CN104722563A - 用于回收面板上的铟的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种用于回收面板上的铟的方法，所述面板上形成有由氧化铟锡制成的电极层，其中，所述方法包括：S1、去除所述面板上的各个图形层，并获得所述图形层形成的颗粒；S2、使得所述颗粒中能够溶于酸的物质溶于酸溶液，以获得包括铟离子的溶液；S3、向所述步骤S2中获得的溶液中加入碱性溶液，以使得除铟之外的金属离子与氢氧根结合形成沉淀；S4、滤除步骤S3中形成的沉淀；S5、将步骤S4中获得的溶液蒸干，以获得铟盐的结晶体。本发明所提供的回收铟的方法不仅适用于各种类型的面板，而且，所述铟的回收方法除了可以回收铟之外，还可以回收面板中的其他可用物质，提高了废弃面板的重复利用率，有利于保护环境，节约资源。

Description

用于回收面板上的铟的方法
技术领域
本发明涉及对废弃面板的处理领域，具体地，涉及一种用于回收面板上的铟的方法。
背景技术
触摸屏作为一种最新的电脑输入设备，它是目前最简单、方便、自然的一种人机交互方式。随着使用电脑作为信息来源的与日俱增，触摸屏以其易于使用、坚固耐用、反应速度快、节省空间等优点，使得人们越来越多的感到使用触摸屏的确具有相当大的优越性，触摸屏的使用也越来越广泛。
OGS触摸屏具有高透光率、显示效果出色、产品轻薄等特点，是符合触摸屏发展趋势的一种中高端产品，但因其制造工艺复杂，良品率难以控制，单体不良率在5％左右，贴合后的不良率则可能高达10％—20％。如此高的不良率，以及大量报废的触摸产品已经成为了电器电子废弃物的重要组成部分。OGS触摸屏中，含有高强度玻璃、铟锡氧化物以及其他金属盒高分子材料，但是现在很少对其进行有效回收利用，不但造成资源浪费，还会对环境造成污染。其中铟锡氧化物中含有稀有金属铟，在地壳中含量很小且分布分散，但它在显示领域及其他电子信息行业具有不可替代的作用，价格昂贵，极具回收价值。
CN 102629173A中公开了一种回收电容式触摸屏中ITO导电膜的方法，该方法包括以下步骤：a、冷冻：将电容式触摸屏不良品放入-90～-70℃的冷柜中冷冻25～35min；b、拆解：将冷冻后的电容式触摸屏拆解，回收贴合在复合玻璃屏上的导电膜。所述电容式触摸屏分解回收经冷冻后，复合玻璃屏与ITO导电膜间的双面胶粘性减弱，能有效的将ITO导电膜从复合玻璃屏上拆解下来，回收再利用，节省了资源。
上述回收方法适用于GF结构的电容式触摸屏，由于OGS触摸屏将用作触摸电极的ITO图形层直接做在玻璃上，不存在单独的ITO导电膜，故该方法无法进行OGS触摸屏的分解回收。
因此，如何对不同类型的面板上的铟进行回收成为本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种用于回收面板上的铟的方法，该方法能够适用于回收各种不同类型的面板中的铟。
为了实现上述目的，本发明提供一种用于回收面板上的铟的方法，所述面板上形成有由氧化铟锡制成的电极层，其中，所述方法包括：
S1、去除所述面板上的各个图形层，并获得所述图形层形成的颗粒；
S2、使得所述颗粒中能够溶于酸的物质溶于酸溶液，以获得包括铟离子的溶液；
S3、向所述步骤S2中获得的溶液中加入碱性溶液，以使得除铟之外的金属离子与氢氧根结合形成沉淀；
S4、滤除步骤S3中形成的沉淀；
S5、将步骤S4中获得的溶液蒸干，以获得铟盐的结晶体。
优选地，所述方法还包括：
S6、对所述铟盐还原，以获得金属铟。
优选地，在步骤S3中，所述碱性溶液为氨水。
优选地，所述步骤S2中的酸溶液为盐酸溶液，所述步骤S5中获得的铟盐为氯化铟。
优选地，所述步骤S5包括：
S51、将步骤S4中获得的溶液蒸干，获得结晶体，所述结晶体包括氯化铵和氯化铟；
S52、将结晶体加热，使得结晶体中的氯化铵分解成氯化氢和氨气，从而将氯化铵与氯化铟分离。
优选地，在所述步骤S52中，加热温度为250℃至350℃。
优选地，所述步骤S5还包括：
S53、将步骤S52中获得的氯化氢和氨气引导至冷却室，以使得氯化氢和氨气重新结晶成氯化铵。
优选地，所述步骤S3中用到的碱溶液由步骤S53中获得的氯化铵制得。
优选地，在所述S1中，通过打磨所述面板的同时用水冲洗所述面板获得所述图形层形成的颗粒与水的混合物，在所述步骤S2中，向所述图形层形成的颗粒与水的混合物中加入所述酸溶液。
优选地，所述面板为OGS面板。
在本发明所提供的方法中，首先将所述面板上的各个图形层进行破碎，使其形成为颗粒。由于颗粒的尺寸较小，因此，颗粒的比表面积相对加大，颗粒中的金属以及金属氧化物容易与酸充分反应，并形成金属盐溶液。
本发明所提供的回收铟的方法不仅适用于各种类型的面板，而且，所述铟的回收方法除了可以回收铟之外，还可以回收面板中的其他可用物质，提高了废弃面板的重复利用率，有利于保护环境，节约资源。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是本发明所提供的用于回收面板上的铟的方法的流程示意图；
图2(a)至图2(c)为三种不同的面板的结构图。
附图标记说明
10：透明基板            20：黑矩阵
30：金属图形层          40：透明胶层
41：第一透明胶层        42：第二透明胶层
50：透明电极层          51：第一透明电极层
52：第二透明电极层
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
如图1所示，本发明提供一种用于回收面板上的铟的方法，所述面板上形成有由氧化铟锡(即，ITO)制成的电极层，其中，所述方法包括：
S1、去除所述面板上的各个图形层，并获得所述图形层形成的颗粒；
S2、使得所述颗粒中能够溶于酸的物质溶于酸溶液，以获得包括铟离子的溶液；
S3、向所述步骤S2中获得的溶液中加入碱性溶液，以使得除铟之外的金属离子与氢氧根结合形成沉淀；
S4、滤除步骤S3中形成的沉淀；
S5、将步骤S4中获得的含铟离子的溶液蒸干，以获得铟盐的结晶体。
需要指出的是，所述面板可以是显示面板，也可以是触摸面板，因此，在所述步骤S1中所述的各个图形层除了包括电极层之外，还可以包括金属图形层和非金属层(例如，栅绝缘层、钝化层等)。
在本发明所提供的方法中，首先将面板上的各个图形层进行破碎，使其形成为颗粒。由于颗粒的尺寸较小，因此，颗粒的比表面积相对加大，颗粒中的金属以及金属氧化物容易与酸充分反应，并形成金属盐溶液。面板在步骤S2中获得的金属盐溶液中并不仅仅包括铟离子，还包括其他金属形成的离子。例如，当面板上形成有由铝制成的栅线层以及数据线层时，步骤S2中获得的溶液中还包括铝离子。
通常，用于形成金属图形层的金属的量比电极层中铟的量要大，因此，在步骤S3中，碱性溶液中的氢氧根首先与大量的除铟离子之外的其他金属离子结合，生成金属碱，而这种金属碱通常是不溶于水的。在步骤S3中，应当注意控制通入的碱溶液的量，以确保铟离子不会与氢氧根结合形成沉淀。
在步骤S3中获得的金属碱也可以被重复利用，例如，当所述金属碱为氢氧化铝时，步骤S3中获得的氢氧化铝还可以用于铝的生产。
进过步骤S5之后，可以获得铟盐的结晶体。有些铟盐的结晶体是可以直接实用的，例如，当所述铟盐为氯化铟时，可以用于医学领域中。
此外，可以将铟盐还原成金属铟，然后将金属铟用于工业生产中。
在这种情况中，所述方法还包括：
S6、对所述铟盐还原，以获得金属铟。
如何对铟盐进行还原获得金属铟的方法是本领域所公知的技术，这里不再赘述。
在本发明中，对在步骤S3中，所述碱性溶液为氨水。氨水电离是产生氢氧根，而且氨水为弱碱，其水溶液不会完全电离，因此，在步骤S3中容易控制不形成氢氧化铟沉淀。并且，铵盐也是容易去除的，从而可以避免步骤S5中获得的铟盐中含有过多的杂质。
如上文中所述，氯化铟是可以直接应用于医学领域上的，因此，优选地，所述步骤S2中的酸溶液为盐酸溶液，所述步骤S5中获得的铟盐为氯化铟。
当步骤S3中的碱溶液为氨水时，步骤S3中还会生成氯化铵，因此，步骤S5中除了可以获得铟盐的结晶体之外，还可以获得氯化铵的所述步骤S5包括：
S51、将步骤S4中获得的溶液蒸干，获得结晶体，所述结晶体包括氯化铵和氯化铟；
S52、将结晶体加热，使得结晶体中的氯化铵分解成氯化氢和氨气，从而将氯化铵与氯化铟分离。
作为本发明的一种优选实施方式，在所述步骤S52中，加热温度为250℃至350℃。进一步优选地，步骤S52中，加热温度为300℃。
为了充分利用资源，优选地，所述步骤S5还包括：
S53、将步骤S52中获得的氯化氢和氨气引导至冷却室，以使得氯化氢和氨气重新结晶成氯化铵。
步骤S53中获得的氯化铵可以直接用于农业生产中，也可以重复地用于本发明所提供的方法。即，优选地，所述步骤S3中用到的碱溶液由步骤S53中获得的氯化铵制得。在这种情况中，可以在封闭炉中执行步骤S52，以防止氨气和氯化氢气体逸出。在步骤S53中，可以通过抽风机将氯化氢气体和氨气引导至冷却室。
为了将面板上的各个图形层制成颗粒，优选地，在所述S1中，通过打磨所述面板的同时用水冲洗所述面板获得所述图形层形成的颗粒与水的混合物，在所述步骤S2中，向所述图形层形成的颗粒与水的混合物中加入所述酸溶液。
经过步骤S1之后还可以获得出去图形层之后的面板，对该面板进行表面处理之后，还可以用于显示面板的制造，进一步提高了材料的利用率。
如上文中所述，所述方法可以用于对显示面板进行处理，也可以用于对OGS面板进行处理，即，所述面板为OGS面板。
图2(a)至图2(c)所示的是本发明所提供的方法所适用的OGS面板。在图2(a)中，透明基板10上依次设置有黑矩阵20、金属图形层30、透明胶层40和透明电极层50；在图2(b)中，透明基板10上依次设置有黑矩阵20、透明电极层50、第一透明胶层41、金属图形层30、第二透明胶层42；在图2(c)中，透明基板10上依次设置有黑矩阵20、第一透明电极层51、第一透明胶层41、第二透明电极层52、金属图形层30和第二透明胶层42。
通过上述描述可知，本发明所提供的回收铟的方法不仅适用于各种类型的面板，而且，所述铟的回收方法除了可以回收铟之外，还可以回收面板中的其他可用物质，提高了废弃面板的重复利用率，有利于保护环境，节约资源。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种用于回收面板上的铟的方法，所述面板上形成有由氧化铟锡制成的电极层，其特征在于，所述方法包括：
S1、去除所述面板上的各个图形层，并获得所述图形层形成的颗粒；
S2、使得所述颗粒中能够溶于酸的物质溶于酸溶液，以获得包括铟离子的溶液；
S3、向所述步骤S2中获得的溶液中加入碱性溶液，以使得除铟之外的金属离子与氢氧根结合形成沉淀；
S4、滤除步骤S3中形成的沉淀；
S5、将步骤S4中获得的溶液蒸干，以获得铟盐的结晶体。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
S6、对所述铟盐还原，以获得金属铟。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S3中，所述碱性溶液为氨水。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤S2中的酸溶液为盐酸溶液，所述步骤S5中获得的铟盐为氯化铟。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤S5包括：
S51、将步骤S4中获得的溶液蒸干，获得结晶体，所述结晶体包括氯化铵和氯化铟；
S52、将结晶体加热，使得结晶体中的氯化铵分解成氯化氢和氨气，从而将氯化铵与氯化铟分离。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述步骤S52中，加热温度为250℃至350℃。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤S5还包括：
S53、将步骤S52中获得的氯化氢和氨气引导至冷却室，以使得氯化氢和氨气重新结晶成氯化铵。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤S3中用到的碱溶液由步骤S53中获得的氯化铵制得。
9.根据权利要求1至8中任意一项所述的方法，其特征在于，在所述S1中，通过打磨所述面板的同时用水冲洗所述面板获得所述图形层形成的颗粒与水的混合物，在所述步骤S2中，向所述图形层形成的颗粒与水的混合物中加入所述酸溶液。
10.根据权利要求1至8中任意一项所述的方法，其特征在于，所述面板为OGS面板。
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