CN104593730A - 防止oled材料裂解的坩埚 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种防止OLED材料裂解的坩埚,包括一用于容纳OLED材料(3)的坩埚本体(1)、及盖设于所述坩埚本体(1)开口端的盖子(2);所述坩埚本体(1)底部具有一抬升结构(11),通过所述抬升结构(11)抬升坩埚内OLED材料(3)最低液面的高度,使得OLED材料(3)在低于裂解温度的温度下全部蒸出。本发明能够解决蒸镀过程中坩埚内的OLED材料容易裂解及材料浪费的问题,使得蒸镀过程稳定运行,保证OLED显示器件的品质。
Description
技术领域
本发明涉及OLED显示器件的制程领域,尤其涉及一种防止OLED材料裂解的坩埚。
背景技术
平板显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有的平板显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display,LCD)及有机电致发光显示器件(Organic Light Emitting Display,OLED)。其中,OLED显示器件相较于LCD,不仅具有十分优异的显示性能,还具有全固态、自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、室温工作、低功耗及易于实现柔性显示和3D显示等优点,被誉为“梦幻显示器”,一致被公认为是下一代显示的主流技术,得到了各大显示器厂家的青睐。
OLED显示器件通常由阳极、阴极、以及夹在阳极和阴极之间的有机电致发光材料层构成,有机电致发光材料层又包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、及电子注入层。OLED显示器件的发光机理是从阴、阳两级分别注入电子和空穴,被注入的电子和空穴经传输在发光层内复合,从而激发发光层分子产生单态激子,单态激子辐射衰减而发光。
目前,制备OLED显示器件主流的主要方式是真空加热镀膜,即在真空腔体内使用坩埚加热OLED材料,使其在一定温度下升华或者熔融汽化成蒸汽,透过金属掩膜板上的开孔沉积在基板上。
使用点蒸发源进行OLED材料蒸镀的情况下,常常会因为点蒸发源各处的温差不均,导致坩埚内的OLED材料无法消耗完和材料易裂解等问题。
请参阅图1,现有的用于OLED材料蒸镀的坩埚包括坩埚本体100及盖设于坩埚本体100开口端的盖子200,其中坩埚本体100用于容纳OLED材料300,该坩埚本体100的底部与侧壁的壁厚基本均匀一致。图1所示为OLED材料充裕,液面高度较高的情况,设坩埚本体100底部的温度为t1、OLED材料液面的蒸发温度为t2、坩埚本体100顶部的温度为t3、OLED材料的裂解温度为T,由于坩埚本体100的上、下温度有差异,一般T>t3>t2>t1,经实验验证,如图2所示,在该现有的坩埚本体100内的OLED材料为65g,蒸镀速率稳定在时,OLED材料液面的蒸发温度t2稳定在375℃,坩埚本体100顶部的温度t3为403℃,小于裂解温度T405℃。如图3所示,随着蒸镀过程的进行,OLED材料不断消耗,要保持一定的蒸镀速率,OLED材料液面的蒸发温度t2也需要越来越高。当OLED材料消耗至距离坩埚本体100底面的高度等于或小于h时,h为位于坩埚本体100顶部的OLED材料处于裂解的临界温度时,坩埚本体100内的OLED材料300正常蒸发允许的最低液面高度,会出现t3>T>t2>t1,经实验验证,当坩埚本体100内的OLED材料减少至40g或以下时,坩埚本体100顶部的温度t3为410℃,大于裂解温度T405℃,导致OLED材料在坩埚盖子200的出口处发生裂解,且剩余的OLED材料均不可用,从而破坏蒸镀过程的稳定性,造成OLED材料的浪费,影响OLED显示器件的品质。
发明内容
本发明的目的在于提供一种防止OLED材料裂解的坩埚,能够解决蒸镀过程中坩埚内的OLED材料容易裂解及材料浪费的问题,使得蒸镀过程稳定运行,保证OLED显示器件的品质。
为实现上述目的,本发明提供的一种防止OLED材料裂解的坩埚,包括一用于容纳OLED材料的坩埚本体、及盖设于所述坩埚本体开口端的盖子;
所述坩埚本体底部具有一抬升结构,通过所述抬升结构抬升坩埚内OLED材料最低液面的高度。
所述抬升结构的顶面到坩埚本体底面的高度大于或等于坩埚内OLED材料正常蒸发允许的最低液面高度,使得OLED材料(3)在低于裂解温度的温度下全部蒸出。
所述抬升结构为自坩埚本体自身的底面向上延伸形成的凸起部,通过降低坩埚本体自身的挖掘深度来实现。
所述抬升结构为固设于坩埚本体底部的架空的金属板。
所述金属板通过焊接固设于坩埚本体底部。
所述抬升结构包括填充于坩埚本体底部的导热性好的填充材料及设于填充材料上的底板。
所述抬升结构包括设置于坩埚本体底部的导热性支架及设于支架上的底板。通过所述抬升结构能够使得坩埚内OLED材料在低于裂解温度8℃-15℃的温度下全部蒸出。
通过所述抬升结构能够使得坩埚内OLED材料在低于裂解温度10℃的温度下全部蒸出。
本发明的有益效果,本发明提供的一种防止OLED材料裂解的坩埚,通过在坩埚本体底部设置能够抬升OLED材料最低液面高度的抬升结构,能够使得OLED材料在低于裂解温度的温度下全部蒸出,解决蒸镀过程中坩埚内的OLED材料容易裂解及材料浪费的问题,使得蒸镀过程稳定运行,保证OLED显示器件的品质。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中,
图1为现有的坩埚在OLED材料充裕状态下的剖面示意图;
图2为显示现有的坩埚内OLED材料液面的蒸发温度与蒸镀速率的曲线图;
图3为现有的坩埚在OLED材料较少状态下的剖面示意图;
图4为本发明防止OLED材料裂解的坩埚的第一实施例的剖面结构示意图;
图5为本发明防止OLED材料裂解的坩埚的第二实施例的剖面结构示意图;
图6为本发明防止OLED材料裂解的坩埚的第三实施例的剖面结构示意图;
图7为本发明防止OLED材料裂解的坩埚的第四实施例的剖面结构示意图;
图8为显示本发明防止OLED材料裂解的坩埚内OLED材料液面的蒸发温度与蒸镀速率的曲线图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图4,为本发明防止OLED材料裂解的坩埚的第一实施例的剖面结构示意图。该防止OLED材料裂解的坩埚包括一用于容纳OLED材料3的坩埚本体1、及盖设于所述坩埚本体1开口端的盖子2。
所述坩埚本体1底部具有一抬升结构11,通过所述抬升结构11抬升坩埚内OLED材料3最低液面的高度。所述抬升结构11的顶面到坩埚本体1底面的高度H大于或等于坩埚内OLED材料3正常蒸发允许的最低液面高度,该抬升结构11的顶面形成坩埚容置OLED材料的底面,使得OLED材料3在低于裂解温度的温度下全部蒸出。
在该第一实施例中,所述抬升结构11为自坩埚本体1自身的底面向上延伸形成的凸起部,通过降低坩埚本体1自身的挖掘深度来实现。
使用本发明的坩埚进行蒸镀,设OLED材料3最低液面的温度t1、OLED材料3液面的蒸发温度为t2、坩埚本体1顶部的温度为t3、OLED材料的裂解温度为T,当OLED材料3的液面高度较高时,由于坩埚本体1的上、下温度有差异,一般T>t3>t2>t1。随着蒸镀过程的进行,OLED材料3不断蒸发、消耗,要保持一定的蒸镀速率,OLED材料3液面的蒸发温度t2也越来越高,当OLED材料3消耗至其最低液面的高度为H时,坩埚本体1顶部的材料临近裂解,但由于抬升结构11已将OLED材料3的最低液面抬升至H,在OLED材料裂解前,坩埚1本体内部的OLED材料3已经蒸发、消耗完毕。
如图8所示,经实验验证,采用抬升结构11将OLED材料3最低液面的高度抬升后,坩埚本体1内的OLED材料仅为5g,蒸镀速率稳定在时,仍保持OLED材料的裂解温度T>坩埚本体1顶部的温度t3>OLED材料3液面的蒸发温度t2>OLED材料3最低液面的温度t1,OLED材料3液面的蒸发温度t2稳定在377+2℃,直至OLED材料3全部正常蒸发完,坩埚本体1顶部的温度t3仍处于安全温度范围内,从而能够使得OLED材料3在低于裂解温度的温度下全部蒸出,解决蒸镀过程中坩埚内的OLED材料容易裂解及材料浪费的问题,使得蒸镀过程稳定运行,保证OLED显示器件的品质。一般情况下,所述抬升结构11能够使得坩埚内OLED材料3在低于裂解温度8℃-15℃的温度下全部蒸出,优选的,通过调整所述抬升结构11的高度,使坩埚内OLED材料3在低于裂解温度10℃的温度下全部蒸出。
请参阅图5,为本发明防止OLED材料裂解的坩埚的第二实施例的剖面结构示意图。该第二实施例与第一实施例的不同在于,所述抬升结构11为通过焊接的方式固设于坩埚本体1底部的架空的金属板。该金属板形成坩埚容置OLED材料的底面。其余的结构及抬升结构11所起的作用与第一实施例相同,此处不再赘述。
请参阅图6,为本发明防止OLED材料裂解的坩埚的第三实施例的剖面结构示意图。该第三实施例与第一实施例的不同在于,所述抬升结构11包括填充于坩埚本体1底部的导热性好的填充材料111及设于填充材料111上的底板113。该底板113形成坩埚容置OLED材料的底面。其余的结构及抬升结构11所起的作用与第一实施例相同,此处不再赘述。
请参阅图7,为本发明防止OLED材料裂解的坩埚的第四实施例的剖面结构示意图。该第四实施例与第一实施例的不同在于,所述抬升结构11包括设置于坩埚本体1底部的导热性支架115及设于支架115上的底板117。该底板117形成坩埚容置OLED材料的底面。其余的结构及抬升结构11所起的作用与第一实施例相同,此处不再赘述。
综上所述,本发明的防止OLED材料裂解的坩埚,通过在坩埚本体底部设置能够抬升OLED材料最低液面高度的抬升结构,能够使得OLED材料在低于裂解温度的温度下全部蒸出,解决蒸镀过程中坩埚内的OLED材料容易裂解及材料浪费的问题,使得蒸镀过程稳定运行,保证OLED显示器件的品质。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (9)
1.一种防止OLED材料裂解的坩埚,其特征在于,包括一用于容纳OLED材料(3)的坩埚本体(1)、及盖设于所述坩埚本体(1)开口端的盖子(2);所述坩埚本体(1)底部具有一抬升结构(11),通过所述抬升结构(11)抬升坩埚内OLED材料(3)最低液面的高度。
2.如权利要求1所述的防止OLED材料裂解的坩埚,其特征在于,所述抬升结构(11)的顶面到坩埚本体(1)底面的高度(H)大于或等于坩埚内OLED材料(3)正常蒸发允许的最低液面高度,使得OLED材料(3)在低于裂解温度的温度下全部蒸出。
3.如权利要求2所述的防止OLED材料裂解的坩埚,其特征在于,所述抬升结构(11)为自坩埚本体(1)自身的底面向上延伸形成的凸起部,通过降低坩埚本体(1)自身的挖掘深度来实现。
4.如权利要求2所述的防止OLED材料裂解的坩埚,其特征在于,所述抬升结构(11)为固设于坩埚本体(1)底部的架空的金属板。
5.如权利要求4所述的防止OLED材料裂解的坩埚,其特征在于,所述金属板通过焊接固设于坩埚本体(1)底部。
6.如权利要求2所述的防止OLED材料裂解的坩埚,其特征在于,所述抬升结构(11)包括填充于坩埚本体(1)底部的导热性好的填充材料(111)及设于填充材料(111)上的底板(113)。
7.如权利要求2所述的防止OLED材料裂解的坩埚,其特征在于,所述抬升结构(11)包括设置于坩埚本体(1)底部的导热性支架(115)及设于支架(115)上的底板(117)。
8.如权利要求2所述的防止OLED材料裂解的坩埚,其特征在于,通过所述抬升结构(11)能够使得坩埚内OLED材料(3)在低于裂解温度8℃-15℃的温度下全部蒸出。
9.如权利要求8所述的防止OLED材料裂解的坩埚,其特征在于,通过所述抬升结构(11)能够使得坩埚内OLED材料(3)在低于裂解温度10℃的温度下全部蒸出。
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