CN104798221B - 具有氧离子泵的电子装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种电子装置，其包含电活性材料和用于从所述装置除去氧气的氧离子泵。此外，本发明还涉及氧离子泵用于从电子装置除去氧气的用途。

Description

具有氧离子泵的电子装置
技术领域
本发明涉及一种电子器件，其包含电活性材料和用于从所述器件除去氧气的氧离子泵。此外，本发明还涉及氧离子泵用于从电子器件除去氧气的用途。
背景技术
现今存在许多不同的电活性材料，其适于例如制造灯、显示器件、太阳能电池或场效应晶体管。这些材料特别用于所谓的有机发光二极管和有机太阳能电池中。然而，这些电活性材料中的许多具有以下缺点：它们对环境气候，特别是对氧气、水蒸气、水和臭氧敏感。因此，有必要将这些材料充分密封在电子器件中。
因此，例如在基于有机发光二极管的显示器件的情况下，将有机化合物包埋在边缘处密封的玻璃板之间。为了这个目的，通常使用有机胶粘剂，但这些不能完全防止氧气扩散。因此，随着操作时间累积，有机化合物缓慢降解并且这些显示器件中的颜色褪色。图1以图解的方式示出这种类型的电子器件。在现有技术中，旨在清除进入的氧气的所谓的牺牲材料(消气剂)安装在密封内部以进行吸附。用于防止氧气进入的另一种可行性是用玻璃焊料进行密封。特别地，第二种变体是有问题的，因为用玻璃焊料进行密封需要高温，并且许多电活性材料，特别是有机电子材料，仅具有有限的温度稳定性。
防止氧气进入这种类型的电子器件中的环境极为重要，因为用于密封电池的塑料对于氧气扩散是不可渗透的。如果代替玻璃板，其将可能在未来起到更大的作用，使用透明的聚合物膜，这些物质对于氧气扩散同样是不可渗透的。在所提及的每种情况下，进入的氧气将逐渐地破坏电活性材料的工作能力。特别是根据例如在显示器件中的颜色逐渐褪色，这是显而易见的。虽然使用智能电子技术可以将其部分抵消，但仍然希望不会发生这种破坏。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种如下的电子器件，在这种电子器件的情况下可以逐渐地从所述器件再次不断地除去进入的氧气，以使得这些器件的寿命增加。
本发明的目的通过提供一种如下的电子器件来实现，所述电子器件包含至少一种电活性材料，将所述电活性材料封闭在其内部的遮盖物，和氧离子泵，其中所述氧离子泵是所述遮盖物的整体组成部分或者安装在所述遮盖物的内表面上，并且其中所述氧离子泵包含在氧离子传导材料的相对两端处的阴极和阳极，其中所述阴极的至少一部分朝向所述遮盖物的内部，并且所述阳极的至少一部分朝向所述遮盖物的外部。
表述“阴极的至少一部分朝向遮盖物的内部”旨在被认为是指阴极至少部分地位于遮盖物的内部，即由遮盖物界定的空间中。表述“阳极的至少一部分朝向遮盖物的外部”旨在被认为是指阳极位于遮盖物的与内部相反的空间、优选遮盖物外部的空间上，即阳极相比于阴极位于离遮盖物中心更远处。只有以这种方式才能够确保，在向阳极和阴极施加电压时，通过位于其间的氧离子传导材料从遮盖物的内部向外部传输氧。
在根据本发明的电子器件的另一种实施方式中，所述遮盖物包含基底、密封帽和胶粘剂，其中所述胶粘剂优选将所述基底与所述密封帽彼此密封。根据本发明的这种实施方式示于本申请的图2中。
在根据本发明的电子器件的另一种实施方式中，所述氧离子泵优选布置在所述胶粘剂的区域中。此处特别优选的是，所述氧离子传导材料在阴极侧上与遮盖物的内部接触并且在面向阳极一侧与遮盖物的外部环境接触，其中所述氧离子泵优选包埋在胶粘剂中。这种类型的实施方式也例如由图2示出。可一体化至根据本发明的器件的胶粘剂区域中的氧离子泵例如示于图3中。
在根据本发明的电子器件的另一个实施方式中，优选的是以至少在基底和/或密封帽上的区域中的层形式布置所述氧离子泵。“至少在……区域中”是指基底和/或密封帽的表面的至少一部分优选设置有氧离子泵的层。然而，可选地，基底和/或密封帽的整个表面也可设置有氧离子泵的层。
所述氧离子泵的层被认为是指由至少三个子层构建的层，其中一个子层代表阴极层，另一个子层代表阳极层，并且又一个子层代表氧离子传输材料的层。此处同样地，氧离子传导层位于所述阳极层与所述阴极层之间。在这种实施方式中，阴极优选位于遮盖物、即基底和/或密封帽的内表面上，并且阴极朝着遮盖物内部定向。
更一般来说，本申请中的“遮盖物的内部”被认为是指本发明电子器件的由遮盖物封闭的内部。本申请中的术语“遮盖物的外部”一般被认为是指遮盖物外部的未由此封闭的空间。
在本发明的其中以至少在基底和/或密封帽上的区域中的层形式布置氧离子泵的实施方式中，优选的是至少基底和/或密封帽的上面安装有氧离子泵的区域针对遮盖物的外部可透氧。这可例如通过使用可透氧材料例如聚合物层作为遮盖物，或通过具有开口的遮盖物的材料来确保。
在本申请中，所述基底优选由玻璃、陶瓷、金属、聚合物层或塑料层组成，其中柔性基底是优选的。在一个优选的实施方式中，所述柔性基底由聚合物或塑料组成。对于聚合物或塑料的最重要的选择标准是1)卫生方面和2)玻璃化转变温度。聚合物的玻璃化转变温度(Tg)可以获自已知手册(例如"Polymer Handbook"(聚合物手册),J.Brandrup,EHImmergut和EA Grulke编,John Willey&Sons公司,1999,VI/193-VI/276)。所述聚合物的Tg优选高于100℃，非常优选高于150℃，非常特别优选高于180℃。非常优选的基底例如是聚(对苯二甲酸乙二醇酯)(PET)和聚(2,6-萘二甲酸乙二醇酯)(PEN)。
在本申请中的密封帽优选由玻璃、陶瓷、金属、聚合物层或塑料层组成。玻璃和金属是特别优选的。
用作基底或密封帽的陶瓷可以是以下中的一种：硅酸盐玻璃、碳化物(SiC)、金属氧化物(Al2O3)、氮化物(Si3N4)和其它非硅酸盐玻璃。
在本发明中，所述氧离子传导材料优选是固态电解质。根据本发明使用的固态电解质能够传输在阴极处由氧气形成的O2-离子，所述O2-离子在阴极的相对侧、即在阳极处由此再转化回氧气。原则上，通常可用于固体氧化物燃料电池中的固态电解质也可以用于根据本发明的器件中。对于固态电解质合适的材料例如是二氧化锆、氧化铋、氧化钍、氧化铪、磷灰石、氧化铈、钼酸镧、镧系元素氟氧化物、氧化镧和其组合。在一个实施方式中，固态电解质优选被稀土元素或镧系元素掺杂或稳定化。固态电解质的综述提供于例如Adachi等,Chem.Rev.(化学综述)2002,102,2405-2429；Kendrick等,Annu.Rep.Prog.Chem.,Sect.A(化学进展年度报告A部),2009,105,436-459；Malavasi等,Chem.Soc.Rev.(化学会综述),2010,39,4370-4387中。所述固态电解质特别优选选自钇稳定化氧化锆、镱稳定化氧化锆、钙稳定化氧化锆、铈稳定化氧化锆、镱稳定化氧化锆、钪稳定化氧化锆、氧化钛、氧化锡、氧化锌和其组合。
在一个非常优选的实施方式中，所述氧离子泵包含氧离子传导层，其具有多层结构，例如超晶格，如由J.Garcia-Barriocanal等在Science(科学)321,676(2008)中所报道的。
所述氧离子泵的阴极优选包含催化氧还原反应的材料。所述阴极材料优选由贵金属，特别优选Pt、Pd组成。所述阴极优选是可透气的，例如，呈金属网形式。
所述氧离子泵的阳极优选是选自金属、导电性金属氧化物和导电性聚合物的材料。所述阳极优选由这些材料中的一种或多种组成。
所述电活性材料优选是氧敏材料。氧敏材料被认为是指其电子性质由于氧的存在而被不可逆地破坏。所述电活性材料可以是有机电子材料或含有至少一种量子点的材料。然而，所述电活性材料优选是有机电子材料。
所述有机电子材料可以是发光材料、空穴传输材料(HTM)、空穴注入材料(HIM)、电子传输材料(ETM)、电子注入材料(EIM)、空穴阻挡材料(HBM)、电子阻挡材料(EBM)、激子阻挡材料(ExBM)、主体材料、有机金属络合物、有机染料或其组合。
发光材料是优选在可见光区发光的材料。所述发光材料优选在380nm与750nm之间具有发射峰。所述发光材料优选是磷光或荧光发光体化合物。
在本发明意义上的荧光发光体化合物是在室温下展现从激发单重态发光的化合物。为了本发明的目的，特别是所有不含重原子、即不含原子序数大于36的原子的发光化合物，都被视为荧光化合物。
所使用的发光材料特别优选是磷光发光体化合物。磷光发光体化合物一般被认为是指展现从具有相对高自旋多重度、即自旋态>1的激发态，例如从激发三重态(三重态发光体)、从MLCT混合态或五重态(五重态发光体)发光的化合物。合适的磷光发光体化合物特别是如下的化合物，其在适当激发时优选在可见光区发光，并且另外含有至少一个原子序数>38且<84、特别优选>56且<80的原子。优选的磷光发光体是含有铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕的化合物，特别是含有铱、铂或铜的化合物。申请WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/02714、WO 02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 2005/033244公开了上述发光体的实例。一般来说，根据现有技术用于磷光OLED的和有机电致发光领域的普通技术人员已知的所有磷光络合物都是合适的。
HTM或HIM是具有空穴传输或空穴注入性质的材料。这些材料的实例是：三芳基胺、联苯胺、四芳基-对苯二胺、三芳基膦、吩噻嗪、吩嗪、二氢吩嗪、噻蒽、二苯并-对二英、吩噻、咔唑、薁、噻吩、吡咯和呋喃衍生物和具有高HOMO(HOMO＝最高占用分子轨道)的其它含O、S或N的杂环化合物。这些芳基胺和杂环化合物优选导致聚合物中的HOMO大于-5.8eV(相对于真空水平)，特别优选大于-5.5eV。
ETM和EIM是具有电子传输或电子注入性质的材料。这些材料的实例是：吡啶、嘧啶、哒嗪、吡嗪、二唑、喹啉、喹喔啉、蒽、苯并蒽、芘、苝、苯并咪唑、三嗪、酮、氧化膦和吩嗪衍生物，以及三芳基硼烷和具有低LUMO(LUMO＝最低未占分子轨道)的其它含O、S或N的杂环化合物。聚合物中的这些单元优选导致LUMO小于-2.5eV(相对于真空水平)，特别优选小于-2.7eV。
HBM是阻挡空穴形成或抑制其传输的材料。在包含磷光发光体的器件中，HBM通常插入在发光层与电子传输层之间。
合适的HBM是金属络合物，例如，BAIQ(＝双(2-甲基-8-喹啉根基)(4-苯基苯酚根基)铝(III))。Irppz(Ir(ppz)3＝面式-三(1-苯基吡唑根基-N,C2)铱(III))同样用于这个目的。同样有利地使用菲咯啉衍生物例如BCP(＝2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉，＝浴铜灵)，或邻苯二甲酰亚胺例如TMPP(＝2,3,5,6-四甲基苯基-1,4-(双邻苯二甲酰亚胺))。合适的HBM此外描述于WO 00/70655 A2、WO 01/41512和WO 01/93642 A1中。此外合适的是三嗪衍生物、螺低聚亚苯基和酮或氧化膦。
EBM是抑制或阻挡电子传输的材料。ExBM同样是抑制或阻挡激子传输或形成的材料。有利地使用的EBM和ExBM是过渡金属络合物，例如，Ir(ppz)3(US 2003-0175553)和AlQ3。同样合适的是芳基胺，特别是三芳基胺(例如描述于US 2007-0134514 A1中)和被取代的三芳基胺(例如MTDATA或TDATA(＝4,4',4"-三(N,N-二苯基氨基)-三苯基胺))、N上取代的咔唑化合物(例如TCTA)、杂环化合物(例如BCP)或四氮杂硅烷衍生物。
主体材料优选是用作发光化合物的基质的材料。对于荧光发光体合适的主体材料是来自多种类别物质的材料。优选的主体材料选自以下类别：低聚亚芳基(例如2,2',7,7'-四苯基螺二芴或二萘基蒽)，特别是含有稠合芳族基团的低聚亚芳基，例如，蒽、苯并蒽、苯并菲、菲、并四苯、六苯并苯、芴、螺芴、苝、邻苯二甲酰苝、萘二甲酰苝、十环烯、红荧烯，低聚亚芳基亚乙烯基(例如根据EP 676461的DPVBi＝4,4'-双(2,2-二苯基乙烯基)-1,1'-联苯)或螺-DPVBi)，多足金属络合物，特别是8-羟基喹啉的金属络合物，例如AlQ3(＝三(8-羟基喹啉)铝(III))或双(2-甲基-8-喹啉根基)-4-(苯基苯酚啉根基)铝，以及咪唑螯合物和喹啉-金属络合物、氨基喹啉-金属络合物、苯并喹啉-金属络合物，空穴传导化合物，电子传导化合物，特别是酮、氧化膦、亚砜等，阻转异构体，硼酸衍生物或苯并蒽。
有机金属络合物被认为是指金属-配体配位化合物，其中所述配体是有机化合物。根据本发明，所述金属络合物包括可以被本领域的普通技术人员用于有机电子器件中的所有化合物。
“染料”被认为是指吸收可见白光的有限部分并反射白光的未吸收部分的化合物。所感知光的互补颜色被染料吸收。染料中的颜色吸收通常是基于许多共轭双键和芳族骨架。在吸收时，双键体系中的共轭电子被激发到一个较高的能态，并且所述染料分子通过以不同波长辐射(或通过发热)再次释放能量。
在本发明中的“量子点”(QD)被认为是指包含半导体材料例如InGaAs、CdSe、ZnO或者GaInP/InP的纳米尺度结构。量子点的特征在于，量子点中的电荷载流子(电子、空穴)的迁移率在所有三个空间方向上受到限制，以致于它们的能量不再可采用连续值，而只是离散值。因此量子点表现为与原子类似的方式，但其形状、尺寸或其中的电子数可受到影响。其固有原子尺寸量级通常是约104个原子。
本发明的QD特别涉及半导体纳米晶体胶体，也称为胶状量子点或纳米点或纳米晶体，其通过化学方法产生。
可以整合至QD中的合适的半导体材料选自以下的元素：II-VI族，例如CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnO、ZnS、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe和其合金，例如，CdZnSe；III-V族，例如InAs、InP、GaAs、GaP、InN、GaN、InSb、GaSb、AIP、AlAs、AlSb和合金，例如InAsP、CdSeTe、ZnCdSe、InGaAs，IV-VI族，例如PbSe、PbTe和PbS和其合金；III-VI族，例如InSe、InTe、InS、GaSe和合金，例如InGaSe、InSeS；IV族半导体，例如Si和其Ge合金，和其呈复合结构的组合。
在一个特别优选的实施方式中，根据本发明的QD包含选自II-VI族半导体、其合金和其核/壳结构的半导电材料。在另外的实施方式中，本发明的QD包含II-VI族半导体CdSe，CdS，CdTe，ZnSe，ZnS，ZnTe，其合金，其组合，和其核/壳、核/多壳壳结构。
在根据本发明的电子器件中，所述有机电子材料优选是发光材料。
用于所述电子器件中的氧离子泵遵循以下原理：在施加电压时特定材料能够传输O2-。本发明在此处特别利用λ探针(特别是Nernst探针)的逆原理，其中氧离子传导材料在相对两侧(其中每一个上面安装有电极)上反应产生不同氧分压。在不同分压的情况下，可以发生氧离子流过材料的流动，其中可在电极处测量电压。在本申请中，在阴极和阳极上施加电压迫使材料在所需方向上传输氧离子。取决于所用的氧离子传导材料的类型，为了这个目的必须施加在2V至35V范围内的电压。
本发明的另一个实施方式涉及氧离子泵用于从电子器件除去氧气的用途。换句话说，本发明还涉及使用如上所述的氧离子泵从电子器件除去氧气的方法。
根据本发明的电子器件或根据本发明的用途中所提及的电子器件优选选自有机或聚合物有机电致发光器件(OLED、PLED)、有机场效应晶体管(OFET)、有机集成电路(OIC)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机发光晶体管(OLET)、有机太阳能电池(OSC)、有机光学检测器、有机激光二极管(O-laser)、有机场猝熄器件(OFQD)、发光电化学电池(LEC)、“有机等离子体发射器件”和有机光伏(OPV)元件或器件，和有机光感受器(OPC)。
应该指出，本发明中所述的实施方式的变体落在本发明的范围内。除非明确排除，否则本发明中所公开的每个特征可以被提供相同、等效或类似目的的可选特征代替。因此，除非另外说明，否则本发明中公开的每个特征都被视为上位系列的实例或视为等效或类似的特征。
除非特定的特征和/或步骤相互排斥，否则本发明的所有特征都能够以任何方式彼此组合。这特别适用于本发明的优选特征。同样地，可以单独地(而非组合)使用非必要组合的特征。
此外，应该指出，许多特征并且特别是本发明的优选实施方式的特征，本身具发明性并且不仅仅被视为本发明的实施方式的一部分。对于这些特征，可另外或可选地对目前要求保护的每个发明寻求独立保护。
关于本发明所公开的技术作用的教导可以进行提炼并与其它实施例组合。
通过以下实施例和附图更详细地解释本发明，而不希望由此对本发明进行限制。
附图说明
图1：图1示出电子器件(1)，其包含在其遮盖物(7)内部的电活性材料(2)。经由胶粘剂(5)粘结至密封帽(4)的基底(3)位于下侧。此处消气剂(6)用于清除进入的氧气。
图2：图2示出根据本发明的电子器件(1)，其中氧离子泵(8)布置在胶粘剂(5)中。此处胶粘剂将密封帽(4)粘结至基底(3)。电活性元件(2)位于基底上。所述氧离子泵包含朝向遮盖物(7)内部的阴极(9)和朝向遮盖物外部的阳极(11)。氧离子传导材料(10)位于所述阳极与所述阴极之间。根据本发明的电子器件也可任选包含消气剂(6)。
图3：图3以实例方式示出可以并入例如根据图2的电子器件中的氧离子泵。阴极(9)和阳极(11)位于氧离子传导材料(10)的相对两端。
图4：图4示出氧离子泵(8)的布置的示意图，所述氧离子泵(8)已经以基底(3)上的层形式并入电子器件中。密封帽(4)的布置旨在限定遮盖物的内部位于密封帽与基底之间。氧离子泵(8)因此位于基底的内表面上。此处阴极(11)是基底上的第一层，氧离子传导层(10)是第二层并且阳极(9)是朝向内部的第三层。
图5：图5示出遮盖物内部的基底上的一种可行的层布置，其中阳极旨在连接至氧离子泵上方的可透氧密封帽。此处电活性材料优选是在施加电压时发光的发光材料。此处基底优选是透光基底。
图6：图6同样示出在电子器件中的氧离子泵的一种可行布置，其中电极2的电位低于电极1的电位并且旨在向优选可透氧的基底释放氧。电活性材料优选是在施加电压时发光的发光材料。所述基底优选是透光基底。
图7：图7示出电子器件的制造流程，其中101是玻璃基底，102是阳极触点的ITO触排(Bank)，103是阴极触点的ITO触排，201是25×[YSZ]。101.玻璃基底；102.阳极触点的ITO触排；103.阴极触点的ITO触排；201是在100nm STO上的25×[YSZ1nm/STO10nm]超晶格，并且301是Pt电极。401代表OLED的以下层结构：PEDOT/LEP/Ba/Al。501代表UV固化树脂并且601代表通过玻璃帽封装。
具体实施方式
实施例
实施例1
具有氧泵的基底的制造
在本发明中使用ITO涂布的玻璃基底Sub1(Technoprint有限公司)，尺寸为30×30mm。Sub1用两个ITO触排进行结构化，一个用于阳极触点(102)并且另一个用于阴极触点(103)。首先在清洁室中用去离子(DI)水和清洁剂(Deconex 15PF)清洁基底，然后通过UV/臭氧等离子体处理来活化。
包含超晶格结构的氧泵的制造(图7中的(201))：首先，将100nm SrTiO3(STO)层施加至Sub1，然后在高压(3毫巴)纯氧RF溅射系统中利用掩模1将8摩尔％(Y2O3)x(ZrO2)1-x(YSZ)和SrTiO3(STO)层施加至STO。掩模1对应于8个区域(201)。高压和高基底温度(900℃)能够实现复杂氧化物的缓慢(1nm/分钟)和高热能化生长，其导致优异的膜质量。施加具有25个重复单元的[YSZ1nm/STO10nm]的超晶格(201)。
随后通过RF溅射使用荫式掩模来沉积呈网形式的Pt电极(301)以实现电极之间的电接触。
所获得的基底被称为Sub2，以制造根据本发明的器件。
实施例2
PLED的制造
通过以下方法制造具有层结构Sub1/ITO/HIL/LEP/阴极的PLED1(对比)和具有层结构Sub2/ITO/HIL/LEP/阴极的PLED2(根据本发明)，其中ITO代表铟锡阳极，HIL代表空穴注入层并且LEP代表发光聚合物。
1)通过旋涂将PEDOT(CLEVIOSTMP VP Al 4083)作为具有80nm厚度的HIL施加至基底，并且然后在清洁室中在180℃下加热10分钟；
2)在N2手套箱中通过将浓度为0.5-1重量％的SPB-02T(Merck KGaA)于甲苯中的溶液旋涂来施加65nm的LEP(发光聚合物)层；
3)在N2手套箱中将所述器件在180℃下加热10分钟；
4)在10-6托的真空中通过气相沉积将Ba/Al阴极施加至发光层，厚度为3nm/150nm；
5)在N2手套箱中密封所述器件。为了这个目的，使用UV固化树脂、图7中的UV树脂T-470/UR7114(Nagase Chemtex公司)(501)，和玻璃帽(601)，其中玻璃板小于基底以保持接触垫未密封(图7)。首先将UV树脂施加至基底边缘。然后将帽安置在上面。然后用UV光照射器件30秒。在手套箱中实施所有步骤。
实施例3
PLED1和PLED2的表征
通过标准方法表征以这种方式获得的PLED1(对比)和PLED2(根据本发明)。此处测量以下性质：UIL特性、电致发光光谱、颜色坐标、效率、工作电压和寿命。结果被总结于表1中，其中PLED1充当根据现有技术的对比。在表1中，U开代表启动电压，并且U(100)代表在100cd/m2下的电压。在恒定电流密度与特定初始发光密度下测量寿命并且将其定义为初始亮度已降至一半的时间。
对于PLED2，在寿命测量期间将负电压施加至内部Pt电极并且将正电压施加至外部Pt电极，其中所述电压等于PLED的工作电压，以使得O2在器件中被抽空。
表1
如从表1可见的，两个PLED展现非常类似的性质，其中PLED2相比于PLED1具有几乎1.7倍长的寿命。
可通过多种途径在不付出创造性劳动的情况下实现OLED的进一步改进或优化。因此，可以使用其它发光材料、其它层结构等。
如本发明中所述的氧泵的用途还可以容易地适用于其它有机电子器件，例如OPV、OFET等。

Claims (18)

1.一种电子器件，其包含至少一种电活性材料，将所述电活性材料封闭在其内部的遮盖物，和氧离子泵，其中所述氧离子泵是所述遮盖物的整体组成部分或者安装在所述遮盖物的内表面上，并且其中所述氧离子泵包含在氧离子传导材料的相对两端处的阴极和阳极，其中所述阴极的至少一部分朝向所述遮盖物的内部并且所述阳极的至少一部分朝向所述遮盖物的外部，其中所述遮盖物包含基底、密封帽和胶粘剂，并且其中所述氧离子泵被布置在所述胶粘剂的区域中。
2.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述胶粘剂将所述基底与所述密封帽彼此密封。
3.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中以至少在所述基底和/或所述密封帽上的区域中的层形式布置所述氧离子泵。
4.根据权利要求3所述的电子器件，其中所述基底和/或所述密封帽的上面安装有所述氧离子泵的区域可透氧。
5.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中所述基底和/或所述密封帽由玻璃、陶瓷、聚合物层或塑料组成。
6.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中所述氧离子传导材料是固态电解质。
7.根据权利要求6所述的电子器件，其中所述固态电解质选自钇稳定化氧化锆、镱稳定化氧化锆、钙稳定化氧化锆、铈稳定化氧化锆、钪稳定化氧化锆、氧化钛、氧化锡和氧化锌中的一种或多种。
8.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中所述阴极包含选自贵金属族的材料。
9.根据权利要求8所述的电子器件，其中所述阴极包含选自Pt或Pd的材料。
10.根据权利要求8所述的电子器件，其中所述阴极呈可透气的金属网形式。
11.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中所述电活性材料是氧敏材料。
12.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中所述电活性材料是有机电子材料或含有至少一种量子点的材料。
13.根据权利要求12所述的电子器件，其中所述有机电子材料是发光材料。
14.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中所述电子器件选自有机电致发光器件(OLED)、有机场效应晶体管(OFET)、有机集成电路(OIC)、有机发光晶体管(OLET)、有机激光二极管(O-laser)、有机场猝熄器件(OFQD)、发光电化学电池(LEC)、有机等离子体发射器件、有机光伏(OPV)元件或器件或有机光感受器(OPC)。
15.根据权利要求1或2所述的电子器件，其中所述电子器件选自聚合物有机电致发光器件(PLED)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机光学检测器或有机太阳能电池(OSC)。
16.一种如权利要求1至13中的任一项中所限定的氧离子泵用于从根据权利要求1至13中的任一项所述的电子器件除去氧气的用途。
17.根据权利要求16所述的用途，其中所述电子器件选自有机电致发光器件(OLED)、有机场效应晶体管(OFET)、有机集成电路(OIC)、有机发光晶体管(OLET)、有机激光二极管(O-laser)、有机场猝熄器件(OFQD)、发光电化学电池(LEC)、有机等离子体发射器件、有机光伏(OPV)元件或器件或有机光感受器(OPC)。
18.根据权利要求16所述的用途，其中所述电子器件选自聚合物有机电致发光器件(PLED)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机光学检测器或有机太阳能电池(OSC)。
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