CN104651786A - 一种磁控管的磁场强度的调节方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种磁控管的磁场强度的调节方法，磁控管包括依次排列的多个磁体组件，磁体组件包括磁体和分别设置在磁体的上端面和下端面上的上盖和下盖，调节方法包括以下步骤：保持每个磁体组件的整体高度不变，改变位于磁控管的待调节区域内的各个磁体组件的磁体、上盖和下盖的高度，或者三者中的任意两者的高度在该磁体组件的整体高度中所占的比例，以增强或减弱磁控管在该待调节区域内产生的磁场强度。上述调节方法可以使靶材上表面的各区域具有均匀的磁场强度，进而在磁控溅射沉积工艺过程中，使粒子均匀地轰击靶材，这样使靶材在工艺过程中被均匀的腐蚀，从而提高靶材的利用率，并使沉积至被加工工件上的薄膜具有较好的均匀性。

Description

一种磁控管的磁场强度的调节方法

技术领域

本发明涉及半导体设备制造领域，具体地，涉及一种磁控管的磁场强度的调节方法。

背景技术

在半导体工艺过程中，人们广泛地使用溅射技术在基片上沉积薄膜，其原理是通过经电场加速的高能电子与工艺气体中的原子，如氩气中的Ar原子发生碰撞，电离出Ar⁺和另一个电子；其中，电子飞向基片，并在此过程中不断地与Ar原子发生碰撞，电离出更多的Ar⁺和电子；而Ar⁺则在电场的作用下轰击靶材的表面，使靶材表面的靶材原子或分子从靶材表面脱离并沉积在基片上，从而形成薄膜。

上述溅射技术在实际使用中存在下述问题，即：电子与氩原子之间的碰撞几率偏低，这导致溅射的效率比较低，使基片上沉积薄膜的速率较慢；而且，在上述过程中，电子具有较大的能量，这使得其撞击基片时的速度很快，导致基片上的温度会在短时间内升高，从而影响工艺效果。

近年来迅速发展的磁控溅射技术克服了上述传统溅射技术中存在的问题。具体地，如图1所示，在磁控溅射设备中，其靶材1的背部设置有磁控管2，该磁控管2可以在靶材1表面附近产生磁场，从而在溅射工艺过程中，当高能电子e与Ar原子发生碰撞时，电离产生的电子e会在磁控管2产生的磁场的作用与束缚下，以图1所示的摆线和螺旋线的复合形式在靶材1表面作圆周运动，在该过程中，电子e与Ar原子不断发生碰撞，电离出大量的Ar⁺用来轰击靶材，从而使在基片3表面上沉积薄膜的速率较高；而且，随着碰撞次数的增加，电子e具有的能量逐渐降低；在此情况下，其在电场的作用下向基片方向运动，直至电子e具有的能量被耗尽，电子e沉积在基片3上，而此时，由于电子e具有的能量被耗尽，基片3上的温度不会产生较大的变化，不会影响工艺效果。

但上述磁控溅射设备在实际使用中不可避免地存在下述问题，即：由于电子e在靶材1表面上的运动受磁控管2产生的磁场的影响，这就导致磁控管2在靶材1表面附近产生的磁场不均匀时，电子e在靶材1表面的运动也是不均匀的，从而导致电子e与Ar原子碰撞而产生的Ar⁺在靶材1表面上的分布的不均匀，进而使得靶材上不同区域被腐蚀的速度不均匀，也就是说，在Ar⁺分布较密集的区域，靶材被Ar⁺集中地轰击，使该区域的靶材的腐蚀速度大于其他区域的靶材被腐蚀的速度，而在该区域的靶材被完全腐蚀后，该靶材就再也无法使用，从而导致靶材的利用率较低，且产生很大的浪费。同时，靶材1表面的Ar⁺分布不均匀还会使Ar⁺轰击靶材1时，从靶材1表面脱离并沉积至基片3上的靶材原子或分子在基片3上的分布不均匀，从而导致在基片3上沉积的薄膜厚度的均匀性较差。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种磁控管的磁场强度的调节方法，其可以在溅射沉积工艺过程中，调节磁控管产生的磁场强度，使靶材表面的各区域具有均匀的磁场强度，从而使靶材在工艺过程中被均匀地腐蚀，提高靶材的利用率，并使沉积至被加工工件上的薄膜具有较好的均匀性。

为实现本发明的目的而提供一种磁控管的磁场强度的调节方法，所述磁控管包括依次排列的多个磁体组件，所述磁体组件包括磁体和分别设置在所述磁体的上端面和下端面上的上盖和下盖，所述调节方法包括以下步骤：保持每个磁体组件的整体高度不变，改变位于所述磁控管的待调节区域内的各个磁体组件的磁体、上盖和下盖的高度，或者三者中的任意两者的高度在该磁体组件的整体高度中所占的比例，以增强或减弱所述磁控管在该待调节区域内产生的磁场强度。

其中，所述调节方法通过在位于所述磁控管的待调节区域内的所述磁体组件的上盖上方设置由磁化率大于0或小于0的材料制作的第一垫块，来增强或减弱所述磁控管在该待调节区域内产生的磁场强度；同时，减小位于该待调节区域内的所述磁体组件的磁体、上盖和下盖的高度，或者其中任意一者或两者的高度在该磁体组件的整体高度中所占的比例，以保证每个磁体组件的整体高度不变。

其中，所述第一垫块的数量为多个，所述多个第一垫块沿上下方向依次叠置；所述多个第一垫块均由磁化率大于0或磁化率小于0的材料制作；或者，所述多个第一垫块中的其中一部分由磁化率大于0的材料制作，其中另一部分由磁化率小于0的材料制作。

其中，所述第一垫块的数量为多个，所述多个第一垫块在所述上盖上表面的不同半径的圆周处环绕形成多个环体；所述多个第一垫块均由磁化率大于0或磁化率小于0的材料制作；或者，所述多个第一垫块中的其中一部分由磁化率大于0的材料制作，其中另一部分由磁化率小于0的材料制作。

其中，所述调节方法通过在位于所述磁控管的待调节区域内的所述磁体组件的下盖下方设置第二垫块来增加所述下盖的高度在该磁体组件的整体高度中所占的比例，同时，相应减小所述磁体组件中磁体和/或上盖的高度在该磁体组件的整体高度中所占的比例，来增强或减弱所述磁控管在该待调节区域内产生的磁场强度。

其中，所述第二垫块的数量为多个，其中的一个或多个置于所述磁体组件的下盖下方，且沿上下方向依次叠置；所述调节方法通过改变置于所述下盖下方的第二垫块的数量，调节所述下盖的高度在所述磁体组件的整体高度中所增加的比例，以及所述磁体和/或上盖的高度在所述磁体组件的整体高度中所减少的比例，并进而调节所述磁控管在所述待调节区域内产生的磁场强度所增强或减弱的幅度。

其中，所述多个第二垫块的厚度不完全相等；所述调节方法还通过将具有相应厚度的第二垫块置于所述磁体组件中的下盖下方，调节所述下盖的高度在所述磁体组件的整体高度中所增加的比例，以及所述磁体和/或上盖的高度在所述磁体组件的整体高度中所减少的比例，并进而调节所述磁控管在所述待调节区域内产生的磁场强度所增强或减弱的幅度。

其中，所述磁控管还包括磁控管背板，所述磁控管背板与每个磁体组件的下盖连接；所述调节方法通过在所述磁控管背板下方设置垫片来减小每个所述磁体组件与所述靶材之间的距离，以增强所述磁控管产生的磁场强度。

其中，所述垫片的数量为多个，其中的一个或多个置于所述磁控管背板的下方，且沿上下方向依次叠置；所述调节方法通过改变置于所述磁控管背板下方的垫片的数量，调节所述磁体组件与所述靶材之间所减小的距离，并进而调节所述磁控管产生的磁场强度增强的幅度。

其中，所述多个垫片的厚度不完全相等；所述调节方法还通过将具有相应厚度的垫片置于所述磁控管背板的下方，调节所述磁体组件与所述靶材之间所减小的距离，并进而调节所述磁控管产生的磁场强度增强的幅度。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的磁控管的磁场强度的调节方法，通过在保持磁体组件的整体高度不变的前提下，改变位于磁控管的待调节区域内的各个磁体组件的磁体、上盖和下盖的高度，或者上述三者中任意两者的高度在该磁体组件的整体高度中所占的比例，使磁控管在该待调节区域内产生的磁场强度增强或减弱，并使靶材上表面相应区域的磁场强度相应增强或减弱，从而使靶材上表面的各区域具有均匀的磁场强度，进而在磁控溅射沉积工艺过程中，使粒子均匀地轰击靶材，这样使靶材在工艺过程中被均匀的腐蚀，从而提高靶材的利用率，并使沉积至被加工工件上的薄膜具有较好的均匀性。

附图说明

图1现有磁控溅射设备的原理示意图；

图2为本发明实施例提供的磁控管的磁场强度的调节方法调节磁控管的磁场强度的示意图；

图3为本发明实施例提供的磁控管的磁场强度的调节方法通过在上盖上方和下盖下方分别设置第一垫块和第二垫块来调节磁控管的磁场强度的示意图；以及

图4为图3所示第一垫块的一种替代设置方式的示意图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的磁控管的磁场强度的调节方法进行详细描述。

首先需要说明的是，在本实施例中，以由磁控管10至靶材20的方向为“上”，以由靶材20至磁控管10的方向为“下”。

图2为本发明实施例提供的磁控管的磁场强度的调节方法调节磁控管10的磁场强度的示意图。请参看图2，在磁控溅射设备中，磁控管10设于靶材20的下方，用于在靶材20的上表面上产生磁场，并且磁控管10与靶材20之间填充有去离子水。具体地，磁控管10包括依次排列的多个磁体组件11、磁极件12和磁控管背板13。其中，磁体组件11包括磁体110和分别设置在磁体110的上端面和下端面上的上盖111和下盖112；磁体110的两个磁极分别位于其朝向靶材20的上端和远离靶材20的下端，且在所有磁体组件11的磁体110中，一部分磁体110的N极位于其上端，另一部分磁体110的S极位于其上端。磁极件12包括第一磁极件和第二磁极件，其中，第一磁极件通过相应磁体组件11的上盖111与每个上端为N极的磁体110的上端连接，第二磁极件通过相应磁体组件11的上盖111与每个上端为S极的磁体110的上端连接；磁控管背板13与每个磁体组件11的下盖112连接。

在实际应用中，上述磁控管10在靶材20的上表面上产生第一磁场，但靶材20上表面上的磁场并不限于上述第一磁场，其还包括位于磁体110和靶材20之间的各部件以及靶材20在第一磁场中受到磁化而产生的第二磁场；具体地，靶材20上表面上的磁场强度可通过下述公式表述：

B=H+H′   （1）

其中，B为靶材20上表面上的磁场强度，H为第一磁场在靶材20上表面上的磁场强度，H′为第二磁场在靶材20上表面上的磁场强度。在本实施例中，第二磁场包括上盖111、磁极件12、去离子水和靶材20受到磁化而产生的磁场，具体地，第二磁场的磁场强度可通过下述公式表述：

H′=X₁×H+X₂×H+X₃×H+X₄×H   （2）

其中，X₁、X₂、X₃和X₄分别为上盖111、磁极件12、去离子水和靶材20的磁化率。

在本实施例中，磁控管的磁场强度的调节方法通过以下步骤实现对磁控管10所产生的磁场强度的调节：保持每个磁体组件11的整体高度不变，改变位于磁控管10的待调节区域内的各个磁体组件11中的磁体110、上盖111和下盖112的高度，或者三者中任意两者的高度在该磁体组件11的整体高度中所占的比例，以增强或减弱磁控管10在该待调节区域内产生第一磁场的磁场强度H，并使靶材20上表面上的磁场强度B相应增强或减弱，从而使靶材20上表面的各区域具有均匀的磁场强度。其中，磁体110、上盖111和下盖112的高度以及磁体组件11的整体高度是指上述磁体110、上盖111和下盖112以及磁体组件11在上下方向的最上端和最下端之间的距离。磁控管10的待调节区域是指靶材20上表面上磁场强度强于靶材20上表面的整体磁场强度的区域和磁场强度弱于靶材20上表面的整体磁场强度的区域所对应的磁控管10上的相应区域。

在上述调节方法中，改变位于待调节区域内的磁体组件11中磁体110的高度在其整体高度中所占的比例，可以改变该待调节区域内第一磁场的磁场强度H；改变位于待调节区域内的磁体组件11中上盖111的高度在其整体高度中所占的比例，可以改变上盖111的磁化率X₁，并且使磁体110与靶材20之间的距离发生改变，从而使该待调节区域内的第一磁场的磁场强度H发生改变；改变位于待调节区域内的磁体组件11中下盖112的高度在其整体高度中所占的比例，可以使磁体110与靶材20之间的距离发生改变，和/或，使磁体110和/或上盖111的高度在磁体组件11的整体高度中所占的比例相应改变，从而改变第一磁场的磁场强度H和/或上盖111的磁化率X₁。而根据上述公式（1）和（2），当第一磁场的磁场强度H改变时，第二磁场的磁场强度H′和靶材20上表面上的磁场强度B也发生改变；当上盖111的磁化率X₁改变时，第二磁场的磁场强度H′也发生改变，并进而使靶材20上表面上的磁场强度B发生改变；从而，上述调节方法可以通过改变磁体110、上盖111和下盖112的高度，或者上述三者中任意两者的高度在磁体组件11的整体高度中所占的比例增强或减弱磁控管10在待调节区域内产生的第一磁场的磁场强度H，并使靶材20上表面上相应区域的磁场强度B增强或减弱，进而使靶材20上表面上的各个区域具有均匀的磁场强度。

在实际应用中，当第一磁场的磁场强度H增强时，根据公式（2）可知，磁极件12、去离子水和靶材20在第一磁场中受到磁化而产生的磁场强度同步增强，而上盖111在第一磁场中受到磁化而产生的磁场强度的变化还受到其磁化率X₁的影响，其磁场强度可能增强或减弱，从而使得第二磁场的磁场强度H′可能在第一磁场的磁场强度H增强时增强或减弱，并且其减弱的数值可能大于或小于第一磁场的磁场强度H增强的数值，从而使得靶材20上表面上的磁场强度B可能增大或减小；同理，当第一磁场的磁场强度H减弱时，第二磁场的磁场强度H′以及靶材20上表面上的磁场强度B可能增大或减小。容易理解，在此情况下，上述调节方法需要根据上述公式（1）和（2），综合考虑磁体110、上盖111和下盖112的高度在磁体组件11中的整体高度中所占比例的变化导致的第一磁场的磁场强度H的变化以及上盖111的磁化率的变化，以使上述调节方法可以调节靶材20上表面上相应区域的磁场强度B相应增强或减弱。

具体地，在本实施例中，通过增加或减小磁体110、上盖111和下盖112在上下方向的高度来改变磁体110、上盖111和下盖112在磁体组件11的整体高度中所占的比例，使第一磁场的磁场强度H和上盖111的磁化率X₁发生变化，从而根据上述公式（1）和（2），可以使靶材20上表面上相应区域的磁场强度B增强或减弱。

具体地，在本实施例中，如图2所示，上述调节方法还通过在磁控管背板13下方设置垫片131来减小每个磁体组件11与靶材20之间的距离，从而增强磁控管10产生的第一磁场的磁场强度H，使靶材20上表面上具有相应的磁场强度；进一步地，垫片131的数量为多个，其中的一个或多个置于磁控管背板13的下方，并使其沿上下方向依次叠置，从而，上述调节方法可以通过控制置于磁控管背板13下方的垫片131的数量，调节磁体组件11与靶材20之间所减小的距离，并进而调节磁控管10产生的第一磁场的磁场强度H增强的幅度。

优选地，多个垫片131的厚度不完全相等，从而使上述调节方法还可以在不改变置于磁控管背板13下方的垫片131数量的前提下，通过将具有相应厚度的垫片131置于磁控管背板13的下方，调节磁体组件11与靶材20之间所减小的距离，并进而调节磁控管10产生的第一磁场的磁场强度H增强的幅度。

需要说明的是，在本实施例中，通过改变上盖111的高度在磁体组件11的整体高度中所占的比例，使上盖111的磁化率X₁发生变化，并使靶材20上表面上的磁场强度B增强或减弱，但本发明并不限于此，在实际应用中，如图3所示，还可以通过在位于磁控管10的待调节区域内的磁体组件11的上盖111上方设置由磁化率大于0或小于0的材料制作的第一垫块113，在改变上盖111的高度在磁体组件11的整体高度中所占的比例的同时，通过第一垫块113的材料本身具有的磁化率来增强或减弱上盖111的磁化率X₁，进而使靶材20上表面上相应区域的磁场强度B增强或减弱；同时减小位于该待调节区域内的磁体组件11的磁体110、上盖111和下盖112的高度，或者其中任意一者或两者的高度在该磁体组件11的整体高度中所占的比例，以保证每个磁体组件11的整体高度不变。进一步地，如图3所示，第一垫块113的数量为多个，该多个第一垫块113沿上下方向依次叠置，并且，上述多个第一垫块113均由磁化率大于0或磁化率小于0的材料制作；或者，在上述多个第一垫块113中，其中一部分由磁化率大于0的材料制作，另一部分由磁化率小于0的材料制作。通过上述设置，本实施例提供的调节方法可以灵活地调节上盖111的磁化率X₁增强或减弱的幅度。可替代地，如图4所示，第一垫块113的数量为多个，该多个第一垫块113在上盖111上表面的不同半径的圆周处环绕形成多个环体；并且，多个第一垫块113均由磁化率大于0或磁化率小于0的材料制作；或者，在上述多个第一垫块113中，其中一部分由磁化率大于0的材料制作，其中另一部分由磁化率小于0的材料制作。通过上述设置，本实施例提供的调节方法可以灵活地调节上盖111上的各个区域的磁化率增强或减弱的幅度，进而可以更灵活地控制靶材20上表面上相应区域的磁场强度。

还需要说明的是，在本实施例中，通过增加或减小下盖112在上下方向的高度来改变其在磁体组件11的整体高度中所占的比例，但本发明并不限于此，在实际应用中，如图3所示，还可以通过在位于磁控管10的待调节区域内的磁体组件11的下盖112的下方设置第二垫块114来增加下盖112的高度在该磁体组件11的整体高度中所占的比例，同时，相应减小该磁体组件11中磁体110和/或上盖111的高度在该磁体组件11的整体高度中所占的比例，来增强或减弱磁控管10在该待调节区域内产生的第一磁场的磁场强度H，并使靶材20上表面相应区域的磁场强度增强或减弱。进一步地，第二垫块114的数量为多个，其中的一个或多个置于磁体组件11的下盖112下方，且沿上下方向依次叠置；从而使上述调节方法可以通过改变置于下盖112下方的第二垫块114的数量，调节下盖112的高度在磁体组件11的整体高度中所增加的比例，以及磁体110和/或上盖111的高度在磁体组件11的整体高度中所减少的比例，并进而调节磁控管10在待调节区域内产生的第一磁场的磁场强度H以及靶材20上表面相应区域的磁场强度B所增强或减弱的幅度。进一步地，多个第二垫块114的厚度不完全相等，从而使上述调节方法还可以在不改变置于下盖112下方的第二垫块114的数量的前提下，通过将具有相应厚度的第二垫块114置于磁体组件11中的下盖112下方，调节下盖112的高度在磁体组件11的整体高度中所增加的比例，以及磁体110和/或上盖111的高度在磁体组件11的整体高度中所减少的比例，并进而调节磁控管10在待调节区域内产生的第一磁场的磁场强度H以及靶材20上表面相应区域的磁场强度B所增强或减弱的幅度。

综上所述，本实施例提供的磁控管的磁场强度的调节方法，通过在保持磁体组件11的整体高度不变的前提下，改变位于磁控管10的待调节区域内的各个磁体组件11的磁体110、上盖111和下盖112的高度，或者上述三者中任意两者的高度在该磁体组件11的整体高度中所占的比例，使磁控管10在该待调节区域内产生的第一磁场的磁场强度H增强或减弱，并使靶材20上表面上相应区域的磁场强度B相应增强或减弱，从而使靶材20上表面的各区域具有均匀的磁场强度，进而在磁控溅射沉积工艺过程中，使粒子均匀地轰击靶材，这样使靶材在工艺过程中被均匀的腐蚀，从而提高靶材的利用率，并使沉积至被加工工件上的薄膜具有较好的均匀性。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种磁控管的磁场强度的调节方法，所述磁控管包括依次排列的多个磁体组件，所述磁体组件包括磁体和分别设置在所述磁体的上端面和下端面上的上盖和下盖，其特征在于，所述调节方法包括以下步骤：

保持每个磁体组件的整体高度不变，改变位于所述磁控管的待调节区域内的各个磁体组件的磁体、上盖和下盖的高度，或者三者中的任意两者的高度在该磁体组件的整体高度中所占的比例，以增强或减弱所述磁控管在该待调节区域内产生的磁场强度。

2.根据权利要求1所述的磁控管的磁场强度的调节方法，其特征在于，所述调节方法通过在位于所述磁控管的待调节区域内的所述磁体组件的上盖上方设置由磁化率大于0或小于0的材料制作的第一垫块，来增强或减弱所述磁控管在该待调节区域内产生的磁场强度；

同时，减小位于该待调节区域内的所述磁体组件的磁体、上盖和下盖的高度，或者其中任意一者或两者的高度在该磁体组件的整体高度中所占的比例，以保证每个磁体组件的整体高度不变。

3.根据权利要求2所述的磁控管的磁场强度的调节方法，其特征在于，所述第一垫块的数量为多个，所述多个第一垫块沿上下方向依次叠置；

所述多个第一垫块均由磁化率大于0或磁化率小于0的材料制作；或者，所述多个第一垫块中的其中一部分由磁化率大于0的材料制作，其中另一部分由磁化率小于0的材料制作。

4.根据权利要求2所述的磁控管的磁场强度的调节方法，其特征在于，所述第一垫块的数量为多个，所述多个第一垫块在所述上盖上表面的不同半径的圆周处环绕形成多个环体；

所述多个第一垫块均由磁化率大于0或磁化率小于0的材料制作；或者，所述多个第一垫块中的其中一部分由磁化率大于0的材料制作，其中另一部分由磁化率小于0的材料制作。

5.根据权利要求1所述的磁控管的磁场强度的调节方法，其特征在于，所述调节方法通过在位于所述磁控管的待调节区域内的所述磁体组件的下盖下方设置第二垫块来增加所述下盖的高度在该磁体组件的整体高度中所占的比例，同时，相应减小所述磁体组件中磁体和/或上盖的高度在该磁体组件的整体高度中所占的比例，来增强或减弱所述磁控管在该待调节区域内产生的磁场强度。

6.根据权利要求5所述的磁控管的磁场强度的调节方法，其特征在于，所述第二垫块的数量为多个，其中的一个或多个置于所述磁体组件的下盖下方，且沿上下方向依次叠置；

所述调节方法通过改变置于所述下盖下方的第二垫块的数量，调节所述下盖的高度在所述磁体组件的整体高度中所增加的比例，以及所述磁体和/或上盖的高度在所述磁体组件的整体高度中所减少的比例，并进而调节所述磁控管在所述待调节区域内产生的磁场强度所增强或减弱的幅度。

7.根据权利要求6所述的磁控管的磁场强度的调节方法，其特征在于，所述多个第二垫块的厚度不完全相等；

所述调节方法还通过将具有相应厚度的第二垫块置于所述磁体组件中的下盖下方，调节所述下盖的高度在所述磁体组件的整体高度中所增加的比例，以及所述磁体和/或上盖的高度在所述磁体组件的整体高度中所减少的比例，并进而调节所述磁控管在所述待调节区域内产生的磁场强度所增强或减弱的幅度。

8.根据权利要求1所述的磁控管的磁场强度的调节方法，其特征在于，所述磁控管还包括磁控管背板，所述磁控管背板与每个磁体组件的下盖连接；

所述调节方法通过在所述磁控管背板下方设置垫片来减小每个所述磁体组件与所述靶材之间的距离，以增强所述磁控管产生的磁场强度。

9.根据权利要求8所述的磁控管的磁场强度的调节方法，其特征在于，所述垫片的数量为多个，其中的一个或多个置于所述磁控管背板的下方，且沿上下方向依次叠置；

所述调节方法通过改变置于所述磁控管背板下方的垫片的数量，调节所述磁体组件与所述靶材之间所减小的距离，并进而调节所述磁控管产生的磁场强度增强的幅度。

10.根据权利要求9所述的磁控管的磁场强度的调节方法，其特征在于，所述多个垫片的厚度不完全相等；

所述调节方法还通过将具有相应厚度的垫片置于所述磁控管背板的下方，调节所述磁体组件与所述靶材之间所减小的距离，并进而调节所述磁控管产生的磁场强度增强的幅度。