CN104647820A - 一种具有ar和af功能的高硬度高介电常数的盖板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种具有AR和AF功能的高硬度高介电常数的盖板,该盖板使用在工控触膜屏、手机、PDA、及车载导航或者各类移动终端上,主要在基材上依次沉积三明治薄膜结构,基材为钢化玻璃或者其它光学塑料,基材上面依次沉积的薄膜结构为Si3N4(或AlN)/SiC/DLC;所述盖板直接采用PVD方法沉积,所述的Si3N4(或AlN)的膜层厚度在30-50nm之间,SiC的膜层厚度在45-55nm之间,而DLC的膜层厚度在30-40nm之间;由此膜系所组成的盖板既有增透和防指纹的效果,又具备了高硬度和高电介电常数的性能,如果使用基材为康宁的钢化玻璃,可以替代目前的蓝宝石玻璃盖板,降低了生产成本。
Description
技术领域
本发明属于平板显示器件领域,特别涉及一种具有AR和AF功能的高硬度高介电常数的盖板。
背景技术
碳是自然界广泛分布的一种元素,以多种形式存在,常见的有石墨,无定形碳和金刚石,以及近年来热门的类金刚石(DLC)。类金刚石是一类含有金刚石结构(SP3杂化键)和石墨结构(SP2杂化键)的亚稳态非晶态物质,碳原子主要以SP3和SP2杂化键合。类金刚钻石膜有着和金刚石几乎一样的性质,如高硬度、耐磨损、高表面光洁度、高电阻率、优良的场发射性能,高透光率及化学惰性等,它的产品广泛应用在机械、电子、微电子机械系统(MEMS)、光学和生物医学等各个领域。而类金刚石和金刚石相比,又以沉积温度低,沉积方法容易被受关注。
碳化硅俗称金刚砂,具备高的折射率,在可见光部分可达到2.6,介电常数9.66左右,其具有良好的化学稳定性,和类金刚石一样具有优良的导热系数,莫氏硬度为9.5级,一样接近于金刚石。目前人们追求的蓝宝石盖板因其具备良好的化学稳定性、高的介电常数以及高硬度被推举,可因蓝宝石加工工艺复杂造成昂贵的成本,人们一直在苦苦寻找着在同等性能的情况下,廉价的替代品。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种具有AR和AF功能的高硬度高介电常数的盖板,该盖板生产工艺常规化,最可靠的是物理气相沉积方法(PVD),能低温成膜,介电常数高,附着力好,防指纹,高透过率硬度大,如果使用基材为康宁的钢化玻璃,可以替代目前推举的蓝宝石盖板而且成本低,取材容易。
为解决上述技术问题,本发明采用如下技术方案:
一种具有AR和AF功能的高硬度高介电常数的盖板,所述盖板采用三明治薄膜结构,包括基材,以及基材上面依次沉积的Si3N4/SiC/DLC或AlN/SiC/DLC膜系结构。
所述的Si3N4或AlN的膜层厚度在30-50nm之间。
所述的SiC的膜层厚度在45-55nm之间。
所述的DLC的膜层厚度在30-40nm之间。
该盖板可以一次连续性PVD沉积生产。
该盖板的硬度在10~40GPa,介电常数在7~12。
与现有技术相比,本发明的具有AR和AF功能的高硬度高介电常数的盖板使用在工控触膜屏、手机、PDA、及车载导航或者各类移动终端上,创新体现在:
一、形成3层折射率匹配的光学膜系,达到高透的效果(即AR性能);
二、选材都可以进行低温物理方法沉积,连续生产;
三、在硬度匹配上是逐级递增,有利于产生高硬度;
四、最上层的采用的是F-DLC(掺氟类金刚石)产生防指纹的效果(即AF性能);
五、因三种材料都具备高的介电常数,在整体成膜后,高的介电常数可以提高电容屏的灵敏度和抗干扰性。
附图说明
图1是本发明实施例1的盖板的膜层结构示意图;
图2是本发明实施例2的盖板的膜层结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明。以下是对本发明的进一步说明,而不是对本发明的限制。以下实施例中所使用的DLC为F-DLC(掺氟类金刚石),实施例中所使用的所有原料均来源于市售。
实施例1
请参阅图1,本实施例的盖板的结构是Si3N4/SiC/DLC,Si3N4的厚度在40-50nm之间,SiC的厚度在45-55nm之间,DLC厚度在30-40nm之间,使用连续在线磁控溅射的方法,SiC和DLC层分别采用硅靶和石墨靶,制备温度常温,通入Ar和N2以及CF4气到工作真空0.25Pa,靶的功率密度在2-3W/cm2,采用低沉积速率方式在钢化玻璃或者其它光学塑料基材上镀膜。本实施例的盖板具有AR和AF功能,硬度在32GPa,介电常数在11。
实施例2
请参阅图2,本实施例的盖板结构为AlN/SiC/DLC,AlN的厚度在30-50nm之间,SiC的厚度在45-55nm之间,DLC厚度在40-100nm之间,采用连续在线磁控及多弧离子镀的方法,AlN采用铝靶,SiC采用硅靶,DLC采用石墨靶,制备温度常温,通入Ar和N2使用磁控溅射制备AlN,通入Ar和CH4使用磁控溅射制备SiC,以及通入Ar和CF4使用多弧离子镀方法,工作真空在0.25Pa,靶电流在20-40A,采用低沉积速率方式在钢化玻璃或者其它光学塑料基材上镀膜,采用低沉积速率方式沉积DLC薄膜。本实施例的盖板具有AR和AF功能,硬度在35GPa,介电常数在10.5。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种具有AR和AF功能的高硬度高介电常数的盖板,其特征在于:所述盖板包括基材,以及基材上面依次沉积的Si3N4/SiC/DLC或AlN/SiC/DLC膜系结构。
2.如权利要求1所述的高硬度高介电常数的盖板,其特征在于:所述Si3N4或AlN膜层的厚度在30-50nm之间。
3.如权利要求1所述的高硬度高介电常数的盖板,其特征在于:所述SiC膜层的厚度在45-55nm之间。
4.如权利要求1所述的高硬度高介电常数的盖板,其特征在于:所述DLC的膜层的厚度在30-40nm之间。
5.一种具有AR和AF功能的高硬度高介电常数的盖板,其特征在于:所述盖板采用一次连续性PVD沉积生产。
6.一种具有AR和AF功能的高硬度高介电常数的盖板,其特征在于:所述盖板的硬度为10~40GPa,介电常数为7~12。
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