CN104807855B - 微机电气体感测装置 - Google Patents
微机电气体感测装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104807855B CN104807855B CN201510031710.5A CN201510031710A CN104807855B CN 104807855 B CN104807855 B CN 104807855B CN 201510031710 A CN201510031710 A CN 201510031710A CN 104807855 B CN104807855 B CN 104807855B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- metal
- cavity
- contact layer
- heating unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 108
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 108
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical group [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 208000002925 dental caries Diseases 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 2
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 206010019233 Headaches Diseases 0.000 description 1
- 206010047700 Vomiting Diseases 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 208000002173 dizziness Diseases 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 231100000869 headache Toxicity 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
- 230000009967 tasteless effect Effects 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 230000008673 vomiting Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/0004—Gaseous mixtures, e.g. polluted air
- G01N33/0009—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
- G01N33/0027—General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
- G01N33/0036—Specially adapted to detect a particular component
- G01N33/004—Specially adapted to detect a particular component for CO, CO2
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
Abstract
一种微机电气体感测装置,包括基板、氧化层、加热单元、导热金属层、钝化层与感测单元层。基板具有第一空腔。氧化层具有第一面与相对第一面的第二面,氧化层配置于基板上,并覆盖第一空腔,且第一面与基板接触。加热单元配置于氧化层内,且邻近于氧化层的第一面。导热金属层配置于加热单元与氧化层的第二面之间。钝化层配置于氧化层的第二面上,且具有至少一孔洞。感测单元层配置于钝化层上,且透过至少一孔洞与导热金属层电性连接。
Description
技术领域
本发明涉及一种气体感测装置,特别是一种微机电气体感测装置。
背景技术
一般来说,气体检测在环境监控、家用警报、化工控制、温室环境控制领域有着广泛的应用。对于具有无色和无味特性的有毒气体,例如一氧化碳(CO),人类的视觉和嗅觉无法辨识它们的存在。当毒性气体在空气中的含量超过一定的范围,人体便会产生轻则头痛、晕旋、呕吐的症状,严重的甚至会休克、死亡。若有气体分析的仪器或装置,对密闭空间或通风不良的环境里的气体成分做实时的监测,便能在毒性气体的浓度超出人类可允许的范围时,及时的发出警报的声响,防止不幸和灾害的发生。
一般化学实验室和品管检验室所使用的气体分析设备虽然具有高准确度、高灵敏度与低检测极限等优点,但是它们因有体积庞大、不易携带、耗电性高、仪器构造复杂及价格昂贵等缺点,所以在应用上受到极大的限制。因此,电气体传感器仍有改善的空间。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种微机电气体感测装置,以使温度均匀的施加,使微机电气体感测装置具有集成化与制作批次化的能力,以及避免微机电气体感测装置所产生的热扩散至其他部分,而影响到周遭电路元件的运作。
为了实现上述目的,本发明提供了一种微机电气体感测装置,包括基板、氧化层、加热单元、导热金属层、钝化层与感测单元层。基板具有第一空腔。氧化层具有第一面与相对第一面的第二面,氧化层配置于基板上,并覆盖第一空腔,且第一面与基板接触。加热单元配置于氧化层内,且邻近于氧化层的第一面。导热金属层配置于加热单元与氧化层的第二面之间。钝化层配置于氧化层的第二面上,且具有至少一孔洞。感测单元层配置于钝化层上,且透过至少一孔洞与导热金属层电性连接。
在一实施例中,前述氧化层还包括第二空腔与第三空腔,其中第二空腔与第三空腔分别位于导热金属层的相对两侧。
在一实施例中,前述第二空腔与第三空腔以电感耦合式电浆蚀刻形成。
在一实施例中,加热单元的材料为多晶硅。
在一实施例中,前述导热金属层包括第一金属层、第一接触层、第二金属层、第二接触层、第三金属层、第三接触层、第四金属层、第四接触层、第五金属层、第五接触层与第六金属层。第一金属层邻近于加热单元。第一接触层配置于第一金属层上。第二金属层配置于第一接触层上。第二接触层配置于第二金属层上。第三金属层配置于第二接触层上。第三接触层配置于第三金属层上。第四金属层配置于第三接触层上。第四接触层配置于第四金属层上。第五金属层配置于第四接触层上。第五接触层配置于第五金属层上。第六金属层配置于第五接触层上,且第六金属层透过至少一孔洞与感测单元层电性连接。
在一实施例中,前述第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层与第六金属层的材料为铝,第一接触层、第二接触层、第三接触层、第四接触层与第五接触层的材料为钨。
在一实施例中,前述感测单元层的材料为金、铝、银、铂、铜、钛、钼、钽、钨或铬。
在一实施例中,前述感测单元层的工艺温度为400度至450度。
本发明的技术效果在于:
本发明所公开的微机电气体感测装置,通过将导热金属层配置于加热单元与感测单元层之间,以均匀地使加热单元所产生的温度施加在感测单元层。另外,通过导热金属层将加热单元130与感测单元层隔开,以使微机电气体感测装置具有集成化与制作批次化的能力。此外,进一步通过导热金属层的相对两侧设置第二空腔及第三空腔,可有效将加热单元所产生的热局限于加热单元与感测单元层的区域,以避免加热单元所产生的热扩散至氧化层的其他部分,而影响到周遭电路元件的运作。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为本发明的微机电气体感测装置的示意图;
图2为本发明的微机电气体感测装置的另一示意图。
其中,附图标记
100 微机电气体感测装置
110 基板
111 第一空腔
112、113 子基板
120 氧化层
121 第一面
122 第二面
130 加热单元
140 导热金属层
141 第一金属层
142 第一接触层
143 第二金属层
144 第二接触层
145 第三金属层
146 第三接触层
147 第四金属层
148 第四接触层
149 第五金属层
150 第五接触层
151 第六金属层
160 钝化层
161、162 孔洞
170 感测单元层
180 电路元件
210 第二空腔
220 第三空腔
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述:
请参考图1所示,其为本发明的微机电气体感测装置的示意图。微机电气体感测装置100包括基板110、氧化层120、加热单元130、导热金属层140、钝化层(PassivationLayer)160、感测单元层170及电路元件180。
基板110具有第一空腔111。在本实施例中,第一空腔111可以经由半导体工艺处理而形成,而此半导体工艺处理例如为干蚀刻。并且,在形成第一空腔111后,第一空腔111会将基板110区分成子基板112及113,亦即第一空腔111位于子基板112及113之间。
氧化层120具有第一面121与相对第一面的第二面122。氧化层120配置于基板110上,并覆盖第一空腔111。而氧化层120的第一面121与基板110接触,进一步来说,氧化层120的第一面121与子基板112及113接触。
加热单元130配置于氧化层120内,且邻近于氧化层120的第一面121。进一步来说,加热单元130设置的位置可对应第一空腔111,亦即加热单元130邻近第一空腔111,且位于第一空腔111之上。
导热金属层140配置于加热单元130与氧化层120的第二面122之间。进一步来说,导热金属层140包括第一金属层141、第一接触层142、第二金属层143、第二接触层144、第三金属层145、第三接触层146、第四金属层147、第四接触层148、第五金属层149、第五接触层150与第六金属层151。
第一金属层141邻近于加热单元130。第一接触层142配置于第一金属层141上。第二金属层143配置于第一接触层142上。第二接触层144配置于第二金属层143上。第三金属层145配置于第二接触层144上。第三接触层146配置于第三金属层145上。第四金属层147配置于第三接触层146上。第四接触层148配置于第四金属层147上。第五金属层149配置于第四接触层148上。第五接触层150配置于第五金属层149上。第六金属层151配置于第五接触层150上。
也就是说,导热金属层140通过第一金属层141、第一接触层142、第二金属层143、第二接触层144、第三金属层145、第三接触层146、第四金属层147、第四接触层148、第五金属层149、第五接触层150与第六金属层151以沉积的方式堆叠而成。并且,在本实施例中,第一金属层141、第二金属层143、第三金属层145、第四金属层147、第五金属层149与第六金属层151的材料为铝(Al),而第一接触层142、第二接触层144、第三接触层146、第四接触层148与第五接触层150的材料为钨(W)。
钝化层160配置于氧化层120的第二面122上,且具有孔洞161、162。感测单元层170配置于钝化层160上,并且感测单元层170例如透过前述孔洞161、162与导热金属层140电性连接。进一步来说,感测单元层170例如透过孔洞161、162与导热金属层140的第六金属层151电性连接。电路元件180配置于子氧化层112与氧化层120之间。
在本实施例中,加热单元130的材料例如为多晶硅(Poly-silicon),且加热单元130还包括有加热器及温度计。并且,加热单元130的加热器的目的为用以增加载子从价电带越过能阶到达导电带的机率。而加热单元130的温度计用以感测加热器的温度。
另外,感测单元层170的材料例如为金(Au)、铝(Al)、银(Ag)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)或铬(Cr)。而感测单元层170例如透过光罩定义图形,并透过沉积方式制作,其中感测单元层170的工艺温度维持约400度(℃)至450度,以进行金属氧化的过程。并且,本实施例的感测单元层170用以感测特定气体,例如一氧化碳。
如此一来,通过上述的配置关系,加热单元130所提供的热,可透过导热金属层140将热传递至感测单元层170,以均匀地使加热单元130所产升的温度施加在感测单元层170。另外,通过导热金属层将加热单元130与感测单元层170隔开,以使微机电气体感测装置100具有集成化与制作批次化的能力。
请参考图2所示,其为本发明的微机电气体感测装置的另一示意图。微机电气体感测装置200除了包括基板110、氧化层120、加热单元130、导热金属层140、钝化层(Passivation Layer)160、感测单元层170及电路元件180外,氧化层120还进一步包括第二空腔210及第三空腔220。
在本实施例中,第二空腔210及第三空腔220分别位于导热金属层140的相对两侧。并且,第二空腔210及第三空腔220可以经由半导体工艺处理而形成,而此半导体工艺处理例如为电感耦合式电浆(Inductively Coupled Plasma,ICP)蚀刻形成。如此一来,通过于导热金属层140的相对两侧设置第二空腔210及第三空腔220,可有效将加热单元130所产生的热局限于加热单元130与感测单元层130的区域,以避免加热单元130所产生的热扩散至氧化层120的其他部分,而影响到周遭电路元件的运作。
本发明的实施例所提出的微机电气体感测装置,其通过将导热金属层配置于加热单元与感测单元层之间,以均匀地使加热单元所产生的温度施加在感测单元层。另外,通过导热金属层将加热单元130与感测单元层隔开,以使微机电气体感测装置具有集成化与制作批次化的能力。此外,进一步通过导热金属层的相对两侧设置第二空腔及第三空腔,可有效将加热单元所产生的热局限于加热单元与感测单元层的区域,以避免加热单元所产生的热扩散至氧化层的其他部分,而影响到周遭电路元件的运作。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (8)
1.一种微机电气体感测装置,其特征在于,包括:
一基板,具有一第一空腔;
一氧化层,具有一第一面与相对该第一面的一第二面,该氧化层配置于该基板上,并覆盖该第一空腔,且该第一面与该基板接触;
一加热单元,该加热单元为一个整体地配置于该氧化层内,且邻近于该氧化层的该第一面,该加热单元包括有加热器及温度计;
一导热金属层,配置于该加热单元与该氧化层的该第二面之间;
一钝化层,配置于该氧化层的该第二面上,且具有至少一孔洞;以及
一感测单元层,配置于该氧化层的该第二面上方的该钝化层上以独立且隔离于该氧化层,且该感测单元层透过该至少一孔洞与该导热金属层电性连接,该感测单元层用于感测气体,
其中,该导热金属层用于将该加热单元所提供的热传递至该感测单元层,以均匀地使该加热单元所产生的温度施加在该感测单元层中。
2.如权利要求1所述的微机电气体感测装置,其特征在于,该氧化层还包括一第二空腔与一第三空腔,其中该第二空腔与该第三空腔分别位于该导热金属层的相对两侧。
3.如权利要求2所述的微机电气体感测装置,其特征在于,该第二空腔与该第三空腔以电感耦合式电浆蚀刻形成。
4.如权利要求1所述的微机电气体感测装置,其特征在于,该加热单元的材料为多晶硅。
5.如权利要求1所述的微机电气体感测装置,其特征在于,该导热金属层包括:
一第一金属层,邻近于该加热单元;
一第一接触层,配置于该第一金属层上;
一第二金属层,配置于该第一接触层上;
一第二接触层,配置于该第二金属层上;
一第三金属层,配置于该第二接触层上;
一第三接触层,配置于该第三金属层上;
一第四金属层,配置于该第三接触层上;
一第四接触层,配置于该第四金属层上;
一第五金属层,配置于该第四接触层上;
一第五接触层,配置于该第五金属层上;以及
一第六金属层,配置于该第五接触层上,且该第六金属层透过该至少一孔洞与该感测单元层电性连接。
6.如权利要求5所述的微机电气体感测装置,其特征在于,该第一金属层、该第二金属层、该第三金属层、该第四金属层、该第五金属层与该第六金属层的材料为铝,该第一接触层、该第二接触层、该第三接触层、该第四接触层与该第五接触层的材料为钨。
7.如权利要求1所述的微机电气体感测装置,其特征在于,该感测单元层的材料为金、铝、银、铂、铜、钛、钼、钽、钨或铬。
8.如权利要求1所述的微机电气体感测装置,其特征在于,该感测单元层的工艺温度为400度至450度。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW103103507A TWI523808B (zh) | 2014-01-29 | 2014-01-29 | 微機電氣體感測裝置 |
TW103103507 | 2014-01-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104807855A CN104807855A (zh) | 2015-07-29 |
CN104807855B true CN104807855B (zh) | 2018-03-09 |
Family
ID=53678376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510031710.5A Expired - Fee Related CN104807855B (zh) | 2014-01-29 | 2015-01-22 | 微机电气体感测装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150210532A1 (zh) |
CN (1) | CN104807855B (zh) |
TW (1) | TWI523808B (zh) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106158743B (zh) * | 2016-05-20 | 2019-01-29 | 上海申矽凌微电子科技有限公司 | 利用多感应像素检测多种气体的传感器的制造方法 |
TWI601686B (zh) * | 2016-08-03 | 2017-10-11 | 國立交通大學 | Method for manufacturing semiconductor gas sensing device and semiconductor gas sensing device |
CN108227914B (zh) | 2016-12-12 | 2021-03-05 | 财团法人工业技术研究院 | 透明显示装置、使用其的控制方法及其控制器 |
US10393718B2 (en) | 2016-12-29 | 2019-08-27 | Industrial Technology Research Institute | Micro-electromechanical apparatus for thermal energy control |
CN109388233B (zh) | 2017-08-14 | 2022-07-29 | 财团法人工业技术研究院 | 透明显示装置及其控制方法 |
TWI679782B (zh) * | 2017-12-19 | 2019-12-11 | 財團法人工業技術研究院 | 感測裝置及其製造方法 |
CN111386000B (zh) * | 2018-12-28 | 2021-08-31 | 财团法人工业技术研究院 | 微机电加热装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3513048B2 (ja) * | 1999-04-13 | 2004-03-31 | 三菱電機株式会社 | 感熱式流量センサおよびその製造方法 |
FI115500B (fi) * | 2000-03-21 | 2005-05-13 | Nokia Oyj | Menetelmä kalvoanturin valmistamiseksi |
JP4553611B2 (ja) * | 2004-03-15 | 2010-09-29 | 三洋電機株式会社 | 回路装置 |
US7554134B2 (en) * | 2004-04-02 | 2009-06-30 | ChipSensors Limited | Integrated CMOS porous sensor |
DE112004002785B4 (de) * | 2004-05-31 | 2014-03-13 | Fujitsu Ltd. | Variabler Kondensator und Herstellungsverfahren davon |
US7563633B2 (en) * | 2006-08-25 | 2009-07-21 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical systems encapsulation process |
KR100856391B1 (ko) * | 2006-12-06 | 2008-09-04 | 한국전자통신연구원 | 미소기전집적시스템 소자의 부양 구조물 제조방법 |
JP2008170382A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Hitachi Ltd | 熱式流体流量センサ及びその製造方法 |
DE102009029201B4 (de) * | 2009-09-04 | 2019-05-09 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines ein mikro- oder nanostrukuriertes Bauelement umfassenden Bauteils |
JP2011220939A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-04 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 赤外線センサの製造方法 |
TWI434037B (zh) * | 2010-12-03 | 2014-04-11 | Ind Tech Res Inst | 氣體感測器及其製造方法 |
US8354729B2 (en) * | 2010-12-27 | 2013-01-15 | Industrial Technology Research Institute | Gas sensor and manufacturing method thereof |
US20120235970A1 (en) * | 2011-03-18 | 2012-09-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Thin film desiccant and method of fabrication |
-
2014
- 2014-01-29 TW TW103103507A patent/TWI523808B/zh not_active IP Right Cessation
-
2015
- 2015-01-22 CN CN201510031710.5A patent/CN104807855B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-01-29 US US14/608,982 patent/US20150210532A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201529466A (zh) | 2015-08-01 |
TWI523808B (zh) | 2016-03-01 |
US20150210532A1 (en) | 2015-07-30 |
CN104807855A (zh) | 2015-07-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104807855B (zh) | 微机电气体感测装置 | |
CN104034759B (zh) | 一种mems半导体气体传感器及其制造方法、及气体检测方法 | |
US10241094B2 (en) | Micro heater, micro sensor and micro sensor manufacturing method | |
CN104659020B (zh) | 结合随机化的互连层的电子设备 | |
EP3287777B1 (en) | Micro sensor | |
CN105074407B (zh) | 用于测量周围介质压力的电容式压力测量元件 | |
CN104089981A (zh) | 基于纳米TiO2 薄膜的微型氧气传感器及制备工艺 | |
WO2014007603A2 (en) | A method of fabricating a gas sensor | |
CN106093138A (zh) | 通过金属氧化物检测气体的传感器的制造方法及传感器 | |
CN112611788A (zh) | 一种半导体硫化氢气体传感器 | |
CN103364120A (zh) | 银锡共晶真空键合金属应变式mems压力传感器及其制造方法 | |
KR101686123B1 (ko) | 마이크로 히터 및 마이크로 센서 | |
CN106124576A (zh) | 集成的湿度传感器和多单元气体传感器及其制造方法 | |
CN107686093A (zh) | 半导体气体感测装置的制作方法及其半导体气体感测装置 | |
CN107192744A (zh) | 气敏电阻的制造方法及使用该方法制造的气体传感器 | |
KR20160035781A (ko) | 가스센서 어레이 | |
JP6451395B2 (ja) | センサ素子 | |
CN104316577A (zh) | 一种基于倒装焊封装的甲烷传感器及其制备方法与应用 | |
KR101760811B1 (ko) | 마이크로 히터 및 마이크로 센서 | |
Filipovic et al. | System-on-chip sensor integration in advanced CMOS technology | |
KR101698680B1 (ko) | 고선택도 및 고감도 가스 센서 소자 | |
US10433370B2 (en) | Micro multi-array heater and micro multi-array sensor | |
KR20190009918A (ko) | 반도체 가스 센서 | |
CN203772418U (zh) | 非制冷长波红外探测器用吸收层结构 | |
US20180003661A1 (en) | Micro multi-array sensor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180309 Termination date: 20210122 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |