CN104600003B - 基板处理设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种基板处理设备，更详细地说，涉及一种执行涂敷、显影、烘烤工序的基板处理设备。本发明的基板处理设备包括：指引部、工序处理部、以及第1路径部。本发明的基板设备能通过能分散搬运机器手的负荷而提高基板生产量，并且能选择性地执行正型显影工序和负型显影工序而提高基板生产量。

Description

基板处理设备
技术领域
本发明涉及一种基板处理设备，更详细地说，涉及一种执行涂敷、显影、烘烤工序的基板处理设备。
背景技术
一般来说，半导体元件用制造装置通过在基板上形成规定的膜，并将该膜形成为具有电特性的图案而进行制造。图案通过依次或反复地执行膜形成、照相平板印刷(photolithogrphy)、蚀刻、洗涤等单元工序而形成。
在此，照相平板印刷工序由以下工序构成，即包括：在硅基板上涂敷形成光刻胶膜的涂敷工序；在形成有该光刻胶膜的基板上利用掩膜来进行选择性曝光的曝光工序；对该曝光后的光刻胶膜进行显影而形成微细电路图案的显影工序；以及在涂敷工序、曝光工序以及显影工序后分别进行的烘烤工序。
用于执行照相平板印刷工序的设备被区分为：具备执行涂敷工序的涂敷处理区域、执行显影工序的显影处理区域以及执行烘烤工序的烘烤处理区域的设备，以及执行曝光工序的独立的曝光设备。执行涂敷、显影、烘烤工序的照相平板印刷设备为了提高移送基板的效率，在一侧以复层方式区分配置有涂敷处理区域和显影处理区域，而在与其相向的一侧配置有烘烤处理区域。在各层独立地设置有执行基板移送的机械手(robot)。
但是，这样的结构在提高设备的运转率方面存在局限性。例如，配置在执行显影处理的层的1个搬运机械手处理由缓冲-曝光后烘烤-冷却-显影-硬性烘烤-冷却-缓冲构成的7个步骤。因此，配置在1个层的搬运机械手被施加较大的负荷，由此造成设备生产效率降低。
发明内容
本发明要解决的技术问题
本发明的实施例提供一种基板处理设备，该设备具有能分散搬运机器手的负荷的布局。
本发明的实施例提供一种基板处理设备，该设备能选择性地执行正型显影工序和负型显影工序，从而提高基板生产量。
本发明的目的不限于此，根据以下的记载，本领域技术人员应能清楚地理解尚未言及的其它目的。
技术方案
根据本发明的一个侧面，提供一种基板处理设备，包括：指引部，其具有放置装有基板的容器的端口以及指引机器手；工序处理部，其具有显影处理部，其中所述显影处理部中相互分层地配置有对基板进行显影工序的第1显影处理室和第2显影处理室；以及第1路径部，其配置于所述显影处理部与所述指引部之间。其中，所述第1显影处理室包括：显影模块；第1加热模块；以及第1主搬运机器手，其配置于能靠近所述显影模块和所述第1加热模块的移动通路上。其中，所述第1路径部包括：第2加热模块；第1缓冲模块；冷却模块；第2缓冲模块；以及第1缓冲搬运机器手，其配置于能靠近所述第2加热模块、所述第1缓冲模块、所述冷却模块以及所述第2缓冲模块的移动通路上。
此外，所述第1缓冲模块和所述冷却模块可以配置在所述第1主搬运机器手和所述第1缓冲搬运机器手都能靠近的位置。
此外，所述第1缓冲模块和所述冷却模块可以层叠配置在所述第1主搬运机器手的移动通路与所述第1缓冲搬运机器手的移动通路之间。
此外，所述第1主搬运机器手的移动通路可以沿水平方向提供，所述第1缓冲搬运机器手的移动通路可以沿垂直方向提供。
此外，所述第1加热模块可以是曝光后烘烤(PEB：Post Exposure Bake)模块。
此外，所述第2加热模块可以是硬性烘烤(H/B：Hard Bake)模块。
此外，所述第1显影处理室的显影模块仅为执行正型显影的正型显影模块和执行负型显影的负型显影模块中的任一种，所述第2显影处理室的显影模块仅为执行正型显影的正型显影模块和执行负型显影的负型显影模块中的另一种。
此外，所述第1显影处理室的个数可以比所述第2显影处理室的个数少。
此外，所述工序处理部还可以包括：涂敷处理部，其以分层地方式配置有对基板执行光刻胶涂敷工序的涂敷处理室，其中，所述涂敷处理部可以与所述显影处理部分层配置。
根据本发明的一个侧面，提供一种基板处理设备，包括：指引部；显影处理部，其以层叠的方式配置有进行正型显影工序的第1显影处理室和进行负型显影工序的第2显影处理室；以及第1路径部，其配置于所述显影处理部与所述指引部之间。其中，在所述第1显影处理室和第2显影处理室中的任意一个处理室中，为了依次执行曝光后烘烤、冷却以及显影工序，在第1主搬运机器手的传送通路上配置有显影模块、曝光后烘烤(PEB：Post ExposureBake)模块、冷却模块。并且，在所述第1路径部中，用于对在所述显影模块中进行处理的基板执行硬性烘烤(H/B：Hard Bake)工序的硬性烘烤模块配置于第1缓冲搬运机器手的传送通路上。
此外，所述冷却模块配置在所述第1主搬运机器手和所述第1缓冲搬运机器手都能靠近的位置，并且，在所述冷却模块中层叠地配置有基板临时停留的第1缓冲模块。
此外，所述第1路径部还可以包括：第2缓冲模块，其用于与所述指引部进行基板交接。
此外，所述第1主搬运机器手的移动通路可以沿水平方向提供，所述第1缓冲搬运机器手的移动通路可以沿垂直方向提供。
此外，所述任意一个处理室数量可以比另一个处理室数量少。
根据本发明的一个侧面，提供一种基板处理设备，包括：指引部；显影处理部，其以相互分层地方式配置有第1显影处理室和第2显影处理室；以及第1路径部，其配置于所述显影处理部与所述指引部之间。其中，在所述第1显影处理室中，为了依次执行曝光后烘烤、冷却以及显影工序，处理模块配置于第1主搬运机器手的水平传送通路上。并且，在所述第1路径部中，用于对在所述第1显影处理室中进行显影处理的基板执行硬性烘烤(H/B：HardBake)工序的处理模块配置于第1缓冲搬运机器手的垂直传送通路上。并且，所述第1缓冲搬运机器手以能向相邻的所述第1显影处理室和所述第2显影处理室进行层间移动的方式进行升降。
此外，所述第1显影处理室可以只包括执行正型显影的显影模块或进行负型显影的显影模块中的任意一种的显影模块。
此外，在所述第1主搬运机器手和所述第1缓冲搬运机器手都能靠近的位置配置有第1缓冲模块和冷却模块。
有益效果
根据本发明，能分散搬运机器手的负荷而提高基板生产量。
根据本发明，能选择性地执行正型显影工序和负型显影工序而提高基板生产量。
附图说明
图1是示出根据本发明一实施例的基板处理设备的外观图。
图2是示出图1所示的基板处理设备中的每一层的布局的构成图。
图3是用于说明显影处理部和第1显影路径部以及第2显影路径部的构成图。
图4是用于说明显影处理部和第1显影路径部以及第2显影路径部的立体图。
具体实施方式
本发明不限定于在此说明的实施例，能以其它形态实现。在此介绍的实施例是为了使公开的内容彻底而完整，且为了向本领域技术人员充分地传达本发明的思想和特征而提供的。在附图中，每个装置都为了确保本发明的清楚性而进行了概略性的图示。此外，在每个装置中还可以具备在本说明书中未详细说明的各种附加装置。整个说明书中，相同的附图标记表示相同的构成要素。
在本实施例中，作为基板以半导体晶片为例进行了说明。但是，基板除了半导体晶片以外，还可以是光掩膜、平面显示面板等多种基板。此外，在本实施例中以基板处理设备是执行照相平板印刷工序的设备为例进行说明。但是，基板处理设备也可以是对晶片等其它种类的基板进行洗涤工序的设备。
图1是示出根据本发明一实施例的基板处理设备的外观图，图2是示出图1所示的基板处理设备中的每一层的布局的构成图。
参照图1和图2，本发明的基板处理设备1000包括：指引部10、工序处理部20、第1路径部30、第2路径部40以及接口部50。
指引部10、第1路径部30、工序处理部20、第2路径部40以及接口部50呈一列配置。以下，将指引部10、第1路径部30、工序处理部20、第2路径部40以及接口部50排列的方向定义为第1方向，将从上部观察时与第1方向垂直的方向定义为第2方向，将与包括第1方向和第2方向的平面垂直的方向定义为第3方向。
基板W以收容在容器16内的状态移动。此时，容器16具有能从外部进行密闭的构造。例如，作为容器16可以使用在前方具有出入口的前开式统集盒(Front Open UnifiedPod：FOUP)。以下，参照图1至图3对每个结构进行详细说明。
(指引部)
指引部10配置在基板处理设备1000的第1方向的前方。指引部10包括4个装载端口12以及1个指引机器手13。
4个装载端口12在第1方向上配置于指引部10的前方。装载端口12提供有多个，它们沿第2方向配置。装载端口12的个数可以根据基板处理设备1000的工序效率以及脚印(footprint)的条件而进行增加或减少。在装载端口12中配置有收容欲进行工序的基板W以及结束工序处理的基板W的容器(例如，盒子(cassette)、FOUP等)。
指引机器手13与装载端口12相邻地在第1方向配置。指引机器手13配置在装载端口12与第1路径部30之间。指引机器手13在第1路径部30与加载端口12之间传送基板。将在第1路径部30的缓冲模块等待的基板W传送到容器16或将在容器16中等待的基板W传送到第1路径部30的缓冲模块。
(接口部)
接口部50在第2路径部40与曝光装置(未图示)之间传送基板。接口部50包括接口机器手510。虽然未图示，接口部50可以提供有基板临时等待的缓冲模块。
(工序处理部)
在工序处理部20中可以进行在曝光工序前在基板W上涂敷光刻胶的工序和在曝光工序后对基板W进行显影的工序。
工序处理部20可以以层叠的方式提供，从而使得用于执行涂敷工序处理的涂敷处理部200a和用于执行显影工序处理的显影处理部200b分层。涂敷处理部200a可以包括3个层的涂敷处理室200-1、200-2、200-3，显影处理部200b可以包括3个层的显影处理室200-4、200-5、200-6。
作为一例，涂敷处理部200a和显影处理部200b的各处理室200-1～200-6可以包括：中央通路210、第1主搬运机器手240、250以及用于执行相应处理室的工序的处理模块。处理模块可以包括热处理模块和旋转处理模块，而旋转处理模块可以包括涂敷工序用的涂敷模块或显影工序用的显影模块。像这样，在涂敷处理部200a和显影处理部200b的各处理室200-1～200-6中配置有符合各工序特性的模块。
第1主搬运机器手240、250负责中央通路210上的基板搬运。第1主搬运机器手240、250和能够对基板进行直接操作的机械手可以具备多轴驱动的结构，使得能向第1方向、第2方向、第3方向进行移动和旋转。
处理模块可以沿着第1主搬运机器手240、250能靠近的中央通路210设置。
在本实施例中，图示了在1～3层的涂敷处理室中具备涂敷工序用的模块，在4～6层的显影处理室中具备显影工序用的模块。但是，也可以与此不同，在1～3层中配置有显影工序用的处理室，在4～6层中配置有涂敷工序用的处理室，且可以改变处理室的个数。
(第1路径部以及第2路径部)
第1路径部30配置在工序处理部20与指引部10之间。第1路径部30包括：与涂敷处理室200-1、200-2、200-3连接的第1涂敷路径部30-1，以及与显影处理室200-4、200-5、200-6连接的第1显影路径部30-2。并且，第1涂敷路径部30-1和第1显影路径部30-2以分层方式提供。
第1涂敷路径部30-1提供层间搬运机器手310a，该层间搬运机器手310a不仅用于进行涂敷处理部200a与指引部10间的基板搬运，还用于进行涂敷处理室200-1、200-2、200-3之间的基板搬运。
第1显影路径部30-2提供层间搬运机器手310b，该层间搬运机器手310b不仅用于进行显影处理部200b与指引部10间的基板搬运，还用于进行显影处理室200-4、200-5、200-6之间的基板搬运。
第2路径部40配置在接口部50与工序处理部20之间。第2路径部40包括：与涂敷处理室200-1、200-2、200-3连接的第2涂敷路径部40-1，以及与显影处理室200-4、200-5、200-6连接的第2显影路径部40-2。第2涂敷路径部40-1与第2显影路径部40-2以分层方式提供。在第2涂敷路径部40-1与第2显影路径部40-2中提供有基板临时等待的缓冲模块420。
第1路径部30和第2路径部40隔着工序处理部20相互相向地配置。
图3和图4是用于说明显影处理部、第1显影路径部以及第2显影路径部的构成图和立体图。
参照图3和图4，显影处理部200b包括3个层的显影处理室200-4、200-5、200-6。3个显影处理室200-4、200-5、200-6分别按每个层执行正型显影工序或负型显影工序。作为一例，4层和5层的显影处理室200-4、200-5中的每层各提供有4个用于执行正型显影工序的显影模块DEV+，6层的显影处理室200-6提供有4个用于执行负型显影工序的显影模块DEV-。即显影处理部200b具有8个正型显影模块DEV+和4个负型显影模块DEV-。
在根据本实施例的显影处理部200b中，由于负型显影模块DEV-的个数比正型显影模块DEV+少，因此具备负型显影模块DEV-的6层的显影处理室200-6具有与4层以及5层的显影处理室200-4、200-5不同的配置结构。6层的显影处理室200-6与4、5层的显影处理室200-4、200-5最大的不同点在于，并未将硬性烘烤模块配置在同一层中，而是配置在作为独立的区域的第1显影路径部30-2。
作为一例，6层的显影处理室200-6包括：负型显影模块DEV-、第1加热模块220以及第1主搬运机器手240。负型显影模块DEV-以及第1加热模块220配置在第1主搬运机器手240能靠近的移动通路210上。在此，第1加热模块220可以是曝光后烘烤(PEB：Post ExposureBake)模块。6层的显影处理室200-6的第1加热单元的数量比4、5层的显影处理室200-4、200-5的第1加热单元的数量增加。由此，在如系统半导体生产工序的曝光后烘烤使用温度变换频繁的情况下，能减少为变化温度而所需的等待时间，从而减少生产损耗，增加设备运营效率。
第1显影路径部30-2包括：第2加热模块340、第1缓冲模块320、冷却模块330、第2缓冲模块350以及第1缓冲搬运机器手310b。第2加热模块340、第1缓冲模块320、冷却模块330、第2缓冲模块350配置在第1缓冲搬运机器手310b能靠近的移动通路390上。在此，第2加热模块340可以是硬性烘烤(H/B：Hard Bake)模块。
第1缓冲模块320和冷却模块330配置在第1主搬运机器手240和第1缓冲搬运机器手310b都能够靠近的位置。作为一例，第1缓冲模块320和冷却模块330可以层叠配置在第1主搬运机器手240的移动通路210与第1缓冲搬运机器手310b的移动通路390之间。第1主搬运机器手240的移动通路210沿水平方向上提供，第1缓冲搬运机器手310b的移动通路390沿垂直方向上提供。第1缓冲模块320和冷却模块330在提供有第1主搬运机器手240的方向上具有开口，使得第1主搬运机器手240能搬进或搬出基板，并且在提供有第1缓冲搬运机器手310b的方向上具有开口，使得第1缓冲搬运机器手310b能搬进或搬出基板。
4层以及5层的显影处理室200-4、200-5包括正型显影模块DEV+、第1加热模块220、第2加热模块280以及第1主搬运机器手240。正型显影模块DEV+、第1加热模块220、第2加热模块280配置在第1主搬运机器手240能靠近的移动通路210上。
在4层以及5层的显影处理室200-4、200-5中，可在同一层中进行由曝光后烘烤-冷却-显影-硬性烘烤-冷却构成的显影工序。但是，在6层的显影处理室200-6中，只有曝光后烘烤-冷却-显影过程在同一层中进行，剩余的硬性烘烤-冷却过程在第1显影路径部30-2中进行。
像这样，在具备个数比正型显影模块DEV+少的负型显影模块DEV-的6层的显影处理室200-6中，第1主搬运机器手240执行由缓冲模块420-->第1加热模块220-->冷却模块330-->负型显影模块DEV-->第1缓冲模块320构成的5个步骤，第1显影路径部30-2的第1缓冲搬运机器手310b执行由第1缓冲模块320-->第2加热模块340-->冷却模块330-->第2缓冲模块350构成的4个步骤。像这样，两个搬运机器手分散地在5个步骤以内处理显影工序。
作为一例，当假定搬运机器手的1个步骤的周期为3.5秒时，如果在现有布局中处理负型显影工序，将以每小时146块左右的基板生产量进行处理，而在本发明的显影处理部中，能以每小时205块左右的基板生产量进行处理。因此，通过本发明的分散搬运以及机器手的最优化使用，能够使基板生产量提高40％以上。
如果在5层以及6层的显影处理室200-5、200-6中执行负型显影工序，在4层的显影处理室200-4中执行正型显影工序时，由于正型显影模块DEV+的个数比负型显影模块DEV-少，因此，具备正型显影模块DEV+的4层的显影处理室200-4能够重新构成为与5层以及6层的显影处理室200-5、200-6具有不同的配置结构。
本发明的基板处理设备非常有效地适用于同时使用负型显影工序和正型显影工序的平版印刷处理装置。
以上，虽然参照实施例进行了说明，但是，本技术领域的熟练的技术人员应能理解在不脱离本发明的权利要求书所记载的本发明的思想和领域的范围内，能对本发明进行多种修正以及变更。
附图标记说明
10：指引部；
20：工序处理部；
30：第1路径部；
40：第2路径部；
50：接口部。

Claims (17)

1.一种基板处理设备，包括：
指引部，其具有放置装有基板的容器的端口以及指引机器手；
工序处理部，其具有显影处理部，所述显影处理部中以相互分层地方式配置有对基板进行显影工序的第1显影处理室和第2显影处理室；以及
第1路径部，其配置于所述显影处理部与所述指引部之间，
其中，所述第1显影处理室包括：显影模块；第1加热模块；以及第1主搬运机器手，其配置于能靠近所述显影模块和所述第1加热模块的移动通路上，
所述第1路径部包括：第2加热模块；第1缓冲模块；冷却模块；第2缓冲模块；以及第1缓冲搬运机器手，其配置于能靠近所述第2加热模块、所述第1缓冲模块、所述冷却模块以及所述第2缓冲模块的移动通路上。
2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，
所述第1缓冲模块和所述冷却模块配置在所述第1主搬运机器手和所述第1缓冲搬运机器手都能靠近的位置。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，
所述第1缓冲模块和所述冷却模块层叠配置在所述第1主搬运机器手的移动通路与所述第1缓冲搬运机器手的移动通路之间。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，
所述第1主搬运机器手的移动通路沿水平方向提供，所述第1缓冲搬运机器手的移动通路沿垂直方向提供。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，
所述第1加热模块是曝光后烘烤模块。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，
所述第2加热模块是硬性烘烤模块。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，
所述第1显影处理室的显影模块仅为执行正型显影的正型显影模块和执行负型显影的负型显影模块中的任意一种，
所述第2显影处理室的显影模块仅为执行正型显影的正型显影模块和执行负型显影的负型显影模块中的另一种。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，
所述第1显影处理室的个数比所述第2显影处理室的个数少。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理设备，其中，
所述工序处理部还包括：涂敷处理部，其以分层地方式配置有对基板执行光刻胶涂敷工序的涂敷处理室，
其中，所述涂敷处理部与所述显影处理部分层配置。
10.一种基板处理设备，包括：
指引部；
显影处理部，其以层叠的方式配置有进行正型显影工序的第1显影处理室和进行负型显影工序的第2显影处理室；以及
第1路径部，其配置于所述显影处理部与所述指引部之间，
其中，在所述第1显影处理室和第2显影处理室中的任意一个处理室中，为了依次执行曝光后烘烤、冷却以及显影工序，在第1主搬运机器手的传送通路上配置有显影模块、曝光后烘烤模块、冷却模块，
在所述第1路径部中，用于对在所述显影模块中进行处理的基板执行硬性烘烤工序的硬性烘烤模块配置于第1缓冲搬运机器手的传送通路上。
11.根据权利要求10所述的基板处理设备，其中，
所述冷却模块配置在所述第1主搬运机器手和所述第1缓冲搬运机器手都能靠近的位置，
在所述冷却模块中层叠地配置有基板临时停留的第1缓冲模块。
12.根据权利要求11所述的基板处理设备，其中，
所述第1路径部还包括：第2缓冲模块，其用于与所述指引部进行基板交接。
13.根据权利要求11所述的基板处理设备，其中，
所述第1主搬运机器手的移动通路沿水平方向提供，所述第1缓冲搬运机器手的移动通路沿垂直方向提供。
14.根据权利要求11所述的基板处理设备，其中，
所述任意一个处理室数量比另一个处理室数量少。
15.一种基板处理设备，包括：
指引部；
显影处理部，其以相互分层地方式配置有第1显影处理室和第2显影处理室；以及
第1路径部，其配置于所述显影处理部与所述指引部之间,
其中，在所述第1显影处理室中，为了依次执行曝光后烘烤、冷却以及显影工序，处理模块配置于第1主搬运机器手的水平传送通路上，
在所述第1路径部中，用于对在所述第1显影处理室中进行显影处理的基板执行硬性烘烤工序的处理模块配置于第1缓冲搬运机器手的垂直传送通路上，
所述第1缓冲搬运机器手以能向相邻的所述第1显影处理室和所述第2显影处理室进行层间移动的方式进行升降。
16.根据权利要求15所述的基板处理设备，其中，
所述第1显影处理室只包括执行正型显影的显影模块或进行负型显影的显影模块中的任意一种的显影模块。
17.根据权利要求15所述的基板处理设备，其中，
在所述第1主搬运机器手和所述第1缓冲搬运机器手都能靠近的位置配置有第1缓冲模块和冷却模块。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10790177B2 (en) * 2017-11-14 2020-09-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems, devices, and methods for using a real time environment sensor in a FOUP
WO2022226684A1 (en) * 2021-04-25 2022-11-03 Acm Research (Shanghai) , Inc. Substrate processing apparatus
WO2023019590A1 (zh) * 2021-08-20 2023-02-23 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 涂覆显影设备

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100274858B1 (ko) 1996-06-10 2000-12-15 이시다 아키라 기판처리장치 및 기판처리시스템
US20030113188A1 (en) 2001-12-17 2003-06-19 Applied Materials, Inc. Mechanism for providing a continuous supply of wafers and cassettes to semiconductor fabrication tool
JP3916468B2 (ja) 2002-01-11 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP4220173B2 (ja) 2002-03-26 2009-02-04 株式会社日立ハイテクノロジーズ 基板の搬送方法
JP4535499B2 (ja) 2005-04-19 2010-09-01 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、塗布、現像装置及び加熱方法
KR100897850B1 (ko) 2007-06-18 2009-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP5225815B2 (ja) 2008-11-19 2013-07-03 東京エレクトロン株式会社 インターフェイス装置、基板を搬送する方法及びコンピュータ可読記憶媒体
JP5397399B2 (ja) 2010-07-09 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP5338777B2 (ja) 2010-09-02 2013-11-13 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5287913B2 (ja) 2011-03-18 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体

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