CN104756244A - 用于外延生长的衬托器和用于外延生长的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于外延生长的衬托器，该衬托器用于通过执行晶片与腔室内的源气体的反应和生长外延层来制造外延晶片，该衬托器包括：凹部，该凹部设置有开口，晶片布置在该开口上；凸缘部分，该凸缘部分用于支撑该晶片；和气体调节构件，该气体调节构件放置在衬托器开口的上表面的外圆周部分上，其中，该气体调节构件包括：第一气体调节构件，该第一气体调节构件形成在该晶片的晶向<110>对面的预定区域上；第二气体调节构件，该第二气体调节构件形成在该晶片的晶向<100>对面的预定区域上；和第三气体调节构件，该第三气体调节构件形成在第一气体调节构件和第二气体调节构件之间，其中，第一气体调节构件、第二气体调节构件和第三气体调节构件形成为沿着晶片的圆周形成的区域的尺寸彼此不同，其中，第一气体调节构件、第二气体调节构件和第三气体调节构件形成为它们从晶片的中心至衬托器的方向的倾角彼此不同以改变气体流速。结果，可以通过在该区域上形成分别用于在衬托器的外圆周部分周围增加/减少气体流速的装置(气体调节构件)控制气体流速，从而当在半导体晶片上形成外延层时减少晶片的边缘部分上外延层的差异。

Description

用于外延生长的衬托器和用于外延生长的方法
技术领域
本发明涉及一种用于制造外延晶片的衬托器(susceptor)，更具体地涉及一种用于控制晶片边缘部分平坦度的衬托器。
背景技术
硅外延晶片是通过在硅晶片上气相生长硅外延层进行制造的，其中，硅晶片掺杂有诸如硼(B)的杂质以具有低的电阻率，并且硅外延层掺杂有较少的杂质以具有高的电阻率。该硅外延晶片在高温下具有高的收集能力、低的闩锁特性和防滑特性，因而广泛用于制造MOS装置和LSI装置。
对这种外延晶片的质量评价项目可以包括：平坦度和颗粒污染程度，用于评价包括衬底和外延层的外延晶片表面；和外延层厚度均匀性、电阻率及其均匀性、金属污染和滑移位错，用于评价外延层本身。
当在外延晶片上制造半导体装置时，平坦度极大地影响光刻工艺、化学机械抛光(CMP)工艺，以及用于绝缘体上的硅(SOI)晶片的粘合工艺。特别是，晶片的边缘上卷或下卷的边缘卷起现象大大影响光刻工艺中的散焦、CMP工艺中的抛光均匀性，和SOI粘合工艺中的不良粘合。随着晶片的直径增加到至少300mm，晶片边缘的平坦度变得对外延晶片的质量评价项目更为重要。因此，有必要找到外延晶片的边缘平坦度畸变的原因。
使将成为衬底的半导体晶片安装在腔室中，并以在形成外延层时以预定转速旋转，以便获得厚度整体均匀的层。因此，相对于外延制造装置不断改变晶片的晶向。也就是说，由于晶片被固定至具有凹部(pocket)的衬托器，相对于衬托器不断固定晶片的晶向。
由于晶片在放置在衬托器上的同时旋转，晶片边缘厚度可以根据晶向周期性地增加或减少。
图1是示出晶片的晶向的简图，而图2是示出在外延层沉积在晶片上时，在使用每个取向均具有恒定的凹部高度的衬托器的情况下根据典型晶片的取向所沉积的外延层厚度曲线图。
参照图1，如果晶片100的三点钟方向是0度，0度的方向是<110>晶向，并且相对于<110>晶向45度旋转的方向是<110>晶向。也就是说，在每个90度处出现与<110>和<110>晶向相同的晶向。
图2示出了根据图1的晶片取向所沉积的外延层厚度偏差最大化的部分。根据相对于直径为300mm的晶片的评价结果，距离晶片中心149mm远的边缘部分的外延层厚度在晶片接近180度的<110>取向上最大，并且在接近135度和225度的<100>取向上最小。
外延层的生长速率随着根据晶片取向的晶体表面特性而变化，并且出现晶片边缘部分的外延层厚度偏差。
结果，外延层的生长速率在晶片的<110>晶向上相对增加，但在晶片的<100>晶向上相对减少。
因此，晶片的边缘部分具有以45度的间隔出现外延层厚度的偏差的区间。随着厚度偏差变得更严重，晶片的质量变差得更严重，并且在形成半导体装置的方面出现更多的问题。
发明内容
各实施方式提供了一种用于均匀控制外延晶片的边缘部分厚度以提高外延晶片表面的平坦度的衬托器。
在一个实施方式中，一种用于制造外延晶片的衬托器，在该衬托器上通过晶片和腔室中的源气体之间的反应生长外延层，包括：凹部，该凹部具有形成在凹部中的开口，晶片放置在开口中，凸缘(ledge)部分，该凸缘部分支撑晶片；和气体调节构件，该气体调节构件形成在衬托器的开口的上表面的外圆周部分上，其中，该气体调节构件包括：第一气体调节构件，第一气体调节构件形成在面向晶片的<110>晶向的预定区域上；第二气体调节构件，第二气体调节构件形成在面向晶片的<100>晶向的预定区域上；和第三气体调节构件，第三气体调节构件形成在第一气体调节构件和第二气体调节构件之间，其中，第一气体调节构件至第三气体调节构件形成为它们沿着晶片的圆周形成的区域具有不同的尺寸，其中，第一气体调节构件至所述第三气体调节构件形成为在晶片的中心至衬托器的方向上具有不同的倾角以改变气体流速。
有益效果
根据本发明，由于气体流速增加或减少装置(气体调节构件)形成在衬托器的圆周部分上的不同区域上，晶片边缘部分的外延层厚度的偏差可以在外延层形成在半导体晶片上时减少。
而且，由于气体流速增加或减少装置(气体调节构件)形成在衬托器的圆周部分上的不同区域上，晶片边缘部分的外延层厚度的偏差可以在外延层形成在半导体晶片上时减少。
另外，由于气体调节构件的高度或角度根据晶片的晶向变化，可以精确控制晶片的每个区间的气体流速，因此晶片的边缘部分的外延层厚度呈现为均匀的。
此外，根据设置有气体调节构件的衬托器的实施方式，也可以设置具有均匀平坦度的半导体晶片，使得半导体晶片的质量和成品率可以得到提高。
附图说明
图1是示出半导体晶片的晶向的简图。
图2是示出在使用典型衬托器的情况下根据晶片晶向的一部分外延层厚度的简图。
图3是示出晶片的外延层厚度根据晶片晶向增加或减少的区域的平面图。
图4是示出用于制造外延晶片的衬托器的结构简图。
图5是示出根据比较例1的晶片边缘部分的外延层的测量厚度的曲线图。
图6是示出根据比较例2气体调节构件形成在衬托器上的区域的平面图。
图7是示出根据比较例2相对于边缘部分的整个区间的晶片外延层厚度的曲线图。
图8是示出图7的特定区域的曲线图。
图9是示出根据比较例2气体调节构件形成在衬托器上的区域的简图。
图10是示出根据实施方式气体调节构件形成在衬托器上的区域的简图。
图11是示出根据实施方式气体调节构件形成在衬托器上的区域的平面图。
图12是示出根据实施方式形成气体调节构件时测量的晶片边缘部分厚度的曲线图。
图13是示出图12的特定区域的曲线图。
图14是根据实施方式衬托器的凹部的上部区域的正视图。
图15是根据另一个实施方式衬托器的凹部的上部区域的正视图。
图16是根据另一个实施方式衬托器的横截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图对实施方式进行详细描述，但本发明不限于此。为了澄清本发明的观点，本文可能会不提供已知功能或配置的详细描述。
半导体晶片在被外延制造装置中的衬托器支撑的同时以预定的旋转速度旋转，以便获得厚度整体均匀的层。一般情况下，外延层的生长速率取决于用于外延生长的气体流速、硅元素的浓度、温度等。因此，理想的是提供一种用于在支撑晶片的凹部的开口的内圆周表面附近处改变上述因素的构件。本实施方式针对提供一种用于控制每个晶向的外延层厚度的装置和方法，通过使用形成在与衬托器开口相邻的衬托器的上表面上的气体调节构件来控制沿着晶片边缘的气体流速，以便提高晶片外周的平坦度。而且，在比较例的基础上控制每个晶向上分别形成气体调节构件的区域。
关于具有<100>晶向的单晶硅，已知外延层的生长速率依赖于晶向，并且这种依赖关系在边缘区域处更严重，并且改变生长速率。因此，在晶片的外周处，外延层厚度以90度的间隔增加或减少。
图3是示出晶片外延层厚度根据晶片晶向增加或减少的区域的平面图。
参照图3，假定相对于晶片中心具有<100>晶向的3点方向是0度，晶片的外延层厚度在相对于约0度、约90度、约180度和约270度的预定角度内的区域中比较大，并且晶片的外延层厚度在相对于约45度、约135度、约225度和约315度的预定角度内的区域中比较小。在此，在晶片转动时，上述角度可以随着晶向而变化。
在下文中，相对于约0度、约90度、约180度和约270度的预定范围内的区域被称为较高区域，相对于约45度、约135度、约225度和315度的预定范围内的区域称为较低区域，并且较高区域和较低区域之间的区域被称为缓冲区域。详细地，较高区域、较低区域和缓冲区域表示衬托器在其上形成气体调节构件以控制晶片的边缘部分平坦度的区域。也就是说，较低区域可以被定义为相对于晶片的<100>晶向的预定角度内形成的区域，较高区域可以被定义为相对于<110>晶向的预定角度内形成的区域，并且缓冲区域可被定义为较低区域和较高区域之间的区域。
图4是示出用于制造外延晶片的衬托器的结构简图。参照图4，半导体晶片5被凸缘部分41支撑，凸缘部分形成在凹部20中，即衬托器10的开口内。凹部20可以大致形成为具有平坦下表面的圆形凹槽(recess)的形状，并且可以包括凸缘部分41和底部部分42，其中，凹部20中的圆形凹槽可以容纳晶片。也就是说，凹部的形状是由内圆周表面21和下表面限定的，并且凸缘部分41沿着开口的圆周形成在下表面上，边缘部分41具有以从内圆周表面21朝向内圆周侧以尽可能大的方式延伸预定长度的渐缩上表面。凸缘部分41具有作为凹部的下表面的渐缩上表面，以便在使与半导体晶片5的接触最小化的同时牢固地支撑半导体晶片5。
衬托器布置在反应室中(未示出)，并且外延层在用于外延生长的气体被注入到反应室的同时形成在晶片5上。在此，气体喷射孔提供至衬托器的外圆周侧(未示出)，并且源气体从衬托器的外圆周朝着存在晶片的衬托器的内圆周流动。也就是说，源气体沿着衬托器的开口的上表面22流动并且到达晶片。开口竖直地倾斜的凹部的内圆周表面的长度可以被定义为凹部的高度H，其中，凹部的高度H是影响气体流动的因素。
本发明提出了一种衬托器结构，其中，气体调节构件形成在衬托器的开口的上表面22上，以便调节从衬托器的外圆周朝向晶片流动的气体流速，从而减少晶片的边缘部分的厚度偏差。
在下文中，将通过比较实例和实施方式来说明衬托器的优选结构。
(比较例1)
比较例1是衬托器的凹部的高度H对于图4中晶片的各个结晶取向恒定的情况。在晶片上执行外延层沉积工艺之后，由晶片的边缘部分测量外延层厚度。
图5是示出根据比较例1的晶片的边缘部分厚度的曲线图。该曲线图是示出相对于直径为约300mm的晶片的直径为约149mm的边缘部分的整个区间的外延层厚度变化的评价数据。
从图5可以理解，外延层厚度倾向在<110>晶向(即，约0度、约90度、约180度和约270度)上增加，而倾向在<100>晶向(即，约45度、约135度、约225度和约315度)上减少。相对于149mm直径的位置处的晶片边缘部分的整个区间，外延层厚度的最大偏差为约173.44nm。
(比较例2)
图6是示出根据比较例2气体调节构件形成在衬托器上的区域的平面图。
参照图6，用于减少气体流速的第一气体调节构件可以提供至相对于晶片的<110>晶向的预定角度内形成的较高区域，并且用于增加气体流速的第二气体调节构件可以提供至相对于晶片的<100>晶向的预定角度内形成的较低区域。而且，第三气体调节构件可以提供至较低区域和较高区域之间的缓冲区域，并且可以具有高度差异，以便气体在第一气体调节构件和第二气体调节构件之间流畅地流动。
对于比较例2，相对于晶片的中心约35度内形成的衬托器上的区域被设定为较高区域，相对于晶片的中心约35度内形成的区域被设定为较低区域，并且较高区域和较低区域之间约10度内形成的区域被设定为缓冲区域，并且分别对各区域形成气体调节构件。在晶片上执行外延层沉积工艺之后，由晶片的边缘部分测量外延层厚度。也就是说，对于比较例2，较高区域和较低区域形成为具有相同范围并相对于缓冲区域彼此对称。
详细地，较低区域的凹部高度H可以为约0.8mm，较高区域的凹部高度H可以为约1.0mm，并且缓冲区域的凹部高度H可以是较低区域的值和较低区域的值之间的任意值。
在此，凹部高度H可以包括气体调节构件的高度。详细地，凹部高度H可以包括：在较高区域上形成的第一气体调节构件的高度、在较低区域上形成的第二气体调节构件的高度，或者在缓冲区域上形成的第三气体调节构件的高度。
图7是示出根据比较例2相对于边缘部分的整个区间的晶片外延层厚度的曲线图。参照图7，晶片的边缘部分的149mm直径的位置处的厚度偏差为约128.75nm。
图8示出图7中评价的晶片的边缘部分的特定区域，更具体为约135度和约225度之间的区间。从图8可以理解，晶片的边缘部分厚度在约180度的角度处的较高区域中最大，并且以约45度的间隔减少后倾向增加。
在比较例2中，其上布置第一气体调节构件和第二气体调节构件的较高区域和较低区域在具有约35度的角度的同时被布置为相对于缓冲区域彼此对称，以便沉积在晶片的外延层上。相比于没有形成气体调节构件的比较例1，晶片的边缘部分的整个区域的厚度偏差减少，但是仍然没有满足半导体晶片目前需要的边缘部分厚度偏差的质量。
(实施方式)
下面描述的是第一气体调节构件形成在其上的较高区域和第二气体调节构件形成在其上的较低区域相对于缓冲区域不对称形成的实施方式。
图9是示出根据比较例2气体调节构件形成在衬托器上的区域的简图，并且图10是示出根据实施方式气体调节构件形成在衬托器上的区域的简图。将参照图9和图10描述实施方式。
图9示出了比较例2衬托器上晶片的特定区域的厚度，更具体地，如8图所示对应于在约135度和约225度之间的角度的区域。从图9可以理解，晶片的边缘部分厚度在<110>晶向的较高区域的中心处最大，并且在缓冲区域和较高区域之间的边界处最小。从图7的曲线图可以理解，这种倾向以约90度的间隔出现360度的整个区间内。
在本发明中，为了进一步减少由这种倾向造成的晶片厚度的偏差，根据比较例2的晶片厚度设定较高区域、较低区域和缓冲区域的范围。
也就是说，在晶片的外延层厚度相对较大的<110>晶向的中心部分中，较高区域可以被限定在约0度至约10度的角度内以减少外延层厚度，并且用于减少气体流速的第一气体调节构件可以形成在该较高区域上。
而且，在外延层厚度相对于较高区域减少的区域B中，第三气体调节构件形成在其上的缓冲区域被设定为逐渐增加外延层厚度。而且，较低区域可以设置在缓冲区域的外圆周。也就是说，根据比较例2，较高区域或较低区域形成在约35度的角度内，但是根据本实施方式，理想的是较高区域和较低区域组合的区域B形成在约35度的角度内。
图11是示出根据实施方式气体调节构件形成在衬托器上的区域的平面图。
参照图11，形成第一气体调节构件的较高区域可以以90度的间隔在约0度至约10度的角度范围内形成在衬托器上。与较高区域相邻的缓冲区域可以在约2.5度至大约17.5度的角度内形成在较高区域的两侧。而且，与缓冲区域相邻的较低区域可以以90度的间隔在约55度至约85度的角度内形成在衬托器上。也就是说，根据本实施方式，较高区域和较低区域相对于缓冲区域不对称地形成。
图12是示出根据实施方式在形成气体调节构件的情况下的晶片边缘部分厚度的曲线图。
参照图12，厚度的偏差相对于晶片的边缘部分的149mm直径的整个区间为约83.62nm。这表明，晶片的边缘部分厚度可被控制为小于约128nm，即比较例2厚度的偏差，并且149mm直径的位置的厚度偏差可被控制为相比于晶片的总厚度低于约3.25％。
图13是示出图12的衬托器的135度至约225度的角度内的区域的曲线图。从图13可以理解，由于实施方式的较高区域、较低区域和缓冲区域，边缘部分处的晶片厚度相比于比较例2更均匀，并且90度区域处厚度偏差为约44.28nm。
根据衬托器的凹部的高度是恒定的比较例1，晶片的边缘部分厚度偏差为约173nm，并且，根据衬托器的凹部的高度随区间而变化的比较例2，晶片的边缘部分厚度偏差为约128nm。也就是说，比较例2的边缘部分厚度的偏差相比于比较例1提高了约26％。
而且，可以理解，实施方式的边缘部分厚度偏差(约83nm)相比于比较例1提高了至少约52％。因此，根据本发明提出的实施方式，根据晶向检查晶片厚度的变化倾向，并且相应地确定气体调节构件将在其上的区域，以便可以更均匀地控制晶片的边缘部分厚度。
图14和图15是示出根据实施方式的衬托器的凹部的上部的正视图。也就是说，图14和图15示出了根据较高区域A1的角度变化的衬托器的前端形状。
参照图14，衬托器的较高区域A1形成在具有凹部高度H2的约10度的角度内，并且较低区域C1形成在具有凹部高度H1的约55度的角度内。而且，用于连接较高区域和较低区域的缓冲区域B1可以形成在具有预定倾角的约2.5度至约17.5度的角度内。
图15具体示出了较高区域形成在0度的角度内的实例。也就是说，在该实例中，在<110>晶向上不存在较高区域，并且仅形成具有预定倾斜部分的缓冲区域B2，以便气体可以均匀地流动。
如上所述，较高区域、较低区域和缓冲区域的范围可以被设定为可以在晶片的边缘部分处减少外延层的偏差。
同时，随着外延层沉积在晶片上的厚度增加，在晶片的边缘部分处的外延层厚度的偏差倾向增加。随着外延层厚度增加，背侧沉积(即另一个质量因素)也增加，但它可以通过增加凹部的高度而减少。因此，根据将形成的外延层厚度，待形成的每个区域的凹部高度通常可以增加或减少。
较高区域的凹部的高度可以通过用硅涂覆衬托器进行调整。根据将形成的外延层厚度，将硅沉积在衬托器上的较低区域、缓冲区域和较高区域上，并且，为了再次调整厚度，可以通过HCl蚀刻除去沉积的硅。
本发明提出了对晶片的每个晶向区间形成气体调节构件的各个实例，其中，晶向被分成多个区间以设定凹部的高度和区域尺寸。
图16是根据另一个实施方式的衬托器的横截面图。
参照图16，气体调节构件30形成在设置在衬托器10中的凹部20的开口的上表面22上。气体调节构件30在衬托器的外圆周侧的端部至晶片的端部侧或边缘侧的方向上倾向，并且形成为减少从衬托器10的外圆周朝向晶片流动的气体的流速。也就是说，气体调节构件30可以形成在外延层形成为相对较大厚度的<110>晶向上，即，可以形成在较高区域上。由于内圆周凹部高度H2大于外圆周凹部高度D2，气体流速相比于另一个区域减少，使得外延层可以形成为小厚度。
根据图16中所示的气体调节构件30的结构，凹部的高度逐渐变化以使得气体可以流畅地流动，从而可以更精确调整外延层厚度。
而且，图16的气体调节构件30可以同时形成在较高区域和较低区域上。在通常增加晶片边缘部分的外延层厚度的情况下，气体调节构件30可以形成在较高区域和较低区域上，同时在衬托器至晶片中心的方向上倾斜，以便增加气体流速。在此，在较高区域上形成的第一气体调节构件的倾角可以呈现大于在较低区域上形成的第二气体调节构件的倾角，以便可以控制晶片边缘部分的外延层的待增加厚度的偏差。
同样地，在通常减少晶片边缘部分的外延层厚度的情况下，气体调节构件30可以形成在较高区域和较低区域上，同时在晶片中心至衬托器的方向上倾斜，以便减少气体流速。在此，在较低区域上形成的第二气体调节构件的倾角可以呈现大于在较高区域上形成的第一气体调节构件的倾角，以便可以控制晶片边缘部分的外延层的待减少厚度的偏差。
而且，调节构件可以形成为台阶、梯形或三角形的形状，以便增加或减少气体流速。
本发明中提出的气体调节构件的各个实例可以用于减少随着外延晶片的取向变化的边缘部分厚度的偏差。虽然已经描述了气体调节构件形成在较高区域上(即，在<110>晶向上)以减少气体流速，并且气体调节构件形成在较低区域上(即，在<100>晶向上)以增加气体流速，但是用于减少气体流速的气体调节构件可以仅形成在<110>晶向上，并且气体调节构件不可以形成在缓冲区域上和在<100>晶向上，反之亦然。
也就是说，由于存在影响晶片边缘部分的平坦度的各种因素，气体调节构件可被灵活地布置为仅仅是可以精确控制晶片上形成的外延层厚度的偏差严重的位置。
虽然已描述直径为300mm的晶片作为实例，但是本发明可以应用于直径为300mm以上的晶片。
根据用于形成本发明的外延层的衬托器，当外延层形成在半导体晶片上时，增加或减少气体流速的装置(气体调节构件)可以形成为在衬托器的外圆周部分处各晶向的不同高度，以便外延晶片厚度可以沿着晶片的直径呈现为均匀的。
而且，由于气体调节构件的高度或高度差异根据晶片的晶向进行改变，可以对晶片的每个区间精确控制气体流速，因此外延晶片的平坦度可以呈现为均匀的。
而且，根据实施方式的衬托器，可以提供边缘部分具有均匀平坦度的半导体晶片，使得半导体晶片的质量和成品率可以得到提高。
虽然已经描述在硅晶片100的表面上外延生长作为实例，但是本发明并不限于此。例如，本发明可应用于外延生长速率依赖于晶向或本文中所使用的衬托器的任何材料的外延制造装置。而且，虽然已描述了<110>晶向和<100>晶向，但是本发明可被应用于具有相同的晶体特性的[110]取向和[100]取向。
尽管已经参照多个说明性实施方式进行说明实施方式，但是应该理解的是，本领域技术人员能够想到的许多其它的修改和实施方式也将落入本发明的原理的精神和范围内。更具体地，说明书、附图和所附的权利要求书的范围内主题组合排列的组成部分和/或布置中的各种变化和修改都是可能的。除了组成部分和/或布置中的变化和修改之外，其它应用对本领域技术人员来说也是显而易见的。
工业实用性
本实施方式可以应用至用于制造外延晶片的外延生长装置，因此具有工业实用性。

Claims (13)

1.一种用于外延生长的衬托器，所述衬托器用于制造外延晶片，通过晶片和腔室中的源气体之间的反应在所述衬托器上生长外延层，所述衬托器包括：
凹部，所述凹部具有形成在所述凹部中的开口，所述晶片放置在所述开口中；
凸缘部分，所述凸缘部分支撑所述晶片；和
气体调节构件，所述气体调节构件形成在所述衬托器的开口的上表面的外圆周部分上，
其中，所述气体调节构件包括：第一气体调节构件，所述第一气体调节构件形成在面向所述晶片的<110>晶向的预定区域上；第二气体调节构件，所述第二气体调节构件形成在面向所述晶片的<100>晶向的预定区域上；和第三气体调节构件，所述第三气体调节构件形成在所述第一气体调节构件和所述第二气体调节构件之间，
其中，所述第一气体调节构件至所述第三气体调节构件形成为它们沿着所述晶片的圆周形成的区域具有不同的尺寸，
其中，所述第一气体调节构件至所述第三气体调节构件形成为在所述晶片的中心至所述衬托器的方向上具有不同的倾角以改变气体流速。
2.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第一气体调节构件的区域和所述第二气体调节构件的区域相对于所述第三气体调节构件彼此不对称。
3.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第一气体调节构件形成在所述晶片的边缘部分的外延层沉积为相对大厚度的区域上，并且形成在所述衬托器上以相对于<110>晶向具有约0度至约5度的角度。
4.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第三气体调节构件形成在所述晶片的边缘部分的外延层厚度增加或减少的区域上，并且在约2.5度至约17.5度的角度内形成在所述第一气体调节构件的两侧。
5.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第二气体调节构件形成在所述晶片的边缘部分的外延层沉积为相对小厚度的区域上，并且形成在所述衬托器上以相对于<110>晶向具有约55度至约80度的角度。
6.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第一气体调节构件至所述第三气体调节构件在所述衬托器上形成为不同高度以改变所述气体流速。
7.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第一气体调节构件和第二气体调节构件相对于所述晶片的晶向以约90度的间隔形成在所述衬托器上。
8.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第一气体调节构件是具有预定厚度以减少所述气体流速的硅沉积层，并且所述第二气体调节构件是具有预定厚度以增加所述气体流速的硅沉积层。
9.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第一气体调节构件是在所述晶片的中心至所述衬托器的方向上倾斜以减少所述气体流速的结构。
10.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第二气体调节构件是在所述衬托器至所述晶片的中心的方向上倾斜以升高所述气体流速的结构。
11.根据权利要求1所述的衬托器，其中，所述第一气体调节构件和所述第二气体调节构件是在所述晶片的中心至所述衬托器的方向上倾斜以减少所述气体流速的结构，其中，所述第一气体调节构件的倾角大于所述第二气体调节构件的倾角。
12.一种用于外延生长的衬托器，所述衬托器用于制造外延晶片，通过晶片和腔室中的源气体之间的反应在所述衬托器上生长外延层，所述衬托器包括：
凹部，所述凹部具有形成在所述凹部中的开口，所述晶片放置在所述开口中；
凸缘部分，所述凸缘部分支撑所述晶片；和
气体调节构件，所述气体调节构件形成在所述衬托器的开口的上表面的外圆周部分上，
其中，所述气体调节构件包括：第一气体调节构件，所述第一气体调节构件形成在面向所述晶片的<110>晶向的预定区域上；第二气体调节构件，所述第二气体调节构件形成在面向所述晶片的<100>晶向的预定区域上；和第三气体调节构件，所述第三气体调节构件形成在所述第一气体调节构件和所述第二气体调节构件之间，
其中，所述第一气体调节构件至所述第三气体调节构件形成为它们沿着所述晶片的圆周形成的区域具有不同的尺寸。
13.一种用于外延生长的装置，所述装置包括根据权利要求1至12中任意一项所述的用于外延生长的衬托器。
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