CN104679092A - 宽电源电压的过温迟滞保护电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种宽电源电压的过温迟滞保护电路，由启动电路模块、I_PTAT电流产生电路模块、基准电压模块、过温检测模块以及级联反相器模块所组成，其中，启动电路模块的输出电流提供给I_PTAT电流产生电路模块的输入端，I_PTAT电流产生电路模块的输出电压提供给基准电压模块的输入端和过温检测模块的输入端V₁，基准电压模块的输出V_ref提供给过温检测模块的输入端V₂和启动电路模块的输入端，过温检测模块的输出电压提供给级联反相器模块的输入端；级联反相器模块的输出电压V₃提供给过温检测模块的输入端V₄；本发明使电压基准模块和过温检测模块能够精确的镜像I_PTAT电流，减小它们之间电流的误差，使跳变的温度几乎没有偏移，提高电源电压的输入范围。

Description

宽电源电压的过温迟滞保护电路

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，具体为一种适用于宽电源电压的过温迟滞保护电路。

背景技术

过温保护(Over-Temperature-Protection，OTP)电路作为现代电源管理芯片中不可或缺组成部分，其特点在于工作过程中如果电路温度超过阈值T_H，电路产生一个关断功率管等器件的信号；当温度恢复到T_L,电路产生一个开启功率管的信号。OTP电路的主要技术指标包括：电源电压范围、热振荡性等。

图1是一种现有的OTP电路结构。其中M₁-M₄、Q₀、Q₁、以及电阻R₀构成一个与绝对温度成正比(Proportional To Absolute Temperature，PTAT)的电流产生电路。M₅、R₁以及Q₃构成基准电压电路；M₆、M₇、R₂、R₃以及电压比较器COMP构成过温检测电路；最后两个模块是反相器。

这种电路结构存在三个缺点：第一，该电路缺少启动电路。如果由于某种原因M1的栅极电压为高电平，M₃的栅极电压为低电平，那么整个电路则无法正常的工作。第二，所产生的PTAT电流随温度线性不够好。因为在流片时每个MOS管不可能完全匹配，会存在一定的失配，这使得MOS管的阈值电压略微不同；为了使得流过M₃和M₄的电流相等，根据MOS管工作在饱和区的电流公式：

$I_D=\frac{1}{2}{\mathrm{UC}}_{\mathrm{OX}}\frac{W}{L}{(V_{\mathrm{GS}}-V_{\mathrm{TH}})}^2(1+{\mathrm{\λV}}_{\mathrm{DS}})---\left(1\right)$

可知它们的栅源电压就不相等，而它们有相同的栅极电压，所以它们的源极电压就不相等，这会导致由Q₀和Q₁、R₀所产生的PTAT电流随温度线性性不够好。第三，M₂和M₅以及M₂和M₆构成的电流镜精度不高。虽然M₂、M₅以及M₆有相同的栅源电压，但是它们的漏极电压并不相同，根据MOS管工作在饱和区的电流公式(1)知，流过M₂、M₅以及M₆的电流并不相等。这会导致在不同电源电压下它的跳变温度不够稳定。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种宽电源电压的过温迟滞保护电路，由启动电路模块、I_PTAT电流产生电路模块、基准电压模块、过温检测模块以及级联反相器模块所组成，其中，启动电路模块的输出电流提供给I_PTAT电流产生电路模块的输入端，I_PTAT电流产生电路模块的输出电压提供给基准电压模块的输入端和过温检测模块的输入端V₁，基准电压模块的输出V_ref提供给过温检测模块的输入端V₂和启动电路模块的输入端，过温检测模块的输出电压提供给级联反相器模块的输入端；级联反相器模块的输出电压V₃提供给过温检测模块的输入端V₄。

作为优选方式，所述启动电路模块由MOS管M₀、M₁、M₂管所组成，其中，MOS管M₀的源端接电源Vdd，MOS管M₀栅极接MOS管M₁的栅极，MOS管M₀漏极接MOS管M₁的漏极，MOS管M₁源极接地GND，MOS管M₁漏极接MOS管M₂的栅极，MOS管M₂的源极接地GND，MOS管M₂的漏极接I_PTAT电流产生电路模块的输入端。

作为优选方式，所述I_PTAT电流产生电路模块由MOS管M₃、M₄、M₅、M₆和电阻R₀以及晶体管Q₀、Q₁和运算放大器A₀所构成，其中，MOS管M₃的源极接电源Vdd，MOS管M₃的栅极接MOS管M₄的栅极，MOS管M₃的漏极接MOS管M₅的漏极，MOS管M₄的源极接电源Vdd，MOS管M₄的栅极接MOS管M₆的漏极，MOS管M₄的栅极接启动电路模块电流输出端，MOS管M₄的漏极接MOS管M₆的漏极，MOS管M₅的源极接晶体管Q₁的发射极，MOS管M₅的栅极接放大器A₀的输出，MOS管M₆的源极接电阻R₀的上端，MOS管M₆的栅极接放大器A₀的输出，放大器A₀的同相输入端接电阻R₀的上端，反相输入端接晶体管Q₀的发射极，放大器A₀的输出端接MOS管M₅的栅极，电阻R₀的下端接晶体管Q₁的发射极，晶体管Q₁的基极接地GND，晶体管Q₁的集电极接地GND，晶体管Q₀的基极接地GND，晶体管Q₀的集电极接地GND。

作为优选方式，所述基准电压模块由MOS管M₇、M₉和电阻R₁、晶体管Q₃以及运算放大器A₁所构成，其中，MOS管M₇的源极接电源Vdd，MOS管M₇的栅极接I_PTAT电流产生电路模块的输出电压V₁，MOS管M₇的漏极接MOS管M₉的源极，MOS管M₉的栅极接运算放大器A₁的输出，MOS管M₉的漏极接电阻R₁的上端，电阻R₁的下端接晶体管Q₃的发射极，晶体管Q₃的基极接地GND，晶体管Q₃的集电极接地GND，运算放大器A₁的同相输入端+接MOS管M₇的栅极，运算放大器A₁的反相输入端-接MOS管M₉的源极，运算放大器A₁的输出端接MOS管M₉的栅极。

作为优选方式，所述过温检测模块由MOS管M₈、M₁₀、M₁₃和电阻R₂、R₃、运算放大器A₂以及电压比较器COMP，其中，MOS管M₈的源极接电源Vdd，MOS管M₈的栅极接I_PTAT电流产生电路模块的电压输出端，MOS管M₈的漏极接MOS管M₁₀的源极，MOS管M₁₀的栅极接放大器A₂的输出，MOS管M₁₀的漏极接电阻R₂的上端，电阻R₂的下端接电阻R₃的上端，电阻R₃的上端接MOS管M₁₃的漏极，电阻R₃的下端接地GND，MOS管M₁₃的源极接地GND，MOS管M₁₃的栅极接级联反相器模块的输出电压端V₃，运算放大器A₂的同相输入端接MOS管M₈栅极，反相输入端接MOS管M₈的漏极，输出端接MOS管M₁₀的栅极，比较器COMP的同相输入端接MOS管M₁₀的漏极，反相输入端接基准电压模块的输出V_ref，输出端Vout接级联反相器模块的输入端。

作为优选方式，所述级联反相器模块由MOS管M₁₁、M₁₂、M₁₄、M₁₅管所组成，其中，MOS管M₁₁的源极接电源Vdd，MOS管M₁₁的栅极接过温检测模块的输出端，MOS管M₁₁的漏极接MOS管M₁₅的漏极，MOS管M₁₅的源极接地GND，MOS管M₁₅的栅极接过温检测模块的输出端，MOS管M₁₂的源极接电源Vdd，MOS管M₁₂的栅极接MOS管M₁₁的漏极，MOS管M₁₂的漏极接MOS管M₁₄的漏极，MOS管M₁₄的源极接地GND，MOS管M₁₄的栅极接MOS管M₁₁的漏极。

现有通用的OTP电路在不同电源电压下仿真结果如下表：

表1一种通用OTP电路在不同电源电压下仿真结果

电源电压Vdd(V)	上跳温度TH(℃)	下跳温度TL(℃)
			4.5	110	94
5	109	92
			5.5	108	88

本发明的保护电路的仿真结果图见图6，从图6中可知，在较大电源电压范围内，当温度达到120°时产生关断信号，当温度恢复到100°时产生开启信号，实现对整个电路保护的目的，从仿真结果看电源电压从2-4V变化时跳变温度的变化量都在2℃之内；而表1的电源电压从4.5-5.5V变化时，其跳变温度的变化量甚至达到6℃，很明显本发明提高了电源电压的范围以及稳定了跳变温度。

如上所述，本发明具有以下有益效果：本发明通过采用钳位后的电流镜，使得电压基准模块和过温检测模块能够精确的镜像I_PTAT电流，减小它们之间电流的误差，从而使得跳变的温度几乎没有偏移，进而提高电源电压的输入范围。

附图说明

图1为一种现有的OTP电路结构图。

图2为本发明的宽电源电压过温迟滞保护电路方框图。

图3为本发明的宽电源电压过温迟滞保护电路的结构图。

图4为本发明中运算放大器A₀、A_1、A₂的电路结构图。

图5为本发明中比较器COMP的电路结构图。

图6为本发明的宽电源电压过温迟滞保护电路的仿真结果图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

如图所示2，本发明提供一种宽电源电压的过温迟滞保护电路，由启动电路模块、I_PTAT电流产生电路模块、基准电压模块、过温检测模块以及级联反相器模块所组成，其中，启动电路模块的输出电流提供给I_PTAT电流产生电路模块的输入端，I_PTAT电流产生电路模块的输出电压提供给基准电压模块的输入端和过温检测模块的输入端V₁，基准电压模块的输出V_ref提供给过温检测模块的输入端V₂和启动电路模块的输入端，过温检测模块的输出电压提供给级联反相器模块的输入端；级联反相器模块的输出电压V₃提供给过温检测模块的输入端V₄。

如图3所示，所述启动电路模块由MOS管M₀、M₁、M₂管所组成，其中，MOS管M₀的源端接电源Vdd，MOS管M₀栅极接MOS管M₁的栅极，MOS管M₀漏极接MOS管M₁的漏极，MOS管M₁源极接地GND，MOS管M₁漏极接MOS管M₂的栅极，MOS管M₂的源极接地GND，MOS管M₂的漏极接I_PTAT电流产生电路模块的输入端。

如图3所示，所述I_PTAT电流产生电路模块由MOS管M₃、M₄、M₅、M₆和电阻R₀以及晶体管Q₀、Q₁和运算放大器A₀所构成。其中，MOS管M₃的源极接电源Vdd，MOS管M₃的栅极接MOS管M₄的栅极，MOS管M₃的漏极接MOS管M₅的漏极，MOS管M₄的源极接电源Vdd，MOS管M₄的栅极接MOS管M₆的漏极，MOS管M₄的栅极接启动电路模块电流输出端，MOS管M₄的漏极接MOS管M₆的漏极，MOS管M₅的源极接晶体管Q₁的发射极，MOS管M₅的栅极接放大器A₀的输出，MOS管M₆的源极接电阻R₀的上端，MOS管M₆的栅极接放大器A₀的输出，放大器A₀的同相输入端接R₀的上端，反相输入端接晶体管Q₀的发射极，放大器A₀的输出端接MOS管M₅的栅极，电阻R₀的下端接晶体管Q₁的发射极，晶体管Q₁的基极接地GND，晶体管Q₁的集电极接地GND，晶体管Q₀的基极接地GND，晶体管Q₀的集电极接地GND。

如图3所示，所述基准电压模块由MOS管M₇、M₉和电阻R₁、晶体管Q₃以及运算放大器A₁所构成，其中，MOS管M₇的源极接电源Vdd，MOS管M₇的栅极接I_PTAT电流产生电路模块的输出电压V₁，MOS管M₇的漏极接MOS管M₉的源极，MOS管M₉的栅极接运算放大器A₁的输出，MOS管M₉的漏极接电阻R₁的上端，电阻R₁的下端接晶体管Q₃的发射极，晶体管Q₃的基极接地GND，晶体管Q₃的集电极接地GND，运算放大器A₁的同相输入端接MOS管M₇的栅极，运算放大器A₁的反相输入端接MOS管M₉的源极，运算放大器A₁的输出端接MOS管M₉的栅极。

如图3所示，所述过温检测模块由MOS管M₈、M₁₀、M₁₃和电阻R₂、R₃、运算放大器A₂以及电压比较器COMP，其中，MOS管M₈的源极接电源Vdd，MOS管M₈的栅极接I_PTAT电流产生电路模块的电压输出端，MOS管M₈的漏极接MOS管M₁₀的源极，MOS管M₁₀的栅极接放大器A₂的输出，MOS管M₁₀的漏极接电阻R₂的上端。电阻R₂的下端接电阻R₃的上端，电阻R₃的上端接MOS管M₁₃的漏极，电阻R₃的下端接地GND，MOS管M₁₃的源极接地GND，MOS管M₁₃的栅极接级联反相器模块的输出电压端V₃，运算放大器A₂的同相输入端接MOS管M₈栅极，反相输入端接MOS管M₈的漏极，输出端接MOS管M₁₀的栅极，比较器COMP的同相输入端接MOS管M₁₀的漏极，反相输入端接基准电压模块的输出V_ref，输出端Vout接级联反相器模块的输入端。

如图3所示，所述级联反相器模块由MOS管M₁₁、M₁₂、M₁₄、M₁₅管所组成，其中，MOS管M₁₁的源极接电源Vdd，MOS管M₁₁的栅极接过温检测模块的输出端，MOS管M₁₁的漏极接MOS管M₁₅的漏极，MOS管M₁₅的源极接地GND，MOS管M₁₅的栅极接过温检测模块的输出端，MOS管M₁₂的源极接电源Vdd，MOS管M₁₂的栅极接MOS管M₁₁的漏极，MOS管M₁₂的漏极接MOS管M₁₄的漏极，MOS管M₁₄的源极接地GND，MOS管M₁₄的栅极接MOS管M₁₁的漏极。。

如图4所示，所述运算放大器A_0、A_1、A₂由MOS管M₁₆-M₂₆、电阻R₄以及电容C₀所组成。其中，MOS管M₁₆的源极接电源Vdd，MOS管M₁₆的栅极接MOS管M₁₇的源极，MOS管M₁₆的漏极接MOS管M₁₇的源极，MOS管M₁₇的栅极接MOS管M₁₈的源极，MOS管M₁₇的漏极接MOS管M₁₈的源极，MOS管M₁₈的栅极接MOS管M₁₈的漏极，MOS管M₁₈的漏极电阻R₄的上端，电阻R₄的上端同时接MOS管M₂₄的栅极和MOS管M₂₆的栅极，下端接MOS管M₁₉的漏端，MOS管M₁₉的源极接地GND，MOS管M₁₉的栅极接MOS管M₁₉的漏极，MOS管M₂₄的源极接地GND，MOS管M₂₄的漏极接MOS管M₂₂和MOS管M₂₃的源极，MOS管M₂₂的栅极作为反相输入Vin-，MOS管M₂₂的漏极接MOS管M₂₀的漏极，MOS管M₂₃的栅极作为同相输入Vin+，MOS管M₂₃的漏极接MOS管M₂₁的漏极，MOS管M₂₀的源极接电源Vdd，MOS管M₂₀的栅极接MOS管M₂₂的漏极，MOS管M₂₁的源极接电源Vdd，栅极接MOS管M₂₀的栅极，电容C₀的上端接MOS管M₂₁的漏极，电容C₀的下端接MOS管M₂₅的漏极，MOS管M₂₅的源极接电源Vdd，MOS管M₂₅的栅极接MOS管M₂₁的漏极，MOS管M₂₅的漏极接MOS管M₂₆的漏极，MOS管M₂₆的源极接地GND。

如图5所示，所述电压比较器COMP由MOS管M₂₇-M₃₇以及电阻R₅所组成，其中，MOS管M₂₇的源极接电源Vdd，MOS管M₂₇的栅极接MOS管M₂₈的源极，MOS管M₂₇的漏极接MOS管M₂₈的源极，MOS管M₂₈的栅极接MOS管M₂₉的源极，MOS管M₂₈的漏极接MOS管M₂₉的源极，MOS管M₂₉的栅极接MOS管M₂₉的漏极，MOS管M₂₉的漏极接电阻R₅的上端，电阻R₅的上端接MOS管M₃₅的栅极，电阻R₅的下端接MOS管M₃₀的漏极，MOS管M₃₀的源极接地GND，MOS管M₃₀的栅极接MOS管M₃₀的漏极，MOS管M₃₅的源极接地GND，MOS管M₃₅的栅极接MOS管M₂₉的漏极，MOS管M₃₅的漏极接MOS管M₃₃的源极，MOS管M₃₃的栅极作为反相输入Vin-，MOS管M₃₃的漏极接MOS管M₃₁的漏极，MOS管M₃₄的源极接MOS管M₃₅的漏极，MOS管M₃₄的栅极作为同相输入Vin+，MOS管M₃₄的漏极接MOS管M₃₂的漏极，MOS管M₃₁的源极接电源Vdd，MOS管M₃₁的栅极接MOS管M₃₃的漏极，MOS管M₃₂的源极接电源Vdd，MOS管M₃₂的栅极接MOS管M₃₁的栅极，漏极接MOS管M₃₆的栅极，MOS管M₃₆的源极接电源Vdd，MOS管M₃₆的漏极接MOS管M₃₇的漏极，MOS管M₃₇的源极接地GND，MOS管M₃₇的栅极接MOS管M₂₉的漏极。

图2是本发明电路的方框图。由于OTP电路电源电压的输入范围和I_PTAT电流产生电路以及电流镜像电路的精确度有关。所以，为了提高I_PTAT电流的精度，如图3所示，采用一个运算放大器A₀对PTAT电流产生电路的M₅和M₆的源极进行钳位，从而可以产生一个与电源电压无关的与绝对温度成正比的电流。

V_EB1＝V_EB0+R₀I_PTAT                (2)

$\begin{array}{c}{I}_{\mathrm{PTAT}}=\frac{V_{\mathrm{EB}1}-V_{\mathrm{EB}0}}{R_0}\\ =\frac{\mathrm{KT}}{{\mathrm{qR}}_0}\ln \left(\frac{I_1{I}_{S0}}{I_{S1}{I}_0}\right)\\ =\frac{\mathrm{KT}}{{\mathrm{qR}}_0}\ln \left(n\right)\end{array}---\left(3\right)$

通过上式关系，可以得到一个与绝对温度成正比的电流I_PTAT。

同样，为了提高镜像电流的精确度，本发明在电路中加入运算放大器A₁、A₂进行钳位，使得M₇和M₈的漏极与M₄有相同的漏电压，从而电流相等，进而达到精确镜像电流的目的。

如图3所示，差分放大器的输入端分别接M₅和M₆管源极，输出端接它们的栅极，从而将它们的源电压钳位成相等电压。再由公式

V_EB1＝V_EB0+R₀I_PTAT              (4)

得

于是便得到与绝对温度成正比的电流I_PTAT，从而提高了I_PTAT电流的精度。

为了将与绝对温度成正比的电流I_PTAT镜像给基准电压产生支路和过温检测模块，本发明准备采用基本的电流镜；该电流镜由PMOS管M₄、M₇和M₈所组成。由于PMOS管存在沟道调制效应，使得镜像过去的电流的精度不高，为了提高镜像电流的精度，本方案采用运算放大器A₁和A₂分别将M₇和M₈的漏极电压钳位成与M₄的漏极电压相等。其中所采用的运算放大器的电路结构如图4所示。

本专利中基准电压由电阻R₁和Q₃所组成。基准电压为

V_ref＝V_EB3+R₁·I_PTAT                 (6)

再结合(6)式，得

$V_{\mathrm{ref}}=V_{\mathrm{EB}3}{+}_1\frac{R_1\mathrm{KT}}{R_{0}q}\ln \left(n\right)---\left(7\right)$

由于V_EB3具有负的温度系数，而第二项具有正的温度系数，所以合理的设计R₁和n的值就可以实现零温度系数的电压，即基准电压V_ref。

过温检测模块由电阻R_2、R₃和MOS管M_13、M_11、M_12、M_13、M₁₄以及电压比较器COMP所组成。其中电压比较器的电路结构如图5所示。电阻R_2、R₃将I_PTAT电流转化为与绝度温度成正比的电压V_temp。当温度没有超过阈值温度T_H时，比较器COMP输出低电平，经过一个反相器输出高电平，从而开启M₁₃管，将电阻R₃短路，从而有：

I_temp1·R₂＝V_ref               (8)

当温度没有超过阈值温度T_H时，比较器COMP输出低电平，经过一个反相器输出高电平，从而关断M₁₃管，将电阻R₃和电阻R₂串联起来，从而有：

I_temp2·(R₂+R₃)＝V_ref            (9)

于是，可以得到两个不同的I_temp1和I_temp2，由于I_temp是和绝对温度成正比的电流，所以就可以得到两个不同的温度。从而得到关于温度的过温迟滞保护电路。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (6)

1.一种宽电源电压的过温迟滞保护电路，其特征在于：由启动电路模块、I_PTAT电流产生电路模块、基准电压模块、过温检测模块以及级联反相器模块所组成，其中，启动电路模块的输出电流提供给I_PTAT电流产生电路模块的输入端，I_PTAT电流产生电路模块的输出电压提供给基准电压模块的输入端和过温检测模块的输入端V₁，基准电压模块的输出V_ref提供给过温检测模块的输入端V₂和启动电路模块的输入端，过温检测模块的输出电压提供给级联反相器模块的输入端；级联反相器模块的输出电压V₃提供给过温检测模块的输入端V₄。

2.根据权利要求1所述的宽电源电压的过温迟滞保护电路，其特征在于：所述启动电路模块由MOS管M₀、M₁、M₂管所组成，其中，MOS管M₀的源端接电源Vdd，MOS管M₀栅极接MOS管M₁的栅极，MOS管M₀漏极接MOS管M₁的漏极，MOS管M₁源极接地GND，MOS管M₁漏极接MOS管M₂的栅极，MOS管M₂的源极接地GND，MOS管M₂的漏极接I_PTAT电流产生电路模块的输入端。

3.根据权利要求1所述的宽电源电压的过温迟滞保护电路，其特征在于：所述I_PTAT电流产生电路模块由MOS管M₃、M₄、M₅、M₆和电阻R₀以及晶体管Q₀、Q₁和运算放大器A₀所构成，其中，MOS管M₃的源极接电源Vdd，MOS管M₃的栅极接MOS管M₄的栅极，MOS管M₃的漏极接MOS管M₅的漏极，MOS管M₄的源极接电源Vdd，MOS管M₄的栅极接MOS管M₆的漏极，MOS管M₄的栅极接启动电路模块电流输出端，MOS管M₄的漏极接MOS管M₆的漏极，MOS管M₅的源极接晶体管Q₁的发射极，MOS管M₅的栅极接放大器A₀的输出，MOS管M₆的源极接电阻R₀的上端，MOS管M₆的栅极接放大器A₀的输出，放大器A₀的同相输入端接电阻R₀的上端，反相输入端接晶体管Q₀的发射极，放大器A₀的输出端接MOS管M₅的栅极，电阻R₀的下端接晶体管Q₁的发射极，晶体管Q₁的基极接地GND，晶体管Q₁的集电极接地GND，晶体管Q₀的基极接地GND，晶体管Q₀的集电极接地GND。

4.根据权利要求1所述的宽电源电压的过温迟滞保护电路，其特征在于：所述基准电压模块由MOS管M₇、M₉和电阻R₁、晶体管Q₃以及运算放大器A₁所构成，其中，MOS管M₇的源极接电源Vdd，MOS管M₇的栅极接I_PTAT电流产生电路模块的输出电压V₁，MOS管M₇的漏极接MOS管M₉的源极，MOS管M₉的栅极接运算放大器A₁的输出，MOS管M₉的漏极接电阻R₁的上端，电阻R₁的下端接晶体管Q₃的发射极，晶体管Q₃的基极接地GND，晶体管Q₃的集电极接地GND，运算放大器A₁的同相输入端接MOS管M₇的栅极，运算放大器A₁的反相输入端接MOS管M₉的源极，运算放大器A₁的输出端接MOS管M₉的栅极。

5.根据权利要求1所述的宽电源电压的过温迟滞保护电路，其特征在于：所述过温检测模块由MOS管M₈、M₁₀、M₁₃和电阻R₂、R₃、运算放大器A₂以及电压比较器COMP，其中，MOS管M₈的源极接电源Vdd，MOS管M₈的栅极接I_PTAT电流产生电路模块的电压输出端，MOS管M₈的漏极接MOS管M₁₀的源极，MOS管M₁₀的栅极接放大器A₂的输出，MOS管M₁₀的漏极接电阻R₂的上端，电阻R₂的下端接电阻R₃的上端，电阻R₃的上端接MOS管M₁₃的漏极，电阻R₃的下端接地GND，MOS管M₁₃的源极接地GND，MOS管M₁₃的栅极接级联反相器模块的输出电压端V₃，运算放大器A₂的同相输入端接MOS管M₈栅极，反相输入端接MOS管M₈的漏极，输出端接MOS管M₁₀的栅极，比较器COMP的同相输入端接MOS管M₁₀的漏极，反相输入端接基准电压模块的输出V_ref，输出端Vout接级联反相器模块的输入端。

6.根据权利要求1所述的宽电源电压的过温迟滞保护电路，其特征在于：所述级联反相器模块由MOS管M₁₁、M₁₂、M₁₄、M₁₅管所组成，其中，MOS管M₁₁的源极接电源Vdd，MOS管M₁₁的栅极接过温检测模块的输出端，MOS管M₁₁的漏极接MOS管M₁₅的漏极，MOS管M₁₅的源极接地GND，MOS管M₁₅的栅极接过温检测模块的输出端，MOS管M₁₂的源极接电源Vdd，MOS管M₁₂的栅极接MOS管M₁₁的漏极，MOS管M₁₂的漏极接MOS管M₁₄的漏极，MOS管M₁₄的源极接地GND，MOS管M₁₄的栅极接MOS管M₁₁的漏极。