CN203433832U - 柔性透明导电薄膜和触控面板 - Google Patents
柔性透明导电薄膜和触控面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN203433832U CN203433832U CN201320251703.2U CN201320251703U CN203433832U CN 203433832 U CN203433832 U CN 203433832U CN 201320251703 U CN201320251703 U CN 201320251703U CN 203433832 U CN203433832 U CN 203433832U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- rete
- flexible
- flexible transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Position Input By Displaying (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
本实用新型提供一种柔性透明导电薄膜和触控面板，该薄膜包括柔性基材和透明导电氧化物膜层，所述柔性基材具有相对的第一表面和第二表面，所述柔性基材的第一表面由内到外依次叠设有硅氧化物膜层、中间光学膜层、二氧化硅膜层，所述中间光学膜层为碳氧化硅层、氮氧化硅层或碳氮氧化硅层，所述透明导电氧化物膜层设于所述二氧化硅膜层上。该导电薄膜的各膜层附着力强、透过率高、制造简便、成本低，可广泛应用于触控显示屏中。
Description
技术领域
本实用新型关于光电材料技术领域，具体涉及一种柔性透明导电薄膜和触控面板。
背景技术
柔性透明导电膜是柔性显示器件的关键材料，尤其是电容式触摸屏的核心材料。柔性透明导电膜是在柔性基材上，如柔性PET、PEN、PC等，通过真空镀膜技术形成的柔性透明导电膜产品。随着技术的进步，现在的显示器件，尤其是电容式触摸屏对柔性透明导电膜的要求越来越高，其中图案的无色差效果是柔性透明导电膜的必备要求。无色差就是指看不见明显的蚀刻图案或线条，即，看不见导电薄膜蚀刻图案，达到视角的美感。
现有技术是在柔性基材上，依次沉积三层膜层材料，由内到外分别为：高折射率、低折射率、透明导电氧化物膜层，透明导电氧化物膜层经过蚀刻后形成细微的导电图案层。其中，高折射率材料一般为氧化铌、氧化钛、氧化锆、氮化硅等材料，这些高折射率材料与柔性基材附着力不是那么牢固，所以，它们的制作工艺比较复杂，而且这些高折射率材料沉积速率低，影响生产效率。低折射率材料一般为SiO2材料或MgF2材料，通过高低折射率材料形成的光学无色差膜层，再调节导电氧化物膜层的厚度，可以做出无色差的柔性透明导电膜产品。但是仍具有以下几个缺陷：
1) 此膜层附着力不是好控制，尤其柔性基材和高折射率材料之间，附着力是比较差的，它们的制作工艺比较复杂，如果高折射率层没有制作好的话，整个结构的附着力也存在问题。这就使得产品的制作过程中存在附着力差的风险。
2) 此产品结构对于高低折射率材料的膜层厚度要求比较严格，只能控制在比较窄的范围内才能做出无色差的柔性透明导电膜产品。
3) 此产品结构需要的靶材要两种材料，多种位置放置，占用空间大。
4) 此产品透过率较低。
实用新型内容
有鉴于此，提供一种附着力牢固、透过率高、制造简便的柔性透明导电薄膜。
以及，提供一种具有上述柔性透明导电薄膜的触控面板。
一种柔性透明导电薄膜，其包括柔性基材和透明导电氧化物膜层，所述柔性基材具有相对的第一表面和第二表面，所述柔性基材的第一表面由内到外依次叠设有硅氧化物膜层、中间光学膜层、二氧化硅膜层，所述中间光学膜层为碳氧化硅层、氮氧化硅层或碳氮氧化硅层，所述透明导电氧化物膜层设于所述二氧化硅膜层上。
进一步地，所述硅氧化物膜层为二氧化硅膜层。
进一步地，所述硅氧化物膜层厚度在3-8 nm之间。
进一步地，所述透明导电氧化物膜层是ITO膜层。
进一步地，所述透明导电氧化物膜层的厚度在25-35nm之间。
进一步地，所述中间光学膜层厚度在5-15nm之间。
进一步地，所述二氧化硅层的厚度在35-60nm之间。
进一步地，所述透明导电氧化物膜层是蚀刻的图案层。
进一步地，所述硅氧化物膜层、中间光学膜层、二氧化硅膜层都是真空磁控溅射的镀膜。
以及，一种触控面板，其包括上述的柔性透明导电薄膜。
上述柔性透明导电薄膜和触控面板，在该柔性基材的一面依次由内到外设有硅氧化物膜层、中间光学膜层、二氧化硅膜层。首先，碳氧化硅层、氮氧化硅层或碳氮氧化硅层相比现有的高折射率膜层来说，与基材的附着力要牢固很多；其次，硅氧化物膜层可使得导电薄膜的透过率相比传统方法有所增加，且起到较好的过渡作用；再次，制造过程中只需要Si靶，可以是一种靶材一个位置配合不同的反应气体，相比传统的方法需要两种靶材多个个位置才能完成，要更加简单方便。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明。
图1是本实用新型实施例的柔性透明导电薄膜结构示意图。
图2是现有技术中导电薄膜与本实用新型实施例的柔性透明导电薄膜分别在蚀刻前和蚀刻后的反射曲线对比图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
请参阅图1，示出本实用新型实施例的柔性透明导电薄膜10，其包括柔性基材11和透明导电氧化物膜层16，柔性基材11具有相对的第一表面11a和第二表面11b，柔性基材的第一表面11a由内到外依次叠设有硅氧化物膜层12、中间光学膜层13、二氧化硅膜层14，中间光学膜层13为碳氧化硅层、氮氧化硅层或碳氮氧化硅层，透明导电氧化物膜层16设于所述二氧化硅膜层14上。
其中，柔性基材11优选为加硬的柔性基材，例如，基材可以是但不限于柔性PET、PEN、PC等等，加硬材料可以是有机高分子材料，一般为丙烯酸酯、有机硅等材料。柔性基材11的厚度可以为50～188微米，以保证其足够的柔韧性和产品整体厚度上的减薄。透明导电氧化物膜层优选为ITO膜层。进一步地，透明导电氧化物膜层是蚀刻的图案层，更优选为蚀刻的ITO图案层。透明导电氧化物膜层的厚度优选是在25-35nm之间。
硅氧化物膜层12优选为二氧化硅层。硅氧化物膜层12的厚度优选为在3-8 nm之间。通过在中间光学膜层13和柔性基材11之间加入硅氧化物膜层12，可使得导电薄膜10的透过率相比传统方法有所增加，且起到较好的过渡作用，增强中间光学膜层13的附着力。
中间光学膜层13是碳氧化硅层、氮氧化硅层或碳氮氧化硅层中的任意一层，厚度优选在5-15nm之间，位于外层的二氧化硅膜层14的厚度优选在35-60nm之间。
进一步地，所述硅氧化物膜层12、中间光学膜层13、二氧化硅膜层14都是真空磁控溅射的镀膜。
具体地，上述导电薄膜10制造时，首先在柔性基材11上形成硅氧化物膜层12：通过Si靶，以Ar气为工作气体，通入氧气，工作压强为0.2-0.5Pa，这样在柔性基材11上沉积出第一层SiOx材料。继续在Si靶处通入工作气体Ar气，通入反应气体氮气和氧气或二氧化碳中的两种或多种，工作压强在0.2-0.5Pa，其中氮气和氧气和二氧化碳分别占通入气体体积总量的15%-30%和0-5%和0-5%，这样在柔性基材上沉积出SiCNxOy或SiCOx或SiNxOy材料，形成中间光学膜层13。关闭氮气和二氧化碳气体，通入纯氧气用行业内常用的控制Si靶电压的方法，反应溅射外层SiO2材料，膜层厚度在35-60nm之间；然后沉积ITO膜层，厚度在25-35nm，即获得本实施例的导电薄膜10。
由上述制程可知，通过一种Si靶，配合不同的反应气体，反应气体的位置可保持不变，在一个反应室内进行，即可制得导电薄膜10，相对于现有技术中的两种以上靶材，制程更加简便，节省生产成本，提高生产效率。
请参阅图2，其中实线为现有的导电薄膜的ITO蚀刻前和蚀刻后的反射曲线，虚线为本实施例的导电薄膜10的ITO蚀刻前和蚀刻后的反射曲线。现有的导电薄膜采用沉积高折射率材料和低折射率材料，最后沉积ITO层的三层膜层结构所制作出的导电薄膜。从图2的对比结果来看，本实施例的导电薄膜10的反射曲线和现有的高低折射率反射曲线，几乎一致，也就是无色差效果基本上是相同的。但是本实施例在制作方法上和制作过程中，光学无色差层通过一种Si靶一个位置，通入不同的反应气体，就可以制作完成，简单方便，相比传统制作方法成本低廉。而且，碳氧化硅层、氮氧化硅层或碳氮氧化硅层相比现有的高折射率来说，与基材的附着力要牢固很多。其次，硅氧化物膜层可使得导电薄膜的透过率相比传统方法有所增加，且起到较好的过渡作用。
在本实施例的另一方面，提供一种具有上述柔性透明导电薄膜10的触控面板。其中，柔性透明导电薄膜10用作触控面板的触控屏中的导电薄膜，触控面板的其他结构部分可采用现有的结构，在此不作赘述。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种柔性透明导电薄膜，其包括柔性基材和透明导电氧化物膜层，所述柔性基材具有相对的第一表面和第二表面，其特征在于，所述柔性基材的第一表面由内到外依次叠设有硅氧化物膜层、中间光学膜层、二氧化硅膜层，所述中间光学膜层为碳氧化硅层、氮氧化硅层或碳氮氧化硅层，所述透明导电氧化物膜层设于所述二氧化硅膜层上。
2.如权利要求1所述的柔性透明导电薄膜，其特征在于，所述硅氧化物膜层为二氧化硅层。
3.如权利要求1所述的柔性透明导电薄膜，其特征在于，所述硅氧化物膜层厚度在3-8 nm之间。
4.如权利要求1所述的柔性透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电氧化物膜层是ITO膜层。
5.如权利要求1所述的柔性透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电氧化物膜层的厚度在25-35nm之间。
6.如权利要求1所述的柔性透明导电薄膜，其特征在于，所述中间光学膜层厚度在5-15nm之间。
7.如权利要求1所述的柔性透明导电薄膜，其特征在于，所述二氧化硅膜层的厚度在35-60nm之间。
8.如权利要求1所述的柔性透明导电薄膜，其特征在于，所述透明导电氧化物膜层是蚀刻的图案层。
9.如权利要求1所述的柔性透明导电薄膜，其特征在于，所述硅氧化物膜层、中间光学膜层、二氧化硅膜层都是真空磁控溅射的镀膜。
10.一种触控面板，其包括如权利要求1-9任一项所述的柔性透明导电薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320251703.2U CN203433832U (zh) | 2013-05-10 | 2013-05-10 | 柔性透明导电薄膜和触控面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201320251703.2U CN203433832U (zh) | 2013-05-10 | 2013-05-10 | 柔性透明导电薄膜和触控面板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN203433832U true CN203433832U (zh) | 2014-02-12 |
Family
ID=50062857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201320251703.2U Expired - Lifetime CN203433832U (zh) | 2013-05-10 | 2013-05-10 | 柔性透明导电薄膜和触控面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN203433832U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114550979A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-05-27 | 辽宁科技大学 | 透明导电耐磨耐蚀的智能穿戴器件外用屏及其制备方法 |
| CN114566308A (zh) * | 2022-03-15 | 2022-05-31 | 江苏日久光电股份有限公司 | 耐划伤cop导电膜及其制备方法 |
-
2013
- 2013-05-10 CN CN201320251703.2U patent/CN203433832U/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114550979A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-05-27 | 辽宁科技大学 | 透明导电耐磨耐蚀的智能穿戴器件外用屏及其制备方法 |
| CN114566308A (zh) * | 2022-03-15 | 2022-05-31 | 江苏日久光电股份有限公司 | 耐划伤cop导电膜及其制备方法 |
| CN114566308B (zh) * | 2022-03-15 | 2024-04-30 | 江苏日久光电股份有限公司 | 耐划伤cop导电膜及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI475574B (zh) | 塗佈型透明導電膜結構及其應用 | |
| TWI600918B (zh) | 光學膜元件 | |
| TWI486973B (zh) | 透明導電層壓薄膜、其製造方法以及包含該透明導電層壓薄膜的觸控螢幕 | |
| TWI545591B (zh) | Transparent conductive film and touch panel | |
| CN103226211A (zh) | 光学基板 | |
| US20120057237A1 (en) | Electrode film and coordinate detecting apparatus | |
| CN105260056A (zh) | 触摸屏的制作方法、触摸屏及触摸装置 | |
| TWI567413B (zh) | 複合基板結構及觸控裝置 | |
| CN102713802B (zh) | 用于触摸面板的板件及其制造方法 | |
| CN204210110U (zh) | 高透过消影导电玻璃 | |
| CN103632755A (zh) | 透明导电膜及其制作方法和光学调整层 | |
| CN107230514A (zh) | 柔性导电膜 | |
| CN104281303A (zh) | 一种显示装置、触摸屏及其制造方法 | |
| TWI524235B (zh) | Touch panel sensor | |
| JP5906562B2 (ja) | 視認性に優れた両面透明伝導性フィルム及びその製造方法 | |
| CN203433832U (zh) | 柔性透明导电薄膜和触控面板 | |
| CN104834424A (zh) | 消影增透透明导电薄膜 | |
| JP2002122703A (ja) | 反射防止積層体および光学機能性積層体およびそれを用いた表示装置 | |
| CN205443062U (zh) | 导电玻璃 | |
| KR20190049277A (ko) | 광학용 반사방지 필름 및 이의 제조방법 | |
| CN102848655B (zh) | 防静电膜及其制备方法 | |
| CN106406645B (zh) | 一种柔性铜网栅基触摸屏及制备方法 | |
| CN106687894B (zh) | 用于显示装置的基底 | |
| CN105541124A (zh) | 一种消影导电玻璃 | |
| TW202413077A (zh) | 光學積層體及物品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 518000 Guangdong city of Shenzhen province Nanshan District Xili Street 2 North Road Building Howell Technology Patentee after: SHENZHEN HIVAC DISPLAY TECHNOLOGY CO.,LTD. Address before: 518000 Guangdong city of Shenzhen province Nanshan District science and Technology Park North Long Hill Road No. two building Howell Patentee before: Shenzhen Hivac Film Technology Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20140212 |
|
| CX01 | Expiry of patent term |