CN104711669A - 单晶炉的加热装置 - Google Patents
单晶炉的加热装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104711669A CN104711669A CN201310684221.0A CN201310684221A CN104711669A CN 104711669 A CN104711669 A CN 104711669A CN 201310684221 A CN201310684221 A CN 201310684221A CN 104711669 A CN104711669 A CN 104711669A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plumbago crucible
- crucible
- pot prop
- single crystal
- boss
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种单晶炉的加热装置,包括石墨坩埚和锅托体,所述石墨坩埚表面上设有若干个凹槽,石墨坩埚底面上设有凸台,所述锅托体设置于石墨坩埚下面,锅托体由锅托台和支架构成,锅托台为一个直径逐渐增大的圆柱形腔体,锅托台与石墨坩埚相接触的表面上设有与凸台相适应的卡槽,支架设置于锅托台的下表面。本使用新型具有导热快,加热均匀,装置牢固,结构简单,使用寿命长等特点。
Description
技术领域
本发明涉及单晶硅制造设备技术领域,特别涉及一种单晶炉的加热装置。
背景技术
单晶硅是具有完整的点阵结构的晶体,是一种良好的半导体材料,目前被广泛应用于半导体器件以及太阳能电池的制造。单晶硅使用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成的,在市场上有很广阔的前景。目前单晶硅的拉制装置为单晶炉,单晶炉内的加热装置只要是石墨坩埚和支撑它的锅托体,随着硅单晶直径的加大,单晶炉热场的尺寸变得越来越大,相应的,石墨坩埚的重量也大大增大。目前,使用的坩埚由于结构简单,存在着导热不均匀,加热缓慢的缺点,而锅托体的承受重量不够而导致损坏。
发明内容
本发明的目的是提供一种导热快,传热均匀,工作效率高且使用寿命长的单晶炉加热装置。
实现本发明的技术方案如下:
一种单晶炉的加热装置,包括石墨坩埚和锅托体,所述石墨坩埚表面上设有若干个凹槽,石墨坩埚底面上设有凸台,所述锅托体设置于石墨坩埚下面,锅托体由锅托台和支架构成,锅托台为一个直径逐渐增大的圆柱形腔体,锅托台与石墨坩埚相接触的表面上设有与凸台相适应的卡槽,支架设置于锅托台的下表面。
所述凹槽为正方形,深度为2mm-4mm,边长为5mm-10mm,优点是导热块且均匀,而且美观。
所述凹槽均布于石墨坩埚表面。
所述石墨坩埚为一个直径逐渐减小的筒状结构。
本发明的有益效果是:石墨坩埚表面均布的凹槽能够在加热过程中实现导热快,温度均匀的效果,锅底的凸台与锅托台上的卡槽相连接,能起到更好的固定效果,锅托台大直径底部能够承受更大的压力,不易损坏,使用寿命变长。
附图说明
图1为本发明的结构示意图;
附图中,1为石墨坩埚,2为凹槽,3为卡槽,4为锅托台,5为支架,6为凸台。
具体实施方式
下面结合附图对本发明进行进一步说明;
参见图1所示,一种单晶炉的加热装置,包括石墨坩埚1和锅托体,所述石墨坩埚1表面上设有若干个凹槽2,石墨坩埚1底面上设有凸台6,所述锅托体设置于石墨坩埚1下面,锅托体由锅托台4和支架5构成,锅托台4为一个直径逐渐增大的圆柱形腔体,锅托台4与石墨坩埚1相接触的表面上设有与凸台相适应的卡槽3,支架5设置于锅托台4的下表面。
所述凹槽2为正方形,深度可以是2mm,3mm或4mm,边长可以是5mm、8mm或10mm,凹槽2均布于石墨坩埚1表面,石墨坩埚1为一个直径逐渐减小的筒状结构。
本发明并不局限于所述的实施例,本领域的技术人员在不脱离本发明的精神即公开范围内,仍可作一些修正或改变,故本发明的权利保护范围以权利要求书限定的范围为准。
Claims (4)
1.单晶炉的加热装置,包括石墨坩埚和锅托体,其特征在于:所述石墨坩埚表面上设有若干个凹槽,石墨坩埚底面上设有凸台,所述锅托体设置于石墨坩埚下面,锅托体由锅托台和支架构成,锅托台为一个直径逐渐增大的圆柱形腔体,锅托台与石墨坩埚相接触的表面上设有与凸台相适应的卡槽,支架设置于锅托台的下表面。
2.根据权利要求1所述的单晶炉的加热装置,其特征在于:所述凹槽为正方形,深度为2mm-4mm,边长为5mm-10mm。
3.根据权利要求1所述的单晶炉的加热装置,其特征在于:所述凹槽均布于石墨坩埚表面。
4.根据权利要求1所述的单晶炉的加热装置,其特征在于:所述石墨坩埚为一个直径逐渐减小的筒状结构。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310684221.0A CN104711669A (zh) | 2013-12-12 | 2013-12-12 | 单晶炉的加热装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310684221.0A CN104711669A (zh) | 2013-12-12 | 2013-12-12 | 单晶炉的加热装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104711669A true CN104711669A (zh) | 2015-06-17 |
Family
ID=53411377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310684221.0A Pending CN104711669A (zh) | 2013-12-12 | 2013-12-12 | 单晶炉的加热装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104711669A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105887186A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-08-24 | 上海超硅半导体有限公司 | 硅单晶提拉设备与生长方法 |
CN105935612A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-09-14 | 江阴市正中科教器材有限公司 | 一种课堂教学实验用坩埚加热支架 |
-
2013
- 2013-12-12 CN CN201310684221.0A patent/CN104711669A/zh active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105887186A (zh) * | 2016-05-30 | 2016-08-24 | 上海超硅半导体有限公司 | 硅单晶提拉设备与生长方法 |
CN105887186B (zh) * | 2016-05-30 | 2020-04-24 | 上海超硅半导体有限公司 | 硅单晶提拉设备与生长方法 |
CN105935612A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-09-14 | 江阴市正中科教器材有限公司 | 一种课堂教学实验用坩埚加热支架 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104711669A (zh) | 单晶炉的加热装置 | |
CN103088408A (zh) | 改进的石墨坩埚 | |
CN203728960U (zh) | 单晶炉的加热装置 | |
CN102630256A (zh) | 单晶制造装置 | |
CN204540807U (zh) | 一种割入式低温卷烟加热装置及低温烘焙烟具 | |
CN202297860U (zh) | 具有升降机构的单晶炉热场 | |
CN201933198U (zh) | 化合物半导体加热装置 | |
CN204765140U (zh) | 自加热装置可升降的暖奶器 | |
CN202936507U (zh) | 采用四面加热的多晶硅铸锭炉 | |
CN202297861U (zh) | 单晶炉热场加热器 | |
CN210560882U (zh) | 一种低能耗的碳化硅晶体生长热场装置 | |
CN203375115U (zh) | 底座结构 | |
CN204555658U (zh) | 一种加热器 | |
CN206806305U (zh) | 一种扩散石英舟 | |
CN102677199A (zh) | 干热牵伸箱的电加热装置 | |
CN203420010U (zh) | 温控蓝宝石生长炉 | |
CN202617372U (zh) | 传热均匀的电加热器 | |
CN204738044U (zh) | 一种单晶炉用三节式托杆 | |
CN203301770U (zh) | 陶瓷加热器 | |
CN204540806U (zh) | 一种割入式低温烘焙烟具加热装置及割入式低温烘焙烟具 | |
CN206157276U (zh) | 一种碳化硅宝石颗粒湿法工艺炉 | |
CN202415747U (zh) | 一种铸锭炉用石墨护板 | |
CN102304758A (zh) | 石墨热场的炉底保温装置 | |
CN202390569U (zh) | 一种石墨加热器 | |
CN203687599U (zh) | 一种熔化保温炉系统 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150617 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |