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列表面的EDS谱图;
图5为未经修饰的TiO2纳米管阵列煅烧400℃和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的XRD谱图;
图6为未经修饰的TiO2纳米管阵列谱图(a)和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的XPS谱图(b,c,d);
图7(a)为未经修饰的TiO2纳米管阵列和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的紫外-可见光漫反射图谱;
图7(b)为未经修饰的TiO2纳米管阵列和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的荧光图谱;
图8为未经修饰的TiO2纳米管阵列和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的光电流图谱,其中,Bi2O3/TiO2NTA-1表示超声辅助循环沉积一次Bi2O3颗粒,Bi2O3/TiO2NTA-4表示超声辅助循环沉积四次Bi2O3颗粒,Bi2O3/TiO2NTA-7表示超声辅助循环沉积七次Bi2O3颗粒;
图9(a)为未经修饰的TiO2纳米管阵列和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的光催化效果图,其中,Bi2O3/TiO2NTA-1表示循序沉积一次Bi2O3颗粒,Bi2O3/TiO2NTA-4表示循序沉积四次Bi2O3颗粒,Bi2O3/TiO2NTA-7表示循序沉积七次Bi2O3颗粒;
图9(b)为未经修饰的TiO2纳米管阵列和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的动力学方程图,其中,Bi2O3/TiO2NTA-1表示循序沉积一次Bi2O3颗粒,Bi2O3/TiO2NTA-4表示循序沉积四次Bi2O3颗粒,Bi2O3/TiO2NTA-7表示循序沉积七次Bi2O3颗粒;
图10为未经修饰的TiO2纳米管阵列和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列经过数次循环光催化实验后的光催化效率图;
图11(a)为未经修饰的TiO2纳米管阵列和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的光催化效果图;
图11(b)为未经修饰的TiO2纳米管阵列和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的动力学方程图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都应当属于本发明保护的范围。
如图1所示,为本发明的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法的流程示意图。
本发明的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法包括:
S1.钛片的预处理。
具体地,对钛片进行清洗。其中,所述钛片为纯钛或钛合金,所述钛片的尺寸为1.5cm×3.0cm。依次采用丙酮、乙醇和去离子水对钛片超声清洗20~60min。
S2.阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列。
具体地,以清洗后的钛片为阳极,以铂片为阴极,同时插入含有氟化铵和水的乙二醇溶液中,施加电压,进行阳极氧化,制得TiO2纳米管阵列,再将制得的TiO2纳米管阵列进行煅烧。
其中,乙二醇溶液中,氟化铵的质量百分比浓度为0.1~1.0wt%,水的体积百分比浓度为1.0~5.0v%。进行阳极氧化的电压为40~60V,时间为2~4h。将制得的TiO2纳米管阵列在空气中进行煅烧,煅烧的温度为300~500℃,锻烧的时间为1~5h,煅烧的升温和降温速率均为3~5℃/min。通过煅烧,使得TiO2纳米管阵列从无定型状态转变成锐钛矿。
S3.自组装制备氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列。
具体地,配制含铋离子的乙二醇溶液和含碱的乙醇溶液,溶液分散均匀后,将二者分别进行超声处理,同时将步骤S2中的TiO2纳米管阵列轮流浸入进行超声处理的含铋离子的乙二醇溶液和含碱的乙醇溶液中,浸入完毕后,对TiO2纳米管阵列进行清洗、干燥,重复浸入、清洗、干燥的操作后,再将干燥后的TiO2纳米管阵列进行煅烧,得到氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列。
其中,进行超声处理时在超声机内进行。含铋离子的乙二醇溶液浓度为1.0~10.0mM;含碱的乙醇溶液为氨水的乙醇溶液或氢氧化钠的乙醇溶液,含碱的乙醇溶液的浓度为0.01~1.0M。对TiO2纳米管阵列进行清洗时,利用无水乙醇进行清洗。在烘箱内对TiO2纳米管阵列进行干燥,干燥温度为30~60℃。
进一步地,定义将步骤S2中的TiO2纳米管阵列分别浸入经过超声处理的含铋离子的乙二醇溶液和含碱的乙醇溶液为一次循环,循环次数为1~20次,浸入溶液的时间为5~20min。将干燥后的TiO2纳米管阵列在空气中进行煅烧,煅烧的温度为400~600℃,锻烧的时间为1~2h,煅烧的升温和降温速率均为3~5℃/min。
如图2所示,为本发明制得的二氧化钛纳米管阵列的SEM图。由图2可知,氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列中纳米管长约为4~6μm,纳米管孔径约为90~100nm,管壁厚度约为20nm。此外,煅烧后纳米管与基底结合更加牢固,管壁光滑且排列非常紧密。
此外,针对上述制备的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列按照如下方式测试其对甲基橙的降解效果。
具体地,在试管中倒入甲基橙溶液,将氧化铋纳米颗粒复合的TiO2纳米管基底放入溶液中,避光一段时间达到吸附平衡,取出后光照一段时间,测试其对甲基橙的降解效率。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和实施例进一步说明本发明的技术方案。但是本发明不限于所列出的实施例,还应包括在本发明所要求的权利范围内其他任何公知的改变。
首先,此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例,也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。
其次,本发明利用结构示意图等进行详细描述,在详述本发明实施例时,为便于说明,示意图会不依一般比例作局部放大,而且所述示意图只是实例,其在此不应限制本发明保护的范围。
另外,本发明中所讲的字母简称,均为本领域固定简称,其中部分字母文解释如下:SEM图:电子扫描显像图;TEM图:透射电子扫面显像图;HRTEM图:高分辨率透射电子扫面显像图;EDS图:能谱图;XRD图:X射线衍射图;XPS谱图:X射线光电子能谱分析谱图;
实施例1
(1)钛片的预处理、及阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列。对纯钛片基底用丙酮、无水乙醇超声清洗20min。以铂片电极为阴极,同时插入含0.5wt%氟化铵的乙二醇(98v%)和水(2v%)的电解质溶液中,施加50V电压阳极氧化2h,制得TiO2纳米管阵列,再400℃煅烧2h,使其从无定型状态转变成锐钛矿。
(2)采用自组装方法,制备氧化铋纳米颗粒复合的二氧化钛纳米管阵列。配制5.0mM Bi(NO3)3·5H2O的乙二醇溶液和0.1M NaOH的无水乙醇溶液,溶液分散均匀后,将两种溶液放入超声机内超声,(然后将二氧化钛纳米管阵列)轮流浸入乙二醇溶液和无水乙醇溶液,浸入两种溶液均10min,取出样品后都用无水乙醇冲洗钛片,在烘箱内40℃干燥,不停地重复此项操作,循环沉积4次,将干燥的样品放入马弗炉内450℃煅烧,即得到氧化铋纳米颗粒复合的TiO2纳米管阵列。
(3)氧化铋纳米颗粒修饰二氧化钛纳米管阵列光催化降解甲基橙:在试管中倒入甲基橙溶液15ml,将氧化铋纳米颗粒复合的TiO2纳米管基底放入溶液中,避光处理60min达到吸附平衡,光照120min后,测试其光催化降解甲基橙的效率。
实施例2
(1)钛片的预处理、及阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列的制备同实施例1。
(2)自组装制备氧化铋纳米颗粒复合二氧化钛纳米管阵列:配制10.0mMBi(NO3)3·5H2O的乙二醇溶液和1.0M NaOH的无水乙醇溶液,溶液分散均匀后,将两种溶液放入超声机内超声,先浸入乙二醇溶液,再浸入无水乙醇溶液,浸入两种溶液均为20min,取出样品后都用无水乙醇冲洗钛片,在烘箱内40℃干燥,化学沉积1次,将干燥的样品放入马弗炉内450℃煅烧5h,即得到氧化铋纳米颗粒复合的TiO2纳米管阵列。
实施例3
(1)钛片的预处理、及阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列:对钛合金片基底用丙酮、无水乙醇超声清洗60min。以铂片电极为阴极,同时插入含0.1wt%氟化铵的乙二醇(99v%)和水(1.0v%)的电解质溶液中,施加40V电压阳极氧化4h,制得TiO2纳米管阵列,再300℃煅烧,使其从无定型状态转变成锐钛矿。
(2)自组装制备氧化铋纳米颗粒复合二氧化钛纳米管阵列:配制1mMBi(NO3)3·5H2O的乙二醇溶液和0.01M NaOH的无水乙醇溶液,溶液分散均匀后,将两种溶液放入超声机内超声,轮流浸入乙二醇溶液和无水乙醇溶液,浸入两种溶液均5min,取出样品后都用无水乙醇冲洗钛片,在烘箱内40℃干燥,不停地重复此项操作,循环沉积7次,将干燥的样品放入马弗炉内450℃煅烧1h,即得到氧化铋纳米颗粒复合的TiO2纳米管阵列。
实施例4
(1)钛片的预处理、及阳极氧化法制备TiO2纳米管阵列:对钛合金片基底用丙酮、无水乙醇超声清洗20min。以铂片电极为阴极,同时插入含1.0wt%氟化铵的乙二醇(95v%)和水(5.0v%)的电解质溶液中,施加60V电压阳极氧化2h,制得TiO2纳米管阵列,再600℃煅烧,使其从无定型状态转变成锐钛矿。
(2)自组装制备氧化铋纳米颗粒复合二氧化钛纳米管阵列:配制3.0mMBi(NO3)3·5H2O的乙二醇溶液和0.05M NH3·H2O的无水乙醇溶液,溶液分散均匀后,将两种溶液放入超声机内超声,轮流浸入乙二醇溶液和无水乙醇溶液,浸入两种溶液均10min,取出样品后都用无水乙醇冲洗钛片,在烘箱内60℃干燥,不停地重复此项操作,循环沉积4次,将干燥的样品放入马弗炉内600℃煅烧2h,即得到氧化铋纳米颗粒复合的TiO2纳米管阵列。
如图3、4(a)~(c)所示,图3为实施例中制备的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的SEM形貌图。图4(a)~(c)分别为实施例1中制备的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的TEM、HRTEM和EDS谱图。
由图3可知,5~40nm的Bi2O3纳米颗粒均匀地沉积在纳米管表面和内部。由图4(a)~(c)可知,TEM结果进一步表明Bi2O3纳米颗粒均匀分布在TiO2纳米管表面和内部,颗粒尺寸大约为10nm;HRTEM图显示TiO2锐钛矿型(101)晶面晶格间距为0.352nm,β-Bi2O3(221)晶面间距为0.321nm;EDS谱图表明,氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列主要含有Ti、O、Bi元素,且Bi含量为1.16at%,从而进一步证实Bi2O3纳米颗粒的存在。
进一步如图5、6、7(a)、7(b)、8所示,图5为未经修饰的TiO2纳米管阵列煅烧400℃和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的XRD谱图;图6为未经修饰的TiO2纳米管阵列谱图(a)和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的XPS谱图(b,c,d);图7(a)为未经修饰的TiO2纳米管阵列和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的紫外-可见光漫反射图谱;图7(b)为Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的荧光图谱;图8为未经修饰的TiO2纳米管阵列和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的光电流图谱。
由图5可知,空白TiO2纳米管主要由锐钛矿和Ti基底组成,25.3°,37.9°,48.0°和53.9°出现的峰值分别对应锐钛矿的(101),(004),(200)和(105)晶面(JCPDS no.21-1272)。在TiO2纳米管阵列沉积Bi2O3纳米颗粒后,由于均匀分散和颗粒较小,在27.9°和31.8°出现了较低的峰值,对应β-Bi2O3的(221)和(002)晶面(JCPDS no.29-0236),从而,与图4中TEM结果相符合。
由图6可知,除了O 1s(532.4eV),Ti 2p(458.9eV)和C 1s(284.5eV)峰,Bi 4d和Bi 4f峰的存在证明了Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列。从Bi 4f高分辨XPS图谱(c)中可看出,Bi 4f7/2(158.4eV)和Bi 4f5/2(163.8eV)峰值间距为5.4eV,证明Bi离子是以+3价的形式存在的。在O 1s高分辨XPS图谱(d)中,530.2和529.5eV峰值分别对应为T-O和B-O键,532.0eV则归功于样品表面所吸收的水汽。
由图7(a)可知,未经修饰TiO2纳米管的吸收峰低于390nm,修饰Bi2O3纳米颗粒后,在400-700nm处吸收强度增大,吸收峰发生明显红移,光吸收率提高。在图7(b)中,由于TiO2纳米管的氧空缺,在452nm,471nm,490nm和595nm处出现了峰值。修饰Bi2O3纳米颗粒的TiO2纳米管阵列的荧光强度比未修饰的TiO2纳米管阵列低,如此表明Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列获得较低的能级即可发生电子跃迁,促进电子空穴对的分离,增强了光催化效率。
由图8可知,Bi2O3/TiO2NTA-1表示循序沉积一次Bi2O3颗粒,Bi2O3/TiO2NTA-4表示循序沉积四次Bi2O3颗粒,Bi2O3/TiO2NTA-7表示循序沉积七次Bi2O3颗粒。以0.1M的硫酸钠为电解质液,氙灯作为光源,光源到烧杯的距离为15cm,光照强度为100mW/cm2,在CHI660D电化学工作站三电极体系下经行光电流测试。Bi2O3/TiO2NTA-1,4,7的光电流为0.43mA/cm2,0.51mA/cm2,0.19mA/cm2,分别是未修饰TiO2纳米管的光电流(0.09mA/cm2)的4.8倍,5.8倍,2.1倍,表示TiO2纳米管阵列修饰Bi2O3颗粒后提高了电子空穴对的分离效率。
如图9(a)、9(b)、10、11(a)、11(b)所示,图9(a)为未经修饰的TiO2纳米管阵列和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的光催化效果图;图9(b)为未经修饰的TiO2纳米管阵列和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的动力学方程图;图10为未经修饰的TiO2纳米管阵列和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列经过数次循环光催化实验后的光催化效率图;图11(a)为未经修饰的TiO2纳米管阵列和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的光催化效果图;图11(b)为未经修饰的TiO2纳米管阵列和Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管阵列的动力学方程图。
图9(a)、9(b)中,300W汞灯作为光源,光源与样品的距离为12cm,降解甲基橙的浓度为10mg/L,体积为15ml,pH为8.5。光照60min后,未修饰TiO2纳米管降解了31.1%,Bi2O3/TiO2NTA沉积1次、4次和7次Bi2O3颗粒分别降解了43.4%,51.2%和40.1%。利用动力学方程公式:ln(C0/Ct)=kt,即可算出Bi2O3/TiO2NTA沉积1次、4次和7次Bi2O3颗粒的动力学系数分别为0.00302,0.00462,0.00590和0.00418min-1。从而,远高于甲基橙自降解(0.00132min-1)和未修饰TiO2纳米管(0.00590min-1)。因此,Bi2O3和TiO2所形成p-n异质结有效提高了光催化效率。
由图10可知,经过10次循环试验以后,Bi2O3纳米颗粒修饰的TiO2纳米管光催化效率减少量在5%以内,说明其具有很强的稳定性和可回收性。
与现有技术相比,本发明的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列采用自组装和煅烧技术制得氧化铋纳米颗粒和二氧化钛纳米管的复合物,解决了现有工艺中制工序复杂,耗时长、稳定性差等问题。具有工艺简便易操作,可控制氧化铋颗粒的分散和尺寸大小的优点。氧化铋纳米颗粒修饰的二氧化钛纳米管阵列一方面可提高复合物的光吸收能力;另一方面可将其光响应拓展至可见光区,提高太阳光的利用率。与未复合的TiO2相比较,制得的复合氧化铋纳米颗粒的TiO2纳米管阵列光催化剂,在紫外光下降解10mg/L的甲基橙是未修饰二氧化钛纳米管光催化速率的1.95倍。且光催化降解污染物的效率明显提高,具有良好的化学稳定性能和可回收性,可实现氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的低成本、大规模工业化应用。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
Claims (11)
1.一种氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
S1.对钛片进行清洗;
S2.以清洗后的钛片为阳极,以铂片为阴极,同时插入含有氟化铵和水的乙二醇溶液中,施加电压,进行阳极氧化,制得TiO2纳米管阵列,再将制得的TiO2纳米管阵列进行煅烧;
S3.配制含铋离子的乙二醇溶液和含碱的乙醇溶液,溶液分散均匀后,将二者分别进行超声处理,同时将步骤S2中的TiO2纳米管阵列轮流浸入进行超声处理的含铋离子的乙二醇溶液和含碱的乙醇溶液中,浸入完毕后,对TiO2纳米管阵列进行清洗、干燥,重复浸入、清洗、干燥的操作后,再将干燥后的TiO2纳米管阵列进行煅烧,得到氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列。
2.根据权利要求1所述的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述钛片为纯钛或钛合金,所述钛片的尺寸为1.5cm×3.0cm。
3.根据权利要求1所述的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述步骤S1具体包括:依次采用丙酮、乙醇和去离子水对钛片超声清洗20~60min。
4.根据权利要求1所述的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,氟化铵的质量百分比浓度为0.1~1.0wt%,水的体积百分比浓度为1.0~5.0v%。
5.根据权利要求1所述的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,进行阳极氧化的电压为40~60V,时间为2~4h。
6.根据权利要求1所述的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述步骤S2中,将制得的TiO2纳米管阵列在空气中进行煅烧,煅烧的温度为300~500℃,锻烧的时间为1~5h,煅烧的升温和降温速率均为3~5℃/min。
7.根据权利要求1所述的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,含铋离子的乙二醇溶液浓度为1.0~10.0mM;含碱的乙醇溶液为氨水的乙醇溶液或氢氧化钠的乙醇溶液,含碱的乙醇溶液的浓度为0.01~1.0M。
8.根据权利要求1所述的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,对TiO2纳米管阵列进行清洗时,利用无水乙醇进行清洗。
9.根据权利要求1所述的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,在烘箱内对TiO2纳米管阵列进行干燥,干燥温度为30~60℃。
10.根据权利要求1所述的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,定义将步骤S2中的TiO2纳米管阵列分别浸入经过超声处理的含铋离子的乙二醇溶液和含碱的乙醇溶液为一次循环,循环次数为1~20次,浸入溶液的时间为5~20min。
11.根据权利要求1所述的氧化铋纳米颗粒/二氧化钛纳米管阵列的制备方法,其特征在于,所述步骤S3中,将干燥后的TiO2纳米管阵列在空气中进行煅烧,煅烧的温度为400~600℃,锻烧的时间为1~2h,煅烧的升温和降温速率均为3~5℃/min。
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