CN104628820A - 普那霉素ia晶型及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了普那霉素IA晶型及其制备方法。该晶型的X射线粉末衍射光谱中下述2θ角具有特征峰：7.14°、7.59°、8.15°、14.52°、21.96°±0.2°。本发明得到的晶型稳定，晶型的制备方法简单，可操作性强，适合工业化生产。

Description

普那霉素IA晶型及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种化合物晶型及其结晶方法，更确切的说涉及普那霉素IA晶型及其制备方法。

背景技术

普那霉素(pristinamycin)，又名原始霉素，号称“人类对付致病菌的最后一道屏障”,是继万古霉素、替考拉宁之后的又一个抗多重耐药菌的抗生素。普那霉素是由安万特公司（Aventis），即原法国罗纳普朗克罗尔（Rhone-Poulenc Rorer）公司开发并生产的，世界范围内只有安万特公司生产，主要适用于肺炎、菌血症及皮肤感染。该药为口服给药，由于通过口服治疗耐甲氧西林金黄色葡萄球菌的药物非常有限，因此，该产品的销售量近4年来呈持续上升状态。

普那霉素对众多的革兰氏阳性菌、部分革兰氏阴性菌以及厌氧菌具有很强的杀菌作用，且对甲氧西林耐药或敏感的金黄色葡萄球菌、红霉素耐药或敏感的金黄色葡萄球菌、甲氧西林耐药或敏感的表皮葡萄球菌、溶血葡萄球菌、肺炎链球菌等均有很强的抗菌活性。普那霉素还具有较长的抗生素后效应，在临床上主要用于治疗包括耐药菌在内的革兰氏阳性菌引起的感染。该产品安全性好，服用1～18个月未见明显毒副作用报道。主要的不良反应为胃肠道紊乱和呕吐，发生率为10%左右。

普那霉素是链霉菌S. pristinaespiralis产生的两种结构和性质不同的成分PIA、PIIA组成的混合物，能溶于甲醇、乙醇、丙酮、乙酸乙酯以及三氯甲烷，微溶于水，难溶于石油醚。普那霉素由约30%的普那霉素I（PIA， PIB， PIC）和约70%的普那霉素II（PIIA， PIIB）组成，普那霉素I为环六肽内酯，普那霉素II为多不饱和环内酯，其中PIA 和PIIA是普那霉素的主要组分。PIA的化学结构式见下。

普那霉素IA的化学结构式

普那霉素两种组分之间具有协同作用，这表现在两个方面：一是其中一种组分可以明显地降低与之相对应的另一组分的最低抑菌浓度；二是两种组分单独使用对细菌表现为抑菌作用，而两者的复合物则表现为杀菌作用（金志华，吴亚铭，岑沛霖。链阳性菌素衍生物的半合成及构效关系。中国现代应用药学杂志，2000，17（4）：297-301）。体外试验表明，两种组分联合使用可使其抗菌活性比各组分单独使用提高10倍以上(Neu H.C., Chin N., Gu J. The in-vitro activity of new streptogramins, RP59500, RP57669 and RP54476, alone and in eombination. J. Antimicrob. Chemother., 1992, 30 (SupplA): 83-94)。

普那霉素IA是一类多晶型化合物，同一药物由于晶型类型和纯度的差异，使得药物的物理性质及稳定性存在显著差异，从而对药物的安全、有效性产生影响。因此，开发安全而有效的普那霉素IA新晶型就显得非常必要。

目前，国内外专利、文献对普那霉素IA晶型制备方法的介绍比较少。专利CN 103665105 A公开了一种普那霉素IA晶型的制备方法：将普那霉素IA溶于甲醇、乙醇、丙酮等溶剂中，加入不同含量的水，静置，过滤后可得到结晶沉淀。获得的晶型XRD图谱中2θ特征峰位于3.9°、9.0°、14.5°、14.9°、16.0°、16.4°、16.8°、18.3°、20.0°、24.2°处，与本发明的晶型不同。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种稳定性好的普那霉素IA晶型。

本发明的目的之二在于提供前述普那霉素IA晶型的制备方法。

本发明的目的之三在于提供一种含有普那霉素IA晶型药用组合物。

本发明的目的之一是这样实现的：

普那霉素IA晶型，所述晶型的X射线粉末衍射光谱中下述2θ角具有特征峰：7.14°、7.59°、8.15°、14.52°、21.96°±0.2°。

所述的普那霉素IA晶型， X-射线粉末衍射图基本与图1一致。本发明的目的之二是这样实现的：

普那霉素IA晶型的制备方法，包括以下步骤：

1）饱和溶液：将普那霉素IA加入溶剂中，室温下超声1～5分钟，得到过饱和溶液；

2）晶体生长：将过饱和溶液放置，养晶。

3）抽滤：将上述养晶液抽滤，得到滤饼；

4）烘干：将上述滤饼真空干燥得到普那霉素IA晶型。

所述的制备方法，其中步骤2）中所述晶体生长的养晶时间为5～12小时，放置的温度为-10～20℃。

所述的制备方法，其中步骤4）中所述真空干燥是指在40～70℃，真空干燥2～5小时。

本发明的目的之三是这样实现的：

药用组合物，所述药用组合物包含上述的普那霉素IA晶型和药学上可接受的敷形剂。

本发明的有益效果：

1）本发明所述方法得到的新晶型国内外未见报道。

2）本发明所述方法制备的晶型稳定性好，40℃放置6个月无降解峰出现。

3）本发明所述方法结晶时使用毒性较低的溶剂，避免了使用高毒性溶剂造成对环境的污染和人体的伤害，且该方法溶剂用量少，成本较低，整个制备过程比较简洁，耗时较短，可控制性强，适合工业化生产。

附图说明    

图1  普那霉素IA晶型的XRPD 图谱

图2  普那霉素IA晶型的TGA和DSC图谱

图3  普那霉素IA晶型的13C-NMR谱图

图4  普那霉素IA晶型的1H-NMR谱图。

具体实施方式

下述实施例仅用于阐述实现本发明的方法，不应理解为对本发明的限制。

本发明所使用的普那霉素IA原粉来自华北制药集团新药研究开发有限责任公司，含量为99.5%。本发明使用的高效液相色谱仪（HPLC）为996型检测器，515泵（Waters公司）。本发明所使用的粉末衍射仪型号为Bruker D8 Advance diffractometer，铜靶K radiation（40kV，40 mA）、θ-2θ 测角仪、Mo单色仪、Lynxeye探测器。仪器在使用前用金刚砂检测过。采集软件是Diffrac Plus XRD Commander，分析软件是MDI Jade 6.0。检测条件为：角度范围：3-40°2θ，步长：0.02°2θ，速度：0.15s.step^-1。差热分析数据采自于 TA Instruments Q200DSC，仪器控制软件是Thermal Advantage，分析软件是Universal Analysis。热重分析数据采自于 TA Instruments Q500 TGA，仪器控制软件是Thermal Advantage，分析软件是Universal Analysis。

本发明实施例1普那霉素IA晶型的XRD峰值：

实施例1

取5克普那霉素IA原粉，加入100毫升乙酸乙酯溶液，室温超声1分钟，得到过饱和溶液。20℃放置12小时后，减压抽滤，滤饼置于70℃烘箱真空干燥2小时，得到普那霉素IA晶型的结晶粉4.6克，含量99.68%，结晶收率92.2%。

所制普那霉素IA晶型的XRD数值如表1所示，图谱如图1所示，该图显示晶型的X射线粉末衍射光谱中下述2θ角具有特征峰：7.14°、7.59°、8.15°、14.52°、21.96°±0.2°，上述特征峰在国内外现有技术所得晶型中未见报道。

检测普那霉素IA晶型的TGA和DSC图谱如图2所示。

普那霉素IA晶型的13C-NMR谱图如图3所示。

普那霉素IA晶型的1H-NMR谱图如图4所示。

实施例2

取5克普那霉素IA原粉，加入70毫升丙酮溶液，室温超声3分钟，得到过饱和溶液。10℃放置8小时后，减压抽滤，滤饼置于50℃烘箱真空干燥4小时，得到普那霉素IA晶型的结晶粉4.7g，含量99.57%，结晶收率94.1%。

实施例3

取5克普那霉素IA，加入50毫升甲醇溶液，室温超声5分钟，得到过饱和溶液。0℃放置7小时后，减压抽滤，滤饼置于60℃烘箱真空干燥3小时，得普那霉素IA晶型的结晶粉4.5克，含量99.65%，收率90.1%。

实施例4

取5克普那霉素IA，加入25毫升乙醇溶液，室温超声1分钟，得到过饱和溶液。-10℃放置5小时后，减压抽滤，滤饼置于40℃烘箱真空干燥5小时，得普那霉素IA晶型的结晶粉4.6克，含量99.71%，结晶收率92.2%。

将本发明制备的普那霉素IA晶型在40℃温度下进行加速试验，得到如下数据：

由上述数据可以看出，本发明制备的普那霉素IA晶型具有良好的稳定性，在高温状态下产品纯度几乎没有下降。

本发明的普那霉素IA晶型可按常规方法制成具有治疗用途且可用于治疗患者的各种药物组合物或剂型。

Claims (7)

1.普那霉素IA晶型，其特征在于所述晶型的X射线粉末衍射光谱中下述2θ角具有特征峰：7.14°、7.59°、8.15°、14.52°、21.96°±0.2°。

2.权利要求1所述的普那霉素IA晶型，其特征在于，所述X-射线粉末衍射图基本与图1一致。

3.权利要求1或2所述普那霉素IA晶型的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）饱和溶液：将普那霉素IA加入溶剂中，室温下超声1～5分钟，得到过饱和溶液；

2）晶体生长：将过饱和溶液放置，养晶；

3）抽滤：将上述养晶液抽滤，得到滤饼；

4）烘干：将上述滤饼真空干燥得到普那霉素IA晶型。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其中步骤1）中所述溶剂为甲醇、乙醇、丙酮和乙酸乙酯中的任意一种，普那霉素IA和溶剂的重量比为0.5～2:10。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其中步骤2）中所述晶体生长的养晶时间为5～12小时，放置的温度为-10～20℃。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其中步骤4）中所述真空干燥是指在40～70℃，真空干燥2～5小时。

7.一种药用组合物，所述药用组合物包含权利要求1或2所述的普那霉素IA晶型和药学上可接受的敷形剂。