CN104751889A - 一种非易失性存储器的复位方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种非易失性存储器的复位方法，包括：对所述非易失性存储器的复位指令进行译码；判断所述复位指令是否发生在对所述非易失性存储器的擦除操作的过程中，如果发生在所述擦除操作过程中，则结束所述擦除操作；对所述擦除操作对应的擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作；对所述非易失性存储器进行复位操作；结束对所述非易失性存储器的复位操作。本发明能够在对非易失性存储器进行复位操作之前消除过擦除对与擦除区域所在的物理存储块的其它区域的影响，从而保证了非易失性存储器的正确性和稳定性。

Description

一种非易失性存储器的复位方法

技术领域

本发明涉及非易失性存储器技术领域，具体涉及一种非易失性存储器的复位方法。

背景技术

非易失性存储器，又称为非挥发性存储器，简单地说，就是在断电情况下能够保持所存储的数据的存储器。随着非易失性存储器的相关技术的发展，非易失性存储器的应用越来越广泛。

非易失性存储器往往会伴有硬件复位或者软件复位等复位操作，这些复位操作相对于非易失性存储器的其它指令操作是异步的，即非易失性存储器在执行正常的编程或者擦除等操作的过程中，都有可能接收到用户执行的复位指令，并且执行复位操作需要结束正在执行的编程或者擦除等操作。如果复位指令发生在非易失性存储器的擦除操作过程中，擦除操作由于没有执行完毕就执行复位指令，可能会产生过擦除。过擦除会对擦除区域所在的物理存储块（BLOCK）提供漏电流，下次对过擦除区域所在的物理存储块的其它区域进行读或者编程操作时就会发生错误，导致整个非易失性存储器不可用。

现有技术中，非易失性存储器进行复位操作时，往往直接停止非易失性存储器正在执行的其它操作，立刻对其进行复位操作。如果停止正在执行的擦除操作就可能导致过擦除并产生漏电流，使与擦除区域所在的物理存储块的其它区域受到影响，从而影响非易失性存储器的正确性和稳定性。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种非易失性存储器的复位方法，解决了现有技术中对非易失性存储器进行复位操作时停止擦除操作导致过擦除并产生漏电流而影响非易失性存储器的正确性和稳定性的技术问题。

本发明实施例提供了一种非易失性存储器的复位方法，包括：

对所述非易失性存储器的复位指令进行译码；

判断所述复位指令是否发生在对所述非易失性存储器的擦除操作的过程中，如果发生在所述擦除操作过程中，则结束所述擦除操作；

对所述擦除操作对应的擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作；

对所述非易失性存储器进行复位操作；

结束对所述非易失性存储器的复位操作。

进一步地，判断所述复位指令是否发生在对所述非易失性存储器的擦除操作过程中之后，还包括：

如果没有发生在所述擦除操作过程中，则结束对非易失性存储器的当前的操作；

对非易失性存储器进行复位操作。

进一步地，对所述擦除操作对应的擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作，具体为：

对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验，如果没有通过所述过擦除校验，则对所述修复单元进行过擦除修复操作并返回到对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验；

如果通过所述过擦除校验，则判断所述修复单元对应的修复地址是否是所述擦除区域的最后一个修复地址；

如果是所述最后一个修复地址，则结束对所述擦除区域的过擦除修复操作；

如果不是所述最后一个修复地址，则递增或者递减所述修复单元对应的修复地址并返回到对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验。

进一步地，所述过擦除校验的基准电压为0伏。

进一步地，所述过擦除校验的方法为将所述擦除区域的修复单元的阈值电压与所述过擦除校验的基准电压进行比较；

当所述擦除区域的修复单元的阈值电压大于所述过擦除校验的基准电压时，所述修复单元通过所述过擦除校验；

当所述擦除区域的修复单元的阈值电压小于所述过擦除校验的基准电压时，所述修复单元没有通过所述过擦除校验。

本发明实施例提出的非易失性存储器的复位方法，通过对发生在擦除操作的过程中的复位指令，先停止擦除操作并且进行对擦除区域的过擦除校验和过擦除修复操作，在对擦除区域的过擦除修复操作结束后再进行对非易失性存储器的复位操作，使得在此复位操作之前能够消除过擦除对与擦除区域所在的物理存储块的其它区域的影响，从而保证了非易失性存储器的正确性和稳定性。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是根据本发明实施例的非易失性存储器的复位方法的流程图；

图2是图1中对擦除操作对应的擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作的流程图；

图3是根据本发明实施例的擦除区域的阈值电压的分布图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。

在图1-3中示出了本发明的实施例。

本发明实施例提供了一种非易失性存储器的复位方法。图1是根据本发明实施例的非易失性存储器的复位方法的流程图。如图1所示，所述非易失性存储器的复位方法包括：

步骤S11、对非易失性存储器的复位指令进行译码。

对非易失性存储器的复位指令进行译码且成功后，就可以对非易失性存储器进行复位操作。

步骤S12、判断复位指令是否发生在对非易失性存储器的擦除操作的过程中。

在执行完步骤S11之后，就可以对非易失性存储器进行复位操作。但是，在对非易失性存储器进行复位操作之前，需要执行本步骤。这是因为如果进行复位操作而结束正在执行的擦除操作，属于擦除操作没有正常完成，这样可能会出现过擦除并由此产生漏电流，使与擦除区域所在的物理存储块的其它区域受到影响，所以为了防止过擦除的影响，需要在复位操作之前执行本步骤。

在本步骤中，如果复位指令没有发生在对非易失性存储器的擦除操作的过程中，则执行步骤S13；如果复位指令发生在对非易失性存储器的擦除操作的过程中，则执行步骤S14。

步骤S13、结束对非易失性存储器的当前的操作。

在执行完步骤S12之后，如果复位指令没有发生在对非易失性存储器的擦除操作的过程中，则执行本步骤，即结束对非易失性存储器的当前的操作。执行完本步骤，执行步骤S16。

所述当前的操作可以包括除了擦除操作以外的其它操作，例如读操作或者编程操作等。

步骤S14、结束对非易失性存储器的擦除操作。

如果复位指令发生在对非易失性存储器的擦除操作的过程中，则执行本步骤，即结束对非易失性存储器的擦除操作。执行完本步骤，执行步骤S15。

步骤S15、对擦除操作对应的擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作。

在执行完步骤S14之后，执行本步骤，即对擦除操作对应的擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作。也就是说，在对非易失性存储器进行复位操作之前，需要对擦除操作对应的擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作。

图2是图1中对擦除操作对应的擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作的流程图。可选地，参见图2，对擦除操作对应的擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作，具体为：

步骤S151、对擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过过擦除校验。

在对擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作时，首先执行本步骤，即对擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过过擦除校验。如果擦除区域的修复单元没有通过过擦除校验，则执行步骤S152；如果擦除区域的修复单元通过过擦除校验，则执行步骤S153。

需要说明的是，所述修复单元是执行一次过擦除校验的基本单元，并且所述修复单元可能包括擦除区域的一个或多个存储单元。

在本实施例中，可选地，所述过擦除校验的基准电压为0伏。给定过擦除校验的基准电压，便于接下来进行过擦除校验。

在本实施例中，可选地，所述过擦除校验的方法为将擦除区域的修复单元的阈值电压与过擦除校验的基准电压进行比较；当擦除区域的修复单元的阈值电压大于过擦除校验的基准电压时，修复单元通过过擦除校验；当擦除区域的修复单元的阈值电压小于过擦除校验的基准电压时，修复单元没有通过过擦除校验。

图3是根据本发明实施例的擦除区域的阈值电压的分布图。下面结合图3对擦除区域的修复单元的过擦除校验做进一步说明。参见图3，横轴V_T代表擦除区域的阈值电压，纵轴N代表擦除区域的存储单元的个数；曲线CL与横轴V_T所包围的区域代表擦除区域。在图3中，位于纵轴N左边的擦除区域部分即阴影区域部分，在该擦除区域中的修复单元的阈值电压小于0伏即修复单元的阈值电压小于过擦除校验的基准电压，说明该擦除区域的修复单元为过擦除单元，因此，该擦除区域的修复单元没有通过过擦除校验；位于纵轴N左边的擦除区域部分即非阴影区域部分，在该擦除区域中的修复单元的阈值电压大于0伏即修复单元的阈值电压大于过擦除校验的基准电压，说明该擦除区域的修复单元为正常的擦除单元，因此，该擦除区域的修复单元通过了过擦除校验。

步骤S152、对修复单元进行过擦除修复操作。

在完成步骤S151之后，如果擦除区域的修复单元没有通过过擦除校验，则执行本步骤。对修复单元进行过擦除修复操作后，再返回到步骤S151，如果还没有通过过擦除校验，则还执行本步骤，否则，执行步骤S153。

所述过擦除修复操作就是将修复单元中的过擦除单元逐渐变成正常的擦除单元，即将过擦除单元的阈值电压由小于0伏逐渐变成大于0伏。在图3中，位于阴影区域部分的修复单元的阈值电压小于0伏，通过过擦除修复操作，将该部分的修复单元变到纵轴N右侧，使其阈值电压变成大于0伏，实现了将过擦除单元变成正常的擦除单元。当擦除区域全部位于纵轴N的右侧时，表明完成了对擦除区域的过擦除修复操作。

步骤S153、判断修复单元对应的修复地址是否是擦除区域的最后一个修复地址。

在完成步骤S151之后，如果擦除区域的修复单元通过过擦除校验，则执行本步骤。如果修复单元对应的修复地址是擦除区域的最后一个修复地址，表明完成了对擦除区域的过擦除修复操作，则执行步骤S155；如果修复单元对应的修复地址不是擦除区域的最后一个修复地址，表明还没有完成对擦除区域的过擦除修复操作，则执行步骤S154。

步骤S154、递增或者递减修复单元对应的修复地址。

在完成步骤S153之后，如果修复单元对应的修复地址不是擦除区域的最后一个修复地址，表明还没有完成对擦除区域的过擦除修复操作，则执行本步骤。执行完本步骤后，返回到步骤S151。

需要说明的是，递增或者递减修复单元对应的修复地址，可以每一次增加或者减少一个修复单元对应的修复地址，相应地对一个修复单元进行过擦除修复操作；也可以每一次增加或者减少两个或者更多个修复单元对应的修复地址，相应地对两个或者更多个修复单元逐个地进行过擦除修复操作。因此，可以根据实际情况，预先设定修复地址进行递增或者递减的规律。通过递增或者递减修复单元对应的修复地址，能够使修复地址覆盖上述擦除区域的所有存储空间，再不断地重复步骤S151、步骤S152和步骤S153，从而实现对相应的擦除区域的过擦除修复操作。

步骤S155、结束对擦除区域的过擦除修复操作。

在执行完步骤S153之后，如果修复单元对应的修复地址是擦除区域的最后一个修复地址，表明完成了对擦除区域的过擦除修复操作，则执行本步骤，即结束对擦除区域的过擦除修复操作。然后执行步骤S16。

通过对擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作，能够消除由于过擦除产生的漏电流对与擦除区域所在的物理存储块的其它区域的影响，从而保证了非易失存储器的正确性和稳定性。

步骤S16、对非易失性存储器进行复位操作。

在执行完步骤S13之后或者在执行完步骤S15之后，执行本步骤，即对非易失性存储器进行复位操作。关于具体的修复操作过程，是本领域的技术人员熟知的，在此不再赘述。在执行完本步骤之后，执行步骤S17。

由于对非易失性存储器的复位操作是在对擦除区域的过擦除校验和过擦除修复操作之后进行，因此在此复位操作的过程中并不会造成由于过擦除对与擦除区域所在的物理存储块的其它区域的影响，从而保证了非易失性存储器的正确性和稳定性。

步骤S17、结束对非易失性存储器的复位操作。

在执行完步骤S16之后，执行本步骤，即结束对非易失性存储器的复位操作。

本发明实施例提出的非易失性存储器的复位方法，通过对发生在擦除操作的过程中的复位指令，先停止擦除操作并且进行对擦除区域的过擦除校验和过擦除修复操作，在对擦除区域的过擦除修复操作结束后再进行对非易失性存储器的复位操作，使得在此复位操作之前能够消除过擦除对与擦除区域所在的物理存储块的其它区域的影响，从而保证了非易失性存储器的正确性和稳定性。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (5)

1.一种非易失性存储器的复位方法，其特征在于，包括：

对所述非易失性存储器的复位指令进行译码；

判断所述复位指令是否发生在对所述非易失性存储器的擦除操作的过程中，如果发生在所述擦除操作过程中，则结束所述擦除操作；

对所述擦除操作对应的擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作；

对所述非易失性存储器进行复位操作；

结束对所述非易失性存储器的复位操作。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的复位方法，其特征在于，判断所述复位指令是否发生在对所述非易失性存储器的擦除操作过程中之后，还包括：

如果没有发生在所述擦除操作过程中，则结束对非易失性存储器的当前的操作；

对非易失性存储器进行复位操作。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器的复位方法，其特征在于，对所述擦除操作对应的擦除区域进行过擦除校验和过擦除修复操作，具体为：

对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验，如果没有通过所述过擦除校验，则对所述修复单元进行过擦除修复操作并返回到对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验；

如果通过所述过擦除校验，则判断所述修复单元对应的修复地址是否是所述擦除区域的最后一个修复地址；

如果是所述最后一个修复地址，则结束对所述擦除区域的过擦除修复操作；

如果不是所述最后一个修复地址，则递增或者递减所述修复单元对应的修复地址并返回到对所述擦除区域的修复单元进行过擦除校验并判断是否通过所述过擦除校验。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器的复位方法，其特征在于，所述过擦除校验的基准电压为0伏。

5.根据权利要求4所述的非易失性存储器的复位方法，其特征在于，所述过擦除校验的方法为将所述擦除区域的修复单元的阈值电压与所述过擦除校验的基准电压进行比较；

当所述擦除区域的修复单元的阈值电压大于所述过擦除校验的基准电压时，所述修复单元通过所述过擦除校验；

当所述擦除区域的修复单元的阈值电压小于所述过擦除校验的基准电压时，所述修复单元没有通过所述过擦除校验。