CN104749831A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示装置，该显示装置包括：基板；薄膜晶体管；像素电极；共用电极；液晶层；以及封装层。薄膜晶体管被设置在基板上。像素电极被设置在薄膜晶体管上。共用电极被设置在像素电极上并且通过像素电极之间的微腔与像素电极分开。液晶层填充微腔。封装层被构造成密封微腔，其中，封装层具有位于与微腔重叠的部分处的开口。

Description

显示装置

技术领域

本申请涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种其中防止色彩串扰的显示装置。

背景技术

液晶显示器是使用最广泛的平板显示器之一。液晶显示器包括上面形成有电场生成电极(诸如像素电极和共用电极)的两个面板，以及设置在两个面板之间的液晶层。液晶显示器将电压施加至电场生成电极以在液晶层上生成电场，确定液晶层的液晶分子的布置，并且控制入射光的偏振以显示图像。

形成液晶显示器的两个显示面板可以是薄膜晶体管阵列面板和相对的显示面板。在薄膜晶体管阵列面板中，传输栅极信号的栅极线和传输数据信号的数据线交叉地形成，并且可形成连接至栅极线和数据线的薄膜晶体管以及连接至薄膜晶体管的像素电极。相对的显示面板可包括光阻挡件、滤色片、共用电极等。如果必要的话，光阻挡件、滤色片和共用电极可形成在薄膜晶体管阵列面板中。

然而，在现有技术的液晶显示器中，需要使用两片基板，并且各自的组成元件形成在两片基板上。结果，存在以下问题，即显示装置重且厚，成本高，并且处理时间长。

此背景技术部分中所公开的上述信息仅用于增进对背景技术的理解，因此其可能包括不构成在该国本领域的普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

为了通过使用一个基板制造显示装置来提供一种具有重量和厚度减小、成本降低、以及处理时间减少的优点的显示装置，做出多种实施方式。

此外，提供一种其中防止色彩串扰的显示装置。

根据示例性实施方式的显示装置包括：基板、薄膜晶体管、像素电极、共用电极、液晶层、以及封装层。薄膜晶体管被设置在基板上。像素电极被设置在薄膜晶体管上。共用电极被设置在像素电极上并且通过与像素电极之间的微腔与像素电极分开。液晶层填充微腔。封装层被构造为密封微腔，其中，封装层具有位于与微腔重叠部分处的开口。

微腔可被设置成矩阵形状，第一谷可被设置于在列方向上相邻的微腔之间，并且第二谷可被设置于在行方向上相邻的微腔之间。

封装层可被设置在第一谷和第二谷处。

封装层可具有网格形状。

可进一步包括被设置在封装层上的光阻挡件。

光阻挡件可具有与封装层相同的平面形状。

可进一步包括被设置在共用电极上的滤色片。

滤色片可以由光阻挡件和封装层包围。

封装层可被设置在第一谷处。

封装层可具有棒状。

可进一步包括被设置在封装层上的光阻挡件。

光阻挡件可被设置在第一谷和第二谷处。

光阻挡件可具有网格形状。

光阻挡件可被设置在第一谷处。

光阻挡件可具有与封装层基本相同的平面形状。

可进一步包括被设置在共用电极上的滤色片，该滤色片可包括第一滤色片和第二滤色片，并且第一滤色片和第二滤色片可在第二谷处彼此重叠。

封装层可包括光阻挡材料；

封装层可被设置在第一谷和第二谷处，并且可具有网格形状。

封装层可被设置在第一谷处并且具有棒状。

封装层可包括含有光敏有机材料的材料。

根据示例性实施方式的显示装置具有以下效果。

根据示例性实施方式的显示装置是通过使用一个基板制造的，从而可以减小了重量和厚度、降低成本、减少处理时间。

此外，封装层被图案化为减小滤色片和微腔之间的距离，从而防止色彩串扰。

附图说明

图1是根据示例性实施方式的显示装置的俯视图。

图2是根据示例性实施方式的显示装置的分解透视图。

图3是根据示例性实施方式的显示装置的一个像素的等效电路图。

图4是根据示例性实施方式的显示装置的一部分的俯视图。

图5是根据示例性实施方式的沿着线V-V截取的图4的显示装置的截面图。

图6是根据示例性实施方式的沿着线VI-VI截取的图4的显示装置的截面图。

图7是根据示例性实施方式的显示装置的俯视图。

图8是根据示例性实施方式的显示装置的分解透视图。

图9是根据示例性实施方式的显示装置的一部分的俯视图。

图10是根据示例性实施方式沿着线X-X截取的图9的显示装置的截面图。

图11是根据示例性实施方式的显示装置的分解透视图。

图12是根据示例性实施方式的显示装置的截面图。

图13是根据示例性实施方式的显示装置的分解透视图。

图14和图15是根据示例性实施方式的显示装置的截面图。

图16是根据示例性实施方式的显示装置的分解透视图。

具体实施方式

以下参照示出示例性实施方式的附图对本发明构思进行更全面的描述。如本领域技术人员将会意识到的，所描述的实施方式在所有不背离本发明构思的精神或范围的情况下可以以多种不同的方式进行修改。

在附图中，为了清晰起见而夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。贯穿整个说明书，相同的参考标号表示相同的元件。应理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称作位于另一个元件“上”时，该元件可直接位于另一个元件上、或者也可存在介入元件。相反，当元件“直接位于另一个元件上”时，则不存在介入元件。

首先，将参照图1和图2描述根据示例性实施方式的显示装置。

图1是根据示例性实施方式的显示装置的俯视图，并且图2是根据示例性实施方式的显示装置的分解透视图。

根据示例性实施方式的显示装置包括由诸如玻璃或塑料的材料制成的基板110。

由共用电极270覆盖的微腔305形成于基板110上。共用电极270在行方向上延伸，并且多个微腔305形成于共用电极270的下面。

微腔305可被设置成矩阵形状，并且第一谷V1可位于列方向上相邻的微腔305之间并且第二谷V2可位于在行方向上相邻的微腔305之间。

多个共用电极270可利用介于其间的第一谷V1彼此分开。也就是说，共用电极270不形成于第一谷V1处。微腔305的边缘部分不由共用电极270覆盖以被暴露。例如，与第一谷V1相邻的微腔305的侧面可被暴露。也就是说，微腔305的彼此面对的两个边缘侧面可被暴露。微腔305被暴露的部分被称为注射孔307a和307b。针对一个微腔305可形成两个注射孔307a和307b。然而，本实施方式不限于此，并且可在一个微腔305处形成一个注射孔，或者可形成三个或更多个注射孔。

每个共用电极270均形成为与相邻的第二谷V2之间的基板110分开，从而形成微腔305。也就是说，共用电极270形成为覆盖微腔305的除形成注射孔307a和307b的侧面之外的剩余侧面。例如，共用电极270可形成为覆盖微腔305的左边缘侧面和右边缘侧面。

封装层390(封装层)形成于第一谷V1和第二谷V2处，并且封装层390覆盖注射孔307a和307b以封装微腔305。封装层390可形成为网格形状。

封装层390具有位于与微腔305重叠的部分处的开口395。封装层390不形成在基板110上的整个区域中并且针对与微腔305重叠的部分被图案化以被移除。开口395可形成为与微腔305的形状相似的形状。

封装层390可与共用电极270部分地重叠。例如，封装层309可在第二谷V2处与共用电极270重叠。封装层390可与微腔305的边缘重叠。封装层390除了在微腔305的边缘处与微腔305重叠以外而不与微腔305重叠。

光阻挡件220形成在封装层390上。光阻挡件220可形成在第一谷V1和第二谷V2处，并且可具有网格形状。光阻挡件220可具有与封装层390基本相同的平面形状。

滤色片230形成于共用电极270上。滤色片230形成为与微腔305重叠。多个滤色片230独立地形成在每个微腔305上并且彼此不重叠。滤色片230由光阻挡件220和封装层390包围。

根据示例性实施方式的显示装置的上述结构仅仅是一个例子，并且各种修改是可行的。例如，可改变微腔305、第一谷V1、和第二谷V2的放置形式，多个共用电极270可在第一谷V1中连接至彼此，并且每个共用电极270的部分可形成为在第二谷V2中与基板110间隔开以将相邻的微腔305连接至彼此。

在下文中，将参考图3示意性地描述根据示例性实施方式的显示装置的一个像素。

图3是根据示例性实施方式的显示装置的一个像素的等效电路图。

根据示例性实施方式的显示装置包括多个信号线121、171h和171l，以及连接至多个信号线121、171h和171l的多个像素PX。尽管未示出，多个像素PX可被布置为包括多个像素行和多个像素列的矩阵形式。

每个像素PX可包括第一子像素PXa和第二子像素PXb。第一子像素PXa和第二子像素PXb可垂直设置。在这种情况下，第一谷V1位于第一子像素PXa和第二子像素PXb之间的像素行的方向上，并且第二谷V2位于多个像素列之间。

信号线121、171h和171l包括用于传输栅极信号的栅极线121，以及用于传输不同的数据电压的第一数据线171h和第二数据线171l。

根据示例性实施方式的显示装置包括连接至栅极线121和第一数据线171h的第一薄膜晶体管Qh，以及连接至栅极线121和第二数据线171l的第二薄膜晶体管Ql。

与第一薄膜晶体管Qh连接的第一液晶电容器Clch形成在第一子像素PXa中，并且与第二薄膜晶体管Ql连接的第二液晶电容器Clcl形成在第二子像素PXb中。

第一薄膜晶体管Qh的第一端子与栅极线121相连接，其第二端子与第一数据线171h相连接，并且其第三端子与第一液晶电容器Clch相连接。

第二薄膜晶体管Ql的第一端子与栅极线121相连接，其第二端子与第二数据线171l相连接，并且其第三端子与第二液晶电容器Clcl相连接。

现在将描述根据示例性实施方式的液晶显示器的操作。当将栅极导通电压施加至栅极线121时，连接至栅极线121的第一薄膜晶体管Qh和第二薄膜晶体管Ql被导通，并且第一液晶电容器Clch和第二液晶电容器Clcl利用通过第一数据线171h和第二数据线171l传送的不同的数据电压被充电。由第二数据线171l传送的数据电压低于由第一数据线171h传输的数据电压。因此，第二液晶电容器Clcl被充电比第一液晶电容器Clch的电压低的电压，从而改善侧面可视性。

接下来，将参照图4至图6描述根据示例性实施方式的液晶显示器的一个像素的结构。

图4是根据示例性实施方式的显示装置的一部分的俯视图，图5是根据示例性实施方式的沿着线V-V截取的图4中的显示装置的截面图，并且图6是根据示例性实施方式的沿着线VI-VI截取的图4的显示装置的截面图。

参照图4至图6，栅极线121以及从栅极线121突出的第一栅电极124h和第二栅电极124l形成在基板110上。

栅极线121主要在行方向上延伸，并且传输栅极信号。栅极线121上被定位成在在列方向相邻的两个微腔305之间。也就是说，栅极线121被定位在第一谷V1处。第一栅电极124h和第二栅电极124l在平面视图中在栅极线121的上侧处向上突出。第一栅电极124h和第二栅电极124l彼此连接以形成一个突起。然而，本实施方式不限于此，并且可对第一栅电极124h和第二栅电极124l的突出形式进行各种修改。

在基板110上可进一步形成存储电极线131以及从存储电极线131突出的存储电极133和135。

存储电极线131在与栅极线121平行的方向上延伸，并且形成为与栅极线121间隔开。存储电极线131基本形成为与栅极线121相同的层并且由与栅极线121相同的材料制成。在存储电极线131上突出的存储电极133形成为包围第一子像素PXa的边缘。在存储电极线131的下面突出的存储电极135形成为与第一栅电极124h和第二栅电极124l相邻。可将预定电压施加至存储电极线131。

栅极绝缘层140形成在栅极线121、第一栅电极124h、第二栅电极124l、存储电极线131、以及存储电极133和135上。栅极绝缘层140可由诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成。此外，栅极绝缘层140可以由单层结构或多层结构形成。

第一半导体154h和第二半导体154l形成在栅极绝缘层140上。第一半导体154h可位于第一栅电极124h上，并且第二半导体154l可位于第二栅电极124l上。第一半导体154h可在第一数据线171h的下面伸长并且第二半导体154l可位于第二数据线171l的下面被伸长。第一半导体154h和第二半导体154l可由无定形硅，多晶硅，金属氧化物等形成。

欧姆接触件(未示出)可形成在第一半导体154h和第二半导体154l的每一个上。欧姆接触件可由硅化物或诸如其中以高浓度掺杂n型杂质的n+氢化非晶硅的材料制成。

第一数据线171h、第二数据线171l、第一源电极173h、第一漏电极175h、第二源电极173l、第二漏电极175l形成在第一半导体154h、第二半导体154l和栅极绝缘层140上。

第一数据线171h和第二数据线171l传输数据信号并且主要在垂直方向上延伸以与栅极线121和存储电极线131交叉。数据线171h和171l并且一般地每条数据线171均被定位于在行方向上相邻的两个微腔305之间。也就是说，数据线171位于第二谷V2处。

第一数据线171h和第二数据线171l传送不同的数据电压。由第二数据线171l传送的数据电压低于由第一数据线171h传送的数据电压。相反，由第二数据线171l传送的数据电压可以高于由第一数据线171h传送的数据电压。

第一源电极173h形成为从第一数据线171h突出至第一栅电极124h的上方，并且第二源电极173l形成为从第二数据线171l突出至第二栅电极124l的上方。第一漏电极175h和第二漏电极175l的每一个均具有一个宽端部和另一棒状端部。第一漏电极175h和第二漏电极175l的宽端部与从存储电极线131向下突出的存储电极135重叠。第一漏电极175h和第二漏电极175l的每个棒状端部被第一源电极173h和第二源电极173l部分地包围。

第一栅电极124h和第二栅电极124了、第一源电极173h和第二源电极173l、以及第一漏电极175h和第二漏电极175l与第一半导体154h和第二半导体154l共同形成第一薄膜晶体管(TFT)Qh和第二薄膜晶体管Ql，并且薄膜晶体管的沟道分别形成在源电极173h与漏电极175h之间以及源电极173l与漏电极175l之间的半导体154h和154l中。

钝化层180形成在第一数据线171h、第二数据线171l、第一源电极173h、第一漏电极175h、第二源电极173l、第二漏电极175l、暴露于第一源电极173h与第一漏电极175h之间的第一半导体154h、以及暴露于第二源电极173l以及第二漏电极175l之间的第二半导体154l上。

钝化层180可由下钝化层180a和形成在下钝化层180a上的上钝化层180b形成。下钝化层180a由有机绝缘材料形成从而具有使包括薄膜晶体管Qh和Ql的基板110的上表面平坦化的功能。上钝化层180b由无机绝缘材料形成从而具有保护下钝化层180a的功能。

在上文中，钝化层180由双重结构形成，然而，本实施方式不限于此。钝化层180可由单层或三层或更多层的多层形成。

在钝化层180中，第一接触孔181h形成为延伸至并且暴露第一漏电极175h的宽端部，并且第二接触孔181l形成为延伸至并且暴露第二漏电极175l的宽端部。

像素电极191形成在钝化层180上。像素电极191可由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明金属材料制成。

像素电极191包括第一子像素电极191h和第二子像素电极191l，第一和第二子像素电极通过其之间的栅极线121和存储电极线131彼此分离。第一子像素电极191h和第二子像素电极191l基于栅极线121和存储电极线131被放置在像素PX的上方和下方。也就是说，第一子像素电极191h和第二子像素电极191l通过其之间的第一谷V1彼此分开，第一子像素电极191h位于第一子像素PXa中，并且第二子像素电极191l位于第二子像素PXb中。然而，第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的布置形状不限于此，并且可进行各种改变。

第一子像素电极191h通过第一接触孔181h连接至第一漏电极175h，并且第二子像素电极191l通过第二接触孔181l连接至第二漏电极175l。因此，当第一薄膜晶体管Qh和第二薄膜晶体管Ql处于导通状态时，第一子像素电极191h和第二子像素电极191l分别接收来自第一漏电极175h和第二漏电极175l的不同数据电压。电场可形成在像素电极191和共用电极270之间。

第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的每个的整体形状为四边形，并且第一子像素电极191h和第二子像素电极191l包括十字形状的主干部，该主干部由水平主干部分193h和193l以及与水平主干部分193h和193l交叉的垂直主干部分192h和192l形成。此外，第一子像素电极191h和第二子像素电极191l的每一个均包括多个小分支部分194h和194l。

像素电极191由水平主干部分193h和193l以及垂直主干部分192h和192l划分成四个子区域。小分支部分194h和194l从水平主干部分193h和193l以及垂直主干部分192h和192l斜向地延伸，并且延伸方向可与栅极线121或水平主干部分193h和193l形成约45°或135°的角。此外，相邻的两个子区域中的小分支部分194h和194l的延伸方向可彼此正交。

在本示例性实施方式，第一子像素电极191h和第二子像素电极191l还可分别包括围绕第一子像素PXa和第二子像素PXb的外侧的外主干部分。

以上描述的像素的布置形式，薄膜晶体管的结构，以及像素电极的形状是一个例子，而本发明不限于此，并且各种修改是可行的。

共用电极270在像素电极191上形成为以预定的距离与像素电极191分开。微腔305形成在像素电极191与共用电极270之间。也就是说，微腔305由像素电极191和共用电极270包围。

共用电极270形成在行方向上并且被设置在微腔305上和第二谷V2处。共用电极270形成为覆盖微腔305的上表面和侧面，从而具有保持微腔305的形状的功能。因此，微腔305的形状可由共用电极270确定。根据显示装置的尺寸和分辨率，微腔305的横向和纵向宽度以及高度可进行各种改变。

共用电极270可由诸如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明金属材料制成。共用电极270可以被施加有预定电压，并且电场可形成在像素电极191与共用电极270之间。

第一配向层11形成在像素电极191上。第一配向层11可直接形成在没有由像素电极191覆盖的钝化层180上。

面对第一配向层11的第二配向层21形成在共用电极270的下方。

第一配向层11和第二配向层21可由垂直配向层形成，并且可由诸如聚酰胺酸、聚硅氧烷、和聚酰亚胺的配向材料形成。第一配向层11和第二配向层21可在微腔305的边缘的侧壁上连接。

由液晶分子310形成的液晶层形成在位于像素电极191和共用电极270之间的微腔305中。液晶分子310具有负介电各向异性，并且在没有施加电场的状态下可在基板110上在垂直方向上直立。也就是说，可以实现垂直配向。

施加有数据电压的第一子像素电极191h和第二子像素电极191l与共用电极270一起生成电场以确定位于像素电极191和公共电极270之间的微腔305中的液晶分子310的方向。穿过液晶层的光的亮度根据由此确定的液晶分子310的方向而变化。

顶层360可进一步形成于共用电极270上。顶层360可由诸如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料制成。顶层360形成在行方向上并且被设置在微腔305上和第二谷V2处。顶层360可具有与共用电极270基本相同的平面形状。

共用电极270和顶层360形成为不覆盖并且暴露微腔305的边缘，并且没有由共用电极270和顶层360覆盖的微腔305的部分被称作注射孔307a和307b。注射孔307a和307b包括延伸至并且暴露微腔305的第一边缘的侧面的第一注射孔307a以及延伸至并且暴露微腔305的第二边缘的侧面的第二注射孔307b。第一边缘和第二边缘彼此面对，并且例如，在平面视图中，第一边缘可以是微腔305的上边缘并且第二边缘可以是微腔305的下边缘。微腔305通过注射孔307a和307b暴露使得配向溶液、液晶材料等可通过注射孔307a和307b被注射到微腔305中。

封装层390形成在顶层360上。封装层390被形成为覆盖将微腔305的部分暴露至外部的注射孔307a和307b。也就是说，封装层390可将微腔305密封使得在微腔305中形成的液晶分子310不被排出到外部。

封装层390可形成在第一谷V1和第二谷V2处，并且可形成为与微腔305的边缘重叠。封装层390可与微腔305的全部四个边缘重叠。封装层390不与微腔305重叠，除了在微腔305的边缘处重叠以外。封装层390不与微腔305的中心重叠。封装层390形成有网格形状以包围微腔305的边缘。

封装层390接触液晶分子310，使得其优选地由不与液晶分子310起反应的材料制成。同样，封装层390可由含有光敏有机材料的材料形成。此时，如果掩膜与封装层390对准并且用光照射，则光敏有机材料通过光反应使得封装层390可仅由光处理图案化。同样，即使封装层390不包括光敏材料，图案化也可行。也就是说，光敏膜可分开地形成在封装层390上，光敏膜可通过光处理图案化，并且封装层390可使用图案化的光敏膜进行蚀刻。

封装层390可制成为诸如双层和三层的多层。双层包括由不同材料制成的两层。三层包括三个层，并且两个相邻层的材料是彼此不同的。例如，封装层390可包括由有机绝缘材料制成的层和由无机绝缘材料制成的层。

光阻挡件220形成在封装层390上。光阻挡件220由光阻挡材料制成，从而具有防止光泄漏的功能。光阻挡件220可形成在第一谷V1和第二谷V2处，从而形成网格形状。光阻挡件220可具有与封装层390基本相同的平面形状。

薄膜晶体管Qh和Q1被定位在第一谷V1中，并且光阻挡件220形成为与薄膜晶体管Qh和Q1重叠。此外，光阻挡件220另外可形成为与栅极线121和存储电极线131重叠。光阻挡件220可通过由金属材料制成的构件被防止通过产生反射光而被识别出。

滤色片230形成在顶层360上以与每个微腔305重叠。滤色片230可包括第一滤色片230R、第二滤色片230G、以及第三滤色片230B。此时，第一滤色片230R、第二滤色片230G、以及第三滤色片230B可分别显示红、绿和蓝的三原色。多个滤色片230彼此不重叠。

在示例性实施方式中，封装层390被图案化使得去除与微腔305重叠的部分。因此，与封装层390形成在基板110的全部表面上的情况相比，滤色片230和微腔305之间的距离可较小。当滤色片230和微腔305之间的距离不小时，当在侧面观察绿色滤色片时绿色滤色片可被识别为蓝色。在示例性实施方式中，通过减小滤色片230和微腔305之间的距离，可防止色彩串扰。

滤色片230由光阻挡件220和封装层390包围。滤色片230被示出为与光阻挡件220和封装层390的侧面接触并且几乎与光阻挡件220重叠。然而，本实施方式不限于此，并且滤色片230的边缘和光阻挡件220的边缘可彼此重叠。滤色片230可不形成在第一谷V1处。

在上文中，滤色片230包括代表红、绿、和蓝的滤色片，然而，本实施方式不限于此，并且可包括代表不同色彩的滤色片230。例如，滤色片230可包括青色，品红色，黄色和白色系的颜色。

尽管未在附图中示出，但可在显示装置的上表面和下表面上进一步形成偏振器。偏振器可包括第一偏振器和第二偏振器。第一偏振器可附接至基板110的下表面，并且第二偏振器可附接到滤色片230和光阻挡件220上。

接下来，将参照图7至图10描述根据示例性实施方式的显示装置。

根据图7至图10示出的示例性实施方式的显示装置与根据图1至图6中示出的示例性实施方式的显示装置几乎相同，因此省略对其的描述。在本示例性实施方式中，与先前的示例性实施方式不同，封装层形成为棒状，并且将对其进行详细描述。

图7是根据示例性实施方式的显示装置的俯视图，并且图8是根据示例性实施方式的显示装置的分解透视图。图9是根据示例性实施方式的显示装置的一部分的俯视图，并且图10是根据示例性实施方式沿着线X-X截取的图9中的显示装置的截面图。

在先前的示例性实施方式中，封装层390是由网格形状形成以在行方向上和列方向上交叉，而相反，在本示例性实施方式中，封装层390由在行方向上延伸的棒状形成。

封装层390形成在第一谷V1处，并且可形成为与微腔305的边缘重叠。封装层390可与包括注射孔307a和307b的微腔305的边缘重叠。封装层390不与微腔305重叠，除了在微腔305的边缘处重叠以外。封装层390不与微腔305的中心重叠。封装层390包括与微腔305重叠的部分以及形成在第二谷V2处的开口395。封装层390不形成在基板110的整个区域上并且被图案化为去除与微腔305重叠的部分。

光阻挡件220形成在封装层390上。光阻挡件220可形成在第一谷V1和第二谷V2处，从而形成网格形状。在本示例性实施方式中，封装层390仅形成在第一谷V1处，使得光阻挡件220具有与封装层390不同的平面形状。

滤色片230形成在顶层360上以与每个微腔305重叠。多个滤色片230彼此不重叠。滤色片230由光阻挡件220包围，并且滤色片230的边缘和光阻挡件220的边缘可彼此重叠。

接下来，将参照图11和图12描述根据示例性实施方式的显示装置。

根据图11和图12示出的示例性实施方式的显示装置与根据图7至图10中示出的示例性实施方式示出的显示装置几乎相同，因此省略对其的描述。在本示例性实施方式中，与先前的示例性实施方式不同，光阻挡件由棒状形成，并且将对其进行详细描述。

图11是根据示例性实施方式的显示装置的分解透视图，并且图12是根据示例性实施方式的显示装置的截面图。

封装层390可形成在第一谷V1处，并且可由棒状形成。

光阻挡件220形成在封装层390上。光阻挡件220形成在第一谷V1处，并且可形成为棒状。光阻挡件220可具有与封装层390基本相同的平面形状。

滤色片230形成在顶层360上以与每个微腔305重叠。滤色片230可包括第一滤色片230R、第二滤色片230G、以及第三滤色片230B。

第一滤色片230R和第二滤色片230G彼此重叠。第一滤色片230R的边缘和第二滤色片230G的边缘彼此重叠。第一滤色片230R和第二滤色片230G在第二谷V2处彼此重叠。通过第一滤色片230R和第二滤色片230G的重叠，第一滤色片230R和第二滤色片230G之间不会形成空的空间，并且可防止生成台阶。

同样，第二滤色片230G和第三滤色片230B在第二谷V2处彼此重叠。同样，第三滤色片230B和第一滤色片230R在第二谷V2处彼此重叠。

接下来，将参照图13至图15描述根据示例性实施方式的显示装置。

根据图13和图15示出的示例性实施方式的显示装置与根据图1至图6中示出的示例性实施方式示出的显示装置几乎相同，因此省略对其的描述。在本示例性实施方式中，与先前的示例性实施方式不同，没有形成光阻挡件，并且将对其进行详细描述。

图13是根据示例性实施方式的显示装置的分解透视图，并且图14和图15是根据示例性实施方式的显示装置的截面图。图14和图15是沿不同的线截取的截面图。

封装层390可形成在第一谷V1和第二谷V2处，并且具有网格形状。

封装层390由光阻挡材料形成，从而防止光泄漏。封装层390可防止光泄漏使得在本示例性实施方式中不形成单独的光阻挡件。

在图2中示出的先前的示例性实施方式中，封装层390形成在第一谷V1和第二谷V2处，并且光阻挡件形成在封装层390上。在本示例性实施方式，封装层390由光阻挡材料形成，使得在省去光阻挡件的同时可防止光泄漏。

滤色片230形成在顶层360上以与每个微腔305重叠。多个滤色片230彼此不重叠。滤色片230由封装层390包围，并且滤色片230的边缘和封装层390的边缘可彼此重叠。

下面，将参照图16描述根据示例性实施方式的显示装置。

根据图16示出的示例性实施方式的显示装置与根据图13至图15中示出的示例性实施方式示出的显示装置几乎相同，因此省略对其的描述。在本示例性实施方式中，与先前的示例性实施方式不同，封装层由棒状形成，并且将对其进行详细描述。

图16是根据示例性实施方式的显示装置的分解透视图。

在先前的示例性实施方式中，封装层390由网格形状形成以在行方向上和列方向上交叉，而相反，在本示例性实施方式中，封装层390由在行方向上延伸的棒状形成。

封装层390形成在第一谷V1处。封装层390由光阻挡材料形成，从而防止光泄漏。封装层390可防止光泄漏使得在本示例性实施方式中不形成单独的光阻挡件。

滤色片230形成在顶层360上以与每个微腔305重叠。滤色片230可包括第一滤色片230R、第二滤色片230G、以及第三滤色片230B。

第一滤色片230R和第二滤色片230G可在第二谷V2处彼此重叠，第二滤色片230G和第三滤色片230B可在第二谷V2处彼此重叠，并且第三滤色片230B和第一滤色片230R可在第二谷V2处彼此重叠。

尽管已经结合目前被认为是实用的示例性实施方式描述了本发明构思，但应当理解，本发明构思并不限于所公开的实施方式，而相反，本发明构思旨在涵盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。

<标号说明>

11：第一配向层        21：第二配向层

110：基板             121：栅极线

124h：第一栅电极      124l：第二栅电极

131：存储栅电极       133、135：存储电极

154h：第一半导体      154l：第二半导体

171：数据线           173h：第一源电极

173l：第二源电极      175h：第一漏电极

175l：第二漏电极      180：钝化层

181h：第一接触孔      181l：第二接触孔

191：像素电极         220：光阻挡件

230：滤色片           270：共用电极

305：微腔             307a：第一注射孔

307b：第二注射孔      310：液晶分子

360：顶层             390：封装层

395：开口

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：

基板；

薄膜晶体管，被设置在所述基板上；

像素电极，被设置在所述薄膜晶体管上；

共用电极，被设置在所述像素电极上并且经由在与所述像素电极之间的微腔而与所述像素电极分开；

液晶层，填充所述微腔；以及

封装层，被配置为密封所述微腔，

其中，所述封装层具有位于与所述微腔重叠的部分处的开口。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中：

所述微腔被设置成矩阵形状，

第一谷，被设置于在列方向上相邻的微腔之间，以及

第二谷，被设置于在行方向上相邻的微腔之间。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中：

所述封装层被设置在所述第一谷和所述第二谷处。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中：

所述封装层具有网格形状。

5.根据权利要求4所述的显示装置，还包括：

被设置在所述封装层上的光阻挡件。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中：

所述光阻挡件具有与所述封装层相同的平面形状。

7.根据权利要求6所述的显示装置，还包括：

被设置在所述共用电极上的滤色片。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中：

所述滤色片由所述光阻挡件和所述封装层包围。

9.根据权利要求2所述的显示装置，其中：

所述封装层被设置在所述第一谷处。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中：

所述封装层具有棒状。

11.根据权利要求10所述的显示装置，还包括：

被设置在所述封装层上的光阻挡件。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中：

所述光阻挡件被设置在所述第一谷和所述第二谷处。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中：

所述光阻挡件具有网格形状。

14.根据权利要求11所述的显示装置，其中：

所述光阻挡件被设置在所述第一谷处。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中：

所述光阻挡件具有与所述封装层基本相同的平面形状。

16.根据权利要求15所述的显示装置，还包括：

被设置在所述共用电极上的滤色片，

其中，所述滤色片包括第一滤色片和第二滤色片，并且

所述第一滤色片和所述第二滤色片在所述第二谷处彼此重叠。

17.根据权利要求2所述的显示装置，其中：

所述封装层包括光阻挡材料。

18.根据权利要求17所述的显示装置，其中：

所述封装层被设置在所述第一谷和所述第二谷处并且具有网格形状。

19.根据权利要求17所述的显示装置，其中：

所述封装层被设置在所述第一谷处并且具有棒状。

20.根据权利要求1所述的显示装置，其中：

所述封装层包括含有光敏有机材料的材料。