CN104711531A - 表面处理用转筒 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种表面处理用转筒，用于在进行表面处理时放置待处理的基体，由金属网形成封闭空间，在所述转筒的内表面具有多个限制基体移动的阻挡件，相邻阻挡件与所述转筒的内表面形成向内开放的空间，所述空间用于放置待处理的基体。本发明从凸起产生的原因出发，能够从根源上避免凸起的产生。通过使用本发明的转筒，不仅能够避免薄膜凸起的产生，获得高质量的镀层，还因能装入的永磁体量大而更适于量产使用。

Description

表面处理用转筒

技术领域

本发明涉及一种表面处理用转筒，具体来说，涉及一种能够抑制钕铁硼永磁体的气相沉积薄膜表面产生凸起的转筒。

背景技术

在稀土永磁体表面采用真空气相沉积方法形成铝、锌、镁等金属或者金属氧化物的薄膜，不仅外观优美，还有优良的耐腐蚀能力。在进行气相沉积时，由于永磁体相互碰撞和摩擦，以及永磁体与进行气相沉积所用的容器壁之间的碰撞和摩擦，导致薄膜表面出现凸起。此外，由于上述碰撞和摩擦，所沉积的薄膜可能产生脱落。这些脱落的薄膜粘附在永磁体表面上，随着气相沉积的进行，粘附部位进一步沉积薄膜，导致产生凸起。

为了阻止这种薄膜凸起的产生，专利CN1273639C提出了一种解决方案。在该解决方案中，如图1所示，将进行气相沉积所用的、由金属网形成的、用来放置永磁体的圆筒状容器由以往的一个大容器变为多个小容器，或者如图2所示，将圆筒状容器分割成多个空间，将永磁体分别放置在各小容器或空间内。采用这种方法，可以减小永磁体之间、以及永磁体与容器壁之间的碰撞和摩擦，并且通过控制永磁体的温度，使沉积薄膜的软硬程度得到有效控制，从而阻止薄膜产生凸起。

但是，上述专利存在一定的弊端。例如，在图1所示的方案中，如果小容器内放置的永磁体过多，则薄膜表面仍会产生凸起；在图2所示的方案中，由于靠近转笼圆心部分的永磁体与蒸发源之间的距离总是较远，因此，所沉积的金属薄膜的厚度小于外圈的永磁体的厚度，导致厚度不均。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而作出的，其目的在于提供一种表面处理用转筒，通过抑制待处理基体在进行表面处理时的移动和摩擦，来阻止镀层中产生凸起。

为了实现上述目的，本发明提供一种表面处理用转筒，用于在进行表面处理时放置待处理的基体，由金属网形成封闭空间，在所述转筒的内表面具有多个限制基体移动的阻挡件，相邻阻挡件与所述转筒的内表面形成向内开放的空间，所述空间用于放置待处理的基体。

本发明从凸起产生的原因出发，能够从根源上避免凸起的产生。通过使用本发明的转筒，不仅能够避免薄膜凸起的产生，获得高质量的镀层，还因能装入的永磁体量大而更适于量产使用。

附图说明

图1示出现有技术阻止薄膜产生凸起的装置。

图2示出现有技术阻止薄膜产生凸起的另一装置。

图3示出本发明的进行气相沉积时使用的转筒。

图4示出装有待处理的基体的转筒。

具体实施方式

本发明的发明人发现，在进行气相沉积时，有较强的方向性。金属膜的沉积主要发生在转筒下部靠近蒸发源的位置。此外，刚形成的沉积金属膜质地较软，容易受到破坏。而如果经过很短时间的冷却后，沉积金属膜质地变硬，不易受到破坏。

因此，对于刚形成质地较软的沉积金属膜的基体(例如永磁体)，如果能够减少它们受到的压力，并且限制它们的移动，则能够抑制摩擦和碰撞的产生，从而消除了金属薄膜凸起产生的外部因素。此外，当这些基体由于转筒的转动而远离蒸发源，因而不再沉积金属膜或者金属膜的沉积量可以忽略时，在金属膜冷却变硬后再解除对基体的移动的限制，这时，由于金属膜的硬度较硬，因而即使相互碰撞和摩擦也不易脱落，从而消除了金属薄膜凸起产生的内部因素。

基于上述原理，本发明采用的转筒1如图3所示，由金属网形成圆筒状结构，在圆周上有多个沿径向向内的凸部3。这些凸部3在径向上的高度不低于待处理的基体(例如永磁体)的高度的一半，优选为待处理基体的高度的两倍以上。转筒1可以单个放置在蒸发源上方，当进行气相沉积时，通过转筒1自身的旋转，在基体上沉积镀层。也可以像图1那样将多个转筒1放置在可旋转的转笼的圆周上，将转笼放置在蒸发源的上方，当进行气相沉积时，通过转笼的旋转来在基体上沉积镀层。

由于沉积具有一定的方向性，沉积薄膜主要发生在与转筒1下方的网壁相接触的基体表面。尽管这些基体表面所沉积的薄膜质地较软，但是，由于这些基体被限制在转筒1的两个相邻的凸部3之间的区域内，并且被它们上方的基体挤压，因此，避免了这些基体产生剧烈的移动和碰撞，从而有效遏制了基体之间以及基体与转筒之间的摩擦和碰撞。

再者，当位于转筒1下方网壁的、沉积了金属薄膜的基体随着转筒1的转动而逐渐远离蒸发源时，这些基体的薄膜也逐渐变硬，并且它们上方的基体也随之移动到别的区域。此时，这些基体在滚动时仅受自身重力的影响，摩擦力很小，并且表面的薄膜也已变硬，因而不会受到损伤。

作为本发明的转筒1的具体例，如图4所示，其外径为80mm，凸部3的高度为13mm，将的钕铁硼柱2放入转筒1内，不添加其他填料，装入量为转筒1总容量的40％。在真空下使用转筒1气相沉积金属铝，平均膜厚为l0μm，表面无凸起，并且无裸露黑点。

本发明的转筒1，不限于进行气相沉积时使用，还可以在其他干法表面处理或湿法表面处理中使用。

本发明的转筒1，其形状不限于圆形，还可以是其他形状，例如椭圆形、多边形等。此外，本发明的转筒1，凸部2不限于从转筒1的内周面沿径向向内凸的凸起，还可以是其他形式。例如，可以是焊接在转筒1的内周面、指向转筒1的旋转中心的阻挡件等，只要能够将基体限制在一定的局部空间内以抑制基体的移动和碰撞，并且在基体离开处理位置(例如沉积位置)后释放基体即可。

Claims (9)

1.一种表面处理用转筒，用于在进行表面处理时放置待处理的基体，由金属网形成封闭空间，在所述转筒的内表面具有多个限制基体移动的阻挡件，相邻阻挡件与所述转筒的内表面形成向内开放的空间，所述空间用于放置待处理的基体。

2.根据权利要求1所述的表面处理用转筒，其特征在于，所述阻挡件是从所述转筒的内表面向内凸的凸部。

3.根据权利要求1所述的表面处理用转筒，其特征在于，所述阻挡件的高度为待处理基体的高度的50％以上。

4.根据权利要求3所述的表面处理用转筒，其特征在于，所述阻挡件的高度为待处理基体的高度的两倍以上

5.根据权利要求1所述的表面处理用转筒，其特征在于，所述转筒呈圆筒状。

6.根据权利要求5所述的表面处理用转筒，其特征在于，所述阻挡件是从所述表面处理用转筒的内表面沿径向向内凸的凸部。

7.根据权利要求1所述的表面处理用转筒，其特征在于，所述表面处理包括干法表面处理和湿法表面处理。

8.根据权利要求1所述的表面处理用转筒，其特征在于，所述表面处理是真空气相沉积处理。

9.根据权利要求1所述的表面处理用转筒，其特征在于，所述基体是钕铁硼永磁体。