CN103088408A - 改进的石墨坩埚 - Google Patents
改进的石墨坩埚 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103088408A CN103088408A CN 201110346873 CN201110346873A CN103088408A CN 103088408 A CN103088408 A CN 103088408A CN 201110346873 CN201110346873 CN 201110346873 CN 201110346873 A CN201110346873 A CN 201110346873A CN 103088408 A CN103088408 A CN 103088408A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- crucible
- crucible body
- improved
- plumbago
- graphite crucible
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Abstract
本发明公开了改进的石墨坩埚,包括坩埚本体,其特征在于:所述坩埚本体的侧表面设有凹槽,所述坩埚本体的底部设有一层保温层,所述坩埚本体的底部设有排气孔。本发明的优点是:结构合理、传热效率高、加热迅速、使用寿命久。
Description
技术领域
本发明涉及改进的石墨坩埚。
背景技术
生长硅单晶的装置一般是采用保持原料硅熔体的石英坩埚,其中该坩埚被石墨坩埚包围,该石墨坩埚用来支撑石英坩埚并实现对石英坩埚进行均匀加热,但是现有的石墨坩埚由于结构简单,存在着传热效率低,加热缓慢,加热时间长,能耗消耗大,浪费资源等缺点,不能满足使用者的使用需求。因此,应该提供一种新的技术方案解决上述问题。
发明内容
本发明的目的是:针对上述不足,提供一种结构合理、传热效率高、加热迅速的改进的石墨坩埚。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案是:改进的石墨坩埚,包括坩埚本体,所述坩埚本体的侧表面设有凹槽,所述坩埚本体的底部设有一层保温层,所述坩埚本体的底部设有排气孔。
所述凹槽间隔均匀设置于坩埚本体的侧表面。
所述排气孔至少为1个。
所述排气孔为2个。
本发明改进的石墨坩埚,坩埚本体的侧表面设有凹槽,设置凹槽是通过增加石墨坩埚外表面积来提高传热面积,可使石墨坩埚的外表面积增加一倍,达到加大传热量,快速加热的目的。坩埚本体的底部设有一层保温层,它对坩埚本体的侧面和底部均起到保温作用,使坩埚内部的材料温度达到一致,从而提高坩埚内材料产品的品质。坩埚本体的底部设有排气孔,其可以排出坩埚内部产生的有害气体,避免其发生变形,延长其使用寿命。
本发明的优点是:结构合理、传热效率高、加热迅速、使用寿命久。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细叙述。
图1为本发明结构示意图。
其中:1、坩埚本体,2、凹槽,3、保温层,4、排气孔。
具体实施方式
如图1所示,本发明改进的石墨坩埚,包括坩埚本体1,坩埚本体1的侧表面设有凹槽2,坩埚本体1的底部设有一层保温层3,坩埚本体1的底部2个设有排气孔4,凹槽2间隔均匀设置于坩埚本体1的侧表面。
本发明改进的石墨坩埚,坩埚本体1的侧表面设有凹槽2,设置凹槽2是通过增加石墨坩埚外表面积来提高传热面积,可使石墨坩埚的外表面积增加一倍,达到加大传热量,快速加热的目的。坩埚本体的底部设有一层保温层3,它对坩埚本体1的侧面和底部均起到保温作用,使坩埚内部的材料温度达到一致,从而提高坩埚内材料产品的品质。坩埚本体1的底部设有排气孔4,其可以排出坩埚内部产生的有害气体,避免其发生变形,延长其使用寿命。
Claims (4)
1.改进的石墨坩埚,包括坩埚本体,其特征在于:所述坩埚本体的侧表面设有凹槽,所述坩埚本体的底部设有一层保温层,所述坩埚本体的底部设有排气孔。
2.根据权利要求1所述的改进的石墨坩埚,其特征是:所述凹槽间隔均匀设置于坩埚本体的侧表面。
3.根据权利要求1所述的改进的石墨坩埚,其特征是:所述排气孔至少为1个。
4.根据权利要求1所述的改进的石墨坩埚,其特征是:所述排气孔为2个。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110346873 CN103088408A (zh) | 2011-11-07 | 2011-11-07 | 改进的石墨坩埚 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 201110346873 CN103088408A (zh) | 2011-11-07 | 2011-11-07 | 改进的石墨坩埚 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103088408A true CN103088408A (zh) | 2013-05-08 |
Family
ID=48201517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN 201110346873 Pending CN103088408A (zh) | 2011-11-07 | 2011-11-07 | 改进的石墨坩埚 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103088408A (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016059790A1 (ja) * | 2014-10-17 | 2016-04-21 | 新日鐵住金株式会社 | 溶液成長法によるSiC単結晶の製造装置、及びそれに用いられる坩堝 |
CN105953583A (zh) * | 2016-07-06 | 2016-09-21 | 上海华培动力科技有限公司 | 一种高温合金特种铸造用曲面坩埚及其制备方法 |
CN107287652A (zh) * | 2017-05-29 | 2017-10-24 | 德令哈晶辉石英材料有限公司 | 一种抑制熔融硅液面振动的石英坩埚及其制备方法 |
CN108330532A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-07-27 | 周俭 | 一种单晶硅坩埚 |
CN110923805A (zh) * | 2020-01-09 | 2020-03-27 | 包头美科硅能源有限公司 | 一种用于增加rcz用石英坩埚寿命的方法 |
CN111719180A (zh) * | 2020-07-21 | 2020-09-29 | 江苏利泷半导体科技有限公司 | 适用于氧化镓晶体的生长设备 |
-
2011
- 2011-11-07 CN CN 201110346873 patent/CN103088408A/zh active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016059790A1 (ja) * | 2014-10-17 | 2016-04-21 | 新日鐵住金株式会社 | 溶液成長法によるSiC単結晶の製造装置、及びそれに用いられる坩堝 |
CN105953583A (zh) * | 2016-07-06 | 2016-09-21 | 上海华培动力科技有限公司 | 一种高温合金特种铸造用曲面坩埚及其制备方法 |
CN107287652A (zh) * | 2017-05-29 | 2017-10-24 | 德令哈晶辉石英材料有限公司 | 一种抑制熔融硅液面振动的石英坩埚及其制备方法 |
CN108330532A (zh) * | 2018-04-20 | 2018-07-27 | 周俭 | 一种单晶硅坩埚 |
CN110923805A (zh) * | 2020-01-09 | 2020-03-27 | 包头美科硅能源有限公司 | 一种用于增加rcz用石英坩埚寿命的方法 |
CN110923805B (zh) * | 2020-01-09 | 2021-12-21 | 包头美科硅能源有限公司 | 一种用于增加rcz用石英坩埚寿命的方法 |
CN111719180A (zh) * | 2020-07-21 | 2020-09-29 | 江苏利泷半导体科技有限公司 | 适用于氧化镓晶体的生长设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103088408A (zh) | 改进的石墨坩埚 | |
CN104195634B (zh) | 大尺寸硅锭多晶铸锭炉热场结构 | |
JP2014521577A5 (zh) | ||
CN102925971B (zh) | 高效多晶铸锭热场 | |
CN104294360B (zh) | 一种保温铸锭炉以及使用保温铸锭炉铸锭的方法 | |
CN204898124U (zh) | 一种多晶硅铸锭用提纯炉 | |
CN203546203U (zh) | 一种用于生长SiC晶体的坩埚 | |
CN205856655U (zh) | 一种碳化硅单晶炉 | |
CN202744654U (zh) | 一种直拉法制备单晶硅所使用的坩埚 | |
CN202390582U (zh) | 改进的石墨坩埚 | |
CN103088419A (zh) | 单晶硅生长炉的石墨坩埚 | |
CN103189547A (zh) | 单晶提拉装置及单晶提拉装置中使用的低导热性构件 | |
CN202162008U (zh) | 防溢出坩埚 | |
CN103225106A (zh) | 一种铸造高效多晶的热场 | |
CN202954140U (zh) | 铸锭多晶炉的散热底板及具有其的铸锭多晶炉 | |
CN209068997U (zh) | 卧式石墨炉保温层结构 | |
CN102995105A (zh) | 铸锭多晶炉的散热底板及具有其的铸锭多晶炉 | |
CN204039546U (zh) | 大容量多晶硅铸锭炉的加热装置 | |
CN201864791U (zh) | 一种800型硅单晶炉的石墨导流筒 | |
CN204589368U (zh) | 一种单晶炉的底部保温板 | |
CN205856658U (zh) | 一种新型碳化硅单晶炉 | |
CN204570094U (zh) | 一种硅片铸锭炉用改良加热器 | |
CN202415747U (zh) | 一种铸锭炉用石墨护板 | |
CN102392298A (zh) | 一种用于铸造多晶硅的复合材料挡板 | |
CN203653256U (zh) | 一种用于石墨化炉的石墨坩埚 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130508 |