CN104607657A - 一种铜银双金属纳米线及其制备方法 - Google Patents

一种铜银双金属纳米线及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种铜银双金属纳米线及其制备方法，所述制备方法包括：1）将阳离子型表面活性剂溶解于有机还原剂，形成有机还原体系，其中，有机还原剂包括长链烷基胺；2）向步骤1）制备的有机还原体系中加入能够溶解于所述有机还原体系的铜盐和作为催化剂的金属纳米颗粒，并在第一规定温度下反应；3）向步骤2）中反应完毕的有机还原体系中加入能够溶解于所述有机还原体系的银盐，在第二规定温度下反应，过滤、清洗、干燥得到所述铜银双金属纳米线。

Description

一种铜银双金属纳米线及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种铜银双金属纳米线及其制备方法，具体涉及一种超长铜银双金属纳米线及其制备方法，以及由其制备的导电油墨/墨水、透明导电薄膜、打印电路及相关电子产品。
背景技术
近年来，一维材料由于其独特的光、电、磁性质，特别是其在透明显示、光电转换、催化、以及传感器领域所显示的巨大应用前景而受到了广泛关注。由于目前在透明导电领域中所使用的ITO材料柔性较差，成本高，所以金属纳米材料透明导电膜将会成为ITO的重要替代材料。相对于银纳米线，铜纳米线同样具有良好的导电性，独特的力学、光学性质，同时使得成本大幅度降低。因此，铜纳米线受到了人们的青睐，可以应用于能量转换技术、传感技术、微加工技术、生物技术等领域。但是，当铜的尺寸降低到纳米尺度后，由于表面能增加，极易被氧化，而形成双金属纳米线是一种提高铜纳米线抗氧化性能重要方法。与贵金属形成双金属纳米线是一种使得纳米线的导电性和抗氧化性同时得到提高的方法。与贵金属形成双金属纳米线同时可以使得纳米线具有光催化等方面的应用。
目前，关于铜银双金属纳米线合成的研究较少，且主要使用电沉积方法(参照文献3)制备。电沉积方法具有合成过程中装置简单、操作容易、形态可控的优势。但是，在电沉积过程中，需要使用模版辅助沉积，在模版中生长的双金属纳米线多为多晶结构，长度较短，长径比小，不利于导电薄膜光透过率和导电性能的提高。得到的铜银双金属纳米线的后处理工艺繁琐，常需要用强酸、强碱或其它有机溶剂去除模板。给后续实际应用带来了较大的困难。
因此，如何制备性能优良、长度较大的铜银双金属纳米线、并基于此制备导电薄膜，是该领域的研究重点。
现有技术文献：
非专利文献1
1.Rathmell,A.R.,et al.(2012)."Synthesis of oxidation-resistant cupronickel nanowires fortransparent conducting nanowire networks."Nano Lett 12(6):3193-3199；
非专利文献2
2.Ye,S.,et al.(2014)."A rapid synthesis of high aspect ratio copper nanowires for high-performance transparent conducting films."Chem Commun(Camb)50(20):2562-2564；
非专利文献3
3.Hu,X.,et al.(2008)."Manipulation of optical properties of Ag/Cu alloy nanowire arraysembedded in anodic alumina membranes."Applied Surface Science 254(13):3845-3848。
发明内容
本发明旨在克服现有制备铜银双金属纳米线方法的不足，本发明提供了一种超长铜银双金属纳米线及其制备方法。
本发明提供了一种铜银双金属纳米线的制备方法，包括：
1)将阳离子型表面活性剂溶解于有机还原剂，形成有机还原体系，其中，有机还原剂包括长链烷基胺；
2)向步骤1)制备的有机还原体系中加入能够溶解于所述有机还原体系的铜盐和作为催化剂的金属纳米颗粒，并在第一规定温度下反应；
3)向步骤2)中反应完毕的有机还原体系中加入能够溶解于所述有机还原体系的银盐，在第二规定温度下反应，过滤、清洗、干燥得到所述铜银双金属纳米线。
较佳地，阳离子型表面活性剂包括十六烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基氯化铵、十八烷基三甲基溴化铵和/或十八烷基三甲基氯化铵，阳离子型表面活性剂在100-250℃下溶解于有机还原剂。
较佳地，有机还原剂包括十六胺、十八胺、油胺、十四胺和/或十二胺。
较佳地，铜盐包括乙酰丙酮铜和/或乙酸铜。
较佳地，金属纳米颗粒包括镍纳米颗粒、银纳米颗粒、铂纳米颗粒和/或金纳米颗粒。
较佳地，银盐包括乙酰丙酮银、乙酸银和/或硝酸银。
较佳地，阳离子型表面活性剂、有机还原剂、铜盐、银盐的摩尔比为(8～35)：(310～380)：(5～10)：(0.2～50)，优选(8～28)：(310～380)：(5～10)：(0.24～50)。
较佳地，第一规定温度为120-200℃，反应时间为2-15小时。
较佳地，第二规定温度为24～150℃，反应时间为10分钟-10小时。
又，本发明还提供了一种上述方法制备的铜银双金属纳米线，所述铜银双金属纳米线的直径为50～150纳米，长度为10～100微米，铜分布在所述铜银双纳米线的内部，银分布在所述铜银双纳米线的表面。
本发明的有益效果：
1)使用有机溶剂合成超长铜银双金属纳米线；
2)所使用的有机还原剂在很大范围内都是适用的；
3)所使用的表面活性剂在很大范围内都是适用的；
4)使用乙酰丙酮银作为银源，乙酰丙酮银的加入量在较大范围内都是适用的，并且可以在一定程度内对于纳米线中银元素的含量加以调控；
5)银源的种类在很大范围内都是适用的；
5)反应时间和反应温度在较大范围内都是适用的；
6)这种铜银双金属纳米线具有长径比高、形貌尺寸可控、易于分散形成纳米线墨水的特点。
附图说明
图1为本发明一个实施方式中制备的铜银双金属纳米线的暗场光学显微镜照片；
图2为本发明一个实施方式中制备的铜银双金属纳米线的XRD图谱；
图3为本发明一个实施方式中制备的铜银双金属纳米线的扫描电镜图；
图4为本发明一个实施方式中制备的铜银双金属纳米线的元素成分分布EDS图谱；
图5为本发明一个实施方式中制备的铜银双金属纳米线在导电薄膜方面的应用数据图。
具体实施方式
以下结合附图和下述实施方式进一步说明本发明，应理解，附图及下述实施方式仅用于说明本发明，而非限制本发明。
本发明旨在克服现有制备铜银双金属纳米线方法的不足，本发明提供了一种超长铜银双金属纳米线及其制备方法。
本发明提供了一种制备超长铜银双金属纳米线的方法，所述方法包括：
a)将阳离子型表面活性剂溶解于有机还原剂；
b)向步骤a)中获得的有机还原剂中加入铜盐作为铜源，并加入金属纳米颗粒作为催化剂，在第一规定温度下反应；
c)向步骤b)中反应后的还原剂中加入银盐作为银源，在第二规定温度下反应，所得产品清洗、干燥，即得所述铜银双金属纳米线。
本发明中，在合成超长铜银双金属纳米线的过程中，典型的采用在铜纳米线初步形成后向溶液中加入有机银盐，通过溶液中有机还原剂的还原作用和铜原子的还原作用将银盐还原成银原子并附着在铜纳米线的表面。特别的，优先选择乙酰丙酮银作为银源加入到溶液中。这样，在发明所述的有机反应体系中，乙酰丙酮银的缓释作用使得银离子的还原速率降低，能够在铜纳米线表面形成相对均匀的覆盖层。在发明所述的反应时间内，无论是铜纳米线还是银原子层均可以良好结晶，有效提高纳米线的导电性能。本发明可制得内部富铜，外层富银的铜银双金属纳米线，其直径可以控制在50-150纳米，长度可以控制在10至100微米，可通过真空过滤法或者线棒涂布等方法制备光透过率高、导电性好、稳定性好的导电薄膜。
较佳地，所述的有机还原剂可为长链烷基胺。
较佳地，所述的有机还原剂可为十六胺、十八胺、油胺、十四胺、十二胺等。
较佳地，所述阳离子型表面活性剂可为十六烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基氯化铵、十八烷基三甲基溴化铵、十八烷基三甲基氯化铵等，但不排除其它表面活性剂适用的可能性。
较佳地，所述阳离子型表面活性剂可在100-250℃下，溶解于有机还原剂。
较佳地，所述铜盐可为乙酰丙酮铜、乙酸铜等可以溶于有机还原体系的有机铜盐，但不排除其他铜源的适用性。
较佳地，所述银盐可为乙酰丙酮银、乙酸银、硝酸银等有机或无机银盐，但不排除其他银源的适用性。
较佳地，所述有机还原剂、铜盐、银盐的摩尔比可为(310-380)：(5-10)：(0.2-50)。
较佳地，所述步骤b)中第一规定温度可为120-200℃，反应时间可为2-15小时。
较佳地，所述步骤b)中金属纳米颗粒可为镍纳米颗粒、银纳米颗粒或在乙二醇体系中合成的Pt纳米颗粒或Au纳米颗粒。使用金属纳米颗粒作为催化铜离子还原的催化剂，但不排除其它催化剂的可行性。
较佳地，所述步骤c)中第二规定温度可为24-150℃，反应时间可为10分钟-10小时。
本发明还提供一种根据上述方法制备的铜银双金属纳米线，所述铜银双金属纳米线的直径可为50-150纳米，长度为10-100微米。通过有机溶剂中的化学还原法得到内部富铜，外层富银的铜银双金属纳米线。
本发明公开了一种超长铜银双金属纳米线的合成方法及铜银双金属纳米线导电薄膜的制备方法：将十六烷基三甲基溴化铵和十六胺完全溶解后加入乙酰丙酮铜作为铜源并使其完全溶解。以金属纳米颗粒作为催化剂，反应得到铜纳米线，然后加入乙酰丙酮银作为银源，充分摇匀，反应一定时间。将反应体系冷却至室温。通过甲苯、乙醇等有机溶剂对于产物进行反复洗涤。并通过暗场光学显微镜，扫描电子显微镜(SEM)，X射线衍射等手段对得到的铜银纳米线的形貌，组成成分，及晶体结构进行表征。暗场光学显微镜观察结果显示纳米线长度约为10-100微米；扫描电镜观察结果表明，纳米线直径约为50-150纳米；将通过上述方法制备的双金属纳米线在甲苯、乙醇等有机溶剂中进行超声分散，将得到的均匀透明溶液通过混合纤维素膜进行过滤，在50-100℃真空条件下将膜转移到玻璃，硅片或者PET等塑料衬底上，得到铜银双金属纳米线导电薄膜。将薄膜进行退火处理或等离子体处理或两种处理方式的结合，得到导电性能良好的铜银双金属纳米线导电薄膜。该方法具有简便、成本低、重复性好、产量高、过程可控等优点，制备的铜银双金属纳米线长径比高、形貌尺寸可控、易分散，为高性能导电薄膜及其电子装置提供了一种优异材料。
更具体地来说，本发明提供一种铜银双金属纳米线的合成方法，该方法如下：
将一种阳离子型表面活性剂和有机溶剂于100-250℃条件下溶解，得到溶液A，将乙酰丙酮铜作为铜源完全溶于溶液A中，充分摇匀得到墨绿色溶液B。在溶液B中加入金属纳米颗粒作为催化剂，在120-200℃条件下反应2-15小时，取出该溶液，向其中加入乙酰丙酮银作为银源并充分混匀，改变温度至24-150℃反应10min-10小时。将反应体系冷却至室温。使用乙醇、甲苯等常用有机溶剂进行清洗和分散。经过搅拌和短暂的超声，纳米线可以均匀分散在有机溶剂中。
合成过程分为两个阶段，第一阶段温度为120-200℃，为铜纳米线的生长阶段，第二阶段为24-150℃，主要为铜银双金属纳米线的形成阶段。
所述反应过程中，首先使用合成铜纳米线的时间为2-15小时，进行合成铜银双金属纳米线的时间为10min-10h。但不排除在其他时间长度条件下得到同样结构纳米材料的可能。
反应产物的清洗适用常用有机溶剂甲苯，乙醇等。
本发明提供制备一种铜银双金属纳米线导电薄膜的制备方法，该方法如下：
使用制备的超长铜银双金属纳米线，经短暂超声、搅拌等分散处理得到双金属纳米线墨水，然后经真空抽虑、线棒涂布等方法制备成导电薄膜。
在铜银双金属纳米线导电薄膜的制备方法中，使用阳离子型表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵，但不排除其他有机表面活性剂可以起到相同的作用。
在铜银双金属纳米线导电薄膜的制备方法中，使用等离子体处理、氢气气氛或混合气氛的退火处理，或者两种处理方式的结合，除去纳米线表面的有机表面活性剂，使薄膜具有良好的导电性能。
本发明提供一种铜银双金属纳米线导电薄膜，该薄膜是由上述方法合成的铜银双金属纳米线无规或定向排列形成的网络，网络厚度常为几十纳米至几百微米，也可更厚。
薄膜衬底可以为玻璃、硅片、石英、二氧化硅抛光片等刚性衬底，也可为PET、聚丙烯酸酯、PDMS等柔性衬底，也可无衬底。
一种电子装置，装置中使用了所述方法制备的铜银双金属纳米线，或者使用了所述的铜银双金属纳米线导电薄膜。
一种导电油墨/墨水，组分中包含了由所述方法制备的铜银双金属纳米线。
当通过真空抽滤方法制备铜银双金属纳米线导电薄膜的过程中，典型的使用甲苯、乙醇等有机溶剂分散纳米线，得到均匀的铜银双金属纳米线墨水。后期等离子体处理或者退火处理，或两种处理方式的结合可以方便的除去该表面活性剂，使得导电薄膜具有良好的导电性能。
发明特征在于：
1)使用有机溶剂合成超长铜银双金属纳米线；
2)使用乙酰丙酮银作为银源；
3)乙酰丙酮银的加入量在较大范围内都是适用的，并且可以在一定程度内对于纳米线中银元素的含量加以调控；
4)反应时间和反应温度在较大范围内都是适用的。
图1为本发明方法制备的一个示例样品的暗场光学显微镜照片，从中可见产物中纳米线长度约为10-100微米；
图2为本发明方法制备的一个示例样品的XRD图谱，从中可见所得产物中同时包含银元素和铜元素，且二者结晶良好；
图3为本发明方法制备的一个示例样品扫描电镜照片，从中可见纳米线直径约50-150纳米；
图4为本发明方法制备的一个示例样品扫描电镜成分面分析图谱，从中可见银元素能够较为均匀地包覆在铜纳米线上，形成内部富铜，外层富银的双金属结构；
图5为超长铜银双金属纳米线在导电薄膜方面的应用，从中可见薄膜导电性能和光透过性能较好。
下面进一步例举实施例以详细说明本发明。同样应理解，以下实施例只用于对本
发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例，即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适的范围内选择，而并非要限定于下文示例的具体数值。
实施例1
将0.5g十六烷基三甲基溴化铵和8.0g十六胺于180℃条件下完全溶解，然后加入0.2g乙酰丙酮铜作为铜源，Pt纳米颗粒作为催化剂，在180℃下反应10小时，冷却至120℃，加入10mg乙酰丙酮银作为银源，120℃下反应10分钟。冷却至室温后用所得样品用甲苯清洗数次。所得灰色固体80℃真空干燥2小时。所得铜银双金属纳米线的直径为50-150纳米，长度为10～100微米。
实施例2
将0.5g十六烷基三甲基溴化铵和8.0g十六胺于180℃条件下完全溶解，然后加入0.2g乙酰丙酮铜作为铜源，Pt纳米颗粒作为催化剂，在180℃下反应10小时，冷却至120℃，加入20mg乙酰丙酮银作为银源，120℃下反应10分钟。冷却至室温后用所得样品用甲苯清洗数次。所得灰色固体80℃真空干燥2小时；
由图1和图3可见，所得铜银双金属纳米线的直径约为50-150纳米，长度为10-100微米；图2为本实施例样品的XRD图谱，从中可见所得产物中同时包含银元素和铜元素，且二者结晶良好；
由图4可见，银元素均匀包覆在铜纳米线周围，形成内部富铜，外层富银的铜银双金属结构。
实施例3
将0.5g十六烷基三甲基溴化铵和8.0g十六胺于180℃条件下完全溶解，然后加入0.2g乙酰丙酮铜作为铜源，Pt纳米颗粒作为催化剂，在180℃下反应10小时，冷却至120℃，加入30mg乙酰丙酮银作为银源，120℃下反应0.5小时。冷却至室温后用所得样品用甲苯清洗数次。所得灰色固体80℃真空干燥2小时。所得铜银双金属纳米线直径约为50-150纳米，长度约为10-100微米。
实施例4
将0.5g十六烷基三甲基溴化铵和8.0g十六胺于180℃条件下完全溶解，然后加入0.2g乙酰丙酮铜作为铜源，Pt纳米颗粒作为催化剂，在180℃下反应10小时，冷却至120℃，加入50mg乙酰丙酮银作为银源，120℃下反应0.5小时。冷却至室温后用所得样品用甲苯清洗数次。所得灰色固体80℃真空干燥2小时。随着银源加入量的增加，铜银双金属纳米线中银元素的含量可以在一定程度内进行调控。所得铜银双金属纳米线的直径为50-150纳米，长度为10-100微米。
实施例5
将0.5g十六烷基三甲基溴化铵和8.0g十六胺于180℃条件下完全溶解，然后加入0.2g乙酰丙酮铜作为铜源，Pt纳米颗粒作为催化剂，在180℃下反应10小时，冷却至90℃，加入30mg乙酰丙酮银作为银源，90℃下反应0.5小时。冷却至室温后用所得样品用甲苯清洗数次。所得灰色固体80℃真空干燥2小时。所得铜银双金属纳米线的直径为50-150纳米，长度为10-100微米。
实施例6
将0.5g十六烷基三甲基溴化铵和8.0g十六胺于180℃条件下完全溶解，然后加入0.2g乙酰丙酮铜作为铜源，Pt纳米颗粒作为催化剂，在180℃下反应10小时，冷却至60℃，加入30mg乙酰丙酮银作为银源，60℃下反应3小时。冷却至室温后用所得样品用甲苯清洗数次。所得灰色固体80℃真空干燥2小时。所得铜银双金属纳米线的直径为50-150纳米，长度为10-100微米。
实施例7
将0.5g十六烷基三甲基溴化铵和8.0g十六胺于180℃条件下完全溶解，然后加入0.2g乙酰丙酮铜作为铜源，Pt纳米颗粒作为催化剂，在180℃下反应10小时，加入甲苯稀释并冷却至30℃，加入30mg乙酰丙酮银作为银源，30℃下反应5小时。所得样品用甲苯清洗数次。所得灰色固体80℃真空干燥2小时。所得铜银双金属纳米线的直径为50-150纳米，长度为10-100微米。
实施例8
将0.5g十六烷基三甲基溴化铵和8.0g十六胺于180℃条件下完全溶解，然后加入0.2g乙酰丙酮铜作为铜源，Pt纳米颗粒作为催化剂，在180℃下反应10小时，加入甲苯稀释后冷却至30℃，加入50mg乙酸银作为银源，30℃下反应8小时。所得样品用甲苯清洗数次。所得灰色固体80℃真空干燥2小时。所得铜银双金属纳米线的直径为50-150纳米，长度为10-100微米。
实施例9
将0.5g十六烷基三甲基溴化铵和8.0g十六胺于180℃条件下完全溶解，然后加入0.2g乙酰丙酮铜作为铜源，Pt纳米颗粒作为催化剂，在180℃下反应10小时，加入甲苯稀释后冷却至30℃，加入80mg乙酸银作为银源，30℃下反应8小时。所得样品用甲苯清洗数次。所得灰色固体80℃真空干燥2小时。所得铜银双金属纳米线的直径为50-150纳米，长度为10-100微米。
实施例10
将0.5g十六烷基三甲基溴化铵和8.0g十六胺于180℃条件下完全溶解，然后加入0.2g乙酰丙酮铜作为铜源，Pt纳米颗粒作为催化剂，在180℃下反应10小时，加入甲苯稀释后冷却至30℃，加入90mg乙酸银作为银源，30℃下反应8小时。所得样品用甲苯清洗数次。所得灰色固体80℃真空干燥2小时。所得铜银双金属纳米线的直径为50-150纳米，长度为10-100微米。
实施例11
将0.5g十六烷基三甲基溴化铵和8.0g十六胺于180℃条件下完全溶解，然后加入乙酸镍一段时间后加入0.2g乙酰丙酮铜作为铜源，在180℃下反应10小时，加入甲苯稀释后冷却至30℃，加入90mg乙酸银作为银源，30℃下反应8小时。所得样品用甲苯清洗数次。所得灰色固体80℃真空干燥2小时。所得铜银双金属纳米线的直径为50-150纳米，长度为10-100微米。
实施例12
将0.5g十六烷基三甲基溴化铵和8.0g十六胺于180℃条件下完全溶解，然后加入乙酰丙酮银一段时间后加入0.2g乙酰丙酮铜作为铜源，在180℃下反应10小时，加入甲苯稀释后冷却至30℃，加入90mg乙酸银作为银源，30℃下反应8小时。所得样品用甲苯清洗数次。所得灰色固体80℃真空干燥2小时。所得铜银双金属纳米线的直径为50-150纳米，长度为10-100微米。
实施例12
将所得到铜银双金属纳米线分散在甲苯溶液中，使用混合纤维素膜作为滤膜，经真空抽滤的方法将纳米线抽滤至滤膜上，在80℃、真空环境下进行干燥后，使用丙酮除去滤膜，即可将铜银双金属纳米线透明导电薄膜转移到玻璃衬底上。由图5可以看出，铜银双金属纳米线薄膜具有良好的导电性能和光透过性质。
实施例13
将所得到铜银双金属纳米线分散在甲苯溶液中，使用混合纤维素膜作为滤膜，经真空抽滤的方法将纳米线抽滤至滤膜上，在90℃、真空环境下进行干燥后，使用丙酮除去滤膜，即可将铜银双金属纳米线透明导电薄膜转移到玻璃衬底上。
实施例14
将所得到铜银双金属纳米线分散在甲苯溶液中，使用混合纤维素膜作为滤膜，经真空抽滤的方法将纳米线抽滤至滤膜上，在60℃、真空环境下进行干燥后，使用丙酮除去滤膜，即可将铜银双金属纳米线透明导电薄膜转移到玻璃衬底上。
实施例15
将所得到铜银双金属纳米线分散在甲苯溶液中，使用混合纤维素膜作为滤膜，经真空抽滤的方法将纳米线抽滤至滤膜上，在100℃、真空环境下进行干燥后，使用丙酮除去滤膜，即可将铜银双金属纳米线透明导电薄膜转移到玻璃衬底上。
实施例16
将所得到铜银双金属纳米线分散在甲苯溶液中，使用混合纤维素膜作为滤膜，经真空抽滤的方法将纳米线抽滤至滤膜上，在60℃、真空环境下进行干燥后，使用丙酮除去滤膜，即可将铜银双金属纳米线透明导电薄膜转移到PET衬底上。
产业应用性
因此，针对已有技术中存在的不足，本发明的课题在于提供一种能够可控合成超长铜银双金属纳米线的合成方法及其导电薄膜的制备方法。这种合成方法具有操作简单，成本低、过程可控的特点。这种铜银双金属纳米线具有长径比高、形貌尺寸可控、易于分散形成纳米线墨水的特点。

Claims (10)

1.一种铜银双金属纳米线的制备方法，其特征在于，包括：
1）将阳离子型表面活性剂溶解于有机还原剂，形成有机还原体系，其中，有机还原剂包括长链烷基胺；
2）向步骤1）制备的有机还原体系中加入能够溶解于所述有机还原体系的铜盐和作为催化剂的金属纳米颗粒，并在第一规定温度下反应；
3）向步骤2）中反应完毕的有机还原体系中加入能够溶解于所述有机还原体系的银盐，在第二规定温度下反应，过滤、清洗、干燥得到所述铜银双金属纳米线。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，阳离子型表面活性剂包括十六烷基三甲基溴化铵、十六烷基三甲基氯化铵、十八烷基三甲基溴化铵和/或十八烷基三甲基氯化铵，阳离子型表面活性剂在100-250℃下溶解于有机还原剂。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，有机还原剂包括十六胺、十八胺、油胺、十四胺和/或十二胺。
4.根据权利要求1-3中任一所述的制备方法，其特征在于，铜盐包括乙酰丙酮铜和/或乙酸铜。
5.根据权利要求1-4中任一所述的制备方法，其特征在于，金属纳米颗粒包括镍纳米颗粒、银纳米颗粒、铂纳米颗粒和/或金纳米颗粒。
6.根据权利要求1-5中任一所述的制备方法，其特征在于，银盐包括乙酰丙酮银、乙酸银和/或硝酸银。
7.根据权利要求1-6中任一所述的制备方法，其特征在于，阳离子型表面活性剂、有机还原剂、铜盐、银盐的摩尔比为（8～35）：（310～380）：（5～10）：（0.2～50）。
8.根据权利要求1-7中任一所述的制备方法，其特征在于，第一规定温度为120-200℃，反应时间为2-15小时。
9.根据权利要求1-8中任一所述的制备方法，其特征在于，第二规定温度为24～150℃，反应时间为10分钟-10小时。
10.一种权利要求1-9中任一所述方法制备的铜银双金属纳米线，其特征在于，所述铜银双金属纳米线的直径为50～150纳米，长度为10～100微米，铜分布在所述铜银双纳米线的内部，银分布在所述铜银双纳米线的表面。
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