CN104805404A - Mo-W-S-C自润滑涂层刀具及其制备工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明属于机械切削刀具制造技术领域,特别是涉及一种Mo-W-S-C自润滑涂层刀具及其制备工艺。该刀具基体材料为高速钢或硬质合金,采用多弧离子镀+中频磁控溅射的方法制备,刀具表面为Mo-W-S-C层,Mo-W-S-C层与刀具基体之间为Ti过渡层。该刀具涂层综合了MoS2、WS2、C三种固体润滑剂的优点,具有较高的硬度,较宽的温度适用范围,对加工环境有较好的适应性。在进行切削时,刀具表面的固体润滑剂会在工件材料表面形成转移膜,从而可减少粘结和摩擦,减小切削温度和刀具磨损,提高刀具使用寿命。该Mo-W-S-C自润滑涂层刀具可广泛应用于干切削和难加工材料的切削加工。
Description
一、技术领域
本发明属于机械切削刀具制造技术领域,特别是涉及一种Mo-W-S-C自润滑涂层刀具及其制备工艺。
二、背景技术
在刀具表面涂覆固体润滑剂可减小切削过程中刀具与工件间的摩擦,改善加工条件,是实现干切削加工的有效途径之一。石墨C、二硫化钼MoS2、二硫化钨WS2均具有六方晶系层状结构,都是良好的固体润滑剂,但它们又各有特点。在大气条件下,石墨C在高温下的化学稳定性比二硫化钼MoS2、二硫化钨WS2要好。二硫化钼MoS2、二硫化钨WS2更适宜在真空条件下使用,石墨C更适宜在潮湿环境中使用。石墨C与刀具基体的附着力较弱,二硫化钼MoS2、二硫化钨WS2中的S原子可以与刀具基体表面直接结合,附着力较强。因此,需要一种新的技术,综合石墨C、二硫化钼MoS2、二硫化钨WS2的优良性能,使刀具涂层既具有较低的摩擦系数,又具有较宽的温度应用范围,对加工环境较好的适应性,且涂层与刀具基体间具有良好的结合性能,来满足干切削加工的要求。
中国专利“申请号:201110081807.9”报道了用MoS2粉末制成的溶胶涂覆在硬质合金刀具表面制备MoS2软涂层刀具,但这种方法制备的MoS2涂层与基体的结合强度较低;中国专利“申请号:201410263737.2”报道了TiSiN-WS2/Zr-WS2涂层刀具及其制备工艺,但这种方法制备的涂层由于使用多弧靶Zr靶制备WS2/Zr层,WS2/Zr层中Zr含量过多,降低了WS2的润滑性能。文献[Applied Surface Science 331(2015)66-71]报道了用直流磁控溅射方法制备的MoS2-C涂层,在C含量达到73.1at.%时,硬度达到最大值可达10.8GPa,但这种涂层的C含量过高,涂层的脆性增大,涂层与基体的结合强度降低,涂层易发生剥落。
三、发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种Mo-W-S-C自润滑涂层刀具及其制备工艺。该刀具具有自润滑功能,该刀具综合了在刀具表面涂覆MoS2、WS2、C实现刀具自润滑功能的方法,Mo-W-S-C层具有较高的硬度,较低的摩擦系数,对加工环境较好的适应性,与刀具基体结合性能良好。
本发明是通过以下方式实现的。
Mo-W-S-C自润滑涂层刀具,刀具基体材料为高速钢或硬质合金,刀具表面为Mo-W-S-C层,Mo-W-S-C层与刀具基体之间为Ti过渡层。
制备所述的Mo-W-S-C自润滑涂层刀具的方法是:沉积方式为多弧离子镀沉积Ti过渡层+中频磁控溅射沉积Mo-W-S-C层,沉积时使用1个Ti靶、2个Mo-W-S-C复合靶,其制备工艺步骤为:
1.Mo-W-S-C自润滑涂层刀具,刀具基体材料为高速钢或硬质合金,其特征在于:刀具表面为Mo-W-S-C层,Mo-W-S-C层与刀具基体之间为Ti过渡层。
2.Mo-W-S-C自润滑涂层刀具制备工艺,其特征在于:沉积方式为多弧离子镀沉积Ti过渡层+中频磁控溅射沉积Mo-W-S-C层,沉积时使用1个Ti靶、2个Mo-W-S-C复合靶,其制备工艺步骤为:
(1)制备Mo-W-S-C复合靶:用数控加工方法沿直径为101.6mm,厚度为4.7mm的C靶的溅射区域内均布加工10~15个沿圆周分布的盲孔,盲孔的直径小于溅射区域的宽度,盲孔的深度为3mm,在盲孔内分别间隔放入与盲孔直径相同,厚度为5mm的C圆片、WS2圆片和MoS2圆片;
(2)安装Mo-W-S-C复合靶:在镀膜机真空室中频磁控溅射靶安装位置安装2个Mo-W-S-C复合靶;
(3)前处理:将刀具基体表面抛光至镜面,去除表面污染层,依次分别放入酒精和丙酮中,超声清洗各15min,去除表面油污和其他污染物,用吹风机干燥充分后迅速放入镀膜机真空室,真空室本底真空7.0×10-3Pa,加热至100~250℃,保温30~40min;
(4)离子清洗:通入Ar气,气压为1.5Pa,开启脉冲偏压电源,电压为800V,占空比为0.2,辉光清洗15min,偏压降至300~400V,气压降至0.5Pa,开启离子源,开启电弧源Ti靶,Ti靶电流为50~70A,离子清洗2~3min;
(5)沉积Ti层:偏压降至150~200V,Ti靶电流为65~75A,电弧镀Ti 3~7min;
(6)沉积Mo-W-S-C层:关闭Ti靶,开启2个Mo-W-S-C复合靶,靶电流为1~2A,偏压降至100V,每隔20~30min调整偏压依次为100V、75V、50V、75V、100V,沉积Mo-W-S-C层100~150min;
(7)后处理:关闭2个Mo-W-S-C复合靶,关闭离子源及气体源,关闭脉冲偏压,沉积涂层结束。
通过调整放入盲孔中的C圆片、WS2圆片和MoS2圆片的数量,可调节Mo-W-S-C自润滑涂层中C元素、W元素和Mo元素的含量,使Mo-W-S-C自润滑涂层中的C元素最佳原子百分比在15%~40%之间、W元素最佳原子百分比在7%~25%之间、Mo元素最佳原子百分比在7%~25%之间。
通过上述工艺制备的Mo-W-S-C自润滑涂层刀具,Mo-W-S-C层与刀具基体间Ti过渡层的加入可减小残余应力,增加Mo-W-S-C层与刀具基体间的结合强度。
通过上述工艺制备的Mo-W-S-C自润滑涂层刀具,Mo-W-S-C层硬度的提高主要有以下机理:(1)C元素的加入使MoS2晶格发生畸变,产生固溶强化;(2)C元素的加入使WS2晶格发生畸变,产生固溶强化;(3)C元素的加入能与WS2中的W元素生成WC硬质合金相。Mo-W-S-C层润滑性能的提高主要有以下机理:(1)C元素的加入提高了Mo-W-S-C层在高温下的化学稳定性;(2)MoS2、WS2的加入提高了涂层与刀具基体的结合强度;(3)C元素的加入能使MoS2、WS2被保护在非晶态C中,随着切削加工的进行,MoS2、WS2逐渐暴露于刀具与工件的接触区域,在刀具与工件间形成具有润滑作用的转移膜,避免了MoS2、WS2由于硬度较低过早被切屑带走,润滑性能降低。
通过上述工艺制备的Mo-W-S-C自润滑涂层刀具,对加工环境有较好的适应性,在切削加工中能减小刀具的粘结,降低刀具与工件间的摩擦,降低切削力及切削温度,减小刀具磨损,提高刀具使用寿命。Mo-W-S-C自润滑涂层刀具可广泛应用于干切削和难加工材料的切削加工。
四、附图说明
图1为本发明的Mo-W-S-C自润滑涂层刀具涂层结构示意图。
图中:1为Mo-W-S-C层、2为Ti层、3为刀具基体。
图2为本发明的Mo-W-S-C复合靶结构示意图。
图中:4为C圆片、5为C靶材、6为MoS2圆片、7为WS2圆片。
五、具体实施方式
下面给出本发明的最佳实施例:
实施例一:
一种Mo-W-S-C自润滑涂层刀具及其制备工艺,刀具基体材料1为YT14硬质合金车刀;刀具表面为Mo-W-S-C层3,Mo-W-S-C层与刀具基体之间为Ti过渡层2。沉积方式为多弧离子镀沉积Ti过渡层+中频磁控溅射沉积Mo-W-S-C层,沉积时使用1个Ti靶、2个Mo-W-S-C复合靶,其制备工艺步骤为:
(1)制备Mo-W-S-C复合靶:用数控加工方法沿直径为101.6mm,厚度为4.7mm的C靶5的溅射区域内均布加工10~15个沿圆周分布的盲孔,盲孔的直径为17mm,盲孔的深度为3mm,在盲孔内分别放入一定数量,直径为17mm,厚度为5mm的C圆片4、WS2圆片7和MoS2圆片6;
(2)安装Mo-W-S-C复合靶:在镀膜机真空室中频磁控溅射靶安装位置安装2个Mo-W-S-C复合靶;
(3)前处理:将YT14硬质合金车刀基体表面抛光至镜面,去除表面污染层,依次放入酒精和丙酮中,超声清洗各15min,去除表面油污和其他污染物,用吹风机干燥充分后迅速放入镀膜机真空室,真空室本底真空7.0×10-3Pa,加热至200℃,保温30min;
(4)离子清洗:通入Ar气,气压为1.5Pa,开启脉冲偏压电源,电压为800V,占空比为0.2,辉光清洗15min,偏压降至300V,气压降至0.5Pa,开启离子源,开启电弧源Ti靶,Ti靶电流为50A,离子清洗2min;
(5)沉积Ti层:偏压降至150V,Ti靶电流为65A,电弧镀Ti 5min;
(6)沉积Mo-W-S-C层:关闭Ti靶,开启2个Mo-W-S-C复合靶,靶电流为1A,偏压降至100V,每隔20min调整偏压依次为100V、75V、50V、75V、100V,沉积Mo-W-S-C层100min;
(7)后处理:关闭2个Mo-W-S-C复合靶,关闭离子源及气体源,关闭脉冲偏压,涂层结束。
通过调整放入盲孔中的C圆片、WS2圆片和MoS2圆片的数量,可调节Mo-W-S-C自润滑涂层中C元素、W元素和Mo元素的含量,使Mo-W-S-C自润滑涂层中的C元素最佳原子百分比在15%~40%之间、W元素最佳原子百分比在7%~25%之间、Mo元素最佳原子百分比在7%~25%之间。
实施例二:
一种Mo-W-S-C自润滑涂层刀具及其制备工艺,刀具基体材料1为YW1硬质合金铣刀;刀具表面为Mo-W-S-C层3,Mo-W-S-C层与刀具基体之间为Ti过渡层2。沉积方式为多弧离子镀沉积Ti过渡层+中频磁控溅射沉积Mo-W-S-C层,沉积时使用1个Ti靶、2个Mo-W-S-C复合靶,其制备工艺步骤为:
(1)制备Mo-W-S-C复合靶:用数控加工方法沿直径为101.6mm,厚度为4.7mm的C靶5的溅射区域内均布加工10~15个沿圆周分布的盲孔,盲孔的直径为17mm,盲孔的深度为3mm,在盲孔内分别放入一定数量,直径为17mm,厚度为5mm的C圆片4、WS2圆片7和MoS2圆片6;
(2)安装Mo-W-S-C复合靶:在镀膜机真空室中频磁控溅射靶安装位置安装2个Mo-W-S-C复合靶;
(3)前处理:将YW1硬质合金铣刀基体表面抛光至镜面,去除表面污染层,依次放入酒精和丙酮中,超声清洗各15min,去除表面油污和其他污染物,用吹风机干燥充分后迅速放入镀膜机真空室,真空室本底真空7.0×10-3Pa,加热至250℃,保温40min;
(4)离子清洗:通入Ar气,气压为1.5Pa,开启脉冲偏压电源,电压为800V,占空比为0.2,辉光清洗15min,偏压降至400V,气压降至0.5Pa,开启离子源,开启电弧源Ti靶,Ti靶电流为60A,离子清洗3min;
(5)沉积Ti层:偏压降至150V,Ti靶电流为75A,电弧镀Ti 7min;
(6)沉积Mo-W-S-C层:关闭Ti靶,开启2个Mo-W-S-C复合靶,靶电流为1.5A,偏压降至100V,每隔30min调整偏压依次为100V、75V、50V、75V、100V,沉积Mo-W-S-C层150min;
(7)后处理:关闭2个Mo-W-S-C复合靶,关闭离子源及气体源,关闭脉冲偏压,涂层结束。
通过调整放入盲孔中的C圆片、WS2圆片和MoS2圆片的数量,可调节Mo-W-S-C自润滑涂层中C元素、W元素和Mo元素的含量,使Mo-W-S-C自润滑涂层中的C元素最佳原子百分比在15%~40%之间、W元素最佳原子百分比在7%~25%之间、Mo元素最佳原子百分比在7%~25%之间。
Claims (3)
1.Mo-W-S-C自润滑涂层刀具,刀具基体材料为高速钢或硬质合金,其特征在于:刀具表面为Mo-W-S-C层,Mo-W-S-C层与刀具基体之间为Ti过渡层。
2.Mo-W-S-C自润滑涂层刀具制备工艺,其特征在于:沉积方式为多弧离子镀沉积Ti过渡层+中频磁控溅射沉积Mo-W-S-C层,沉积时使用1个Ti靶、2个Mo-W-S-C复合靶,其制备工艺步骤为:
(1)制备Mo-W-S-C复合靶:用数控加工方法沿直径为101.6mm,厚度为4.7mm的C靶的溅射区域内均布加工10~15个沿圆周分布的盲孔,盲孔的直径小于溅射区域的宽度,盲孔的深度为3mm,在盲孔内分别间隔放入与盲孔直径相同,厚度为5mm的C圆片、WS2圆片和MoS2圆片;
(2)安装Mo-W-S-C复合靶:在镀膜机真空室中频磁控溅射靶安装位置安装2个Mo-W-S-C复合靶;
(3)前处理:将刀具基体表面抛光至镜面,去除表面污染层,依次分别放入酒精和丙酮中,超声清洗各15min,去除表面油污和其他污染物,用吹风机干燥充分后迅速放入镀膜机真空室,真空室本底真空7.0×10-3Pa,加热至100~250℃,保温30~40min;
(4)离子清洗:通入Ar气,气压为1.5Pa,开启脉冲偏压电源,电压为800V,占空比为0.2,辉光清洗15min,偏压降至300~400V,气压降至0.5Pa,开启离子源,开启电弧源Ti靶,Ti靶电流为50~70A,离子清洗2~3min;
(5)沉积Ti层:偏压降至150~200V,Ti靶电流为65~75A,电弧镀Ti 3~7min;
(6)沉积Mo-W-S-C层:关闭Ti靶,开启2个Mo-W-S-C复合靶,靶电流为1~2A,偏压降至100V,每隔20~30min调整偏压依次为100V、75V、50V、75V、100V,沉积Mo-W-S-C层100~150min;
(7)后处理:关闭2个Mo-W-S-C复合靶,关闭离子源及气体源,关闭脉冲偏压,沉积涂层结束。
3.根据权利要求2所述的Mo-W-S-C自润滑涂层刀具制备工艺,其特征在于:通过调整放入盲孔中的C圆片、WS2圆片和MoS2圆片的数量,可调节Mo-W-S-C自润滑涂层中C元素、W元素和Mo元素的含量,使Mo-W-S-C自润滑涂层中的C元素最佳原子百分比在15%~40%之间、W元素最佳原子百分比在7%~25%之间、Mo元素最佳原子百分比在7%~25%之间。
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