CN104709941B - 一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法 - Google Patents
一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104709941B CN104709941B CN201510113184.7A CN201510113184A CN104709941B CN 104709941 B CN104709941 B CN 104709941B CN 201510113184 A CN201510113184 A CN 201510113184A CN 104709941 B CN104709941 B CN 104709941B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- presoma
- bis
- sheet
- receive
- micro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G29/00—Compounds of bismuth
- C01G29/006—Compounds containing, besides bismuth, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/85—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by XPS, EDX or EDAX data
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
本发明公开了一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法,包括以下步骤:步骤一、将含铜前驱体、含铋前驱体、含硫前驱体以及螯合剂溶于水中制得溶液;所述的含铜前驱体为硝酸铜、硫酸铜或乙酸铜;所述的含铋前驱体为硝酸铋或乙酸铋;所述的含硫前驱体为硫脲、硫代乙酰胺、升华硫或硫化纳;所述的螯合剂为还原型谷胱甘肽;步骤二、将步骤一中制得的溶液加热,反应完全后,冷却至室温并进行离心处理,将离心所得沉淀用水和乙醇进行洗涤,干燥,制得Cu3BiS3微/纳片。本发明工艺简单,采用廉价的铜源、铋源、硫源作为前驱体,并用固态无毒性的还原型谷胱甘肽作为螯合剂,且用水作为溶剂,工艺简单,成本低廉,有利于进行推广应用。
Description
技术领域
本发明涉及微/纳米材料技术领域,尤其指一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法。
背景技术
Cu3BiS3带隙约为1.4eV,可以用来制备量子器件,其能够通过量子尺寸效应,改变器件的发光频率和性能,因此已经被广泛地用来作为光催化、半导体器件、发光器件、激光或红外探测器和光敏传感器的材料。另外它还是一种优良的红外窗口和非线性光学材料。现在Cu3BiS3已经被用来制作多种光电子器件,如激光器、光电探测器、光存储器件、量子点等;Cu3BiS3还可以用来做光伏器件,例如太阳能电池等。
目前国内外对于Cu3BiS3纳米结构材料的研究还比较少,而三元硫化物纳米结构材料,由于其结构本身的复杂性,直到近年来才得到学术界的广泛关注。在目前所研究的Cu3BiS3材料的制备方法中,常用的方法有热蒸发法、溶剂热法等。在上述方法中,热蒸发法所得到的Cu3BiS3,制备过程中需要800~1000℃的高温,以及对试剂和设备的要求较高,严重影响其应用前景;溶剂热法需要有机溶剂和表面活性剂的参与,工艺复杂,不易推广。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的现状,提供工艺简单,制备方便,成本低廉的一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法。
本发明解决上述技术问题所采用的技术方案为:
一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法,包括以下步骤:
步骤一、将含铜前驱体、含铋前驱体、含硫前驱体以及螯合剂溶于水中制得溶液;
所述的含铜前驱体为硝酸铜、硫酸铜或乙酸铜;
所述的含铋前驱体为硝酸铋或乙酸铋;
所述的含硫前驱体为硫脲、硫代乙酰胺、升华硫或硫化纳;
所述的螯合剂为还原型谷胱甘肽;
步骤二、将步骤一中制得的溶液加热,反应完全后,冷却至室温并进行离心处理,将离心所得沉淀用水和乙醇进行洗涤,干燥,制得Cu3BiS3微/纳片。
优化的技术措施还包括:
所述的步骤一得到溶液后,将溶液的pH值调节至4~10。
所述的步骤一中,含铜前驱体与含铋前驱体摩尔比为3:1,含铜前驱体与含硫前驱摩尔比为0.1:1~10:1,所述的还原型谷胱甘肽的量为1~10mmol。
所述的步骤二中的反应速度为90~300℃。
所述的步骤二中的反应时间为10min~60h。
所述的步骤二中的离心处理的转速至少为8000r/min。
所述的步骤一中的水为去离子水。
本发明一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法,采用廉价的铜源、铋源、硫源作为前驱体,并用固态无毒性的还原型谷胱甘肽作为螯合剂,且用水作为溶剂,工艺简单,成本低廉,有利于进行推广应用。
附图说明
图1是本发明的Cu3BiS3微/纳片的扫描电镜图;
图2是本发明的Cu3BiS3微/纳片的能谱图;
图3是本发明的Cu3BiS3微/纳片的X射线衍射图。
具体实施方式
以下结合实施例对本发明作进一步详细描述。
实施例1:
步骤一、将3mmol硝酸铜、1mmol硝酸铋、3mmol硫脲、2mmol还原型谷胱甘肽溶于80mL水中制得溶液,并调节溶液pH值至10;
步骤二、将上述溶液转移至水热反应釜中加热,控制温度为90℃,反应10min后,自然冷却至室温并以10000r/min的转速进行离心,将离心所得沉淀用去离子水和乙醇洗涤10次,干燥后,制得Cu3BiS3微/纳片。
实施例2:
步骤一、将3mmol硫酸铜、1mmol硝酸铋、3mmol硫脲、2mmol还原型谷胱甘肽溶于80mL水中制得溶液,调节溶液pH值至5;
步骤二、将上述溶液转移至水热反应釜加热,控制温度为180℃,反应6h后,自然冷却至室温并以12000r/min的转速进行离心,将离心所得沉淀用去离子水和乙醇洗涤10次,干燥后,制得Cu3BiS3微/纳片。
实施例3:
步骤一、将3mmol乙酸铜、1mmol乙酸铋、3mmol硫代乙酰胺、4mmol还原型谷胱甘肽溶于80mL去离子水中制得溶液,调节溶液pH值至6;
步骤二、将上述溶液转移至水热反应釜加热,控制温度为120℃,反应6h后,自然冷却至室温并以10000r/min的转速进行离心,将离心所得沉淀用去离子水和乙醇洗涤10次,干燥后,制得Cu3BiS3微/纳片。
实施例4:
步骤一、将6mmol硝酸铜、2mmol乙酸铋、60mmol硫代乙酰胺、6mmol还原型谷胱甘肽溶于80mL去离子水中制得溶液,调节溶液pH值至8;
步骤二、将上述溶液转移至水热反应釜加热,控制温度为300℃,反应6h后,自然冷却至室温并以10000r/min的转速进行离心,将离心所得沉淀用去离子水和乙醇洗涤10次,干燥,制得Cu3BiS3微/纳片。
实施例5:
步骤一、将3mmol硝酸铜、1mmol硝酸铋、3mmol升华硫、2mmol还原型谷胱甘肽溶于80mL去离子水中制得溶液,调节溶液pH值至4;
步骤二、将上述溶液转移至水热反应釜中加热,控制温度为120℃,反应6h后,自然冷却至室温并以10000r/min的转速进行离心,将离心所得沉淀用去离子水和乙醇洗涤10次,干燥后,制得Cu3BiS3微/纳片。
实施例6:
步骤一、将3mmol硝酸铜、1mmol硝酸铋、9mmol硫脲、10mmol还原型谷胱甘肽溶于80mL去离子水中制得溶液,调节溶液pH值至7;
步骤二、将上述溶液转移至水热反应釜中加热,控制温度为120℃,反应36h后,自然冷却至室温并以15000r/min转速进行离心,将离心所得沉淀用去离子水和乙醇洗涤10次,干燥,制得Cu3BiS3微/纳片。
本发明的最佳实施例已阐明,由本领域普通技术人员做出的各种变化或改型都不会脱离本发明的范围。
Claims (7)
1.一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法,其特征是:包括以下步骤:步骤一、将含铜前驱体、含铋前驱体、含硫前驱体以及螯合剂溶于水中制得溶液;所述的含铜前驱体为硝酸铜、硫酸铜或乙酸铜;所述的含铋前驱体为硝酸铋或乙酸铋;所述的含硫前驱体为硫脲、硫代乙酰胺、升华硫或硫化纳;所述的螯合剂为还原型谷胱甘肽;步骤二、将步骤一中制得的溶液加热,反应完全后,冷却至室温并进行离心处理,将离心所得沉淀用水和乙醇进行洗涤,干燥,制得Cu3BiS3微/纳片。
2.根据权利要求1所述的一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法,其特征是:所述的步骤一得到溶液后,将溶液的pH值调节至4~10。
3.根据权利要求2所述的一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法,其特征是:所述的步骤一中,含铜前驱体与含铋前驱体摩尔比为3:1,含铜前驱体与含硫前驱摩尔比为0.1:1~10:1,所述的还原型谷胱甘肽的量为1~10mmol。
4.根据权利要求3所述的一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法,其特征是:所述的步骤二中的反应温度为90~300℃。
5.根据权利要求4所述的一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法,其特征是:所述的步骤二中的反应时间为10min~60h。
6.根据权利要求5所述的一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法,其特征是:所述的步骤二中的离心处理的转速至少为8000r/min。
7.根据权利要求6所述的一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法,其特征是:所述的步骤一中的水为去离子水。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510113184.7A CN104709941B (zh) | 2015-03-16 | 2015-03-16 | 一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510113184.7A CN104709941B (zh) | 2015-03-16 | 2015-03-16 | 一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104709941A CN104709941A (zh) | 2015-06-17 |
CN104709941B true CN104709941B (zh) | 2016-04-27 |
Family
ID=53409746
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510113184.7A Expired - Fee Related CN104709941B (zh) | 2015-03-16 | 2015-03-16 | 一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104709941B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105931848A (zh) * | 2016-05-23 | 2016-09-07 | 吉林大学 | 一种在FTO上原位水热生长Cu3BiS3敏化的TiO2氧化物薄膜、制备方法及其应用 |
CN105957920A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-09-21 | 长安大学 | 一种Cu3BiS3薄膜的制备方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105197993B (zh) * | 2015-08-06 | 2016-07-06 | 温州大学 | 一种二维片状Cu3BiS3的制备方法 |
CN105776330A (zh) * | 2016-03-28 | 2016-07-20 | 桂林理工大学 | 一种具有介孔结构的Cu3BiS3微米球的制备方法 |
CN106086788B (zh) * | 2016-08-10 | 2018-04-10 | 北京理工大学 | 一种制备铜铋硫薄膜的方法 |
CN108722428B (zh) * | 2018-06-04 | 2021-03-16 | 朱修齐 | 一种用于光催化降解有机物的复合材料及其应用 |
CN110711589A (zh) * | 2019-09-23 | 2020-01-21 | 惠州学院 | 一种Au-Cu3BiS3催化剂及其制备方法和应用 |
CN114573026B (zh) * | 2022-03-28 | 2024-03-22 | 金陵科技学院 | 一种铜铋硫纳米颗粒的制备方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103553130B (zh) * | 2013-10-30 | 2015-07-15 | 上海师范大学 | 一种Cu3BiS3三元硫属纳米材料及其制备方法 |
CN104310470B (zh) * | 2014-10-11 | 2016-06-08 | 东华大学 | 一种纳米Cu3BiS3六方盘的制备方法及其在癌症诊断治疗中的应用 |
-
2015
- 2015-03-16 CN CN201510113184.7A patent/CN104709941B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105931848A (zh) * | 2016-05-23 | 2016-09-07 | 吉林大学 | 一种在FTO上原位水热生长Cu3BiS3敏化的TiO2氧化物薄膜、制备方法及其应用 |
CN105931848B (zh) * | 2016-05-23 | 2018-04-06 | 吉林大学 | 一种在FTO上原位水热生长Cu3BiS3敏化的TiO2氧化物薄膜、制备方法及其应用 |
CN105957920A (zh) * | 2016-06-21 | 2016-09-21 | 长安大学 | 一种Cu3BiS3薄膜的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104709941A (zh) | 2015-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104709941B (zh) | 一种Cu3BiS3微/纳片的制备方法 | |
CN103451739B (zh) | 单晶硅片制绒添加剂及其使用方法 | |
Ramasamy et al. | Upconversion nanophosphors for solar cell applications | |
Akram et al. | Arrays of CZTS sensitized ZnO/ZnS and ZnO/ZnSe core/shell nanorods for liquid junction nanowire solar cells | |
CN103420411A (zh) | 一种超声辅助微波可控制备Cu2ZnSnS4纳米颗粒的方法 | |
CN101172642A (zh) | 一种花状纳米硫化镉的制备方法 | |
CN104743602A (zh) | 一种氧化锌纳米材料的水热合成方法以及氧化锌纳米材料 | |
CN104701138A (zh) | 一种CZTS(Se)纳米晶薄膜的制备方法 | |
TW201100330A (en) | Fabrication method for chalcopyrite powder | |
CN104233433B (zh) | 一种制备氧化亚铜薄膜的方法 | |
CN102503161A (zh) | 一种SnS纳米晶薄膜的制备方法 | |
Tseberlidis et al. | Semi-transparent Cu2ZnSnS4 solar cells by drop-casting of sol-gel ink | |
CN102249549A (zh) | 一种太阳能电池用铜铟硒光伏薄膜、粉体、涂料及制备方法 | |
CN104465810A (zh) | 具有上转换层的铜锌锡硫硒类薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
CN109728111A (zh) | 一种基于溴化铜制备高性能全无机钙钛矿太阳能电池的方法 | |
CN101239735B (zh) | 一种制备硫化镉纳米棒阵列的方法 | |
CN105502496A (zh) | 一种核壳结构二氧化钒/硫化锌复合粉体及其制备方法 | |
CN102888657B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池片制绒剂用添加剂 | |
CN109671787A (zh) | 一种无硒化过程非真空法制备的铜铟镓硒吸收层 | |
CN103950966A (zh) | 去角八面体结构的Cu2O、制备方法及在制备太阳能电池光阴极中的应用 | |
CN104037267B (zh) | 一种对铜锌锡硒薄膜太阳能电池吸收层改性的方法 | |
CN103819098A (zh) | 制备硫化亚锡纳米片阵列薄膜的方法 | |
CN103496736A (zh) | ZnS纳米晶薄膜、其制备方法及应用 | |
CN107248450A (zh) | 基于钛网的柔性量子点敏化太阳能电池的制备方法 | |
CN106129176A (zh) | 一种可控Cu掺杂位ZnSe/ZnS/L‑cys纳米晶的制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160427 Termination date: 20190316 |