CN109423616A - 可调磁体、沉积腔室及用于改变沉积腔室中磁场分布的方法 - Google Patents

Abstract

本发明揭露一种可调磁体、沉积腔室及用于改变沉积腔室中磁场分布的方法。在一实施例中揭露了一种用于调整沉积腔室中磁场分布的方法。此方法包含以下操作：提供一靶材磁场分布。移除沉积腔室中的多个第一固定磁体。用多个第二磁体各别替换多个第一固定磁体的每一个。执行以下操作中的至少一个：调整多个第二磁体中的至少一个的一位置，以及调整多个第二磁体中的至少一个的一尺寸。在沉积腔室中量测一磁场分布，并且将在沉积腔室中量测的磁场分布和靶材磁场分布进行比较。

Description

可调磁体、沉积腔室及用于改变沉积腔室中磁场分布的方法

技术领域

关于一种可调磁体、沉积腔室及用于改变沉积腔室中磁场分布的方法。

背景技术

微电子机器系统(micro-electro-mechanical system，MEMS)、CMOS图像感测器和封装技术(例如硅通孔(through-silicon via，TSV))的新兴应用正推动在如氮化铝(Aluminum Nitride，AlN)、氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化铝(Aluminum Oxide，Al₂O₃)和锗(Germanium，Ge)的薄膜上的物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)的发展。

在半导体产业中已存在金属化系统(metallization system)。凭借着跨越前端金属化(如钴和钨、铝和铜互连)的沉积能力以及像凸块下金属化这样的封装应用，近20年来制造的绝大多数微晶片都是使用全球现有系统中之一所制成的。现有的系统通过严格控制薄膜厚度、优异的底部覆盖和高保形性来沉积各种超纯(ultra-pure)薄膜的能力，使得制造导入端装置(leading edge devices)成为可能。

由于现有系统仍处于生产状态并且有许多原始配置，因此有许多产品改良可提供改善制程性能和工具生产力。举例来说，冷却腔室(Cool Down chamber)的产能瓶颈(throughput bottlenecks)可以通过将腔室A从隘口相接处(Pass Thru)转换为冷却来消除。可以使用简易局部中心定位(easy local center finding，EZ LCF)来消除晶圆定位的误差，同时改善用于夹接过程(clamped process)的紧密边缘排除(tight edgeexclusions)的性能，并消除与连续多腔室制程(multi-chamber process sequences)有关的迭加误差(stack-up errors)。此外，腔室的升级适用于许多腔室，包含TxZ(用于晶圆加热制程的TiN加热器)，以改善晶圆上的均匀性并减少维护。

发明内容

根据本揭露的一态样，一种用于改变沉积腔室中磁场分布的方法，此方法包含以下操作。提供一靶材磁场分布。移除沉积腔室中的多个第一固定磁体。用多个第二磁体各别替换多个第一固定磁体的每一个。执行以下操作中的至少一个：调整多个第二磁体中的至少一个的一位置，以及调整多个第二磁体中的至少一个的一尺寸；在沉积腔室中量测一磁场分布；以及在沉积腔室中量测一磁场分布。

根据本揭露的另一态样，一种沉积腔室包含多个可调磁体。这些可调磁体用于调整该沉积腔室的一磁场分布，其中每一个可调磁体的一位置是可单独调整的，其中这些多个可调磁体中的每一个的一体积是可单独调整的，其中每一个可调磁体的磁场强度是可单独调整的。

根据本揭露的又一态样，一种可调磁体包含圆柱形金属体、顶部可调整连接器以及底部可调整连接器。圆柱形金属体用于传导磁通量，其中圆柱形金属体的半径是可调整的，其中圆柱形金属体的高度是可调整的。顶部可调整连接器用于调整可调磁体的位置。底部可调整连接器用于调整可调磁体的位置。

附图说明

当结合随附附图进行阅读时，本揭露发明实施例的详细描述将能被充分地理解。应注意，根据业界标准实务，各特征并非按比例绘制且仅用于图示目的。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各特征的尺寸。在说明书及附图中以相同的标号表示相似的特征。

图1绘示了根据本揭露一些实施方式的处理腔室的示意图；

图2绘示了根据本揭露一些实施方式的处理腔室的各种特征以及相应的磁体和磁场；

图3绘示了根据本揭露一些实施方式的处理腔室磁体的分布示意图；

图4绘示了根据本揭露一些实施方式的磁场与靶材半径的函数关系示意图以及靶材消耗与靶材半径的函数关系示意图；

图5绘示了根据本揭露一些实施方式的磁场和靶材轮廓与靶材半径的函数关系示意图；

图6绘示了根据本揭露一些实施方式的位于处理腔室的修正配置中的可调磁体示意图；

图7绘示了根据本揭露一些实施方式的可调磁体的示意图；

图8绘示了根据本揭露一些实施方式的靶材轮廓和磁场与在处理腔室中靶材半径的函数关系示意图；

图9绘示了根据本揭露一些实施方式的靶材轮廓与磁场之间的关系示意图；

图10绘示了根据本揭露一些实施方式的用于调整沉积腔室中磁场分布的方法的流程图。

具体实施方式

应理解，以下揭示内容提供许多不同实施例或实例，以便实施本揭露发明实施例的不同特征。下文描述组件及排列的特定实施例或实例以简化本揭露。当然，此等实例仅为示例性且并不欲为限制性。举例而言，元件的尺寸并不受限于所揭示的范围或值，但可取决于制程条件及/或装置的所欲特性。此外，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接触形成第一特征及第二特征的实施例，且亦可包括可在第一特征与第二特征之间插入形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不处于直接接触的实施例。为了简明性及清晰性，可以不同尺度任意绘制各特征。

另外，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所图示的一元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中装置的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向上)且因此可同样解读本文所使用的空间相对性描述词。

图1绘示了根据本揭露一些实施方式的处理腔室的示意图。根据一些实施方式，处理腔室100包含一旋转磁控管(rotating magnetron)101位于腔室103的顶部，其中物体被定位于沉积在腔室103的侧面上。外部侧磁体104和105位于腔室103的外部。在腔室103的底部上，具有半径r的靶材(target)102位于底部的中心C处。外部侧磁体104和105与位于腔室103顶部的旋转磁控管101一起在腔室内产生一磁场，以便从位于腔室103内的物体沉积材料。更多有关于旋转磁控管101和靶材102的结构，将会在下面的段落中讨论。

图2绘示了根据本揭露一些实施方式的处理腔室的各种特征以及对应的磁体和磁场。根据一些实施方式，201是旋转磁控管101的透视图(perspectiveview)，其包含一外部组件202以及一内部组件203。外部组件202和内部组件203均包含多个磁体(magnets)。根据一些实施方式，内部组件203的磁体都具有指向与外部组件202磁体的北极相反方向的北极(north pole)。根据一些实施方式，内部组件203的磁体都具有指向朝上的北极，且外部组件202的磁体的北极朝下。图204是具有在腔室中旋转的一配重(counter weight)的旋转磁控管的透视图，其中靶材在底部。图205是旋转磁控管的侧视图，而图206是磁体阵列(magnet array)中的一个磁体。根据一些实施方式，图207是将磁体206绘示为一独立操作的磁体(standalone magnet)。

旋转磁控管101以及外部侧磁体104和105产生一磁场208。由于磁控管的旋转特性和腔室的几何形状，磁场208形成一环形，这意味着磁场在第一半径内(例如，环内)和第二半径外(例如，环外)相对较弱。图209是靶材的侵蚀深度与如图1所示的从中心(C)起的半径之间的函数示意图。如前所述，由于第一半径内的磁场相对较弱，所以在例如半径40mm的半径内没有观察到明显的侵蚀。随着半径的增加，磁场在半径60mm处达到峰值(peak)，且强磁场在半径60mm处产生强烈的侵蚀，在图209绘示的示例中，相对应的侵蚀深度在半径60mm处达到19mm。接着，磁场从半径60mm外逐渐减小，且相对应的侵蚀也会随着磁场减小。

图3绘示了根据本揭露一些实施方式的处理腔室磁体的分布示意图。根据一些实施方式，300为处理腔室的俯视图，301为腔室的侧壁，且302为其上设置有靶材的腔室底部。旋转磁控管310包含两组磁体，303为外部磁体阵列且304为内部磁体阵列。根据一些实施方式，磁体的内部阵列的北极指向上方，且磁体的外部阵列的北极指向下方。类似于之前的讨论，301’为旋转磁控管310的透视图，且310”为其侧视图。

图4绘示了根据本揭露一些实施方式的磁场与靶材半径的函数关系示意图以及靶材消耗与靶材半径的函数关系示意图。根据一些实施方式，x轴是以毫米为单位的半径，左侧的y轴是以KGauss×Deg为单位的磁通量(magnetic flux)，且右侧的y轴是以毫米为单位的靶材侵蚀。磁通量是衡量磁场强度的标准。

根据一些实施方式，曲线401是标示北极磁通量的曲线，且曲线402是标示南极磁通量的曲线。在物理学中，特别是电磁学(electromagnetism)中，通过一表面的磁通量(通常标示为Φ或ΦB)是穿过所述表面磁场B的法向分量(normal component)的表面积分。依据国际单位制(International System of Units)，磁通量的SI基本单位是韦伯(weber，Wb)(在导出单位(derived units)中：伏特-秒，volt-seconds)。磁通量的CGS(厘米-克-秒)单位为马克士威(Maxwell)。磁通量通常用包含测量线圈和电子元件的磁通计(fluxmeter)进行量测，所述磁通计可以评估测量线圈中的电压变化以计算磁通量。

曲线403是标示靶材侵蚀的曲线。根据一些实施方式，曲线402和403的相减(subtraction)产生出通过腔室内磁控管生成的磁场的整体强度。以下段落将讨论有关磁场整体强度的更多细节。

图5绘示了根据本揭露一些实施方式的磁场和靶材轮廓与靶材半径的函数关系示意图。根据一些实施方式，x轴是以毫米为单位的腔室中心半径。与曲线502相关的左侧y轴也是以毫米为单位的靶材轮廓(target profile)，其代表靶材材料消耗的厚度。与曲线501相关的右侧y轴是以韦伯为单位的磁通量。磁通量是平均磁场乘以平均磁场穿透的垂直面积(perpendicular area)的乘积：Φ＝B·S＝BScosθ，其中B为磁场的向量且B是磁场振幅的纯量，S为向量磁场B的向量面积且S是磁场面积的纯量，且θ为磁场线与S的法线(垂直于S)之间的角度。在法拉第定律(Faraday's Law)的声明以及讨论变压器(transformers)和螺线管(solenoids)等物体的方面上有一定的方便性。如上图2所讨论的，在调整磁体之前，由旋转磁控管产生的磁场是通过磁通量曲线501所量测的。如曲线501所示，靠近腔室中心的磁通量相对较弱，且在半径50mm至60mm附近到达峰值，然后逐渐减小，直到到达腔室的边缘。对应的靶材轮廓曲线502依循磁通量曲线501的趋势。如上所述，靶材轮廓是在沉积过程中以毫米为单位量测的材料耗损量。如图5所示，当磁通量曲线501达到峰值时，靶材轮廓曲线502也会达到峰值，而且靶材轮廓曲线502会随着磁通量曲线501的减小趋势而逐渐减小。下面的段落将讨论靶材轮廓与磁通量之间关系的更多细节。当靶材剩余的重量为66％时，在半径55mm至60mm处的靶材已经消耗超过80mm，这时就需要更换靶材了。结果，导致大约66％的靶材被浪费掉了。

图6绘示了根据本揭露一些实施方式的处理腔室的可调磁体示意图。根据一些实施方式，600是处理腔室的俯视图，601是处理腔室的侧壁，而610’是旋转磁控管，其包含内部磁体阵列603和外部磁体阵列602。如本文所使用的，术语“可调磁体(adjustablemagnet)”意味着，根据一些实施方式，例如用另一磁体替换现有的磁体，其中所述另一磁体具有以下不同参数的至少一个：直径、高度、磁场强度、磁场分布(magnetic fielddistribution)和材料；根据一些其他实施方式，例如通过在磁体的顶部和/或底部添加额外的金属板(metal plates)，或者，通过从磁体的顶部和/或底部去除金属来改变磁体的高度；根据一些其他实施方式，例如通过在磁体添加金属同心环，或者，通过从磁体移除现有的金属同心环来改变磁体的直径；根据一些其他实施方式，例如当磁体为电磁体(electricmagnet)时，通过改变流入磁体的电流的波幅(amplitude)、频率(frequency)和/或方向来改变磁场分布和强度。本领域的普通技术人员应该可以理解，还可以用其他方式来调整磁体的物理参数和性质，以上的示例并不意味这限制“可调磁体”的范围。

为了调整腔室内磁控管产生的磁场，选择外部磁体阵列602中的第一组磁体604进行调整，以减小其磁场。并且选择外部磁体阵列602中的第二组磁体605进行调整，以增加其磁场。在磁控管的侧视图610’中，第二组磁体605被标示为605’，且第一组磁体604被标示为604’。根据一些实施方式，位于磁控管的顶部具有多个上固定点607以及位于磁控管的底部具有多个下固定点608。每个单独的磁体606可以用不同的一对上固定点607和下固定点608固定在不同的水平位置。如将在图7中更详细讨论的，每个磁体606包含一上连接器和一下连接器。根据一些实施方式，上连接器和下连接器都为螺钉(screws)，且上固定点和下固定点为匹配螺孔(matching screw holes)。根据一些实施方式，通过将磁体旋拧到不同对的上固定点和下固定点，可将每个单独的磁体固定到不同的水平位置。

根据一些实施方式，在磁控管的侧视图610”中，调整所选择的磁体高度、半径、位置或体积以调整其对应的磁场。606为单一磁体的详细视图，其将在下文搭配图7进一步详细地讨论。

根据一些实施方式，调整每个选定的磁体，然后测量磁控管的整体磁场。这种调整的其中一目的是消除磁通量曲线501中观察到的锐峰(sharp peak)和靶材轮廓曲线502上的对应峰值。在这种调整之后，可以得到相对平坦的曲线，这将在下文搭配图8进一步地详细讨论。根据一些实施方式，通过调整磁控管的磁场也可以增加靶材的消耗面积。消耗面积是在沉积过程中消耗的靶材面积，较大的消耗面积会增加靶材的效用率(utility rate)并减少靶材材料的浪费。根据一些实施方式，在每一轮调整磁体之后进行磁场的量测。根据一些实施方式，为下一轮磁体的调整提供反馈控制(feedback control)以达成设计磁场(design magnetic field)。根据一些实施方式，反馈控制是通过将测得的磁场分布与设计的磁场分布进行比较而得的，接着计算测量的磁场分布与设计的磁场分布之间的差异，然后提供关于如何改变或调整每个单一磁体以获得期望中的磁场分布的讯息或指引。根据一些实施方式，上述提及的反馈控制是通过电脑软体和硬体辅助的自动化处理来实现。本领域的普通技术人员无须过度的实验即可确定如何调整所讨论的磁体的一或多个物理参数，以得到所期望的磁场分布。

图7绘示了根据本揭露一些实施方式的可调磁体的示意图。根据一些实施方式，磁体700包含一磁体本体701、一上连接器702和一下连接器703。根据一些实施方式，可以为磁体本体701选择不同的高度、半径和/或体积，以改变由磁体700生成的整体磁场。根据一些实施方式，可以调整上连接器702和下连接器703以将磁体本体701固定在不同的位置，进而改变整体磁场。根据一些实施方式，通过调整在上连接器702和下连接器703中的螺钉或固定件(图未示)，磁体本体701可以被固定在腔室内的不同高度处。根据一些实施方式，例如通过调整在上连接器702和下连接器703中的螺钉，磁体本体701可以被固定在不同的水平位置。根据一些实施方式，有一顶部紧固件和一底部紧固件将磁体固定于磁控管。根据一些实施方式，顶部紧固件为螺钉。根据一些实施方式，底部紧固件为螺钉。根据一些实施方式，磁体本体701是电磁体，其磁场可以通过流入电磁体本体701内的线圈的电流方向和强度来调整和控制。根据一些实施方式，每个磁体本体701是电磁体，而且是由向电磁体提供电流的电子控制电路(electronic control circuit)(图未示)单独控制。根据一些实施方式，磁控管中的所有磁体是由控制电路共同控制。

图8绘示了根据本揭露一些实施方式的靶材轮廓和磁场与在处理腔室中靶材半径的函数关系示意图。如前述关于图5所讨论的，x轴和y轴距有相同的刻度尺(scales)和单位。根据一些实施方式，磁控管的调整是通过调整上述段落中讨论的对应磁体。这种调整的结果，磁通量曲线801不具有如图5中曲线501那样的峰值。磁通量曲线801也不像501那样急剧下降。相反地，如图8所示，磁通量曲线801几乎一直保持在相对恒定的水平，直到腔室的边缘。结果也消除了对应靶材轮廓曲线802中的峰值，且当磁通量接近恒定的水平时，靶材轮廓802达到第一平坦区(plateau)，接着在腔室边缘附近达到第二较高的平坦区。当靶材的剩余重量为34％时，靶材轮廓仍不到12mm的消耗量。因此，如上所述，通过利用不同尺寸和配置的磁体来实现靶材材料的更高效利用。

图9绘示了根据本揭露一些实施方式的靶材轮廓与磁场之间的关系示意图。图9是靶材轮廓和磁场的线性回归(linear regression)，其显示了靶材轮廓与磁场之间是具有R2值为0.9073的高度线性关系。在统计学中，线性回归是模拟纯量应变数(dependentvariable)与一或多个解释变数(explanatory variables)(或引数(independentvariables))之间关系的一种方法。R2是数据与拟合回归线(fitted regression line)有多接近的统计测量。它也被称为决定系数(coefficient of determination)，或多重回归(multiple regression)的多重决定系数(coefficient of multiple determination)。R2是线性模型解释的反应变数变异量(response variable variation)的百分比，或者：R2＝解释变异量(Explained variation)/总变异量(Total variation)。R平方总是介于0到1之间：0表示此模型没有解释其平均值附近反应数据(response data)的变异性(variability)；1表示此模型解释了其平均值附近反应数据的所有变异性。一般来说，R2越高，模型越适合你的数据。因此，R2值为0.9073意味着非常良好的线性拟合。

图10绘示了根据本揭露一些实施方式的用于调整沉积腔室中磁场分布的方法的流程图。根据一些实施方式，一种用于在一沉积腔室中改变磁场分布的方法包含提供一靶材磁场分布的第一操作1001，移除在沉积腔室中的多个第一固定磁体的第二操作1002，使用具有不同配置的各别磁体替换每个第一固定磁体的第三操作1003，调整每个可调磁体的位置的第四操作1004，根据一些实施方式，通过调整磁体本体的上连接器和下连接器中对应的螺钉，调整每个可调磁体的尺寸的第五操作1005，调整每个可调磁体的磁通量的第六操作1006，根据一些实施方式，通过调整磁体本体的尺寸，或者根据一些实施方式，通过实现具有不同场强度的磁体，测量在沉积腔室中的磁场分布的第七操作1007，根据一些实施方式，例如通过实现多个磁场感测器(magnetic field sensors)，以及比较在沉积腔室中量测的磁场分布和靶材磁场分布的第八操作1008。

根据一些实施方式，揭露一种用于改变一沉积腔室中一磁场分布的方法。此方法包含以下操作：提供一靶材磁场分布；移除沉积腔室中的多个第一固定磁体；用多个第二磁体各别替换多个第一固定磁体的每一个；执行以下操作中的至少一个：调整所述多个第二磁体中的至少一个的一位置，以及调整所述多个第二磁体中的至少一个的一尺寸；在沉积腔室中量测一磁场分布；以及比较在沉积腔室中量测的磁场分布和靶材磁场分布。

根据一些实施方式，此方法还包含根据上述的比较，提供用于调整多个可调磁体中的每一个的回馈信息。根据一些实施方式，此方法还包含根据上述的回馈信息，第二次执行以下操作中的至少一个：调整所述多个第二磁体中的至少一个的位置，以及调整所述多个第二磁体中的至少一个的尺寸。根据一些实施方式，此方法还包含在沉积腔室中再次量测磁场分布。根据一些实施方式，此方法还包含重复比较在沉积腔室中量测的磁场分布和靶材磁场分布。根据一些实施方式，此方法还包含根据上述的比较，提供用于调整多个可调磁体中的每一个的回馈信息。根据一些实施方式，此方法还包含根据上述的回馈信息，第三次执行以下操作中的至少一个：调整所述多个第二磁体中的至少一个的位置，以及调整所述多个第二磁体中的至少一个的尺寸。根据一些实施方式，此方法还包含在沉积腔室中再次量测磁场分布。根据一些实施方式，此方法还包含固定所述多个第二磁体中的至少一个的位置和所述多个第二磁体中的至少一个的尺寸。

根据一些实施方式，揭露一种沉积腔室。此沉积腔室包含多个可调磁体，其用于调整沉积腔室的磁场分布，每一个可调磁体的位置是可单独调整的，所述多个可调磁体中的每一个的体积是可单独调整的，每一个可调磁体的磁场强度是可单独调整的。根据一些实施方式，每一个可调磁体的位置是垂直地调整。根据一些实施方式，每一个可调磁体的位置是通过调整螺钉而垂直地调整。根据一些实施方式，每一个可调磁体的体积是通过调整对应磁体的直径而调整。根据一些实施方式，每一个可调磁体的磁场强度是通过调整对应磁体的磁场强度而调整。

根据一些实施方式，所述多个可调磁体中的每一个配置以在垂直位置上调整。

根据一些实施方式，所述多个可调磁体中的每一个配置以垂直地调整，其在一磁控管内通过调整各别的螺钉将多个可调磁体中的每一个偶合至各别的固定点。

根据一些实施方式，所述多个可调磁体中的每一个的体积是通过调整对应的磁体的一尺寸来调整。

根据一些实施方式，揭露一种可调磁体。此可调磁体包含一圆柱形金属体，其用于传导磁通量，其中圆柱形金属体的一半径是可调整的，圆柱形金属体的一高度是可调整的；一顶部可调整连接器，其用于调整可调磁体的一位置；以及一底部可调整连接器，其用于调整可调磁体的所述位置。根据一些实施方式，可调磁体还包含多个金属线圈，其用于产生电磁场；以及一可调电流源，其用于调整在多个金属线圈中流动的一电流。根据一些实施方式，用于调整在多个金属线圈中流动的电流的可调电流源是具有至少一可调抵抗的一电流源。根据一些实施方式，用于调整可调磁体位置的顶部可调整连接器为一螺钉。根据一些实施方式，用于调整可调磁体位置的底部可调整连接器为一螺钉。根据一些实施方式，可调磁体还包含一顶部紧固件，其用于固定可调磁体的位置。根据一些实施方式，可调磁体还包含一底部紧固件，其用于固定可调磁体的位置。根据一些实施方式，顶部紧固件为一螺钉。根据一些实施方式，底部紧固件为一螺钉。

根据一些实施方式，可调磁体为一可调电磁体。

前述内文概述了许多实施例的特征，使本技术领域中具有通常知识者可以从各个方面更佳地了解本揭露。本技术领域中具有通常知识者应可理解，且可轻易地以本揭露为基础来设计或修饰其他制程及结构，并以此达到相同的目的及/或达到与在此介绍的实施例等相同的优点。本技术领域中具有通常知识者也应了解这些相等的结构并未背离本揭露的发明精神与范围。在不背离本揭露的发明精神与范围的前提下，可对本揭露进行各种改变、置换或修改。

Claims (10)

1.一种用于改变一沉积腔室中一磁场分布的方法，其特征在于，该方法包含：

提供一靶材磁场分布；

移除该沉积腔室中的多个第一固定磁体；

用多个第二磁体各别替换所述多个第一固定磁体的每一个；

执行以下操作中的至少一个：调整所述多个第二磁体中的至少一个的一位置，以及调整所述多个第二磁体中的至少一个的一尺寸；

在该沉积腔室中量测一磁场分布；以及

比较在该沉积腔室中量测的该磁场分布和该靶材磁场分布。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包含：

根据该比较，提供用于调整多个可调磁体中的每一个的一回馈信息。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包含：

根据该回馈信息，第二次执行以下操作中的至少一个：调整所述多个第二磁体中的至少一个的该位置，以及调整所述多个第二磁体中的至少一个的该尺寸。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包含：

在该沉积腔室中再次量测该磁场分布。

5.一种沉积腔室，其特征在于，包含：

多个可调磁体，其用于调整该沉积腔室的一磁场分布，

其中每一个可调磁体的一位置是可单独调整的，

其中所述多个可调磁体中的每一个的一体积是可单独调整的，以及

其中每一个可调磁体的一磁场强度是可单独调整的。

6.根据权利要求5所述的沉积腔室，其特征在于，其中所述多个可调磁体中的每一个配置以垂直地调整，其在一磁控管内通过调整各别的螺钉将所述多个可调磁体中的每一个偶合至各别的固定点。

7.根据权利要求5所述的沉积腔室，其特征在于，其中所述多个可调磁体中的每一个的该体积是通过调整对应的该磁体的一尺寸来调整。

8.一种可调磁体，其特征在于，包含：

一圆柱形金属体，其用于传导磁通量，其中该圆柱形金属体的一半径是可调整的，其中该圆柱形金属体的一高度是可调整的；

一顶部可调整连接器，其用于调整该可调磁体的一位置；以及

一底部可调整连接器，其用于调整该可调磁体的该位置。

9.根据权利要求8所述的可调磁体，其特征在于，还包含：

多个金属线圈，其用于产生电磁场；以及

一可调电流源，其用于调整在所述多个金属线圈中流动的一电流。

10.根据权利要求9所述的可调磁体，其特征在于，其中用于调整在所述多个金属线圈中流动的该电流的该可调电流源是具有至少一可调抵抗的一电流源。