CN104821708A - 提升原边反馈电源系统eft抗扰度的电路结构 - Google Patents

提升原边反馈电源系统eft抗扰度的电路结构 Download PDF

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Abstract

本发明涉及提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，EFT抗扰度电路的VSENSE信号突变检测模块与电压反馈信号VSENSE端、启动单元、OCP值控制模块、计时模块相连，Toff控制模块与或门、计时模块相连，OCP值控制模块与控制器、电流反馈检测模块相连；电压反馈检测模块与电压反馈信号VSENSE端、控制器相连；控制器与OCP值控制模块、或门相连；PWM驱动模块与功率MOS管相连；功率MOS管与高压启动模块、电流反馈端口ISENSE端、高压端口SW相连；电流反馈检测模块与OCP值控制模块、功率MOS管、电流反馈端口ISENSE端相连。有效提升EFT抗扰度，改善动态响应。

Description

提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构
技术领域
本发明涉及一种提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，应用于任何非连续模式的电源芯片，属于功率半导体技术领域。
背景技术
目前，传统的原边反馈电源芯片结构，如图1所示，芯片主要模块包括：电压反馈检测模块101、电流反馈检测模块106、控制器104、PWM驱动模块105、供电单元102和高压启动模块102，传统的集成功率管芯片结构的系统方案，如图2所示，该系统主要包括：整流桥D0、滤波电容C1、变压器TR1、电源芯片IC1、与变压器原边连接的芯片SW、与芯片CS连接的CS采样回路、与变压器副边连接的DC输出级、与变压器辅助线圈连接的VDD供电回路和FB反馈回路，系统工作原理为：当DC输出电压Vout低于目标电压时，FB反馈电压VSENSE降低，电源芯片ICI会增大开关频率的占空比，让开关管导通时间更长，以传递更多的能量到变压器的副边，使输出电压Vout升高；当DC输出电压Vout高于目标电压时，FB电压升高，电源芯片ICI就会减小开关频率的占空比，开关管导通时间变小，以传递更少的能量到变压器的副边，使输出电压Vout降低。
上述工作方式虽然能够实现输出稳定，但是这种工作方式对来自操作暂态过程(如开断感性负荷、继电器触头弹跳等)中的各种类型瞬变扰动的抗干扰性较差。EFT测试就是模拟这种干扰信号，EFT测试具体波形如图3所示，是数量有限且清晰可辨的脉冲序列，要点是瞬变的高幅值、短上升时间、高重复率和低能量，这种脉冲序列对系统的工作影响波形如图4所示，由于脉冲会影响VSENSE，会使得芯片采样到错误的VSENSE，发生误判断，降低芯片工作频率，导致输出下降。当脉冲幅值达到一定程度时，会使得采样到的VSENSE值过高，芯片根据错误的VSENSE值输出芯片允许的最低频率，导致输出下降到可接受的输出电压以下，具体波形如图5所示，影响正常应用。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术存在的不足，提供一种提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，旨在有效提升原边反馈电源系统EFT抗扰度，同时一定程度上改善动态特性，确保系统输出不会掉电到可接受电压范围之外。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：
提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，特点是：包含电源地以及与其相连的电压反馈检测模块、电流反馈检测模块、控制器、PWM驱动模块、高压启动模块、启动单元、提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路、将理论计算的Toff时间和Toff控制模块输出的Toff时间逻辑或的或门、功率MOS管；
所述提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路包括VSENSE信号突变检测模块、Toff控制模块、OCP值控制模块和计时模块，VSENSE信号突变检测模块分别与电压反馈信号VSENSE端、启动单元、OCP值控制模块、计时模块相连，Toff控制模块分别与或门、计时模块相连，OCP值控制模块分别与控制器、电流反馈检测模块相连；
所述电压反馈检测模块分别与电压反馈信号VSENSE端、控制器相连；
所述控制器分别与OCP值控制模块、或门相连；
所述或门与PWM驱动模块相连；
所述PWM驱动模块与功率MOS管相连；
所述功率MOS管分别与高压启动模块、电流反馈端口ISENSE端、高压端口SW相连；
所述电流反馈检测模块分别与OCP值控制模块、功率MOS管、电流反馈端口ISENSE端相连；
所述高压启动模块分别与高压端口SW、电源端口VDD端相连。
进一步地，上述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其中，所述电流反馈检测模块在开关管导通时实时监测原边电流，电压反馈检测模块在开关管关断时实时监测反馈的电压，控制器根据电压反馈和电流反馈结果计算开关管的导通时间和关断时间，提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路根据电压反馈信号VSENSE，选择真正的开关管关断时间和开启时间，保证输出不会突然下降到不可接受的输出电压值以下；
所述提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路中，VSENSE信号突变检测模块在启动结束后开始逐周期检测VSENSE信号，一旦检测到VSENSE信号发生突然变化，则输出反馈电压信号VSENSE突变信号B或者反馈电压信号VSENSE突变信号A，反馈电压信号VSENSE突变信号B表示VSENSE信号突然变大，反馈电压信号VSENSE突变信号A表示VSENSE信号突然变小，进而控制Toff控制模块和OCP值控制模块的输出，并控制计时模块工作，Toff控制模块和OCP值控制模块则根据VSENSE信号突变检测模块的输出和计时模块的输出选择性的输出开关管关断时间Toff和OCP值。
更进一步地，上述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其中，所述VSENSE信号突变检测模块启动控制，在完全启动结束前，VSENSE信号突变检测功能被屏蔽，未能检测电压反馈信号VSENSE的信息；启动完成后，VSENSE信号突变检测模块开始逐周期检测VSENSE信号信息，根据电压反馈信号VSENSE的信息生成电压反馈信号VSENSE突变信号A和突变信号B，当检测到电压反馈信号VSENSE突然变小时，则电压反馈信号VSENSE突变信号A发生反转，当检测到电压反馈信号VSENSE突然变大时，则电压反馈信号VSENSE突变信号B发生反转。
更进一步地，上述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其中，所述计时模块包括计时器1、计时器2……计时器n，当反馈电压信号VSENSE突变信号B反转时，计时器1开始计时，同时将计时器2清零，当计一段时间后产生控制信号1控制Toff控制模块，当反馈电压信号VSENSE突变信号B恢复初始值时，计时器2开始计时一段时间，计一段时间后产生控制信号2控制Toff控制模块，并将计时器1清零。
更进一步地，上述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其中，所述Toff控制模块根据反馈电压信号VSENSE突变信号B、上一周期Toff时间以及计时模块输出的控制信号，选择芯片关断时间；Toff控制模块根据上一周期的Toff时间限制当前周期所允许的最大Toff时间，不允许Toff发生突变；当前周期计算的Toff时间大于所允许的Toff时间时，Toff空载模块输出高电平控制功率MOS管开启；同时Toff控制模块根据反馈电压信号VSENSE突变信号，选择芯片最大关断时间，当计时模块产生的控制信号2有效时，将Toff最大值即ToffMAX限制为值Toff_A，Toff时间大于Toff_A时，Toff控制模块输出高电平控制功率MOS管开启；当计时模块产生的控制信号1有效时，将Toff最大值即ToffMAX限制为值Toff_B，Toff时间大于Toff_B时，Toff控制模块输出高电平控制功率MOS管开启；Toff_A小于Toff_B，Toff_B大于芯片空载下的控制器计算出的Toff时间；当反馈电压信号VSENSE突变信号B为初始值、启动期间和小于允许的Toff时间时，Toff控制模块输出低电平。
再进一步地，上述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其中，所述OCP值控制模块根据反馈电压信号VSENSE突变信号A，选择OCP值；当反馈电压信号VSENSE突变信号A发生反转时，OCP值锁存为当前AC电压下最大值，直到反馈电压信号VSENSE突变信号A重新反转回初始值；当反馈电压信号VSENSE突变信号A为初值时和芯片启动期间，OCP值控制模块输出控制器计算的OCP值。
再进一步地，上述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其中，所述VSENSE信号突变检测模块包括第一比较器、第二比较器、第一滤波电路、第二滤波电路、计时电路、第一反相器、第一与门和第二与门，第一比较器与第一滤波电路相连，第一滤波电路与计时电路相连，计时电路分别与第一反相器、第一与门相连，第二比较器与第二滤波电路相连，第二与门与第二滤波电路相连；
所述第一比较器接收反馈信号和阈值信号并生成比较信号1；
所述第一滤波电路滤除比较信号1中的干扰信号；
所述计时电路根据滤波后的比较信号1和PWM信号计时反馈信号大于阈值信号时的宽度，并比较宽度时间，当小于某个阈值时将计时输出置为高电平；
所述第一与门根据CC信号、计时电路输出电平、启动控制信号生成VSENSE突变信号A；
所述第二比较器接收运算放大器输出信号EAOUT和阈值信号并生成比较信号2；
所述第二滤波电路滤除比较信号2中的干扰信号；
所述第二与门根据启动控制信号、比较信号2生成VSENSE突变信号B。
再进一步地，上述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其中，所述计时模块包括平行设置的第一计时器和第二计时器，第二计时器的前端连接第二反相器。
再进一步地，上述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其中，所述Toff控制模块包括运算单元、逻辑单元、ToffMAX选择单元、Toff计时比较单元，运算单元与Toff计时比较单元相连，逻辑单元与ToffMAX选择单元相连，ToffMAX选择单元与Toff计时比较单元相连；
所述Toff计时比较单元选择运算单元输出的Toff时间和ToffMAX选择单元的输出中较小的值，作为Toff控制模块的输出。
再进一步地，上述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其中，所述OCP值控制模块包括OCP值选择单元，所述OCP值选择单元根据选择信号VSENSE突变信号A选择环路计算的OCP值，或者当前AC电压下允许的最大OCP值，作为OCP值控制模块的输出。
本发明技术方案突出的实质性特点和显著的进步主要体现在：
使用本发明的原边反馈电源芯片的电源系统可以有效提升EFT抗扰度，同时改善动态响应，可以有效地提高芯片对来自操作暂态过程(如开断感性负荷、继电器触头弹跳等)中的各种类型瞬变扰动的抗干扰性。对VSENSE信号是逐周期检测的，确保能够及时响应VSENSE信号的变化，保证输出一直处于可接受电压范围内。对关断时间和导通时间有专门的控制模块，提高了芯片的响应速度，有效改善了动态特性。在启动的时候屏蔽提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路，确保了芯片的正常启动。不仅能应用于集成功率MOS管电源芯片中，也适用于集成功率BJT管电源芯片、外驱MOS、外驱BJT的电源芯片中。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明：
图1：现有技术中集成功率管原边反馈芯片结构原理示意图；
图2：现有技术中集成功率管开关电源芯片结构的系统方案示意图；
图3：EFT测试脉冲群示意图；
图4：EFT测试脉冲群对芯片的影响示意图；
图5：EFT测试脉冲群引起输出下降到允许电压值以下的示意图；
图6：本发明电源芯片结构原理示意图；
图7：本发明系统在EFT测试中VSENSE突然变大的工作波形A示意图；
图8：本发明系统在EFT测试中VSENSE突然变大的工作波形B示意图；
图9：本发明系统在EFT测试中VSENSE突然变小的工作波形A示意图；
图10：本发明系统在EFT测试中VSENSE突然变小的工作波形B示意图；
图11：VSENSE信号突变检测模块的电路原理示意图；
图12：计时模块的电路原理示意图；
图13：Toff控制模块的电路原理示意图；
图14：OCP值控制模块的电路原理示意图。
具体实施方式
如图6所示，提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，包含电源地以及与其相连的电压反馈检测模块103、电流反馈检测模块106、控制器104、PWM驱动模块105、高压启动模块102、启动单元107、提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路、将理论计算的Toff时间和Toff控制模块输出的Toff时间逻辑或的或门108、功率MOS管109；
提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路包括VSENSE信号突变检测模块201、Toff控制模块203、OCP值控制模块204和计时模块202，VSENSE信号突变检测模块201分别与电压反馈信号VSENSE端、启动单元107、OCP值控制模块204、计时模块202相连，Toff控制模块203分别与或门108、计时模块202相连，OCP值控制模块204分别与控制器104、电流反馈检测模块106相连；
电压反馈检测模块103分别与电压反馈信号VSENSE端、控制器104相连；
控制器104分别与OCP值控制模块204、或门108相连；
或门108与PWM驱动模块105相连；
PWM驱动模块105与功率MOS管109相连；
功率MOS管109分别与高压启动模块102、电流反馈端口ISENSE端、高压端口SW相连；
电流反馈检测模块106分别与OCP值控制模块204、功率MOS管(109)、电流反馈端口ISENSE端相连；
高压启动模块102分别与高压端口SW、电源端口VDD端相连。
电流反馈检测模块106在开关管导通时实时监测原边电流，电压反馈检测模块103在开关管关断时实时监测反馈的电压，控制器104根据电压反馈和电流反馈结果计算开关管的导通时间和关断时间，提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路根据电压反馈信号VSENSE，选择真正的开关管关断时间和开启时间，保证输出不会突然下降到不可接受的输出电压值以下；
提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路中，VSENSE信号突变检测模块201在启动结束后开始逐周期检测VSENSE信号，一旦检测到VSENSE信号发生突然变化，则输出反馈电压信号VSENSE突变信号B或者反馈电压信号VSENSE突变信号A，反馈电压信号VSENSE突变信号B表示VSENSE信号突然变大，反馈电压信号VSENSE突变信号A表示VSENSE信号突然变小，进而控制Toff控制模块203和OCP值控制模块204的输出，并控制计时模块202工作，Toff控制模块203和OCP值控制模块204则根据VSENSE信号突变检测模块201的输出和计时模块202的输出选择性的输出开关管关断时间Toff和OCP值。
VSENSE信号突变检测模块201逐周期检测VSENSE信号信息，根据电压反馈信号VSENSE的信息生成电压反馈信号VSENSE突变信号A和突变信号B，当检测到电压反馈信号VSENSE突然变小时，则电压反馈信号VSENSE突变信号A发生反转，当检测到电压反馈信号VSENSE突然变大时，则电压反馈信号VSENSE突变信号B发生反转。
VSENSE信号突变检测模块201启动控制，在芯片完全启动结束前，VSENSE信号突变检测功能被屏蔽，未能检测电压反馈信号VSENSE的信息，使芯片可正常启动。
Toff控制模块203根据反馈电压信号VSENSE突变信号B以及计时模块202输出的控制信号，选择芯片关断时间。
计时模块202包括计时器1、计时器2……计时器n，当反馈电压信号VSENSE突变信号B反转时，计时器1开始计时，同时将计时器2清零，当计一段时间后产生控制信号1控制Toff控制模块203，当反馈电压信号VSENSE突变信号B恢复初始值时，计时器2开始计时一段时间，计一段时间后产生控制信号2控制Toff控制模块，并将计时器1清零。
Toff控制模块203根据上一周期的Toff时间限制当前周期所允许的最大Toff时间，不允许Toff发生突变；当前周期计算的Toff时间大于所允许的Toff时间时，Toff空载模块输出高电平控制功率MOS管109开启。
Toff控制模块203根据反馈电压信号VSENSE突变信号，选择芯片关断时间，当计时模块202产生的控制信号2有效时，将Toff最大值ToffMAX置为值Toff_A，Toff时间大于Toff_A时，Toff控制模块203输出高电平控制功率MOS管109开启；当计时模块202产生的控制信号1有效时，将Toff最大值ToffMAX置为值Toff_B，Toff时间大于Toff_B时，Toff控制模块输出高电平控制功率MOS管109开启；Toff_A小于Toff_B，Toff_B大于芯片空载下的控制器104运算出的Toff时间。
Toff控制模块203和计时模块202根据反馈电压信号VSENSE突变信号B和计时模块202产生的计时控制信号，选择芯片关断时间，当反馈电压信号VSENSE突变信号B发生反转且控制信号1无效时，Toff控制模块203的ToffMAX被置为Toff_A，Toff时间大于Toff_A时，Toff控制模块203输出高电平控制功率MOS管109开启；当反馈电压信号VSENSE突变信号B发生反转，且控制信号1有效时，Toff控制模块203的ToffMAX参数被指为Toff_B，Toff时间大于Toff_B时，Toff控制模块203输出高电平控制功率MOS管109开启；当反馈电压信号VSENSE突变信号B为初始值、启动期间和小于允许的Toff时间时，Toff控制模块203输出低电平。
OCP值控制模块204根据反馈电压信号VSENSE突变信号A，选择OCP值；当反馈电压信号VSENSE突变信号A发生反转时，OCP值锁存为当前AC电压下最大值，直到反馈电压信号VSENSE突变信号A重新反转回初始值；当反馈电压信号VSENSE突变信号A为初值时和芯片启动期间，OCP值控制模块204输出控制器104计算的OCP值。
由于原边反馈开关电源的FB是反馈脚，FB上有干扰会引起开关电源误响应，导致输出不正常。开关电源的EFT测试是在输入交流电压上增加一组正负脉冲，引起输入电压突变，同时耦合到FB脚，使得FB脚信号VSENSE发生突变。如果FB脚的信号VSENSE突变点正好被芯片采样到，则芯片采样到错误的VSENSE值，芯片误判断，导致输出不正常。例如脉冲为正电压，则采样到VSENSE值突然变大，芯片根据错误的VSENSE值判断输出电压过高，降低芯片输出的频率，甚至使得芯片输出频率降低到芯片允许的最小频率，导致系统输出大幅降低，甚至低于所允许的最低电压。本发明就是在检测到VSENSE信号突然变化时，让芯片的输出频率降低速度变慢，让输出不会大幅度降低，待检测到正确的输出值时，能够快速响应，这种方式在一定程度上改善了系统的动态响应特性。另一方面，当输出下降时，芯片同时检测输出是否低于某个值时，当低于这个值时，芯片则输出较大能量，确保芯片能够快速恢复到设定的值，保证输出一直处于允许的范围内。
如图7所示，本发明系统在EFT测试中VSENSE突然变大的工作波形，图8示意了VSENSE突然变大时，提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路中某些信号的工作波形，当检测到VSENSE突然变大，则反馈电压信号VSENSE突变信号B则被置为高电平(有些实例中是置为低电平)，控制计时器中的计时器1开始计时，同时将计时模块输出信号控制信号2置为低电平。当计满T1时间之后，让芯片允许的最大Toff时间ToffMAX从Toff_A变为Toff_B，其中Toff_B大于Toff_A。一般情况下Toff_A小于空载下控制器计算出的Toff时间。所以在反馈电压信号VSENSE突变信号B反转的起初，且控制器计算出的Toff时间大于Toff_A时，芯片将Toff时间锁定为Toff_A，直到计时器输出控制信号1反转。
当反馈电压信号VSENSE突变信号B恢复到初始值之后，计时器2开始计时，计满T2时间之后将控制信号2反转，同时将控制信号1置为初值。当控制信号2反转时，芯片所允许的最大关断时间从Toff_B变为Toff_A。
如图9所示，本发明系统在EFT测试中VSENSE突然变小的工作波形，图10示意了VSENSE突然变小时，系统的OCP值工作波形，当检测到VSENSE突然变小，则反馈电压信号VSENSE突变信号A则被置为高电平(有些实例中是置为低电平)，控制OCP值控制模块输出当前AC电压下允许的最大OCP值，快速提升输出电压，直到反馈电压信号VSENSE突变信号A反转回初值，即输出恢复到设定值时，OCP值控制模块输出控制器计算的OCP值。
如图11所示，VSENSE信号突变检测模块201包括第一比较器2011、第二比较器2015、第一滤波电路2012、第二滤波电路2016、计时电路2013、第一反相器2018、第一与门2014和第二与门2017，第一比较器2011分别与基准VREF1端、电压反馈信号VSENSE端、第一滤波电路2012相连，第一滤波电路2012与计时电路2013相连，计时电路2013分别与第一反相器2018、与第一与门2014相连，第一与门2014分别与CC信号端、启动控制信号端相连；第二比较器2015分别与误差放大器输出信号EAOUT端、基准VREF2端、第二滤波电路2016相连；第二与门2017分别与启动控制端、第二滤波电路2016相连；第一比较器2011接收反馈信号和阈值信号并生成比较信号1；第一滤波电路2012滤除比较信号1中的干扰信号；计时电路2013根据滤波后的比较信号1和PWM信号计时反馈信号大于阈值信号时的宽度，并比较宽度时间，当小于某个阈值时将计时输出置为高电平；第一与门2014根据CC信号、计时电路输出电平、启动控制信号生成VSENSE突变信号A；第二比较器2015接收运算放大器输出信号EAOUT和阈值信号并生成比较信号2；第二滤波电路2016滤除比较信号2中的干扰信号；第二与门2017根据启动控制信号、比较信号2生成VSENSE突变信号B。启动结束后，当判断VSENSE信号大于基准VREF1的时间小于某个阈值时，则认为输出突然降低，将VSENSE突变信号A置位高电平。当判断误差放大器输出EAOUT小于基准VREF2时，则认为输出突然升高，将VSENSE突变信号B置为高电平。
如图12所示，计时模块202包括第一计时器2021、第二计时器2023、第二反相器2022，第一计时器2021分别与VSENSE突变信号B、控制信号2相连，第二计时器2023分别与反相器、VSENSE突变信号B相连。根据VSENSE突变信号B控制计时器工作，生成控制信号1和控制信号2，来控制Toff控制模块工作。
如图13所示，Toff控制模块203包括运算单元2031、逻辑单元2033、ToffMAX选择单元2034、Toff计时比较单元2032，运算单元2031分别与上一周期的Toff时间信号、Toff计时比较单元2032相连；逻辑单元2033分别与控制信号1、控制信号2、ToffMAX选择单元2034相连；ToffMAX选择单元2034分别与信号Toff_A、信号Toff_B、Toff计时比较单元2032相连；Toff计时比较单元2032选择运算单元2031输出的Toff时间和ToffMAX选择单元2034的输出中较小的值，作为Toff控制模块的输出。根据计时模块的输出控制信号选择Toff时间。
如图14所示，OCP值控制模块204包括OCP值选择单元2041，OCP值选择单元2041根据选择信号VSENSE突变信号A选择环路计算的OCP值，或者当前AC电压下允许的最大OCP值，作为OCP值控制模块的输出。VSENSE突变信号A选择OCP值。
综上所述，采用上述控制方式的电源芯片的电源系统，可以有效地提高芯片对来自操作暂态过程(如开断感性负荷、继电器触头弹跳等)中的各种类型瞬变扰动的抗干扰性。对VSENSE信号是逐周期检测的，确保能够及时响应VSENSE信号的变化，保证输出一直处于可接受电压范围内。对关断时间和导通时间有专门的控制模块，提高了芯片的响应速度，有效改善了动态特性。在启动的时候屏蔽提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路，确保了芯片的正常启动。不仅能应用于集成功率MOS管电源芯片中，也适用于集成功率BJT管电源芯片、外驱MOS、外驱BJT的电源芯片中。采用本发明的电源系统EFT抗扰度强，动态特性好。
需要理解到的是：以上所述仅是本发明的优选实施方式，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其特征在于：包含电源地以及与其相连的电压反馈检测模块(103)、电流反馈检测模块(106)、控制器(104)、PWM驱动模块(105)、高压启动模块(102)、启动单元(107)、提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路、将理论计算的Toff时间和Toff控制模块输出的Toff时间逻辑或的或门(108)、功率MOS管(109)；
所述提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路包括VSENSE信号突变检测模块(201)、Toff控制模块(203)、OCP值控制模块(204)和计时模块(202)，VSENSE信号突变检测模块(201)分别与电压反馈信号VSENSE端、启动单元(107)、OCP值控制模块(204)、计时模块(202)相连，Toff控制模块(203)分别与或门(108)、计时模块(202)相连，OCP值控制模块(204)分别与控制器(104)、电流反馈检测模块(106)相连；
所述电压反馈检测模块(103)分别与电压反馈信号VSENSE端、控制器(104)相连；
所述控制器(104)分别与OCP值控制模块(204)、或门(108)相连；
所述或门(108)与PWM驱动模块(105)相连；
所述PWM驱动模块(105)与功率MOS管(109)相连；
所述功率MOS管(109)分别与高压启动模块(102)、电流反馈端口ISENSE端、高压端口SW相连；
所述电流反馈检测模块(106)分别与OCP值控制模块(204)、功率MOS管(109)、电流反馈端口ISENSE端相连；
所述高压启动模块(102)分别与高压端口SW、电源端口VDD端相连。
2.根据权利要求1所述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其特征在于：所述电流反馈检测模块(106)在开关管导通时实时监测原边电流，电压反馈检测模块(103)在开关管关断时实时监测反馈的电压，控制器(104)根据电压反馈和电流反馈结果计算开关管的导通时间和关断时间，提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路根据电压反馈信号VSENSE，选择真正的开关管关断时间和开启时间；
所述提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路中，VSENSE信号突变检测模块(201)在启动结束后开始逐周期检测VSENSE信号，一旦检测到VSENSE信号发生突然变化，则输出反馈电压信号VSENSE突变信号B或者反馈电压信号VSENSE突变信号A，反馈电压信号VSENSE突变信号B表示VSENSE信号突然变大，反馈电压信号VSENSE突变信号A表示VSENSE信号突然变小，进而控制Toff控制模块(203)和OCP值控制模块(204)的输出，并控制计时模块(202)工作，Toff控制模块(203)和OCP值控制模块(204)则根据VSENSE信号突变检测模块(201)的输出和计时模块(202)的输出选择性的输出开关管关断时间Toff和OCP值。
3.根据权利要求1或2所述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其特征在于：所述VSENSE信号突变检测模块(201)启动控制，在完全启动结束前，VSENSE信号突变检测功能被屏蔽，未能检测电压反馈信号VSENSE的信息；启动完成后，VSENSE信号突变检测模块(201)开始逐周期检测VSENSE信号信息，根据电压反馈信号VSENSE的信息生成电压反馈信号VSENSE突变信号A和突变信号B，当检测到电压反馈信号VSENSE突然变小时，则电压反馈信号VSENSE突变信号A发生反转，当检测到电压反馈信号VSENSE突然变大时，则电压反馈信号VSENSE突变信号B发生反转。
4.根据权利要求1或2所述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其特征在于：所述计时模块(202)包括计时器1、计时器2……计时器n，当反馈电压信号VSENSE突变信号B反转时，计时器1开始计时，同时将计时器2清零，当计一段时间后产生控制信号1控制Toff控制模块(203)，当反馈电压信号VSENSE突变信号B恢复初始值时，计时器2开始计时一段时间，计一段时间后产生控制信号2控制Toff控制模块，并将计时器1清零。
5.根据权利要求1或2所述的提升原边反馈电压系统EFT抗扰度的电路结构，其特征在于：所述Toff控制模块(203)根据反馈电压信号VSENSE突变信号B、上一周期Toff时间以及计时模块(202)输出的控制信号，选择芯片关断时间；Toff控制模块(203)根据上一周期的Toff时间限制当前周期所允许的最大Toff时间，不允许Toff发生突变；当前周期计算的Toff时间大于所允许的Toff时间时，Toff空载模块输出高电平控制功率MOS管(109)开启；同时Toff控制模块(203)根据反馈电压信号VSENSE突变信号，选择芯片最大关断时间，当计时模块(202)产生的控制信号2有效时，将Toff最大值即ToffMAX限制为值Toff_A，Toff时间大于Toff_A时，Toff控制模块(203)输出高电平控制功率MOS管(109)开启；当计时模块(202)产生的控制信号1有效时，将Toff最大值即ToffMAX限制为值Toff_B，Toff时间大于Toff_B时，Toff控制模块输出高电平控制功率MOS管(109)开启；Toff_A小于Toff_B，Toff_B大于芯片空载下的控制器(104)计算出的Toff时间；当反馈电压信号VSENSE突变信号B为初始值、启动期间和小于允许的Toff时间时，Toff控制模块(203)输出低电平。
6.根据权利要求1或2所述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其特征在于：所述OCP值控制模块(204)根据反馈电压信号VSENSE突变信号A，选择OCP值；当反馈电压信号VSENSE突变信号A发生反转时，OCP值锁存为当前AC电压下最大值，直到反馈电压信号VSENSE突变信号A重新反转回初始值；当反馈电压信号VSENSE突变信号A为初值时和芯片启动期间，OCP值控制模块(204)输出控制器(104)计算的OCP值。
7.根据权利要求1或2所述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其特征在于：所述VSENSE信号突变检测模块(201)包括第一比较器(2011)、第二比较器(2015)、第一滤波电路(2012)、第二滤波电路(2016)、计时电路(2013)、第一反相器(2018)、第一与门(2014)和第二与门(2017)，第一比较器(2011)与第一滤波电路(2012)相连，第一滤波电路(2012)与计时电路(2013)相连，计时电路(2013)分别与第一反相器(2018)、第一与门(2014)相连，第二比较器(2015)与第二滤波电路(2016)相连，第二与门(2017)与第二滤波电路(2016)相连；
所述第一比较器(2011)接收反馈信号和阈值信号并生成比较信号1；
所述第一滤波电路(2012)滤除比较信号1中的干扰信号；
所述计时电路(2013)根据滤波后的比较信号1和PWM信号计时反馈信号大于阈值信号时的宽度，并比较宽度时间，当小于某个阈值时将计时输出置为高电平；
所述第一与门(2014)根据CC信号、计时电路输出电平、启动控制信号生成VSENSE突变信号A；
所述第二比较器(2015)接收运算放大器输出信号EAOUT和阈值信号并生成比较信号2；
所述第二滤波电路(2016)滤除比较信号2中的干扰信号；
所述第二与门(2017)根据启动控制信号、比较信号2生成VSENSE突变信号B。
8.根据权利要求1或2所述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其特征在于：所述计时模块(202)包括平行设置的第一计时器(2021)和第二计时器(2023)，第二计时器(2023)的前端连接第二反相器(2022)。
9.根据权利要求1或2所述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其特征在于：所述Toff控制模块(203)包括运算单元(2031)、逻辑单元(2033)、ToffMAX选择单元(2034)、Toff计时比较单元(2032)，运算单元(2031)与Toff计时比较单元(2032)相连，逻辑单元(2033)与ToffMAX选择单元(2034)相连，ToffMAX选择单元(2034)与Toff计时比较单元(2032)相连；
所述Toff计时比较单元(2032)选择运算单元(2031)输出的Toff时间和ToffMAX选择单元(2034)的输出中较小的值，作为Toff控制模块的输出。
10.根据权利要求1或2所述的提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其特征在于：所述OCP值控制模块(204)包括OCP值选择单元(2041)，所述OCP值选择单元(2041)根据选择信号VSENSE突变信号A选择环路计算的OCP值，或者当前AC电压下允许的最大OCP值，作为OCP值控制模块的输出。
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