CN104701394B - 一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1‑xSex)4薄膜 - Google Patents

一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1‑xSex)4薄膜 Download PDF

Info

Publication number
CN104701394B
CN104701394B CN201310660123.3A CN201310660123A CN104701394B CN 104701394 B CN104701394 B CN 104701394B CN 201310660123 A CN201310660123 A CN 201310660123A CN 104701394 B CN104701394 B CN 104701394B
Authority
CN
China
Prior art keywords
preferred orientation
layer
thin film
znsn
seed layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310660123.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104701394A (zh
Inventor
王吉宁
王飞
刘晓鹏
蒋利军
王树茂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
GRIMN Engineering Technology Research Institute Co Ltd
Original Assignee
Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals filed Critical Beijing General Research Institute for Non Ferrous Metals
Priority to CN201310660123.3A priority Critical patent/CN104701394B/zh
Publication of CN104701394A publication Critical patent/CN104701394A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104701394B publication Critical patent/CN104701394B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)

Abstract

本发明公开了一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1‑xSex)4薄膜，包括沉积在衬底表面的种子层、以及沉积在种子层之上的Cu2ZnSn(S1‑xSex)4层，其中0≤x≤1。其中，种子层具有择优取向，厚度为5～15nm；Cu2ZnSn(S1‑xSex)4层具有择优取向，厚度为0.1～2μm。种子层的材料为Cu2ZnSn(S1‑ xSex)4中所含金属元素的硫化物或硒化物。与现有技术相比，本发明选择与Cu2ZnSn(S1‑xSex)4晶格错配度低的材料在衬底与薄膜之间形成具有择优取向的种子层，而后在种子层上沉积Cu2ZnSn(S1‑xSex)4层，具有择优取向的种子层能够有效的控制Cu2ZnSn(S1‑xSex)4微观组织结构，诱发Cu2ZnSn(S1‑xSex)4择优取向生长，并提高其取向度。

Description

一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜
技术领域
本发明涉及一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜，属于薄膜太阳能电池领域。
背景技术
以薄膜作为太阳能电池的吸收层材料是降低电池成本的重要途径，作为已经商业化制备的薄膜太阳能电池，CdTe和Cu(In，Ga)(S，Se)2得到了迅速发展。2011年，两种太阳能电池的产能超过1GW，但是这两种电池中都含有稀有贵金属元素，Cd以及In和Ga，这无形中又增加了薄膜太阳能电池的制备成本，不利于可持续发展。因此，选择元素丰度高、无污染(少污染)的材料作为薄膜太阳能电池的吸收层材料就显得至关重要。
近年来，Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜太阳能电池成为各国研究的热点，Cu2ZnSn(S1- xSex)4用地壳中含量丰富的Zn和Sn取代Cu(In，Ga)(S，Se)2中的稀有贵金属In和Ga，极大降低了太阳能电池的制备成本，因此Cu2ZnSn(S1-xSex)4是一种可持续发展的薄膜太阳能电池吸收层材料。目前，Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜太阳能电池的效率得到显著提高，如2009年，Hironori katagiri[Hironori Katagiri，et al.，Thin Solid Films，517(2009)，2455-2460]等采用三靶共溅射并后续硫化技术，制备了效率达6.7％的Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池；2010年，Guo Q.J.[QijieGuo，et al.，J.Am.Chem.Soc.，132(2010)，17384-17386]等采用热注入法制备了Cu2ZnSn(S1-xSex)4纳米晶，而后通过刮刀涂布法制备了效率达7.2％的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜太阳能电池；2010年，Teodor K.[Teodor K.，et al.，Adv.Mater.，22(2010)，E156-E159]等采用液体悬浮涂覆法制备出效率达9.6％的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜太阳能电池；2012年，Takuya Kato[Takuya Kato，et al.，27thEuropean Photovoltaic SolarEnergy Conference and Exhibition(2012)，2236-2239]等采用真空蒸发技术，制备出面积5×5cm2的效率达9.2％的Cu2ZnSnS4薄膜太阳能电池；2012年，D.Aaron.R.[D.Aaron R.etal.，Prog.Photovolt：Res.Appl.，20(2012)，6-11]等通过旋涂Cu2ZnSn(S1-xSex)4浆料的方法制备出效率达10.1％的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜太阳能电池；2013年，Teodor K.[TeodorK.et al.，Adv.Energy Mater.，3(2013)，34-38]等采用液体悬浮涂覆法制备出效率超过11％的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜太阳能电池。这些成果的取得，昭示出Cu2ZnSnS4薄膜太 阳能电池的应用可行性。
薄膜中如果某一晶面取向分布概率的极大值位于薄膜表面方向，则薄膜具有该晶面的择优取向。在薄膜生长过程中，薄膜通常处于各向异性场的作用下，所以薄膜中往往存在结晶择优取向，可以认为择优取向是薄膜的内在属性。薄膜择优取向与衬底诱发及薄膜生长过程等因素密切相关，影响薄膜择优取向形成的因素包括：衬底诱发、表面能最低、薄膜材料与衬底热膨胀系数差异等。在薄膜材料中，在衬底与薄膜之间制备种子层，通过种子层改变衬底的表面性质，能够有效的诱发薄膜的取向生长。如有文献报道，种子层能够控制锆钛酸铅薄膜(100)和(111)择优取向的形成，同时，由于择优取向的强烈各向异性，薄膜择优取向会对薄膜性能产生重要影响[Chi Q.G.et al.，Script Materialia，60(2009)，218-220]。
对于薄膜太阳能电池，控制吸收层的择优取向有利于优化电池表现，具体体现在以下三个方面：首先，当吸收层具有择优取向时，吸收层会呈现柱状晶生长，这样一来，载流子在输运过程中就可以不经过晶界，从而避免载流子在晶界处的复合，提高电池效率；其次，不同择优取向对载流子的输运影响作用不同，适当的择优取向可以进一步降低载流子的复合概率，从而提高转换效率，如，Hanna[G.Hanna et al.，Appl.Phys.A，82(2005)，1-7]等调查了不同取向的Cu(In，Ga)Se2吸收层薄膜，发现(220／204)择优取向会产生更高的电池效率，电池效率的提高是由于特殊的晶界带有负或中性电荷，负电荷和中性电荷有利于减少电子的活性，从而减少载流子的复合；最后，半导体的各向异性光吸收与结构有关，这点可以用来提高半导体的光伏和光电化学表现。但是，在Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜太阳能电池中，文献中报道的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜取向度通常较低，并且报道的择优取向类型也较单一，因此，有必要采用种子层诱导Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜择优取向生长，并提高Cu2ZnSn(S1- xSex)4薄膜取向度，以便更清晰的理解择优取向对Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜太阳能电池性能的影响机理。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜，包括沉积在衬底表面的种子层、以及沉积在种子层之上的Cu2ZnSn(S1-xSex)4层，其中0≤x≤1。
其中，所述种子层具有择优取向，种子层过厚有可能严重改变 Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜的成分，必须将种子层厚度控制在较薄的范围内，因此，本发明中种子层的厚度控制在5～15nm。Cu2ZnSn(S1-xSex)4层在具有择优取向的种子层的诱导作用下也具有择优取向，种子层的诱导作用随Cu2ZnSn(S1-xSex)4层厚度增加，效果逐渐减弱，必须将Cu2ZnSn(S1-xSex)4层厚度控制在一定范围内，因此，本发明中Cu2ZnSn(S1-xSex)4层的厚度控制在0.1～2μm。
其中，种子层的材料为Cu2ZnSn(S1-xSex)4中所含金属元素的硫化物或硒化物。其中，硫化物可以选择立方结构的ZnS、Cu2S、CuS2或Cu3SnS4。硒化物可以选择立方结构的ZnSe、Cu2Se、Cu2SnSe3或Cu2SnSe4。选择上述种子层主要出于以下两点原因：第一、种子层诱发薄膜择优取向生长主要是通过晶格匹配作用来实现的，上述种子层是立方相材料，晶格常数a=b=c，Cu2ZnSn(S1-xSex)4是四方相材料，晶格常数a’=b’≈0.5c’，并且，通过比较可知，种子层晶格常数a和b近似等于Cu2ZnSn(S1-xSex)4晶格常数a’和b’，c≈0.5c’，a、b和c与a’、b’和0.5c’的错配度基本在[-5％，5％]范围内，错配度较低，即种子层晶格排布与四方相Cu2ZnSn(S1-xSex)4晶格排布类似，这样，具有择优取向的种子层才能够诱发Cu2ZnSn(S1- xSex)4薄膜择优取向生长，并提高薄膜的取向度；第二、上述材料中所含元素均为Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜中所含元素，这样便不会在薄膜中引入杂质元素，从而避免产生不必要的负面作用。
在本发明中，所使用的衬底为玻璃衬底、石英衬底、硅衬底或不锈钢衬底，或者为镀有Mo层、ITO(氧化铟锡)层或FTO(掺氟二氧化锡)层的玻璃衬底、石英衬底、硅衬底、不锈钢衬底。
本发明的优点在于：
本发明选择与Cu2ZnSn(S1-xSex)4晶格错配度低的材料在衬底与薄膜之间形成具有择优取向的种子层，而后在种子层上沉积Cu2ZnSn(S1-xSex)4层，具有择优取向的种子层能够有效的控制Cu2ZnSn(S1-xSex)4微观组织结构，诱发Cu2ZnSn(S1-xSex)4择优取向生长，并提高其取向度。
附图说明
图1为具有择优取向的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
如图1所示，本发明的具有择优取向的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜，包括沉积在衬底1表面的种子层2、以及沉积在种子层2之上的Cu2ZnSn(S1-xSex)4层3。其中，种子层具有择优取向，厚度为5～15nm；Cu2ZnSn(S1-xSex)4层具有择优取向， 厚度为0.1～2μm。
实施例1
本实施例的具有择优取向的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜，衬底选用Si(100)基片，种子层为(111)取向的ZnS层，厚度为10nm，Cu2ZnSnS4(x=0)层为(112)择优取向，厚度为2μm。
该薄膜的制备方法包括如下步骤：
步骤1：衬底清洗及表面处理：
依序使用去离子水、丙酮及无水乙醇分别对Si(100)基片进行超声清洗，清洗时间为10min，用氮气枪吹掉衬底表面残存的乙醇；对衬底进行氧等离子体表面处理，处理时间为10min；将氧等离子体处理好的衬底放入真空储存干燥器中备用。
步骤2：种子层制备：
采用化学气相沉积法制备10nm厚(111)择优取向的ZnS薄膜。系统背底真空抽至2.7×10-5Pa，用二甲基二硫代氨基甲酸锌Zn[S2CN(CH3)2]2作为前驱体，前驱体Zn[S2CN(CH3)2]2分压为2×10-3Pa，将衬底加热至450℃，沉积5min。
步骤3：Cu2ZnSn(S1-xSex)4层制备：
采用磁控溅射制备2μm厚具有(112)择优取向的Cu2ZnSnS4(x=0)层。背底真空度为6×10-5Pa，采用CuSn(Cu：66％at.，Sn：34％at.)合金靶以及Zn靶制备薄膜，靶的直径为60mm，厚度为4mm，靶基距为100mm，衬底转速为5转／分，CuSn合金靶的功率为180W，Zn靶的溅射功率为165W，以H2S作为硫化气体，气体流量为20sccm，溅射气压为0.65Pa，衬底温度为300℃，溅射时间为60min。
实施例2
本实施例的具有择优取向的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜，衬底选用ITO涂覆的钠钙玻璃基片，种子层为(200)取向的ZnS层，厚度为8nm，Cu2ZnSnS4(x=0)层为(200)择优取向，厚度为1μm。
该薄膜的制备方法包括如下步骤：
步骤1：衬底清洗及表面处理：
依序使用去离子水、丙酮及无水乙醇分别对ITO涂覆的钠钙玻璃基片进行超声清洗，清洗时间为10min，用氮气枪吹掉衬底表面残存的乙醇；对衬底进行氧等离子体表面处理，处理时间为10min；将氧等离子体处理好的衬底放入真空储存干燥器中备用。
步骤2：种子层制备：
采用脉冲电沉积法制备8nm厚(200)择优取向的ZnS薄膜。电解液中包含7.5mmol／L的ZnSO4·7H2O、3mmol／L的Na2S2O3以及3mmol／L的Na3C6H5O7·2H2O，其中Na3C6H5O7·2H2O是螯合剂，使用稀释的硫酸调节电解液的pH值至4.1，在工作电极上沉积ZnS薄膜，衬底温度为90℃，以饱和甘汞为参比电极，以Pt片为对电极，以ITO涂覆的钠钙玻璃衬底作为工作电极，在沉积过程中，与参比电极相比，施加在工作电极上的脉冲电势，在-1.2V持续10s，在-0.8V持续5s，沉积时间为3min。
步骤3：Cu2ZnSn(S1-xSex)4层制备：
采用磁控溅射制备1μm厚具有(200)择优取向的Cu2ZnSnS4(x=0)层。背底真空为7×10-5Pa，采用CuSn(Cu：66％at.，Sn：34％at.)合金靶以及Zn靶制备薄膜，靶材直径为60mm，厚度为4mm，靶基距为80mm，衬底转速为5转／分，CuSn合金靶的功率为80W，Zn靶的溅射功率为73W，以H2S作为硫化气体，气体流量为10sccm，溅射气压为0.32Pa，衬底温度为450℃，溅射时间120min。
实施例3
本实施例中一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜，衬底选用Mo涂覆的钠钙玻璃基片，种子层为(111)取向的ZnSe层，厚度为5nm，Cu2ZnSn(S0.48Se0.52)4(x=0.52)层为(112)择优取向，厚度为0.1μm。
该薄膜的制备方法包括如下步骤：
步骤1：衬底清洗及表面处理：
依序使用去离子水、丙酮及无水乙醇分别对Mo涂覆的钠钙玻璃基片进行超声清洗，清洗时间为10min，用氮气枪吹掉衬底表面残存的乙醇；对衬底进行氧等离子体表面处理，处理时间为10min；将氧等离子体处理好的衬底放入真空储存干燥器中备用。
步骤2：种子层制备：
采用射频磁控溅射法制备5nm厚(111)择优取向的ZnSe薄膜。背底真空为8×10- 4Pa，靶材为ZnSe靶，靶直径为60mm，靶基距为65mm，溅射功率为50W，溅射气压为0.4Pa，衬底温度为400℃，溅射时间1min。
步骤3：Cu2ZnSn(S1-xSex)4层制备：
采用脉冲激光沉积技术制备0.1μm厚具有(112)择优取向的Cu2ZnSn(S0.48Se0.52)4(x=0.52)层。背底真空2.0×10-4Pa，靶材是Cu2ZnSn(S0.50Se0.50)4(x=0.50)片，靶基距是45mm，KrF准分子激光脉冲，波长248nm，脉冲持续时间30ns，脉冲能量密度2J／cm2，重复频率5Hz，Ar气压9Pa， 衬底温度400℃，沉积10min。
实施例4
本实施例的具有择优取向的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜，衬底选用钠钙玻璃基片，种子层为(111)取向的ZnSe层，厚度为15nm，Cu2ZnSnSe4(x=1)层为(112)择优取向，厚度为1.5μm。
该薄膜的制备方法包括如下步骤：
步骤1：衬底清洗及表面处理：
依序使用去离子水、丙酮及无水乙醇分别对钠钙玻璃基片进行超声清洗，清洗时间为10min，用氮气枪吹掉衬底表面残存的乙醇；对衬底进行氧等离子体表面处理，处理时间为10min；将氧等离子体处理好的衬底放入真空储存干燥器中备用。
步骤2：种子层制备：
采用真空蒸发技术制备了15nm厚(111)择优取向的ZnSe种子层。背底真空6×10- 4Pa，蒸发材料为ZnSe，衬底温度为350℃，衬底和蒸发源之间的距离为25em，电流为150A，沉积1min。
步骤3：Cu2ZnSn(S1-xSex)4层制备：
采用共蒸发技术制备1.5μm厚具有(112)择优取向的Cu2ZnSnSe4(x=1)层。背底真空是4×10-4Pa，蒸发源是Cu、Sn、ZnSe和Se，衬底温度为350℃，衬底转速是8转／分，沉积1小时。沉积结束后，薄膜在450℃下硒化1小时。

Claims (2)

1.一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜，其特征在于，包括沉积在衬底表面的种子层、以及沉积在种子层之上的Cu2ZnSn(S1-xSex)4层，其中0≤x≤1；所述种子层具有择优取向，厚度为5～15nm；所述Cu2ZnSn(S1-xSex)4层具有择优取向，厚度为0.1～2μm；所述种子层的材料为Cu2ZnSn(S1-xSex)4中所含金属元素的硫化物或硒化物；所述硫化物为立方结构的ZnS、Cu2S、CuS2或Cu3SnS4；所述硒化物为立方结构的ZnSe、Cu2Se、Cu2SnSe3或Cu2SnSe4。
2.根据权利要求1所述的具有择优取向的Cu2ZnSn(S1-xSex)4薄膜，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底、石英衬底、硅衬底或不锈钢衬底，或者为镀有Mo层、ITO层或FTO层的玻璃衬底、石英衬底、硅衬底、不锈钢衬底。
CN201310660123.3A 2013-12-09 2013-12-09 一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1‑xSex)4薄膜 Active CN104701394B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310660123.3A CN104701394B (zh) 2013-12-09 2013-12-09 一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1‑xSex)4薄膜

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310660123.3A CN104701394B (zh) 2013-12-09 2013-12-09 一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1‑xSex)4薄膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104701394A CN104701394A (zh) 2015-06-10
CN104701394B true CN104701394B (zh) 2017-02-15

Family

ID=53348320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310660123.3A Active CN104701394B (zh) 2013-12-09 2013-12-09 一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1‑xSex)4薄膜

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104701394B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104979429B (zh) * 2015-06-11 2016-10-05 岭南师范学院 一种微米级球形铜锌锡硫硒单晶颗粒的制备方法
CN104952979B (zh) * 2015-06-11 2016-09-14 岭南师范学院 一种微米级球形铜锌锡硫单晶颗粒的制备方法及其单晶颗粒和应用
CN107704676B (zh) * 2017-09-28 2019-12-13 中国建筑材料科学研究总院 金属氧化物界面调控的方法
CN111276597B (zh) * 2020-02-17 2024-01-19 上海大学 Ag掺杂Cu2SnSe4热电材料及降低Cu基热电材料热导率的方法
CN114384131B (zh) * 2021-10-13 2022-10-21 河海大学 一种全固态z型异质结的制备方法及应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013022234A2 (en) * 2011-08-08 2013-02-14 Korea Institute Of Energy Research Method of manufacturing czt(s,se)-based thin film for solar cell and czt(s,se)-based thin film manufactured thereby
CN103378214A (zh) * 2012-04-28 2013-10-30 光洋应用材料科技股份有限公司 堆叠式铜锌锡硒硫薄膜太阳能电池及其制作方法
CN103403851A (zh) * 2011-03-10 2013-11-20 法国圣戈班玻璃厂 制备五元化合物半导体CZTSSe的方法和薄膜太阳能电池

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103403851A (zh) * 2011-03-10 2013-11-20 法国圣戈班玻璃厂 制备五元化合物半导体CZTSSe的方法和薄膜太阳能电池
WO2013022234A2 (en) * 2011-08-08 2013-02-14 Korea Institute Of Energy Research Method of manufacturing czt(s,se)-based thin film for solar cell and czt(s,se)-based thin film manufactured thereby
CN103378214A (zh) * 2012-04-28 2013-10-30 光洋应用材料科技股份有限公司 堆叠式铜锌锡硒硫薄膜太阳能电池及其制作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Investigation of Se supply for the growth of Cu2ZnSn(SxSe1-x)(4) (x approximate to 0.02-0.05) thin films for photovoltaics;Ge, J et al.;《APPLIED SURFACE SCIENCE》;20120418;第258卷(第20期);摘要、2-4节 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN104701394A (zh) 2015-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5730852A (en) Preparation of cuxinygazsen (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2, N=0-3) precursor films by electrodeposition for fabricating high efficiency solar cells
CN100452446C (zh) 一种脉冲电沉积铜铟镓硒半导体薄膜材料的方法
CN104701394B (zh) 一种具有择优取向的Cu2ZnSn(S1‑xSex)4薄膜
CN102569508B (zh) 一种纳米线阵列结构薄膜太阳能光伏电池及其制备方法
JP4098330B2 (ja) 太陽電池とその製造方法
CN101789469B (zh) 铜铟镓硒硫薄膜太阳电池光吸收层的制备方法
CN102254998B (zh) 无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其硫化锌缓冲层薄膜的制备方法
CN101824638B (zh) 一种电化学沉积铜锌锡硒半导体薄膜材料的方法
KR101172952B1 (ko) 황화나트륨을 이용한 유연 ｃｉｇｓｓ 박막태양전지 제조 및 제조방법
CN103762257B (zh) 铜锌锡硫吸收层薄膜及铜锌锡硫太阳能电池的制备方法
CN102694068A (zh) 一种铜铟镓硒薄膜表面修饰的方法
CN110112062A (zh) IIIA族元素掺杂CdS的CZTS太阳电池制备方法
CN104716217A (zh) 一种掺钠铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法
CN102270699A (zh) 无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其硫化锌缓冲层薄膜的制备方法
CN204315592U (zh) 一种化合物薄膜太阳能电池
CN102637755A (zh) 一种纳米结构czts薄膜光伏电池及其制备方法
CN105405904A (zh) 一种控制铜铟镓金属预制层在高温硒化过程中钼和硒反应的方法及铜铟镓硒薄膜太阳能电池
CN106653897A (zh) 一种铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池及其制备方法
CN102437237A (zh) 黄铜矿型薄膜太阳能电池及其制造方法
CN106910797A (zh) 氧化锌基底诱导取向生长硒化锑薄膜的方法
CN104993018A (zh) 控制cigs薄膜中钠含量的方法、太阳能电池及结构
CN102916060B (zh) 一种硅基薄膜太阳电池及其制备方法
CN105470113A (zh) 一种CZTSSe薄膜太阳电池吸收层的制备方法
CN105047736B (zh) 一种铜铟镓硒薄膜太阳电池无镉缓冲层材料的制备方法
KR100625082B1 (ko) 용액 성장법을 이용한 Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ₂ 또는Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）₂ 박막 태양전지용 인듐옥시하이드로옥사이드 설파이드 버퍼층 제조방법 및이로부터 제조되는 태양전지

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20190626

Address after: 101407 No. 11 Xingke East Street, Yanqi Economic Development Zone, Huairou District, Beijing

Patentee after: Research Institute of engineering and Technology Co., Ltd.

Address before: No. 2, Xinjie street, Xicheng District, Beijing, Beijing

Patentee before: General Research Institute for Nonferrous Metals

TR01 Transfer of patent right