CN104813653B - 固体摄像装置及其驱动方法 - Google Patents
固体摄像装置及其驱动方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104813653B CN104813653B CN201380061031.1A CN201380061031A CN104813653B CN 104813653 B CN104813653 B CN 104813653B CN 201380061031 A CN201380061031 A CN 201380061031A CN 104813653 B CN104813653 B CN 104813653B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- reset transistor
- state
- solid
- imaging apparatus
- state imaging
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 230000009471 action Effects 0.000 claims abstract description 41
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 37
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 206010010144 Completed suicide Diseases 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 4
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 3
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 230000001846 repelling effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/65—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to reset noise, e.g. KTC noise related to CMOS structures by techniques other than CDS
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/767—Horizontal readout lines, multiplexers or registers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
提供一种能够大幅缩短噪音消除所需的时间的固体摄像装置及其驱动方法。具备：包含电荷积蓄部和复位晶体管的信号读出电路，其中，该电荷积蓄部与光电转换部电连接，该复位晶体管的源极或者漏极的一者与电荷积蓄部电连接；以及负反馈电路，其使信号读出电路的输出负反馈至复位晶体管的源极或者漏极的另一者，将蓄积在电荷积蓄部中的电荷进行排出的复位动作包含：负反馈电路为断开状态的第1期间；以及处于第1期间之后且负反馈电路为接通状态的第2期间，在第1期间中，复位晶体管从断开状态变化为接通状态后，再次成为断开状态，在第2期间中，施加使复位晶体管逐渐向接通状态变化的复位晶体管控制电压。
Description
技术领域
本发明涉及固体摄像装置，特别是涉及层叠型的固体摄像装置及其驱动方法。
背景技术
作为层叠型的固体摄像装置的例子，已有专利文献1。在该层叠型的固体摄像装置中，在控制电极之上形成光电转换膜，在该光电转换膜之上形成透明电极层。层叠型的固体摄像装置通过经由光电转换膜使施加至该透明电极的电压的作用波及到控制电极，从而能够以良好的SN比将光信息变成电信号。
层叠型的固体摄像装置具有隔着绝缘膜在形成了像素电路的半导体基板之上形成光电转换膜的构成。由此，能够对光电转换膜使用非晶硅等光吸收系数大的材料。
但是，专利文献1所示的固体摄像装置在将信号电荷复位(reset)时会产生噪声。即，专利文献1所示的固体摄像装置具有以下问题：因包含在复位信号中的复位脉冲的后缘(后侧的边沿)而引起，通过复位信号线与像素电极等之间的电容耦合而产生随机噪音(复位噪声)。层叠型的固体摄像装置由于不能实现电荷的完全传送，所以即使如一般的埋入式光电二极管型的固体摄像装置这样利用CDS(相关双采样)电路来实施采样，复位噪声(kTC噪音)的消除也是不完全的。由此，在产生了噪声的状态下，为了在复位后的电荷上相加下一次的信号电荷而叠加了复位噪声的信号电荷会被读出。由此，专利文献1所示的固体摄像装置具有随机噪声会变大这样的问题。
为了减少kTC噪音，提出有专利文献2这样的技术。图14示出专利文献2公开的相邻4像素的像素部及其周边电路。由虚线31a～31d围成的区域表示各像素。37a～37d是复位晶体管(reset transistor)，43a～43d是选择晶体管。此外，端子40a、40b是用于对选择晶体管的栅极施加电压的端子。端子45a、45b是用于对复位晶体管的栅极施加电压的端子。积蓄部中蓄积的电荷的电荷排出动作是通过将所选择出的行的各像素内的复位晶体管完全接通后将其断开来进行的。来自读出晶体管的读出信号经由垂直信号线被输入到配置于各列的负反馈放大器33a、33b，其输出信号被反馈至复位晶体管的源极。是以下述作为目的的构成：当复位晶体管完全处于接通状态时，通过噪音信号负反馈至作为噪音源的电荷积蓄部，从而消除噪音。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：JP特开昭55-120182号公报
专利文献2：美国专利第6777660号说明书
发明内容
在专利文献2公开的技术中，仅在电荷排出时即复位晶体管处于导通状态(完全接通或者以弱反转接通)时，通过相加反相的噪音信号来消除噪音。此时，随着复位晶体管变成断开，电路整体的频段变窄，频率高的噪音的消除中会产生延迟。即，在专利文献公开的技术中，存在复位动作需要长时间这样的课题。
鉴于上述课题，本发明的目的在于，提供一种能够大幅缩短噪音消除所需的时间的固体摄像装置及其驱动方法。
为了解决上述课题，固体摄像装置具备：光电转换部；信号读出电路，其是用于读出由光电转换部生成的信号电荷的电路，该信号读出电路包含电荷积蓄部和复位晶体管，其中，该电荷积蓄部与光电转换部电连接，该复位晶体管的源极或者漏极的一者与电荷积蓄部电连接；以及负反馈电路，其使信号读出电路的输出负反馈至复位晶体管的源极或者漏极的另一者，将蓄积在电荷积蓄部中的电荷进行排出的复位动作包含：负反馈电路为断开状态的第1期间；以及处于第1期间之后且负反馈电路为接通状态的第2期间，在第1期间中，复位晶体管从断开状态变化为接通状态后，再次成为断开状态，在第2期间中，施加使复位晶体管逐渐向接通状态变化的复位晶体管控制电压。
进一步地，优选，在第2期间的初始，电荷积蓄部的电位成为第1电位，复位晶体管的源极或者漏极的另一者的电位成为第2电位，在复位晶体管是NMOS晶体管的情况下，将第2电位设定成比第1电位低的值，在复位晶体管是PMOS晶体管的情况下，将第2电位设定成比第1电位高的值。
进一步地，优选，还具备复位电平产生电路，当在第1期间中复位晶体管为接通状态时，复位电平产生电路与复位晶体管的源极或者漏极的另一者连接。
进一步地，优选，还具备锥形波形产生电路，在第2期间中，由锥形波形产生电路输出复位晶体管控制电压。
在实施方式中，复位晶体管控制电压被输入到复位晶体管的栅极。
在实施方式中，复位晶体管控制电压被叠加至负反馈电路的输出。
在实施方式中，负反馈电路具有两个输入端子，信号读出电路的输出被输入到第1输入端子，参照电压被输入到第2输入端子，复位晶体管控制电压被输入到负反馈电路的第2输入端子。
在实施方式中，在复位晶体管控制电压的施加时，使复位晶体管的沟道成为弱反转状态的电压被输入到复位晶体管的栅极。
在实施方式中，在复位晶体管控制电压的施加时，复位晶体管的电荷积蓄部侧为断开状态，负反馈电路侧被偏置成弱反转状态。
此外，一种固体摄像装置的驱动方法，该固体摄像装置具备：光电转换部；信号读出电路，其是用于读出由光电转换部生成的信号电荷的电路，该信号读出电路包含电荷积蓄部和复位晶体管，其中，该电荷积蓄部与光电转换部电连接，该复位晶体管的源极或者漏极的一者与电荷积蓄部电连接；以及负反馈电路，其使信号读出电路的输出负反馈至复位晶体管的源极或者漏极的另一者，该固体摄像装置的驱动方法具有：第1复位动作，该第1复位动作将负反馈电路设为断开状态，使复位晶体管从断开状态变化为接通状态后，再次设为断开状态；以及第2复位动作，该第2复位动作在第1复位动作之后，将负反馈电路设为接通状态，并施加使复位晶体管逐渐向接通状态变化的复位晶体管控制电压。
根据本公开的固体摄像装置，能够提供一种可以大幅缩短噪音消除所需的时间的固体摄像装置及其驱动方法。
附图说明
图1是表示第1实施方式涉及的固体摄像装置的构成的框图。
图2是第1实施方式涉及的固体摄像装置的剖面图。
图3是第1实施方式涉及的固体摄像装置的电路图。
图4是表示第1实施方式涉及的固体摄像装置的驱动方法的时序图。
图5A是表示第1实施方式涉及的固体摄像装置的电位图的图。
图5B是表示第1实施方式涉及的固体摄像装置的电位图的图。
图5C是表示第1实施方式涉及的固体摄像装置的电位图的图。
图6是表示第1实施方式的变形例涉及的固体摄像装置的驱动方法的时序图。
图7是表示第2实施方式涉及的固体摄像装置的构成的框图。
图8是第2实施方式涉及的固体摄像装置的电路图。
图9是表示第2实施方式涉及的固体摄像装置的驱动方法的时序图。
图10A是表示第2实施方式涉及的固体摄像装置的电位图的图。
图10B是表示第2实施方式涉及的固体摄像装置的电位图的图。
图10C是表示第2实施方式涉及的固体摄像装置的电位图的图。
图11是第3实施方式涉及的固体摄像装置的电路图。
图12是表示第3实施方式涉及的固体摄像装置的驱动方法的时序图。
图13A是表示第3实施方式涉及的固体摄像装置的电位图的图。
图13B是表示第3实施方式涉及的固体摄像装置的电位图的图。
图13C是表示第3实施方式涉及的固体摄像装置的电位图的图。
图14是表示现有技术的固体摄像装置的电路图。
具体实施方式
以下，参照附图来说明本发明涉及的固体摄像装置及其驱动方法的实施方式。另外，虽然采用以下的实施方式以及附图来对本发明进行说明，但是这是以例示为目的，其意图并不在于将本发明限定为这些实施方式。
(第1实施方式)
首先，说明第1实施方式涉及的固体摄像装置的整体构成。图1是表示第1实施方式涉及的固体摄像装置101的构成的框图。
该固体摄像装置101具备：由多个像素110构成的像素阵列102；行信号驱动电路103a以及103b；按每列配置的列电路104；配置于各列的相关双采样(CDS：CorrelatedDouble Sampling)电路等噪音消除电路105；水平驱动电路106；输出级放大器107；以及传感器输出108。
电路109是锥形波形产生电路，由该电路产生的信号经由行信号驱动电路103a及103b在各行的复位时被提供给各像素的复位晶体管。
图2是固体摄像装置101的3像素的区域的剖面图。另外，实际的像素在像素阵列102内例如被排列1000万像素的量。各像素的电路图后述。
如图2所示，固体摄像装置101具备：微透镜201；蓝色滤光片202；绿色滤光片203；红色滤光片204；保护膜205；平坦化膜206；上部电极207；光电转换膜208；电子阻挡层209；电极间绝缘膜210；下部电极211；布线间绝缘膜212；供电层213；布线层214；基板218；形成于基板218内的阱219；STI(Shallow Trench Isolation)分离区域220；以及层间绝缘层221。另外，分离区域220不限于STI，也可以是注入分离。
基板218是半导体基板，例如是硅基板。在基板218内的阱219中形成有多个晶体管，该多个晶体管构成用于将通过光电转换膜208的光电转换生成的信号电荷作为信号电压(读出信号)读出至像素外部的信号读出电路。在多个晶体管中包含放大晶体管216、选择晶体管(未图示)、以及复位晶体管217。
为了更有效地聚焦入射光，在固体摄像装置101的最表面按每个像素110来形成微透镜201。
蓝色滤光片202、绿色滤光片203以及红色滤光片204为了拍摄彩色图像而形成。此外，蓝色滤光片202、绿色滤光片203、以及红色滤光片204形成于各微透镜201的正下方并且形成在保护膜205内。为了形成1000万像素内都没有聚光斑以及色斑的微透镜201以及彩色滤光片组，这些光学元件被形成在平坦化膜206上。平坦化膜206例如由SiN构成。
上部电极207在平坦化膜206下遍布像素阵列102的整个面来形成。该上部电极207透过可见光。例如，上部电极207由ITO(Indium Tin Oxide)构成。
光电转换膜208将光转换为信号电荷。具体来说，光电转换膜208形成在上部电极207之下，且由具有高的光吸收能力的有机分子构成。此外，光电转换膜208的厚度例如是500nm。此外，光电转换膜208采用真空蒸镀法来形成。上述有机分子在波长400nm至700nm的可见光的整个范围内具有高的光吸收能力。
电子阻挡层209形成在光电转换膜208之下，对通过入射光的光电转换产生的空穴进行传导，并且阻止来自下部电极211的电子注入。该电子阻挡层209形成在具有高平坦度的电极间绝缘膜210和下部电极211上。
多个下部电极211在基板218的上方配置成矩阵状。此外，多个下部电极211各自电分离。具体来说，下部电极211形成于电极间绝缘膜210间，对在光电转换膜208中产生的空穴进行收集。该下部电极211例如由TiN构成。此外，下部电极211形成在经平坦化的厚度100nm的布线间绝缘膜212上。
此外，各下部电极211以0.2μm的间隔被分离。并且，在该分离区域也埋入有电极间绝缘膜210。
进一步地，供电层213被配置在该分离区域的下方，并且被配置在布线间绝缘膜212下。该供电层213例如由Cu构成。具体来说，供电层213形成在相邻的下部电极211之间的区域，并且形成在下部电极211与基板218之间。此外，能够向供电层213提供与下部电极211相独立的电位。具体来说，在光电转换膜208进行光电转换的曝光动作时、以及信号读出电路生成读出信号的读出动作时，向供电层213提供用于排斥信号电荷的电位。例如，在信号电荷为空穴的情况下，施加正电压。由此，能够防止在各像素中从相邻像素混入空穴。另外，这样的电压施加的控制例如通过固体摄像装置101所具备的控制部(未图示)来进行。将布线层214与下部电极211电连接。
另外，图2所示的像素的构造示出优选的例子，本发明并不限定于上述这样的像素的构造。
接着，更详细地说明本实施方式的信号读出电路的构成。布线层214与信号读出电路的FD部(电荷积蓄部)215以及放大晶体管216的栅极端子连接。FD部215与成为复位晶体管217的源极或者漏极的扩散区域的一方电连接。这里，FD部和复位晶体管共有扩散区域。另外，FD部与成为复位晶体管的源极或者漏极的扩散区域可以分开形成，且彼此电连接。复位晶体管、放大晶体管、选择晶体管(未图示)、FD部215全都形成在同一P型的阱219内。此外，该阱219形成于基板218。也就是说，信号读出电路形成于基板218，并通过探测在多个下部电极211的每一个中产生的电流或者电压的变化，来生成与信号电荷相应的读出信号。此外，放大晶体管216通过对下部电极211中产生的电流或者电压的变化进行放大，来生成读出信号。
此外，各晶体管由STI分离区域220电分离。
此外，复位晶体管217的栅极端子与复位晶体管控制线(未图示)连接，并通过复位晶体管控制线的电位来控制复位晶体管217的接通/断开。例如，如果将复位晶体管控制线的电位设为高电平，则复位晶体管217就被接通，如果将复位晶体管控制线的电位设为低电平，则复位晶体管217就被断开。
此外，选择晶体管的栅极端子与选择晶体管控制线(未图示)连接，通过选择晶体管控制线的电位来控制选择晶体管的接通/断开。例如，如果将选择晶体管控制线的电位设为高电平，则选择晶体管就被接通，如果将选择晶体管控制线的电位设为低电平，则选择晶体管就被断开。
图3是表示本实施方式的属于像素阵列102的m(m是自然数)行n(n是自然数)列的像素110的电路及其控制电路的一例的图。像素110具备光电转换部301和作为用于读出由光电转换部生成的信号电荷的电路的信号读出电路，信号读出电路具有FD部215、放大晶体管216、选择晶体管302、以及复位晶体管217。光电转换部301具有上部电极207、光电转换膜208、电子阻挡层209、以及下部电极211，通过对入射光进行光电转换，从而生成与入射光量相应的信号电荷。另外，此时上部电极207被偏置成规定的偏置电平VM。选择晶体管302的源极或者漏极的一者与放大晶体管216的源极或者漏极的一者连接，选择晶体管302的源极或者漏极的另一者与列信号线303连接。放大晶体管216的源极或者漏极的另一者与电源(未图示)连接。选择晶体管302控制是否将由放大晶体管216检测到的信号传递至列信号线303。列信号线303在列信号线的分支点304进行分支，一条路径与反馈放大器305的输入端子连接，另一条路径与列信号读出电路306连接。反馈放大器305是具有两个输入端子的差动放大器，参照电压电平VREF被输入到与连接列信号线303的输入端子不同的输入端子。反馈放大器305的输出与列信号线307连接，并经由开关(SW2)309与复位晶体管217的源极或者漏极的另一者连接，即与同FD部相反的一侧连接。通过反馈放大器305来形成将信号读出电路的输出负反馈至复位晶体管的源极或者漏极的另一者的负反馈电路。另外，负反馈电路不限于二输入的差动放大器，只要是能够将信号读出电路的输出进行负反馈的电路即可。此外，复位晶体管217的源极或者漏极的另一者经由开关(SW1)308也与复位电平产生电路310连接。如前所述，复位晶体管217的源极或者漏极的一者与FD部215连接。复位晶体管217的栅极与从行信号驱动电路103a及103b输出的行信号线311连接。行信号驱动电路103a及103b包含来自锥形波形产生电路109的信号的输出缓冲电路312，其输出与行信号线311连接。反馈放大器305包含在列电路104中，列信号读出电路306包含在噪音消除电路105中。锥形波形产生电路109、复位电平产生电路310可以设置于与固体摄像装置101相同的同一芯片内，也可以设置于另外的芯片内。
另外，在本实施方式中，虽然设构成像素110的晶体管是NMOS晶体管，但是其极性也可以反转。即，构成像素110的晶体管也可以是PMOS晶体管。
图4是表示图3所示的包含像素110的第m行的像素及其控制电路的驱动方法的时序图。在时刻t1，将选择晶体管302的栅极设为高电平，选择包含该像素的行整体的像素。在时刻t2，将开关(SW1)308设为接通状态，将复位晶体管217的源极或者漏极的另一者与复位电平产生电路310的信号连接，设定成初始电压VRST1。在时刻t1与t2之间，读出蓄积在FD部215中的图像信号。
在t2以后，进行将蓄积在FD部中的电荷排出的复位动作。复位动作包含：负反馈电路为断开状态的第1期间；以及在第1期间之后且负反馈电路为接通状态的第2期间。在本实施方式中，通过开关(SW2)309的接通/断开来控制负反馈电路的接通/断开，当开关(SW2)309为断开状态时，负反馈电路成为断开状态，当开关(SW2)309为接通状态时，负反馈电路成为接通状态。在时刻t3，将复位晶体管217的栅极设定成高电平，使复位晶体管217从断开状态变化为接通状态，将FD部复位成复位电平产生电路输出电平。以下，将该复位动作称为预复位。在时刻t4，再次将复位晶体管217设为断开状态，结束预复位动作。此时，FD部成为悬浮(floating)，由于复位晶体管217的栅极-漏极间的寄生电容的影响，在FD部中产生微小的电压变动。在时刻t5，将SW1设为断开状态，将复位电平产生电路310断开。此时，通过SW1成为断开状态，复位晶体管217的源极或者漏极的另一者成为悬浮。通过预复位动作，FD部215被平均地设定成在初始电压VRST1上相加预复位动作结束时的微小的电压变动后得到的第1电位，进一步地，包含预复位动作结束时产生的kTC噪音在内的电荷残留下来。典型的预复位脉冲宽度(＝t4-t3)的值是1～10μsec。接着，在时刻t6，将开关(SW2)309设为接通状态，将复位晶体管217的源极或者漏极的另一者与列信号线307连接。由此，放大晶体管216的输出被从列信号线303输入至反馈放大器305，成为该输出从列信号线307经由复位晶体管217被负反馈至FD部215即放大晶体管216的栅极输入部的状态，负反馈电路成为接通状态。在时刻t6以后，复位晶体管217的源极或者漏极的另一者被设定成依赖于FD部的电压VFD和VREF的第2电位VRST2。如果将反馈放大器305的增益设为A，则VRST2由以下的式(1)表示。
VRST2＝(VREF-TFD)A+VOFF (1)
第2电位是比第1电位低的电位，复位晶体管虽然在时刻t6成为负反馈电路侧的电位比FD部侧的电位低的设定，但是沟道维持断开不变。在t6以后，向复位晶体管217的栅极部输入逐渐变化的复位晶体管控制电压。复位晶体管控制电压是由锥形波形产生电路109产生的锥形波形，且被经由行信号驱动电路提供给复位晶体管217的栅极部。在本实施方式中，将电位逐渐增加的锥形波形施加至复位晶体管217的栅极部。复位晶体管控制电压将复位晶体管逐渐地设为接通状态。锥形波形的典型斜率是100000V/sec～1000000V/sec，波高是100mV～500mV。在时刻t7，FD部215的电位达到通过反馈放大器305的参考输入来设定的参照电压电平VREF，直至以后的时刻t8，都保持该电平。
图5A～图5C的电位图示出时刻t6、t6～t7、t7以后的各个部分的电位。在本实施方式中，由于复位晶体管是N沟道晶体管，所以图5A～图5C的纸面向上方向表示电位低，纸面向下方向表示电位高。另外，在复位晶体管控制电压的施加时，复位晶体管217的FD部侧作为漏极起作用，负反馈电路侧作为源极起作用。图5A～图5C表示FD部215(VFD)、复位晶体管217的栅极(VG，RST)、复位晶体管217的源极(VS，RST)的电位。实线箭头表示因复位晶体管控制电压的施加导致的电位变化的方向，虚线箭头表示因电子的注入导致的电位变化的方向。在时刻t6，FD部215的电位VFD成为与VREF不同的值，这里成为20mV左右高的值。另外，VFD也可以设定成比VREF低的值。复位晶体管217的栅极被设定成其阈值电压(Vt)以下。复位晶体管217的源极部的电位VS，RST被设定为比栅极部的电位充分高(100mV左右以上)的值。通过这些设定，在复位晶体管217为断开状态的同时，在源极部与FD部之间产生电位差。图5A示出这种状况。通过在时刻t6以后对复位晶体管217的栅极提供锥形波形，复位晶体管217的栅极-源极间电压逐渐降低，电子从源极注入到沟道，在沟道中成为流向FD部215的状态。图5B示出这种状况。由于源极部比FD部更接近栅极电压，所以电子单向地从源极部注入到沟道，而没有因来自FD部的电子的注入导致的反方向的电流流过。即，在锥形波形的施加时，复位晶体管的FD部侧是断开状态，源极侧成为被偏置为弱反转状态的状态。通过继续来自该源极部的电子的注入动作，FD部215的电位VFD逐渐接近VREF。随着两电位变得更近，VFD的变化率变低，在图5C所示的时刻t7两电位变得相等的同时，VFD的电位被固定成VREF。以下说明该电位固定动作。在VFD的电位相对于VREF在负方向(纸面向上方向)上产生了差异的情况下，通过反馈将复位晶体管217的源极部的电位控制在正方向上(纸面向下方向)，注入到复位晶体管217的沟道的电子的量降低，即发生使VFD的电位更向正的方向返回这样的负反馈动作。相反，在VFD的电位相对于VREF在正方向上产生了差异的情况下，通过反馈将复位晶体管217的源极部的电位控制在负方向上，注入到复位晶体管217的沟道的电子的量增加，即发生使VFD的电位更向负的方向返回这样的负反馈动作。通过这样的负反馈动作，VFD的电位被固定成VREF。在本实施方式中，即使在VFD变得比VREF低的情况下，通过使锥形波形输入到栅极部，VFD也增加，能够继续负反馈动作。
在时刻t7使VFD固定成VREF后，在时刻t8结束锥形波形向复位晶体管217的栅极的输入，在时刻t9将SW2设为断开，从而断开反馈放大器，在时刻t10，通过将选择晶体管设为断开，从而完成复位动作。
根据本实施方式的复位动作，在预复位动作刚刚之后，即使kTC噪音成分残留下来，FD部215的电位VFD也会在最终状态下被固定成VREF，能够减少kTC噪音。
此外，根据本实施方式的复位动作，由于能够在FD部215的电位从通过预复位动作设定的第1电位直至被固定成VREF的期间完成噪音消除，所以能够大幅缩短噪音消除所需的时间。
另外，在以上的说明中，说明了复位晶体管是NMOS晶体管的情况。作为本实施方式的变形例，以下说明复位晶体管是PMOS的情况。
图6是表示复位晶体管是PMOS晶体管的情况下的各部分的电位的时序图。在复位晶体管是PMOS晶体管的情况下，图5A～图5C的电位图也同样。其中，在复位晶体管是PMOS晶体管的情况下，纸面向上方向表示电位高，纸面向下方向表示电位低。于是，在复位晶体管是PMOS晶体管的情况下，在时刻t6，通过将第2电位(源极)设定成比第1电位(FD部)高的电位，就成为图5A这样的电位关系。如图6所示，在t6以后，对复位晶体管的栅极施加电位逐渐降低的锥形波形。
(第2实施方式)
说明第2实施方式涉及的固体摄像装置及其驱动方法。第2实施方式涉及的固体摄像装置的剖面图与第1实施方式中说明的图2相同，所以省略说明。
图7是表示第2实施方式涉及的固体摄像装置101的构成的框图。该固体摄像装置101具备：像素阵列102；行信号驱动电路103a及103b；按每列配置的列电路104；配置于各列的相关双采样(CDS)电路等噪音消除电路105；水平驱动电路106；以及输出级放大器107。电路609是锥形波形产生电路，由该电路产生的信号经由列电路104在各行的复位时被提供给各像素的复位晶体管。
图8是表示本实施方式的属于像素阵列102的m(m是自然数)行n(n是自然数)列的像素110的电路及其控制电路的一例的图。在图8中，也有时针对与第1实施方式实质上相同的同一部位省略重复说明。
在本实施方式中，复位晶体管217的栅极与从行信号驱动电路103a及103b输出的行信号线311连接。进一步地，反馈放大器305包含在含有该像素的列的列电路104中，列电路104包含将来自锥形波形产生电路609的输出锥形信号传送至该列的缓冲电路702。缓冲电路702的输出经由开关(SW3)703连接到复位晶体管217的源极或者漏极的另一者。
另外，在本实施方式中，虽然设构成像素110的晶体管是NMOS晶体管，但是其极性也可以反转。即，构成像素110的晶体管也可以是PMOS晶体管。
图9是表示图8所示的包含像素110的第m行的像素及其控制电路的驱动方法的时序图。时刻t5之前的动作与第1实施方式相同。此时，SW3是断开状态。图10A示出时刻t5时的电位图。接着，在时刻t6，将SW2、SW3设为接通状态，将反馈放大器305的输出以及缓冲电路702的输出一起短路到复位晶体管217的源极或者漏极的另一者。此外，在时刻t6，给出将复位晶体管217的沟道设为弱反转状态的栅极电压。此外，在时刻t6以后，以在反馈放大器305的输出上叠加复位晶体管控制电压VTP的形式将复位晶体管控制电压VTP输入到复位晶体管217的源极部。图10B示出这种状况。在图10C所示的时刻t7，FD部215的电位被固定成固定值VREF。
根据本实施方式的复位动作，在预复位动作刚刚之后，即使kTC噪音成分残留下来，FD部215的电位VFD也在最终状态下被固定成VREF，能够减少kTC噪音。
此外，根据本实施方式的复位动作，由于能够在FD部215的电位从通过预复位动作设定的第1电位直至固定成VREF的期间完成噪音消除，所以能够大幅缩短噪音消除所需的时间。
进一步地，由于不是使复位晶体管控制电压叠加于栅极的输出而是叠加于负反馈电路的输出，所以不会发生因栅极电位的变化导致的VFD的变化，控制变得容易。
(第3实施方式)
说明第3实施方式涉及的固体摄像装置及其驱动方法。第3实施方式涉及的固体摄像装置的剖面图与在第1实施方式中说明的图2相同，所以省略说明。表示第2实施方式涉及的固体摄像装置101的构成的框图与第2实施方式(图7)相同，所以省略。
图11是表示本实施方式的属于像素阵列102的m(m是自然数)行n(n是自然数)列的像素110的电路及其控制电路的一例的图。在图11中，有时会针对与第1实施方式或者第2实施方式实质上相同的同一部位省略重复说明。
在本实施方式中，反馈放大器305包含在含有该像素的列的列电路104中，列电路104包含将来自锥形波形产生电路609的输出锥形信号传送至该列的缓冲电路702。缓冲电路702的输出经由开关(SW4)1003被输入到反馈放大器305的VREF输入端子，并与VREF叠加。
另外，在本实施方式中，虽然设构成像素110的晶体管是NMOS晶体管，但是其极性也可以反转。即，构成像素110的晶体管也可以是PMOS晶体管。
图12是表示图11所示的包含像素110的第m行的像素及其控制电路的驱动方法的时序图。至时刻t5为止的动作与实施方式2相同。此时，SW4是断开状态。时刻t5时的电位图与在图10A的时刻t5表示的电位图相同(图13A)。接着，在时刻t6，将SW2设为接通状态，将反馈放大器305的输出短路至复位晶体管217的源极部。此外，通过在时刻t6将SW4设为接通状态，从而将缓冲电路702的输出输入到反馈放大器305的VREF输入端子。此外，在时刻t6给出将复位晶体管217的沟道设为弱反转状态的栅极电压。此外，在时刻t6以后，以在VREF上叠加复位晶体管控制电压VTP的形式将复位晶体管控制电压VTP输入到反馈放大器305的VREF输入端子。在时刻t7，FD部215的电位被固定成固定值VREF。
图13B示出时刻t6、t7的电位图。各部分的电位的关系与图5B的对应的时刻t6、t7等同。但是，复位晶体管控制电压与VREF叠加这一点不同。在图13B中以实线箭头示出与FD部重叠记载的VREF的电位的变动方向。在将时刻t6的VFD即第1电位设定得比VREF高的情况下，如附图这样施加正方向(纸面向下方向)的复位晶体管控制电压。相反，在将时刻t6的VFD设定得比VREF低的情况下，施加负方向(纸面向上方向)的复位晶体管控制电压。
根据本实施方式的复位动作，在预复位动作刚刚之后，即使kTC噪音成分残留下来，FD部215的电位VFD也在最终状态下被固定成VREF，能够减少kTC噪音。
此外，根据本实施方式的复位动作，由于在FD部215的电位从通过预复位动作而设定的第1电位起直至固定成VREF为止的期间能完成噪音消除，所以能够大幅缩短噪音消除所需的时间。
另外，上述各实施方式可以单独应用，也可以组合应用。具体来说，可以对复位晶体管217的栅极部、复位晶体管217的源极部、以及负反馈电路的VREF输入端子这三者全都输入复位晶体管控制电压，也可以对任何的两者输入复位晶体管控制电压。通过这样对多个部位施加复位晶体管控制电压，能够进一步缩短噪音消除所需的时间。
工业实用性
本发明涉及的固体摄像装置能够利用于数字静态照相机、医疗用照相机、监视用照相机、数字单镜头反光照相机、数字无反光镜单镜头照相机等。
符号说明
101 固体摄像装置
102 像素阵列
103a，103b 行信号驱动电路
104 列电路
105 噪音消除电路
106 水平驱动电路
107 输出级放大器
108 传感器输出
110 像素
201 微透镜
202 蓝色滤光片
203 绿色滤光片
204 红色滤光片
205 保护膜
206 平坦化膜
207 上部电极
208 光电转换膜
209 电子阻挡层
210 电极间绝缘膜
211 下部电极
212 布线间绝缘膜
213 供电层
214 布线层
215 FD部(电荷积蓄部)
216 放大晶体管
217 复位晶体管
218 基板
219 阱
220 STI分离区域
221 层间绝缘层
301 光电转换部
302 选择晶体管
303 列信号线
304 列信号线的分支点
305 反馈放大器
306 列信号读出电路
307 列信号线
308 开关(SW1)
309 开关(SW2)
310 复位电平产生电路
311 行信号线
312 缓冲电路
Claims (18)
1.一种固体摄像装置，其特征在于，具备：
光电转换部；
信号读出电路，其是用于读出由所述光电转换部生成的信号电荷的电路，该信号读出电路包含电荷积蓄部和复位晶体管，其中，该电荷积蓄部与所述光电转换部电连接，该复位晶体管的源极或者漏极的一者与该电荷积蓄部电连接；以及
负反馈电路，其使所述信号读出电路的输出负反馈至所述复位晶体管的源极或者漏极的另一者，
将蓄积在所述电荷积蓄部中的电荷进行排出的复位动作包含：所述负反馈电路为断开状态的第1期间、以及处于该第1期间之后且所述负反馈电路为接通状态的第2期间，
在所述第1期间中，所述复位晶体管从断开状态变化为接通状态后，再次成为断开状态，
在所述第2期间中，施加使所述复位晶体管逐渐向接通状态变化的复位晶体管控制电压。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
在所述第2期间的初始，所述电荷积蓄部的电位成为第1电位，所述复位晶体管的源极或者漏极的另一者的电位成为第2电位，在该复位晶体管是NMOS晶体管的情况下，将该第2电位设定成比该第1电位低的值，在该复位晶体管是PMOS晶体管的情况下，将该第2电位设定成比该第1电位高的值。
3.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
该固体摄像装置还具备复位电平产生电路，当在所述第1期间中所述复位晶体管为接通状态时，该复位电平产生电路与该复位晶体管的源极或者漏极的另一者连接。
4.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
该固体摄像装置还具备锥形波形产生电路，在所述第2期间中，由该锥形波形产生电路输出所述复位晶体管控制电压。
5.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
所述复位晶体管控制电压被输入到所述复位晶体管的栅极。
6.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
所述复位晶体管控制电压被叠加至所述负反馈电路的输出。
7.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
所述负反馈电路具有两个输入端子，所述信号读出电路的输出被输入到第1输入端子，参照电压被输入到第2输入端子，
所述复位晶体管控制电压被输入到所述负反馈电路的第2输入端子。
8.根据权利要求6所述的固体摄像装置，其特征在于，
在所述复位晶体管控制电压的施加时，使所述复位晶体管的沟道成为弱反转状态的电压被输入到该复位晶体管的栅极。
9.根据权利要求1所述的固体摄像装置，其特征在于，
在所述复位晶体管控制电压的施加时，所述复位晶体管的所述电荷积蓄部侧为断开状态，所述负反馈电路侧被偏置成弱反转状态。
10.一种固体摄像装置的驱动方法，其特征在于，
所述固体摄像装置具备：
光电转换部；
信号读出电路，其是用于读出由所述光电转换部生成的信号电荷的电路，该信号读出电路包含电荷积蓄部和复位晶体管，其中，该电荷积蓄部与所述光电转换部电连接，该复位晶体管的源极或者漏极的一者与该电荷积蓄部电连接；以及
负反馈电路，其使所述信号读出电路的输出负反馈至所述复位晶体管的源极或者漏极的另一者，
所述固体摄像装置的驱动方法具有：
第1复位动作，该第1复位动作将所述负反馈电路设为断开状态，使所述复位晶体管从断开状态变化为接通状态后，再次设为断开状态；以及
第2复位动作，该第2复位动作在所述第1复位动作之后，将所述负反馈电路设为接通状态，并施加使所述复位晶体管逐渐向接通状态变化的复位晶体管控制电压。
11.根据权利要求10所述的固体摄像装置的驱动方法，其特征在于，
通过所述第1复位动作将所述电荷积蓄部的电位设定成第1电位，在所述第2复位动作的初始将所述复位晶体管的源极或者漏极的另一者的电位设定成第2电位，在该复位晶体管是NMOS晶体管的情况下，将该第2电位设定成比该第1电位低的值，在该复位晶体管是PMOS晶体管的情况下，将该第2电位设定成比该第1电位高的值。
12.根据权利要求10所述的固体摄像装置的驱动方法，其特征在于，
该固体摄像装置还具备复位电平产生电路，在所述第1复位动作中，当所述复位晶体管为接通状态时，该复位电平产生电路与该复位晶体管的源极或者漏极的另一者连接。
13.根据权利要求10所述的固体摄像装置的驱动方法，其特征在于，
该固体摄像装置还具备锥形波形产生电路，在所述第2复位动作中，由该锥形波形产生电路输出所述复位晶体管控制电压。
14.根据权利要求10所述的固体摄像装置的驱动方法，其特征在于，
所述复位晶体管控制电压被输入到所述复位晶体管的栅极。
15.根据权利要求10所述的固体摄像装置的驱动方法，其特征在于，
所述复位晶体管控制电压被叠加至所述负反馈电路的输出。
16.根据权利要求10所述的固体摄像装置的驱动方法，其特征在于，
所述负反馈电路具有两个输入端子，所述信号读出电路的输出被输入到第1输入端子，参照电压被输入到第2输入端子，
所述复位晶体管控制电压被输入到所述负反馈电路的第2输入端子。
17.根据权利要求15所述的固体摄像装置的驱动方法，其特征在于，
在所述复位晶体管控制电压的施加时，使所述复位晶体管的沟道成为弱反转状态的电压被输入到该复位晶体管的栅极。
18.根据权利要求10所述的固体摄像装置的驱动方法，其特征在于，
在所述复位晶体管控制电压的施加时，所述复位晶体管的所述电荷积蓄部侧为断开状态，所述负反馈电路侧被偏置成弱反转状态。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012-258139 | 2012-11-27 | ||
| JP2012258139 | 2012-11-27 | ||
| PCT/JP2013/005188 WO2014083730A1 (ja) | 2012-11-27 | 2013-09-03 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104813653A CN104813653A (zh) | 2015-07-29 |
| CN104813653B true CN104813653B (zh) | 2018-09-14 |
Family
ID=50827396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201380061031.1A Active CN104813653B (zh) | 2012-11-27 | 2013-09-03 | 固体摄像装置及其驱动方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US10212371B2 (zh) |
| JP (2) | JP6236635B2 (zh) |
| CN (1) | CN104813653B (zh) |
| WO (1) | WO2014083730A1 (zh) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104813653B (zh) * | 2012-11-27 | 2018-09-14 | 松下知识产权经营株式会社 | 固体摄像装置及其驱动方法 |
| JP6497541B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2019-04-10 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
| CN105744183B (zh) * | 2014-12-26 | 2020-08-11 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
| JP2016143851A (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子、および電子装置 |
| JP6562243B2 (ja) * | 2015-02-17 | 2019-08-21 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
| JP6587123B2 (ja) * | 2015-06-08 | 2019-10-09 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 撮像装置 |
| US9456159B1 (en) * | 2015-09-23 | 2016-09-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Pixels with an active reset circuit in CMOS image sensors |
| JP6727830B2 (ja) * | 2016-02-09 | 2020-07-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| JP6491797B2 (ja) * | 2016-05-25 | 2019-03-27 | 富士フイルム株式会社 | 固体電子撮像装置およびその制御方法 |
| CN108807434B (zh) * | 2017-04-26 | 2023-12-05 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置及照相机系统 |
| US10313613B2 (en) * | 2017-10-24 | 2019-06-04 | Semiconductor Components Industries, Llc | High dynamic range image sensors with flicker and fixed pattern noise mitigation |
| CN110210421B (zh) | 2019-06-05 | 2021-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种成像背板及其驱动方法、指纹识别面板 |
| WO2021157148A1 (ja) * | 2020-02-03 | 2021-08-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、および、撮像装置 |
| CN116744138B (zh) * | 2023-06-29 | 2024-05-14 | 脉冲视觉(北京)科技有限公司 | 脉冲序列式传感器像素单元、脉冲序列式传感器及设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000019706A1 (en) * | 1998-10-01 | 2000-04-06 | Conexant Systems, Inc. | Low-noise active-pixel sensor for imaging arrays with high speed row reset |
| CN101272448A (zh) * | 2007-02-08 | 2008-09-24 | 株式会社东芝 | 固体摄像装置及其驱动方法 |
| WO2008146236A1 (en) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Uti Limited Partnership | Circuit providing low-noise readout |
| CN103493475A (zh) * | 2011-04-28 | 2014-01-01 | 松下电器产业株式会社 | 固体摄像装置以及使用了该固体摄像装置的摄像机系统 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5850030B2 (ja) | 1979-03-08 | 1983-11-08 | 日本放送協会 | 光電変換装置およびそれを用いた固体撮像板 |
| US6344877B1 (en) * | 1997-06-12 | 2002-02-05 | International Business Machines Corporation | Image sensor with dummy pixel or dummy pixel array |
| US6532040B1 (en) * | 1998-09-09 | 2003-03-11 | Pictos Technologies, Inc. | Low-noise active-pixel sensor for imaging arrays with high speed row reset |
| US6965707B1 (en) * | 2000-09-29 | 2005-11-15 | Rockwell Science Center, Llc | Compact active pixel with low-noise snapshot image formation |
| US6777660B1 (en) * | 2002-02-04 | 2004-08-17 | Smal Technologies | CMOS active pixel with reset noise reduction |
| US7215369B2 (en) | 2003-04-02 | 2007-05-08 | Micron Technology, Inc. | Compact pixel reset circuits using reversed current readout |
| US7525586B2 (en) * | 2003-05-12 | 2009-04-28 | Altasens, Inc. | Image sensor and method with multiple scanning modes |
| US7697050B1 (en) * | 2004-09-07 | 2010-04-13 | Melexis Tessenderlo Nv | Active pixel image sensor with low noise reset |
| WO2008146263A2 (en) * | 2007-05-19 | 2008-12-04 | Roy Rosser | Bistable electrowetting light valve |
| JP2011071481A (ja) | 2009-08-28 | 2011-04-07 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置，固体撮像装置の製造方法，デジタルスチルカメラ，デジタルビデオカメラ，携帯電話，内視鏡 |
| JP5637751B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2014-12-10 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置，固体撮像装置の製造方法 |
| US8488025B2 (en) * | 2009-10-20 | 2013-07-16 | AltaSens, Inc | Sub-frame tapered reset |
| WO2011058684A1 (ja) * | 2009-11-12 | 2011-05-19 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
| EP2362640B1 (en) * | 2010-02-15 | 2019-05-01 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement | Compact low noise signal readout circuit and method for operating thereof |
| JP2012114838A (ja) * | 2010-11-26 | 2012-06-14 | Panasonic Corp | 固体撮像装置およびカメラシステム |
| CN103404124A (zh) | 2011-03-01 | 2013-11-20 | 松下电器产业株式会社 | 固体摄像装置 |
| WO2013021577A1 (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-14 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法 |
| CN104813653B (zh) * | 2012-11-27 | 2018-09-14 | 松下知识产权经营株式会社 | 固体摄像装置及其驱动方法 |
| WO2014087552A1 (ja) * | 2012-12-05 | 2014-06-12 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
| CN105744183B (zh) * | 2014-12-26 | 2020-08-11 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
| US9456159B1 (en) * | 2015-09-23 | 2016-09-27 | Semiconductor Components Industries, Llc | Pixels with an active reset circuit in CMOS image sensors |
-
2013
- 2013-09-03 CN CN201380061031.1A patent/CN104813653B/zh active Active
- 2013-09-03 JP JP2014549763A patent/JP6236635B2/ja active Active
- 2013-09-03 WO PCT/JP2013/005188 patent/WO2014083730A1/ja active Application Filing
-
2015
- 2015-05-18 US US14/714,366 patent/US10212371B2/en active Active
-
2017
- 2017-10-18 JP JP2017201465A patent/JP2018011360A/ja active Pending
-
2018
- 2018-11-01 US US16/178,396 patent/US10897590B2/en active Active
-
2020
- 2020-12-03 US US17/111,219 patent/US11722798B2/en active Active
-
2023
- 2023-06-20 US US18/212,037 patent/US20230353897A1/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000019706A1 (en) * | 1998-10-01 | 2000-04-06 | Conexant Systems, Inc. | Low-noise active-pixel sensor for imaging arrays with high speed row reset |
| CN101272448A (zh) * | 2007-02-08 | 2008-09-24 | 株式会社东芝 | 固体摄像装置及其驱动方法 |
| WO2008146236A1 (en) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Uti Limited Partnership | Circuit providing low-noise readout |
| CN103493475A (zh) * | 2011-04-28 | 2014-01-01 | 松下电器产业株式会社 | 固体摄像装置以及使用了该固体摄像装置的摄像机系统 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10897590B2 (en) | 2021-01-19 |
| JP6236635B2 (ja) | 2017-11-29 |
| US20150256777A1 (en) | 2015-09-10 |
| US20230353897A1 (en) | 2023-11-02 |
| JP2018011360A (ja) | 2018-01-18 |
| US10212371B2 (en) | 2019-02-19 |
| US11722798B2 (en) | 2023-08-08 |
| CN104813653A (zh) | 2015-07-29 |
| US20190075265A1 (en) | 2019-03-07 |
| US20210092316A1 (en) | 2021-03-25 |
| JPWO2014083730A1 (ja) | 2017-01-05 |
| WO2014083730A1 (ja) | 2014-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104813653B (zh) | 固体摄像装置及其驱动方法 | |
| US11159756B2 (en) | Solid-state image pickup element and image pickup system | |
| JP6754994B2 (ja) | 撮像装置 | |
| KR101207052B1 (ko) | 이면 입사형 고체 촬상 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP6405541B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| EP2980852B1 (en) | Solid-state image sensing element and imaging system | |
| CN103404124A (zh) | 固体摄像装置 | |
| KR20080103463A (ko) | 고체 촬상 장치 및 카메라 | |
| CN104617118A (zh) | 固态摄像装置、固态摄像装置的制造方法以及电子设备 | |
| WO2012132098A1 (ja) | 固体撮像素子及び撮像装置 | |
| CN103444167B (zh) | 固体摄像装置的驱动方法 | |
| US20220238470A1 (en) | Semiconductor element, apparatus, and chip | |
| JP2021180493A (ja) | 撮像素子、および撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |