CN104734729A - 用于无线多模应用的发射架构 - Google Patents

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Abstract

在一个实施例中，一种方法，包括接收基带信号，选择多个上变频单元以用于将基带信号上变频为无线频带中的多个射频(RF)信号。该方法还包括将多个RF信号复用到与无线频带相关联的不平衡变压器。

Description

用于无线多模应用的发射架构
本申请是申请日为2010年5月19日、申请号为201080022054.8、发明名称为“用于无线多模应用的发射架构”的发明专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本专利公开要求享受于2009年5月19日提交的题目为“TransmitArchitecture for Cellular Multi-Mode Applications”的美国临时申请No.61/179,593、2009年5月19日提交的题目为“TransmitUpconversion Circuitry for Cellular Multi-Mode Applications”的美国临时申请No.61/179,596以及2009年5月26日提交的题目为“Transmit Upconversion Circuitry for Cellular Multi-ModeApplications”的美国临时申请No.61/181,219的优先权，这些申请的内容以全文引用方式全部并入本文。
背景技术
大体而言，特定的实施例涉及无线发射器。
除非在本文中特别指明，否则本节中所描述的方法并不是本申请中的权利要求的现有技术，并且不能由于包含在本节中而被认为是现有技术。
图1描绘了常规的发射器100。差分的同相(I)信号和正交(Q)信号可以通过分离的信道来进行处理。举例而言，将I信号和Q信号输入到数字可编程增益放大器(DPGA)102a/102b中，DPGA102a/102b对信号进行放大。数模转换器(DAC)104a/104b将数字I信号和Q信号转换成模拟的。接着，I信号和Q信号被输入到低通滤波器(LPF)106a/106b，该LPF 106a/106b提供分量噪声和量化噪声的衰减，并且还提供增益。
上变频器108a/108b从低通滤波器(LPF)106a/106b接收I信号和Q信号。此外，合成器110产生本地振荡器(LO)信号。分频器/LO发生器112随后产生针对LO信号的I版本(LO I)和针对LO信号的Q版本(LO Q)。LO I信号被发送到上变频器108a，而LOQ信号被发送到上变频器108b。上变频器108a和108b将I和信号Q信号(处于基带)上变频成差分射频(RF)信号。从上变频器108a和108b输出的差分RF信号通过电流求和电路114进行求和，并且通过不平衡变压器(balun)116转换成单端输出。
不平衡变压器116向功率放大器(PA)缓冲器118(或功率预放大器)输出RF信号。每个PA缓冲器118可以用于一个无线频带，例如，第二代(2G)高频带(HB)、2G低频带(LB)、第三代(3G)HB、3G HB/LB和3G LB。PA缓冲器118用于驱动位于集成芯片(IC)之外的外部功率放大器。通常，低通滤波器106不能充分提供无线应用所需要的滤波和线性度。
图2A描绘了常规的差分PA缓冲器118。上变频器108a/108b分别包含Gm晶体管对202a/202b和混频器204a/204b。基带I信号和Q信号分别在Gm晶体管对202a和202b处接收。Gm晶体管对202a/202b将电压转换成电流。
混频器204a和混频器204b分别接收LO I信号和LO Q信号，并且将I信号和Q信号上变频成差分RF信号。在共源共栅晶体管对206中对差分RF信号进行组合。经组合的RF信号随后通过AC耦合电容器208a和208b交流(AC)耦合到PA缓冲器118。举例而言，PA缓冲器118包含差分晶体管对210以及晶体管211a和211b。PA缓冲器118对信号进行缓冲并且将差分信号输出到不平衡变压器116。不平衡变压器116随后将RF信号输出到Pout处的功率放大器。
图2B描绘了常规的单端PA缓冲器118。Gm晶体管对202a/202b、混频器204a/204b和共源共栅晶体管对206与关于图2A所描述的类似的那样进行操作。来自共源共栅晶体管对206的差分RF信号被输出到不平衡变压器116。不平衡变压器116的单端输出随后通过AC耦合电容器208耦合到PA放大器118。PA放大器118包含对信号进行缓冲的第一晶体管212a和第二晶体管212b。随后，单端输出被输出到功率放大器。
在图2A和2B中的示例中，PA缓冲器118添加了噪声和失真，这影响了信号的线性度。
发明内容
在一个实施例中，一种装置包含上变频单元，该上变频单元被配置成将基带信号上变频为射频(RF)信号。提供了针对多个无线频带的多个不平衡变压器。复用电路被耦合到多个不平衡变压器，其中，上变频单元通过该复用电路而被耦合到每个不平衡变压器。复用电路被配置成基于正使用的无线频带而将来自上变频单元的射频信号复用到多个不平衡变压器中的一个不平衡变压器。
在一个实施例中，复用电路包括多组晶体管，其中，每组与多个不平衡变压器中的一个不平衡变压器相关联。
在一个实施例中，该装置包含多个上变频单元，其中，多个上变频单元中的每一个被耦合到多组晶体管。
在另一实施例中，该装置包括：滤波器的极点对，其被配置成对信号进行滤波，第一极点对包含第一极点和第二极点；镜像缓冲器，其被配置成对信号进行缓冲；以及滤波器的第三极点，其耦合到镜像缓冲器，并且被配置成对由镜像缓冲器所缓冲的信号进行滤波。
在一个实施例中，滤波器的第三极点包括：第一电阻器；第二电阻器；电容器；以及开关电路，其被配置成选择第一电阻器或第二电阻器。
在一个实施例中，该开关电路包括：第一电阻器，其耦合到第一开关；第二电阻器，其耦合到第二开关；其中，当闭合第一开关时，第二开关位于将极点对耦合到第一电阻器的第一信号路径之外，其中，当闭合第二开关时，第一开关位于将极点对耦合到第二电阻器的第二信号路径之外。
在另一实施例中，一种方法包括：将基带信号上变频到射频(RF)信号；确定多个无线频带中的用于多模发射器的无线频带；以及基于正使用的无线频带来将RF信号复用到多个不平衡变压器中的一个不平衡变压器。
下文的详细描述和附图提供了对本发明的本质和优点的更好理解。
附图说明
图1描绘了常规的发射器。
图2A描绘了常规的差分PA缓冲器。
图2B描绘了常规的单端PA缓冲器。
图3描绘了根据一个实施例的发射器的示例。
图4A描绘了根据一个实施例的单端输出的示例。
图4B示出了根据一个实施例的差分输出的示例。
图4C示出了根据一个实施例的、用于驱动多个无线频带的发射器的另一示例。
图5描绘了根据一个实施例的、用于提供降低功率的发射器的示例。
图6描绘了根据一个实施例的、用于提供复用的发射器的示例。
图7示出了根据一个实施例的、示出多个无线频带的图6中的发射器的示例。
图8A描绘了根据一个实施例的、示出滤波器的发射器的示例。
图8B示出了根据一个实施例的滤波器的示例。
图8C描绘了根据一个实施例的滤波器和低通滤波器的示例。
图9描绘了根据一个实施例的滤波器的更为详细的示例。
图10描绘了根据一个实施例的、用于2G无线频带的发射器的示例。
图11描绘了根据一个实施例的用于发射信号的方法。
具体实施方式
本文描述了用于无线发射器的技术。在下文的描述中，为了解释的目的，给出许多示例和特定细节，以提供对本发明的实施例的透彻理解。由权利要求所限定的特定实施例仅包含这些示例中的某些或全部特征，或者与下文所描述的其他特征组合，并且可以进一步包含本文所描述的特征和概念的修改和等同方案。
图3描绘了根据一个实施例的发射器300的示例。差分的同相(I)信号和正交(Q)信号可以通过分离的信道来进行处理。将对I信道和Q信道一起进行描述，但是沿着如图3所示的路径。举例而言，在数字可编程增益放大器(DPGA)302a/302b中对I信号和Q信号进行放大。数模转换器(DAC)304a/304b将数字I信号和Q信号转换成模拟的。随后，模拟I信号和Q信号被输入到低通滤波器(LPF)306a/306b中。下文将更为详细地描述新颖的滤波方法。
镜像缓冲器308a/308b从低通滤波器(LPF)306a/306b接收I信号和Q信号，并且将电压镜像到上变频器309。上变频器309包含上变频单元310，该上变频单元310包含基带Gm晶体管对312a/312b和混频器314a/314b。基带Gm晶体管对312a/312b分别接收基带I信号和基带Q信号，并且对来自LPF 306a/306b的电流进行镜像。举例而言，基带Gm晶体管对312a/312b将来自镜像缓冲器308a/308b的电压转换成电流。此外，合成器316产生本地振荡器(LO)信号。随后，分频器/LO发生器318产生针对LO信号的I版本(LO I)和针对LO信号的Q版本(LO Q)。LO I信号和LO Q信号可以是差分的。混频器314a和314b使用LO I信号和LO Q信号，以将I信号和Q信号上变频成差分射频(RF)信号。
提供复用电路320以将RF信号复用到不平衡变压器324。共源共栅复用器可以用于对RF信号进行复用。在一个实施例中，可以使用将来自混频器314a和314b的电流进行加和的共源共栅晶体管对322来实现共源共栅复用器。举例而言，来自混频器304a和304b的射频信号由共源共栅复用器晶体管对322组合成差分射频信号。
发射器300可以是多模的，并且可以使用多个无线频带来发射信号。无线频带对应于不同的无线标准，并且以不同的频率发射RF信号。针对诸如第二代(2G)高频带(HB)、2G低频带(LB)、第三代(3G)HB、3G HB/LB和3G LB之类的不同无线频带提供不平衡变压器324。不平衡变压器324是基于使用了哪个无线频带来选择的。在这个示例中，不平衡变压器324将单端输出发送到位于集成电路(IC)之外的功率放大器，但是可以提供不同的输出。此外，不平衡变压器324可以位于芯片之外或者在PA的封装中。
因此，发射器300提供了不包含PA缓冲器的直接(direct up andout)方法。也就是，不平衡变压器324直接将RF信号输出到芯片之外，而不通过PA缓冲器。因此，没有添加自PA缓冲器的额外的噪声和失真。
可以使用相同结构的发射器300来驱动多个无线频带。举例而言，某些频带可能需要差分输出，而某些可能需要单端输出(对称输出或非对称输出)。在一个实施例中，可以使用封装改变来将单端输出转换成多个差分输出。也就是，可以通过改变来自不平衡变压器324的端子的地线来对单端输出进行变换以输出第二信号。这从不平衡变压器324的两个端子输出差分信号。因此，相同的结构可以配置成驱动对称输出或非对称输出。
图4A描绘了根据一个实施例的单端输出的示例。通过针对一个无线频带示出仅一个不平衡变压器324来简化单端输出。可以提供针对其他无线频带的类似结构。如图所示，不平衡变压器324从第一端子P输出单端输出(Pout)。第二端子G耦合到地(VSS)。
输入电压VDD可以近似为1.8V。通过对晶体管进行如下偏置来达到最大输出功率(Pout)：基带Gm晶体管对312a/312b被偏置在饱和中，在混频器314a/314b中实施的晶体管被偏置在三极管区，并且共源共栅晶体管对322被偏置在饱和中。3G无线频带可以要求为+6dBm的Pout(50欧姆负载)，而电源为1.8V。使用上面的偏置方法可以达到这些要求(具有好于-38dBc的邻近信道泄漏比(ACLR))。通常，混频器314a/314b中的晶体管被偏置在饱和中。然而，这导致从共源共栅晶体管对322看进去的阻抗改变，这影响信号的线性度。通过将混频器晶体管偏置在三极管区中，阻抗变化是最小的并且对线性度的影响最小。
图4B示出了根据一个实施例的差分输出的示例。如图所示，不平衡变压器324在第一端子P1和第二端子P2处提供差分输出。不是将端子P2耦合到地，而是该端子P2输出信号，该信号可以是从端子P1输出的信号的互补信号。差分输出用于驱动多模功率放大器140，其中，该多模功率放大器140位于芯片之外。如上所述，当将差分信号从不平衡变压器发送到功率放大器410时，其不通过PA缓冲器。
图4C示出了根据一个实施例的、用于驱动多个无线频带的发射器300的另一示例。第一不平衡变压器324a提供针对高频带无线频带的差分输出信号Pout_HB，而第二不平衡变压器324b提供针对低频带无线频带的差分输出信号Pout_LB。多模/多频带功率放大器(PA)410接收信号Pout_HB和Pout_LB。
在一个实施例中，可以降低发射器300所使用的功率。图5描绘了根据一个实施例的、用于提供降低功率的发射器300的示例。如图所示，并行地提供了多个上变频器309。每个上变频器309包含上变频单元310和复用电路320(其由共源共栅晶体管对322来表示)。
提供N个无线频带，这N个无线频带可以向一个或多个功率放大器输出信号。举例而言，可以针对N个无线频带提供N个PA。虽然没有针对N个无线频带示出不平衡变压器324，但是不平衡变压器324是针对每个无线频带来提供的，并且不平衡变压器324针对该频带向功率放大器发送RF信号。举例而言，共源共栅晶体管对322与每个不平衡变压器324并联耦合。
为了降低功率，可以关断上变频器309。举例而言，为了使共源共栅晶体管对322截止，可以通过使用使共源共栅晶体管对322截止的电压来偏置共源共栅晶体管对322的栅极。由于在共源共栅晶体管对322截止时，电流不流过共源共栅晶体管对322，因此这也降低了发射器300所使用的电流。因此，通过关断某个百分比的上变频器309，可以降低电流和功率。举例而言，如果针对一半的上变频器309，使一半的共源共栅晶体管对322截止，那么功率和电流可以降低一半。
除了能够降低功率之外，复用电路320还可以用于将上变频单元310耦合到不同的无线频带。举例而言，图6描绘了根据一个实施例的、用于提供复用的发射器300的示例。提供了N个上变频单元310。例如，可以提供80个上变频单元310。上变频单元310接收I信号和Q信号，将I信号和Q信号上变频成RF信号，并且随后将RF信号输出到复用电路320。图6中所示出的实施方式是针对单个混频器314a来示出的。类似的电路可以用于混频器314b，并且可以与图6中所示出的实施方式组合。
复用电路320被配置成将上变频单元310耦合到发射器300所支持的无线频带。例如，可以支持如以上所述的七个无线平频带。每个无线频带包含用于向功率放大器输出RF信号的不平衡变压器324。如图所示，提供针对3G HB的频带#1和针对3G HB的频带#2。虽然示出了这些两个频带，但是也可以提供其他无线频带。
复用电路320可以包含共源共栅晶体管复用器组，其在不平衡变压器324之间复用来自混频器314的RF信号。在一个实施例中，共源共栅晶体管对322用于将上变频单元310耦合到不平衡变压器324。虽然描述了共源共栅晶体管对322，但是可以使用其他实施方式。在一个示例中，共源共栅晶体管对322的组数可以是N*X个，其中，N是上变频单元的数量，而X是输出的数量。举例而言，如果有7个输出，那么提供7组80个共源共栅晶体管对322，共560个共源共栅晶体管对322。因此，每个输出包含一组80个共源共栅晶体管对322。
当选择了无线频带时，与该无线频带相关联的共源共栅晶体管对322组导通，而针对其他无线频带的共源共栅晶体管对322被截止。举例而言，如果使用频带#1，那么共源共栅晶体管对322a的栅极处的偏置电压Band1_ON进行偏置，以使得共源共栅晶体管对322a导通。此外，在共源共栅晶体管对322b的栅极处对偏置电压Band2_ON进行偏置，以使得针对无线频带#2的共源共栅晶体管对322b组截止。这通过共源共栅晶体管对322a将上变频单元310耦合到不平衡变压器324a。此外，由于共源共栅晶体管对322b是截止的，所以上变频单元310没有耦合到不平衡变压器324b。相反，当使用无线频带#2时，那么对偏置电压Band2_ON进行偏置，以使得共源共栅晶体管对322b导通，而对偏置电压Band1_ON进行偏置，以使得共源共栅晶体管对322a截止。这将上变频单元310耦合到不平衡变压器324b，而不是不平衡变压器324a。因此，复用是通过对不同组共源共栅晶体管对322进行偏置以使一组导通而使其他组截止来提供的。
图7示出了根据一个实施例的示出多个无线频带的图6中的发射器300的示例。在一个示例中，示出了针对I信道和Q信道的单个上变频单元310。多个上变频单元310可以并行地连接，但是没有示出。
上变频单元310耦合到复用电路320。提供了复用电路320的简化的示意图，其中，未示出针对不平衡变压器324的一组共源共栅晶体管对322中的全部。在简化的示意图中，共源共栅晶体管对322将上变频单元310耦合到不平衡变压器324a-324f。6个输出不平衡变压器324中的每一个将针对不同无线频带的信号提供给功率放大器。第7个输出(未输出)可以耦合到电阻器并且耦合到电源VDD，以便于偏移和增益校准。复用电路320基于选择了哪个无线频带而将来自上变频单元310的RF信号复用到不平衡变压器324。举例而言，如果选择了无线频带3G HB，那么上变频单元310通过针对不平衡变压器324d的共源共栅晶体管对322而耦合到不平衡变压器324d。
可以在镜像缓冲器308和上变频单元310之间插入滤波器，以提供对I信号和Q信号的滤波。图8A描绘了根据一个实施例的示出滤波器802a/802b的发射器300的示例。滤波器802a和802b提供在镜像缓冲器308a/308b和上变频单元310之间。滤波器802a/802b分别包含电阻器812a/802b和电容器814a/814b。图8是一个上变频单元310的简化的视图。然而，可以并行地提供其他上变频单元。
滤波器802a/802b提供对来自低通滤波器306和还来自镜像缓冲器308的噪声的滤波。举例而言，用于I信道的信号Vg1p和Vg1n由滤波器802a进行滤波，而用于Q信道的信号Vg2p和Vg2n的滤波通过滤波器802b来进行滤波。对于I信号和Q信号两者而言，使用电阻器806a/806b(RGm)将低通滤波器306a/306b的输出转换成电流。由于分别来自晶体管810a/810b的漏极的负反馈，电阻器806a/806b是虚拟接地的，并且电阻器806a/806b将来自低通滤波器306a/306b的输出的电压转换成电流。
随后，电流分别输入到差分运算放大器808a和808b。晶体管810a和810b分别耦合到运算放大器808a/808b的输出，并且以一定的电压(该电压产生等于流过每个电阻器806a/806b的电流的漏电流)通过信号Vg1p/Vg1n和信号Vg2p/Vg2n来分别调制晶体管810a和810b的栅极。信号Vg1p和信号Vg1n通过滤波器802a，并且随后对Gm晶体管对312a的栅极进行调制。信号Vg2p和信号Vg2n通过滤波器802b，并且随后对Gm晶体管对312b的栅极进行调制。这分别在Gm晶体管对312a/312b的漏极处产生与来自低通滤波器306a/306b的输出电压成比例的AC电流。
可以使用与图8A中所示的实施方式不同的实施方式来实施滤波器802a/802b。举例而言，图8B示出了根据一个实施例的滤波器802a的示例。可以类似地实施滤波器802b。第一滤波器1-802a耦合以接收信号Vg1p，并且包含电阻器1-812a和电容器1-814a。电容器1-814a耦合到地。滤波器1-802a的输出耦合到Gm晶体管对312a的第一晶体管。
滤波器2-802a接收信号Vg1n。提供电阻器2-812a和电容器2-814a。电容器2-814a耦合到地。滤波器2-802a的输出耦合到Gm晶体管对312a的第二晶体管。滤波器1-802a和2-802a可以代替图8A中所示的滤波器802。
回头参照图8A，当与低通滤波器306组合时，滤波器802a/802b可以是n阶滤波器的一部分。举例而言，低通滤波器306和滤波器802可是三阶或五阶滤波器的部分。图8C描绘了根据一个实施例的低通滤波器306a/306b和滤波器802a/802b的示例。
低通滤波器306a/306b可以实施为一个或两个复极点对(CPP)。如图所示，在这个示例中，提供了两个CPP 854a/854b和856a/856b。可以基于滤波器的传输函数来确定滤波器的极点。在一个示例中，使用低通滤波器306和滤波器802来实施巴特沃兹(Butterworth)滤波器；然而，可以使用其他滤波器。
CPP 1提供对分别由DAC 304a/304b引入的噪声进行滤波。CPP2提供对由DAC 304a/304b和CPP 1引入的噪声进行滤波。滤波器802a/802b提供对由CPP 2和镜像缓冲器308a/308b引入的噪声进行滤波。
滤波器802a/802b可以是5阶滤波器(其实施5阶响应滤波器)的第5个极点，或者是3阶滤波器(其实施3阶响应滤波器)的第三个极点。滤波器802a/802b可以称为Tx极点。虽然描述了3阶和5阶滤波器，但是也可以使用N阶滤波器。由于滤波器802a/802b分别与CPP 1和CPP 2在信号路径中，因此滤波器802a/802b是高阶滤波器中的实极点。在一个实施例中，Tx极点被置于高到远离基带频谱的频带边缘的频率下，以使得线性度受到最小影响，但是提供对噪声的噪声贡献的有意义滤波。例如，如果基带信号在2 MHz，则Tx极点可以置于在4 MHz左右，或者是基带信号频率的两倍。
滤波器802可以是可编程的。图9描绘了根据一个实施例的滤波器802a的更为详细的示例。仅示出了I信号处理信道的一个分支，如对称轴所指出的。I信道的其他分支和Q信道类似地操作。滤波器802a是可编程的，其中，第一电阻器858a或第二电阻器858b可以耦合到低通滤波器306a的输出。也可以使用额外的电阻器858。
滤波器802a提供可编程性，并且还限制失真。举例而言，开关电阻可能导致非线性。失真之所以被限制，是因为在选择了电阻器858b时，针对电阻器858a的开关不在信号路径中，而当选择了电阻器858a时，针对电阻器858b的开关不在信号路径中。
当期望电阻器R1用于Tx极点时，电压S1为高(例如，1)并且电压S1B为低(例如，0)。这使开关(sw1a)860a闭合，sw1a 860a通过电阻器806a将晶体管(M1)861b耦合到LPF输出，并且使晶体管M1导通。电压S1B使开关(sw1b)860b断开。此外，由于电压S1为高，所以开关(sw1c)860c是闭合的。这将电压Vc1耦合到晶体管(M1C)861a的栅极，并且将晶体管M1C偏置在饱和区(偏置也可以是三极管区)中，以使得晶体管M1C导通。此外，电压S2为低(例如，0)，而电压S2b为高(例如，1)。这使开关(sw2a)862a断开并且使开关(sw2b)862b闭合。此外，S2为低，而开关862是断开的。这将晶体管(M2C)866a耦合到地(VSS)，并且晶体管M2C未导通。
上文将晶体管M1和晶体管M1C置于反馈回路中，并且选择电阻器R1作为回路滤波器电阻器。开关sw1a的开关非线性是在反馈回路中，并且反馈回路对由开关导致的任何非线性进行补偿。此外，由于开关862a是断开的，所以晶体管866b(M2)的栅极是浮置的。因此，电阻器R2位于电路之外。进一步，从晶体管M1到滤波器802a的输出的信号路径不包含任何开关，并且因此导致高度线性的信号。
当选择了电阻器(R2)858b时，电压S1为低，而电压S1b为高。这将晶体管M1C的栅极耦合到地，并且因此晶体管M1C未导通。开关860a也是断开的，以使得晶体管M1不耦合到低通滤波器输出。
电压S2为高，并且电压S2b为低。这使开关862a闭合，并且将晶体管(M2)866b偏置成导通。此外，晶体管M2C被耦合到电压Vc2，并且被偏置为导通。这提供选择电阻器R2的信号路径。从晶体管M2到滤波器802a的信号路径不包含开关，并且因此导致高度线性的信号。因此，提供了高度线性可编程的滤波器。
发射器300也可以用于支持2G无线频带。图10描绘了根据一个实施例的、用于2G无线频带的发射器300的示例。2G频带可以只使用I信道。因此，发射器300的操作被改变成不使用Q信道。在I信道中，直流(DC)输出由DAC 304a输出。在Q信道中，从DAC 304b输出零输出。DAC 304a和304b可以被编程以输出DC输出和零输出。
合成器316产生高斯滤波最小频移键控(GMSK)信号。GMSK信号用于将I信号上变频成2G射频信号。分频器/LO发生器318产生LO I调制信号和LO Q调制信号。在混频器314a处，I信道中的I信号与LO I信号进行混频。Q信道已经被禁用而具有零输出，并且随后由混频器314b输出LO Q信号。然而，通过将共源共栅晶体管对322b的栅极偏置到VSS来禁用共源共栅晶体管对322b。因此，这个信道是关断的或是从不平衡变压器324断开的。混频器314a使用GMSK LO I信号来将I信号上变频到RF信号。使用将晶体管偏置在饱和区以使晶体管导通的电压Vc1来偏置共源共栅晶体管对322b的栅极。因此，由混频器314a输出的RF信号被发送到不平衡变压器324。
因此，可以对2G和3G无线频带使用相同的I信道和Q信道路径。然而，如关于图10所讨论的，2G频带使用应用于I信道的DC输出，而Q信道是关断的。当使用需要两个信道的无线频带(例如，3G)时，可以启用这两个信道。
图11描绘了根据一个实施例的用于发射信号的方法。在1102处，对I信号和Q信号进行放大。在1104处，I信号和Q信号被转换成模拟I信号和Q信号。在1106处，对I信号和Q信号应用滤波。
在1108处，将I信号和Q信号上变频成RF信号。在1110处，针对无线频带执行复用。在1112处，将RF信号发送到不平衡变压器324，以便输出到功率放大器。
除非上下文明确指出，否则，本文的说明书和下文贯穿权利要求所使用的“一”、“一个”和“所述”包含多个参考。此外，除非上下文明确指出，否则，本文的说明书和下文贯穿权利要求所使用的“在…中”包含“在…中”和“在…上”。
上文的描述示出了本发明的各种实施例，以及如何实施本发明的各个方面的示例。上文的示例和实施例不应当被认为是仅有的实施例，而是给出这些示例和实施例以示出如权利要求中所定义的本发明的灵活性和优点。基于上文的公开内容和下面的权利要求，在不背离由权利要求所定义的本发明的范围的情况下，也可以采用其他安排、实施例、实施方式和等同物。

Claims (32)

1.一种方法，包括：
接收基带信号；
选择多个上变频单元，以用于将所述基带信号上变频为无线频带中的多个射频(RF)信号；以及
将所述多个RF信号复用到与所述无线频带相关联的不平衡变压器。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个上变频单元是第一多个上变频单元，并且所述选择进一步包括：
激活所述第一多个上变频单元，其中所述第一多个上变频单元是第二多个上变频单元的子集。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述复用包括组合所述多个RF信号。
4.根据权利要求1所述的方法，其中通过向所述多个上变频单元应用偏置电压来选择所述多个上变频单元。
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
通过将所述基带信号的同相分量和所述基带信号的正交分量与本地振荡器信号进行混频来上变频所述基带信号。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
使用第一滤波器对所述基带信号进行滤波；
使用镜像电路来缓冲所述基带信号；以及
使用第二滤波器对来自所述镜像电路的所述基带信号进行滤波。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一滤波器和所述第二滤波器形成N阶滤波器。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述不平衡变压器是多个不平衡变压器中的第一不平衡变压器，所述无线频带是多个无线频带中的第一无线频带，并且所述复用进一步包括：
将所述多个RF信号的第一集合复用到与所述第一无线频带相关联的所述第一不平衡变压器；以及
将所述多个RF信号的第二集合复用到与第二无线频带相关联的第二不平衡变压器。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述复用包括将所述多个RF信号通过晶体管的集合而耦合到所述不平衡变压器。
10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
将所述多个上变频单元中的至少一个上变频单元的混频器晶体管偏置为在线性区域中进行操作。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述不平衡变压器是多个不平衡变压器中的第一不平衡变压器，并且所述复用进一步包括：
将所述多个RF信号的第一集合复用到所述多个不平衡变压器中的所述第一不平衡变压器；以及
将所述多个RF信号的第二集合复用到所述多个不平衡变压器中的第二不平衡变压器。
12.一种装置，包括：
多个上变频单元；
复用电路，被配置为将多个射频(RF)信号复用到与无线频带相关联的不平衡变压器；以及
控制电路，被配置为选择所述多个上变频单元以用于将基带信号上变频到所述多个RF信号。
13.根据权利要求12所述的装置，其中所述多个上变频单元是第一多个上变频单元，并且所述控制电路进一步被配置为：
激活所述第一多个上变频单元，其中所述第一多个上变频单元是第二多个上变频单元的子集。
14.根据权利要求12所述的装置，其中所述复用电路被配置为组合所述多个RF信号。
15.根据权利要求12所述的装置，其中所述控制电路通过向所述多个上变频单元应用偏置电压来选择所述多个上变频单元。
16.根据权利要求12所述的装置，其中所述多个上变频单元中的至少一个上变频单元包括：
混频器，被配置为通过将所述基带信号的同相分量和所述基带信号的正交分量与本地振荡器信号进行混频来上变频所述基带信号。
17.根据权利要求12所述的装置，其中所述控制电路进一步被配置为：
使用第一滤波器对所述基带信号进行滤波；
使用镜像电路来缓冲所述基带信号；以及
使用第二滤波器对来自所述镜像电路的所述基带信号进行滤波。
18.根据权利要求17所述的装置，其中所述第一滤波器和所述第二滤波器形成N阶滤波器。
19.根据权利要求12所述的装置，其中所述不平衡变压器是多个不平衡变压器中的第一不平衡变压器，所述无线频带是多个无线频带中的第一无线频带，并且所述复用电路进一步被配置为：
将所述多个RF信号的第一集合复用到与所述第一无线频带相关联的所述第一不平衡变压器；以及
将所述多个RF信号的第二集合复用到与第二无线频带相关联的第二不平衡变压器。
20.根据权利要求12所述的装置，其中所述复用电路进一步被配置为将所述多个RF信号通过晶体管的集合而耦合到所述不平衡变压器。
21.根据权利要求12所述的装置，其中所述多个上变频单元中的至少一个上变频单元包括：
混频器晶体管，被偏置在线性区域中。
22.根据权利要求12所述的装置，其中所述不平衡变压器是多个不平衡变压器中的第一不平衡变压器，并且所述复用电路进一步被配置为：
将所述多个RF信号的第一集合复用到所述多个不平衡变压器中的所述第一不平衡变压器；以及
将所述多个RF信号的第二集合复用到所述多个不平衡变压器中的第二不平衡变压器。
23.一种装置，包括：
多个上变频单元；
多个晶体管；
多个不平衡变压器；
每个晶体管被配置为将所述多个上变频单元中的一个上变频单元耦合至所述多个不平衡变压器；以及
控制电路，被配置为选择一个或多个上变频单元以经由所述多个晶体管和所述多个不平衡变压器中的一个或多个来对基带信号进行上变频。
24.根据权利要求23所述的装置，其中所述控制电路进一步被配置为组合所述多个RF信号中的RF信号的子集。
25.根据权利要求23所述的装置，其中所述控制电路进一步被配置为通过向所述一个或多个上变频单元应用偏置电压来选择所述一个或多个上变频单元。
26.根据权利要求23所述的装置，其中所述多个上变频单元中的至少一个上变频单元包括：
混频器，被配置为通过将所述基带信号的同相分量和所述基带信号的正交分量与本地振荡器信号进行混频来上变频所述基带信号。
27.根据权利要求23所述的装置，其中所述控制电路进一步被配置为：
使用第一滤波器对所述基带信号进行滤波；
使用镜像电路来缓冲所述基带信号；以及
使用第二滤波器对来自所述镜像电路的所述基带信号进行滤波。
28.根据权利要求27所述的装置，其中所述第一滤波器和所述第二滤波器形成N阶滤波器。
29.根据权利要求23所述的装置，其中所述多个不平衡变压器包括第一不平衡变压器和第二不平衡变压器，并且所述多个晶体管中的至少一个晶体管进一步被配置为：
将所述多个RF信号的第一集合耦合到所述第一不平衡变压器；以及
将所述多个RF信号的第二集合耦合到所述第二不平衡变压器。
30.根据权利要求23所述的装置，其中所述多个晶体管被配置为将所述多个上变频单元通过晶体管对的集合而耦合到所述多个不平衡变压器。
31.根据权利要求23所述的装置，其中所述多个上变频单元中的至少一个上变频单元包括被偏置在线性区域中的混频器晶体管。
32.根据权利要求23所述的装置，其中所述多个不平衡变压器包括第一不平衡变压器和第二不平衡变压器，并且所述控制电路进一步被配置为：
选择所述多个上变频单元的第一集合以经由所述第一不平衡变压器将所述基带信号进行上变频；以及
选择所述多个上变频单元的第二集合以经由所述第二不平衡变压器将所述基带信号进行上变频。
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