CN104753340B - 可调整输出电压的电荷泵 - Google Patents

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Abstract

本发明为有关一种可调整输出电压的电荷泵，其透过芯片内的控制单元来调整切换开关组内各电源开关及各电容升压开关的开启或关闭，使得输入电压经由预定数量晶体管的导通及截止，而于预定的多个电容达到升压放大的效果，故芯片及封装基板不需要改变其线路配置，即可产生预定大小的输出电压，由此应用于提供各式预设电子装置内部工作电路所需的工作电压，且芯片及芯片外部的封装基板也仅需进行单一次的认证，进而减少该芯片于贩卖前的认证程序及作业时间，由此降低制造成本。

Description

可调整输出电压的电荷泵
技术领域
本发明提供一种电荷泵，特别是有关于可调整输出电压的电荷泵，其应用于放大输入电压，以供产生预定的输出电压。
背景技术
在笔记本电脑、平板计算机或智能型手机的任意电子装置中，往往因内部各工作电路而需要不同准位的电压，故多半配置有具电荷泵(charge pump)电路的集成电路，用以放大输入电压，以供产生高准位的输出电压。
请参阅图4所示，为现有电荷泵的电路示意图(一)，由图中所示可清楚看出，该电荷泵包括有芯片A1及包覆于芯片A1外部的封装基板A2，且于芯片A1内部设有频率产生器A11及九个晶体管(M1～M9)，又频率产生器A11可分别产生第一频率CK1及与第一频率CK1反相的第二频率CK2，而第一频率CK1及第二频率CK2于高电压准位时为VDD伏特，于低电压准位时为零伏特，又晶体管M1～M9内具有临界电压Vt(threshold voltage)。该电荷泵可应用于电路板A3上，电路板A3包括有VDD伏特的输入电压Vin、八个电容(C1～C8)及稳压电容Cext。
第一电容C1于充电期间时，频率产生器A11产生的第一频率CK1与第二频率CK2分别为低电压准位及高电压准位，使得晶体管M2、M4、M6及M8呈截止状态，而晶体管M1、M3、M5、M7及M9呈导通状态，此时VDD伏特的输入电压Vin经过第一晶体管M1产生一临界电压Vt的电压降，并于第一电容C1一端形成(VDD-Vt)伏特的电压，而第一电容C1于另一端为接收到零伏特的第一频率CK1，由此对第一电容C1充电至(VDD-Vt)伏特；
而于第一电容C1的升压期间时，第一频率CK1与第二频率CK2分别为高电压准位及低电压准位，而使得晶体管M1、M3、M5、M7及M9呈截止状态，而晶体管M2、M4、M6及M8呈导通状态，此时第一电容C1于一端接收到VDD伏特的第一频率CK1，且因第一电容C1已储存有(VDD-Vt)伏特的电压，使得第一电容C1另一端为(2VDD-Vt)伏特的电压，以供第一电容C1另一端(2VDD-Vt)的电压经过晶体管M2产生一临界电压Vt的电压降，并于第二电容C2一端形成2×(VDD-Vt)伏特的电压，而第二电容C2于另一端为接收到零伏特的第二频率CK2，由此对第二电容C2充电至2×(VDD-Vt)伏特；
则可依据上述方式得到电容C3～C8的电压变化，并于第九晶体管M9的源极产生有9×(VDD-Vt)伏特的输出电压Vout，再经由稳压电容Cext的稳压后，输出至电子装置内部的工作电路A4。
然而，如图5所示，为现有电荷泵的电路示意图(二)，由图中所示可清楚看出，当该电子装置内部工作电路A4所需的工作电压为5×(VDD-Vt)伏特，则需在芯片A1内部设置五个晶体管M1～M5，并配合电路板A3上四个电容C1～C4以产生5×(VDD-Vt)伏特的输出电压Vout，亦即不同规格的芯片A1用以配合电路板A3产生不同的工作电压，例如利用芯片A1内的九个晶体管M1～M9配合电路板A3上八个电容C1～C8产生9×(VDD-Vt)伏特的输出电压Vout，或利用芯片A1内的五个晶体管M1～M5配合电路板A3上四个电容C1～C4产生5×(VDD-Vt)伏特的输出电压Vout，故单一规格的电荷泵仅可提供一种输出电压Vout给电子装置内部的工作电路A4使用，若欲将该电荷泵设置于需要不同工作电压的各种电子装置使用时，则需改变芯片A1内部的电路配置，并且封装基板A2内的配线亦须随其改变才能应用于各种电子装置使用，但因各种规格的芯片A1在销售前均须经过集成电路认证，其认证范围包括芯片A1及包覆于芯片A1外部的封装基板A2，若芯片A1本身的电路设计，或与封装基板A2间的配线设计不同，皆须重新认证该集成电路，并使得需经过多次认证程序及作业时间，进而增加费用的支出及制造成本。
是以，如何解决现有的问题与缺失，即为从事此行业的相关厂商所亟欲研究改善的方向所在。
发明内容
发明人有鉴于上述缺失，乃搜集相关资料，经由多方评估及考虑，并以从事于此行业累积的多年经验，经由不断试作及修改，始设计出此种可调整输出电压的电荷泵的发明专利。
本发明提供一种可调整输出电压的电荷泵，包括芯片及芯片外部的封装基板，且封装基板为设置于预设电路板上，该电路板包括输入电压、(N-2)个电容及一稳压电容，使得预设电路板内的(N-2)个电容储存电压呈持续上升的电压变化，由此放大输入电压，以供产生输出电压，其中：
该芯片包括：
一频率产生器，用以产生第一频率，以及与第一频率反相的第二频率；一第一频率端，电性连接至频率产生器，用以接收第一频率；一第二频率端，电性连接至频率产生器，用以接收第二频率；晶体管组，设有N个晶体管，N为大于或等于四，且各晶体管的漏极电性连接至栅极，又第一晶体管至第(N-1)晶体管的源极分别依序电性连接于第二晶体管至第N晶体管的漏极与栅极的连接处；切换开关组，设有(N-1)个电源开关及(N-2)个电容升压开关，并于第一电源开关至第(N-1)电源开关一端分别依序电性连接至第一晶体管至第(N-1)晶体管的漏极与栅极的连接处，而第一电容升压开关至第(N-2)电容升压开关一端分别依序电性连接至第二晶体管至第(N-1)晶体管的漏极与栅极的连接处；控制单元，电性连接于第一电源开关S1至第(N-1)电源开关一端，及第一电容升压开关U1至第(N-2)电容升压开关一端；输入端组，设有N个输入端，并于第一输入端电性连接于第一电源开关至第(N-1)电源开关另一端，而第二输入端至第(N-1)输入端分别依序电性连接于第一电容升压开关至第(N-2)电容升压开关另一端，再于N输入端电性连接至第N晶体管的漏极与栅极的连接处；一输出端，电性连接至第N晶体管的源极；
该封装基板包括：
一第一频率接脚，电性连接至第一频率端，且第一频率接脚分别电性连接至奇数序列的多个电容一端；一第二频率接脚，电性连接至第二频率端，且第二频率接脚分别电性连接至偶数序列的多个电容一端；外接脚组，设有N个外接脚，且于第一外接脚电性连接至第一输入端及输入电压，而第二外接脚至第N外接脚分别依序电性连接至第二输入端至第N输入端，及第一电容至第(N-1)电容另一端；一输出电源接脚，电性连接至输出端。
其中，该封装基板的输出电源接脚为电性连接至预设电路板的稳压电容一端，而稳压电容另一端接地。
其中，该频率产生器所产生的第一频率及第二频率于高电压准位与输入电压为相同的电压准位。
其中，该第一频率及第二频率于低电压准位时为零伏特。
本发明的有益效果：
本发明的主要目的乃在于透过芯片内的控制单元来调整切换开关组的中各电源开关及各电容升压开关的开启或关闭，以使得输入电压经由预定数量晶体管的导通及截止，而于预定的多个电容达到升压放大的效果，以提供工作电路所需的工作电压，故芯片及封装基板不需要改变其线路配置，即可产生预定大小的输出电压，由此应用于提供各式预设电子装置内部工作电路所需的工作电压，且芯片及芯片外部的封装基板也仅需进行单一次的认证，进而减少该芯片于贩卖前的认证程序及作业时间，并降低制造成本。
附图说明
图1为本发明芯片的电路示意图。
图2为本发明较佳实施例的使用状态图。
图3为本发明较佳实施例的电路示意图。
图4为现有电荷泵的电路示意图(一)。
图5为现有电荷泵的电路示意图(二)。
符号说明
1、芯片
11、频率产生器
12、第一频率端
13、第二频率端
14、晶体管组
15、切换开关组
16、控制单元
17、输入端组
18、输出端
2、封装基板
21、第一频率接脚
22、第二频率接脚
23、外接脚组
24、输出电源接脚
3、电路板
31、电容组
32、稳压电容
4、工作电路
CK1、第一频率
CK2、第二频率
C1～CN-1、电容
Cext、稳压电容
I1～IN、输入端
M1～MN、晶体管
O1～ON、外接脚
S1～SN-1、电源开关
U1～UN-2、电容升压开关
A1、芯片
A11、频率产生器
A2、封装基板
A3、电路板
A4、工作电路
具体实施方式
-以下述及的「第一」、「第二」、「第(X-1)」、「第X」、「第(Y-1)」及「第Y」等术语，其是用以区别所指的元件，例如晶体管组14中的第一晶体管M1、第二晶体管M2、第(X-1)晶体管MX-1、第X晶体管MX及电容组31中的第(Y-1)电容CY-1、第Y电容CY等，而非用以限制本发明的范围。
为达成上述目的及功效，本发明所采用的技术手段及其构造，兹绘图就本发明的较佳实施例详加说明其特征与功能如下，以利完全了解。
请参阅图1、图2所示，为本发明芯片的电路示意图及较佳实施例的使用状态图，由图中所示可清楚看出，本发明包括芯片1及封装基板2，其中：
该芯片1设有频率产生器11、第一频率端12、第二频率端13、晶体管组14、切换开关组15、控制单元16、输入端组17及一输出端18。
前述芯片1的频率产生器11为电性连接至第一频率端12及第二频率端13，并透过该频率产生器11分别产生第一频率CK1及至第一频率端12，以及与第一频率CK1反相的第二频率CK2至第二频率端13，又第一频率CK1及第二频率CK2于高电压准位时为VDD伏特，于低电压准位时为零伏特。
前述晶体管组14包括有第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7、第八晶体管M8及第九晶体管M9。
前述切换开关组15包括有第一电源开关S1、第二电源开关S2、第三电源开关S3、第四电源开关S4、第五电源开关S5、第六电源开关S6、第七电源开关S7、第八电源开关S8，以及第一电容升压开关U1、第二电容升压开关U2、第三电容升压开关U3、第四电容升压开关U4、第五电容升压开关U5、第六电容升压开关U6、第七电容升压开关U7。
前述输入端组17分别为第一输入端I1、第二输入端I2、第三输入端I3、第四输入端I4、第五输入端I5、第六输入端I6、第七输入端I7、第八输入端I8及第九输入端I9。
前述芯片1于晶体管组14的多个晶体管M1～M9的漏极各别电性连接至栅极，而第一晶体管M1至第八晶体管M8的源极为分别依序电性连接于第二晶体管M2至第九晶体管M9的漏极与栅极的连接处，并于第一晶体管M1至第八晶体管M8的漏极与栅极的连接处分别依序电性连接至切换开关组15的第一电源开关S1至第八电源开关S8一端，且控制单元16亦电性连接至第一电源开关S1至第八电源开关S8一端，而第一电源开关S1至第八电源开关S8另一端皆电性连接至第一输入端I1，又第二晶体管M2至第八晶体管M8的漏极与栅极的连接处再分别依序电性连接至第一电容升压开关U1至第七电容升压开关U7一端，且控制单元16亦电性连接至第一电容升压开关U1至第七电容升压开关U7一端，而第一电容升压开关U1至第七电容升压开关U7另一端分别依序电性连接至第二输入端I2至第八输入端I8，另于第九晶体管M9的漏极与栅极的连接处电性连接于第九输入端I9，及第九晶体管M9的源极为电性连接至输出端18，且各晶体管M1～M9分别具有一临界电压Vt(threshold voltage)。
该封装基板2设有第一频率接脚21、第二频率接脚22、外接脚组23及一输出电源接脚24，其外接脚组23包括有第一外接脚O1、第二外接脚O2、第三外接脚O3、第四外接脚O4、第五外接脚O5、第六外接脚O6、第七外接脚O7、第八外接脚O8及第九外接脚O9。
请参阅图2所示，为本发明较佳实施例的使用状态图，由图中所示可清楚看出，芯片1外部包覆有封装基板2，而再将封装基板2设置于预设电路板3，且预设电路板3设置于预设电子装置内部(如平板计算机、笔记本电脑等)，其中，预设电路板3包括有VDD伏特的输入电压Vin(即与高电压准位时的第一频率及第二频率为相同的电压准位)、电容组31及一稳压电容(Cext)32，且电容组31包括有第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7及第八电容C8。
本发明可调整输出电压的电荷泵于实际应用时，芯片1的第一频率端12及第二频率端13分别电性连接至封装基板2的第一频率外接脚21及第二频率外接脚22，又芯片1的多个输入端I1～I9分别依序电性连接至封装基板2的多个外接脚O1～O9，并于第一外接脚O1电性连接至预设电路板3的输入电压Vin；第二外接脚O2至第九外接脚O9分别依序电性连接至预设电路板3的第一电容C1至第八电容C8一端，且第一电容C1至第八电容C8另一端分别依序交错电性连接至第一频率外接脚21及第二频率外接脚22，即奇数序列的多个电容C1、C3、C5、C7及C9电性连接于第一频率接脚21，而偶数序列的多个电容C2、C4、C6及C8电性连接于第二频率接脚22，再于封装基板2的输出电源接脚24分别电性连接至工作电路4及预设电路板3的稳压电容(Cext)32一端，并于稳压电容(Cext)32的另一端接地。
又，芯片1内部的控制单元16依据预设电子装置内部工作电路4所需的工作电压来调整切换开关组17的状态，举例来说，若工作电路4所需的工作电压为5×(VDD-Vt)伏特，则控制单元16即会导通第五电源开关S5以及第五电容升压开关U5至第七电容升压开关U7，以供输入电压Vin可经由第五晶体管M5至第九晶体管M9的导通及截止，并于第五电容C5至第八电容C8呈倍数升压放大，来产生5×(VDD-Vt)伏特的输出电压Vout，而其余电源开关S1～S4、S6～S8以及第一电容升压开关U1至第四电容升压开关U4皆呈开路状态，故输入电压Vin进行升压放大时，并不会使用到第一晶体管M1至第四晶体管M4以及第一电容C1至第四电容C4。下方即以第五电源开关S5导通及第五电容升压开关U5至第七电容升压开关U7导通，以供产生5×(VDD-Vt)伏特的输出电压Vout为例进行说明：
详细来说，第五电容C5于充电期间时，第一频率CK1与第二频率CK2分别为低电压准位及高电压准位，使得第六晶体管M6及第八晶体管M8呈截止状态，而第五晶体管M5、第七晶体管M7及第九晶体管M9呈导通状态，此时VDD伏特的输入电压Vin经由第五电源开关S5导通而往第五晶体管M5产生一临界电压Vt的电压降，并于第五电容C5一端导通的第五电容升压开关U5形成(VDD-Vt)伏特的电压，而第五电容C5于另一端为接收到零伏特的第一频率CK1，由此对第五电容C5充电至(VDD-Vt)伏特；
在第五电容C5充电至(VDD-Vt)伏特后，于第五电容C5的升压期间时，第一频率CK1与第二频率CK2分别为高电压准位及低电压准位，而使得第五晶体管M5、第七晶体管M7及第九晶体管M9呈截止状态，而第六晶体管M6及第八晶体管M8呈导通状态，此时第五电容C5于一端接收到VDD伏特的第一频率CK1，且因第五电容C5已储存有(VDD-Vt)伏特的电压，使得第五电容C5另一端为(2VDD-Vt)伏特的电压，故第五电容C5另一端(2VDD-Vt)伏特的电压经由第五电容升压开关U5导通而往第六晶体管M6产生一临界电压Vt的电压降，并于第六电容C6一端导通的第六电容升压开关U6形成2×(VDD-Vt)伏特的电压，而第六电容C6于另一端为接收到零伏特的第二频率CK2，由此对第六电容C6充电至2×(VDD-Vt)伏特；
则可依据上述方式得到第七电容C7及第八电容C8的电压变化，即于第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7及第八电容C8呈倍数上升的储存电压(VDD-Vt)伏特、2×(VDD-Vt)伏特、3×(VDD-Vt)伏特及4×(VDD-Vt)伏特，并于封装基板2的输出电源接脚24产生有5×(VDD-Vt)伏特的输出电压Vout，再经由稳压电容Cext的稳压后，输出至工作电路4，以供工作电路4作动。
在前述实施例中，是透过控制单元16导通第五电源开关S5以及第五电容升压开关U5至第七电容升压开关U7，以供输入电压Vin可经由第五晶体管M5至第九晶体管M9的导通及截止，并于第五电容C5至第八电容C8呈倍数升压放大，来产生5×(VDD-Vt)伏特的输出电压Vout，故可进一步得知，控制单元16亦可透过调整切换开关组15各开关的状态，例如仅导通第八电源开关S8，以供得输入电压Vin最低透过第八电容C8的升压而得到有2×(VDD-Vt)伏特的输出电压Vout；或通过导通第一电源开关S1及第一电容升压开关U1至第七电容升压开关U7，以供最高透过第一电容C1至第八电容C8的升压而得到有9×(VDD-Vt)伏特的输出电压Vout。因此，可进一步得知该芯片1所支持的输出电压Vout范围为2×(VDD-Vt)伏特至9×(VDD-Vt)伏特。
请参阅图3，其为本发明较佳实施例的电路示意图，由图中所示可清楚看出，在实际应用时，晶体管的数量可依需求而加以改变，并不以九个晶体管为限，芯片1的晶体管组14及输入端组17亦可分别设有N个晶体管及N个输入端，N为大于或等于四，另于切换开关组15设有(N-1)个电源开关及(N-2)个电容升压开关，并于多个晶体管M1～MN的漏极各别电性连接至栅极，而第一晶体管M1至第(N-1)晶体管MN-1的源极为分别依序电性连接于第二晶体管M2至第N晶体管MN的漏极与栅极的连接处，且第一晶体管M1至第(N-1)晶体管MN-1的漏极与栅极的连接处再分别依序电性连接至第一电源开关S1至第(N-1)电源开关SN-1一端，又控制单元16亦电性连接至第一电源开关S1至第(N-1)电源开关SN-1一端，而第一电源开关S1至第(N-1)电源开关SN-1另一端皆电性连接至第一输入端I1，并于第二晶体管M2至第(N-1)晶体管MN-1的漏极与栅极的连接处再分别依序电性连接至第一电容升压开关U1至第(N-2)电容升压开关UN-2一端，且控制单元16亦电性连接至第一电容升压开关U1至第(N-2)电容升压开关UN-2一端，而第一电容升压开关U1至第(N-2)电容升压开关UN-2另一端分别依序电性连接至第二输入端I2至第(N-1)输入端IN-1，另于第N晶体管MN的漏极与栅极的连接处电性连接于第N输入端IN，及第N晶体管MN的源极为电性连接至输出端18。
本发明可调整输出电压的电荷泵于实际应用时，芯片1的输入端组17的第一输入端I1至第N输入端IN分别依序电性连接至封装基板2的外接脚组23的第一外接脚O1至第N外接脚ON，并于第一外接脚O1电性连接至预设电路板3的输入电压Vin，又封装基板2的第二外接脚O2至第N外接脚ON分别依序电性连接至预设电路板3的第一电容C1至第(N-1)电容CN-1一端，且于第一电容C1至第(N-1)电容CN-1另一端分别依序交错电性连接至第一频率外接脚21及第二频率外接脚22，即奇数序列的多个电容C1、C3等电性连接于第一频率接脚21，而偶数序列的多个电容C2及C4等电性连接于第二频率接脚22。
依据本发明的较佳实施例可得知，若工作电路4所需的工作电压为2×(VDD-Vt)伏特，则控制单元16使第(N-1)电源开关SN-1导通，以供VDD伏特的输入电压Vin经由第(N-1)电容CN-1的升压，而产生2×(VDD-Vt)伏特的输出电压Vout；若工作电路4所需的工作电压为5×(VDD-Vt)伏特，则控制单元16使第(N-4)电源开关SN-4导通，及第(N-4)电容升压开关UN-4至第(N-2)电容升压开关UN-2导通，以供VDD伏特的输入电压Vin经由第(N-4)电容CN-4至第(N-1)电容CN-1的升压，而产生5×(VDD-Vt)伏特的输出电压Vout；若工作电路4所需的工作电压为N×(VDD-Vt)伏特，则控制单元16使第一电源开关S1导通，及第一电容升压开关U1至第(N-2)电容升压开关UN-2导通，以供VDD伏特的输入电压Vin经由第一电容C1至第(N-1)电容CN-1的升压，而产生N×(VDD-Vt)伏特的输出电压Vout，故可通过控制单元16调整切换开关组17的状态，来产生预定大小的输出电压Vout，以符合工作电路4所需的工作电压。
综上所述，本发明为可调整输出电压的电荷泵，其透过芯片1内的控制单元16来调整切换开关组15内各电源开关S1～SN-1及各电容升压开关U1～UN-2的开启或关闭状态，使得输入电压Vin经由预定数量晶体管的导通及截止，并于预定的多个电容而达到升压效果。故芯片1及封装基板2不需改变其线路配置，即可产生预定大小的输出电压Vout，由此应用于提供各式预设电子装置内部工作电路4所需的工作电压，且芯片1及芯片1外部的封装基板2也仅需进行单一次的认证，进而减少该芯片1于贩卖前的认证程序及作业时间，由此降低制造成本。
是以，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，非因此局限本发明的专利范围，本发明为主要针对可调整输出电压的电荷泵，其包括有芯片1及芯片1外部包覆的封装基板2，并于实际应用时透过芯片1内的控制单元16来调整切换开关组15内各电源开关S1～SN-1及各电容升压开关U1～UN-2的开启或关闭状态，使得输入电压Vin经由预定数量晶体管的导通及截止，而于预定的多个电容达到升压放大效果，由此产生预定的输出电压Vout，以提供工作电路4所需的工作电压，故举凡可达成前述效果的结构、装置皆应受本发明所涵盖，此种简易修饰及等效结构变化，均应同理包括于本发明的专利范围内，合予陈明。
综上所述，本发明上述可调整输出电压的电荷泵于使用时，为确实能达到其功效及目的，故本发明诚为一实用性优异的创作，为符合发明专利的申请要求，依法提出申请。

Claims (4)

1.一种可调整输出电压的电荷泵，其特征在于包括芯片及芯片外部的封装基板，且封装基板为设置于预设电路板上，该电路板包括输入电压、(N-1)个电容及一稳压电容，使得预设电路板内的(N-1)个电容储存电压呈持续上升的电压变化，由此放大输入电压，以供产生输出电压，其中：
该芯片包括：
一频率产生器，用以产生第一频率，以及与第一频率反相的第二频率；
一第一频率端，电性连接至频率产生器，用以接收第一频率；
一第二频率端，电性连接至频率产生器，用以接收第二频率；
晶体管组，设有N个晶体管，N为大于或等于四，且各晶体管的漏极电性连接至栅极，又第一晶体管至第(N-1)晶体管的源极分别依序电性连接于第二晶体管至第N晶体管的漏极与栅极的连接处；
切换开关组，设有(N-1)个电源开关及(N-2)个电容升压开关，并于第一电源开关至第(N-1)电源开关一端分别依序电性连接至第一晶体管至第(N-1)晶体管的漏极与栅极的连接处，而第一电容升压开关至第(N-2)电容升压开关一端分别依序电性连接至第二晶体管至第(N-1)晶体管的漏极与栅极的连接处；
控制单元，电性连接于第一电源开关至第(N-1)电源开关一端，及第一电容升压开关至第(N-2)电容升压开关一端；
输入端组，设有N个输入端，并于第一输入端电性连接于第一电源开关至第(N-1)电源开关另一端，而第二输入端至第(N-1)输入端分别依序电性连接于第一电容升压开关至第(N-2)电容升压开关另一端，再于N输入端电性连接至第N晶体管的漏极与栅极的连接处；
一输出端，电性连接至第N晶体管的源极；
该封装基板包括：
一第一频率接脚，电性连接至第一频率端，且第一频率接脚分别电性连接至奇数序列的多个电容一端；
一第二频率接脚，电性连接至第二频率端，且第二频率接脚分别电性连接至偶数序列的多个电容一端；
外接脚组，设有N个外接脚，且于第一外接脚电性连接至第一输入端及输入电压，而第二外接脚至第N外接脚分别依序电性连接至第二输入端至第N输入端，及第一电容至第(N-1)电容另一端；
一输出电源接脚，电性连接至输出端。
2.如权利要求1所述的可调整输出电压的电荷泵，其特征在于，该封装基板的输出电源接脚为电性连接至预设电路板的稳压电容一端，而稳压电容另一端接地。
3.如权利要求1所述的可调整输出电压的电荷泵，其特征在于，该频率产生器所产生的第一频率及第二频率于高电压准位与输入电压为相同的电压准位。
4.如权利要求1所述的可调整输出电压的电荷泵，其特征在于，该第一频率及第二频率于低电压准位时为零伏特。
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