CN104591163B - 基于软-硬模板的石墨烯制备方法 - Google Patents
基于软-硬模板的石墨烯制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104591163B CN104591163B CN201410841684.8A CN201410841684A CN104591163B CN 104591163 B CN104591163 B CN 104591163B CN 201410841684 A CN201410841684 A CN 201410841684A CN 104591163 B CN104591163 B CN 104591163B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- graphene
- solution
- ctab
- pyrene
- hours
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 74
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 68
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M Cetrimonium bromide Chemical compound [Br-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C LZZYPRNAOMGNLH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 19
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000007833 carbon precursor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 25
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 17
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 16
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 14
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 10
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000502 dialysis Methods 0.000 claims description 8
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 4
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 4
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 abstract description 2
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000000235 small-angle X-ray scattering Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000002371 ultraviolet--visible spectrum Methods 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003837 high-temperature calcination Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- XMYLDITUFLHWLR-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43.C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 XMYLDITUFLHWLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001988 small-angle X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
一种纳米碳材料制备领域的基于软‐硬模板的石墨烯制备方法，该方法以表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为结构导向剂，四甲氧基硅烷(TMOS)为硅源，油溶性有机小分子芘(pyrene)为碳前驱体，在酸性体系下合成SiO2/CTAB/pyrene复合材料。本发明的制备过程中同时采用表面活性剂CTAB为软模板和层状二氧化硅材料为硬模板，可以有效的避免石墨烯的团聚，而且操作容易，工艺简单，重现性好，为制备高质量的电介质基底石墨烯以及石墨烯溶液提供了一条可供借鉴的新思路。
Description
技术领域
本发明涉及的是一种纳米碳材料制备工艺领域的技术，具体是一种通过纳米限制空间作用制备电介质基底石墨烯以及石墨烯水溶液的方法。
背景技术
单层石墨烯是指由单层碳原子按六边形紧密堆积形成的呈蜂巢点阵的平面薄膜，虽然它只有一个碳原子的厚度，却是目前是世上已知的最薄、最坚硬的纳米材料。其强度可达130GPa，结构非常稳定、柔韧度极好，具有高的导热系数、电子迁移率、光透过率以及大的光学非线性系数，可被用来制备更小尺寸、更快导电速度、更强光学非线性性质的新一代电子元件或光学器件。除此之外，二维的石墨烯材料还是构建其他维数碳质材料(如零维富勒烯、一维纳米碳管、三维石墨)的基本单元，在基础理论研究和实验研究方面均展示出了重大的科学意义和应用价值，已成为国际新材料领域研究的热点。
目前报道的有关石墨烯的制备方法主要包括以下几种：机械剥离法、氧化石墨还原法、化学气相沉积法、外延生长法、有机合成法等。中国专利申请号200910054919.8；200910099595.x；201110065030.7专利文件中公开了首先形成氧化石墨再制备石墨烯的方法。这种方法虽然可以批量制备石墨烯材料，但是在石墨粉氧化的过程中，往往要用到强酸、强氧化剂，并引入大量的缺陷，而且这些缺陷在后续的还原处理中也不能完全消除，很难制备出高质量的石墨烯。中国专利申请号200710052949.6；200810113596.0；201110096201.2等专利文件中公开了一种通过化学气相沉积制备石墨烯的方法；虽然通过化学气相沉积法(CVD)可以实现大面积的制备石墨烯，但是所获得的石墨烯经常厚度不均匀、层数难控制，并且对实验条件控制要求高。此外，在制备电/光器件时，一般需要将CVD方法得到的石墨烯转移到绝缘体或电介质基底上，这就要求复杂的后处理及转移过程。在转移过程中，不可避免的引起石墨烯产生褶皱、污染甚至损坏。由此可见，研究开发新的工艺流程制备高质量、可控制的电介质基底石墨烯材料显得尤为重要。
发明内容
本发明针对现有技术存在的上述不足，提出一种基于软‐硬模板的石墨烯制备方法，不仅能够制备出高质量的石墨烯，而且制备工艺简单、对环境友好。
本发明是通过以下技术方案实现的：本发明以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为结构导向剂、四甲氧基硅烷(TMOS)为硅源、油溶性有机小分子芘(pyrene)为碳前驱体，在酸性体系下合成SiO2/CTAB/pyrene复合材料，经成型和焙烧后得到直接生长在电介质基底上的石墨烯/二氧化硅薄膜。
所述方法具体包括以下步骤：
a.称取作为表面活性剂的CTAB溶于超纯水中，在40℃下搅拌至澄清后再将有机小分子pyrene加入到此溶液中，pyrene和CTAB的摩尔比为1:5‐20；
b.称取TMOS，加入到pH为3的盐酸水溶液中，在室温下搅拌2小时，CTAB与TMOS的摩尔比为1:2‐4；
c.将上述两个步骤所得到的溶液在40℃下搅拌至两者混合均匀；
d.将混合后的溶液均匀的旋涂在电介质基底上或涂覆在培养皿中，在空气中静置至干燥后转移到烘箱中，在100℃下固化时间不低于24小时；
当将溶液涂覆在培养皿中时，优选待培养皿冷却至室温后，用刀片刮下涂覆在培养皿上的薄膜，并在玛瑙研钵中对其进行研磨，收集研磨后的粉体。
e.将步骤d得到的电介质基底或其粉体置于石英舟中，在惰性气体保护下放置在管式炉内焙烧。管式炉的升温速率为2℃/min，在900℃下保持2小时，随后自然冷却至室温。
当将溶液旋涂在电介质基底上时，焙烧得到以电介质为基底的石墨烯/二氧化硅薄膜；当将溶液涂覆在培养皿中时，烧结得到的粉体经氢氟酸溶液刻蚀后透析可得到含有石墨烯的水溶液。
所述到的电介质基底包括但不局限于：硅片、石英片、绝缘体上硅晶片。
所述的旋涂速率为3000‐10000rpm，旋涂时间1‐3分钟。
所述的惰性气体可以为氮气或氦气。
所述的刻蚀是指：用氢氟酸溶液在室温下刻蚀48小时，该氢氟酸的质量分数为10％。
所述的透析是指：采用截留分子量范围为3500的透析袋透析24小时。
本发明涉及上述方法制备得到的石墨烯薄膜，为二氧化硅/石墨烯/二氧化硅夹层结构，且该薄膜非线性折射率n2为10‐12m2W‐1水平级。
本发明涉及上述石墨烯薄膜的应用，将其用于制备探测器、调制器、高非线性的光电器件。
本发明涉及上述方法制备得到的含有石墨烯的水溶液，其中的石墨烯的大小为5nm水平级，厚度为2‐3层。
本发明涉及上述含有石墨烯的水溶液的应用，将其用于制备探测器、调制器、高非线性的光电器件。
技术效果
与现有技术相比，本发明利用表面活性剂作为软模板提供结构导向的作用，层状二氧化硅复合材料作为硬模板，可以有效的避免石墨烯高温焙烧过程中发生团聚。采用电介质材料作为基底，通过旋涂、高温后处理即可得到直接生长在电介质基底上的石墨烯，能够满足其在高速率、低功耗的光电器件领域的应用。此外，通过氢氟酸刻蚀除去二氧化硅硬模板后，可以得到高质量、均匀分散的石墨烯水溶液。
本发明同时采用了软模板和硬模板，成功的制备了的电介质基底石墨烯以及石墨烯水溶液，制备过程无环境污染物释放，属于环境友好的制备工艺。同时具有制备周期短、可重复性高、反应条件温和等特点，为后续制备高质量、大规模的电介质基底石墨烯以及石墨烯水溶液的研究者提供了一个良好的借鉴。
附图说明
图1为本发明工艺简图。
图2为未添加和添加有机小分子pyrene的SiO2/CTAB/PY复合结构的小角X射线衍射图谱。
图3为通过软‐硬模板法制备的石墨烯水溶液的原子力显微镜照片。
图4为通过软‐硬模板法制备的石墨烯水溶液的透射电子显微镜照片。
图5为通过软‐硬模板法制备的石英基底石墨烯的拉曼光谱。
图6为通过软‐硬模板法制备的石英基底石墨烯的紫外可见透射光谱。
图7为通过软‐硬模板发制备的石英基底石墨烯的Z‐scan测试。
具体实施方式
下面对本发明的实施例作详细说明，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
实施例1
称取4.5g表面活性剂CTAB溶于50mL超纯水中，在40℃下搅拌至澄清后再将0.237g pyrene加入到此溶液中；
称取7.6g TMOS，加入到1.8g pH为3的盐酸水溶液中，在40℃下搅拌2小时；
将上述两个步骤所得到的溶液在40℃下搅拌至两者混合均匀；
随后，将混合后的溶液均匀的旋涂在石英基底上，在空气中静置至干燥后转移到烘箱中，在100℃下干燥24小时；旋涂速率为3000rpm，旋涂时间为1min；
将旋涂溶液后的电介质基底置于石英舟中，在惰性气体保护下放置在管式炉内焙烧。管式炉的升温速率为2℃/min，在900℃下保持2小时，随后自然冷却至室温，即可得到以石英为基底的石墨烯薄膜。
实施例2
称取1.138g表面活性剂CTAB溶于12.5mL超纯水中，在40℃下搅拌至澄清后再将0.063g pyrene加入到此溶液中；
称取1.9g TMOS，加入到0.45g pH为3的盐酸水溶液中，在室温下搅拌2小时；
将上述两个步骤所得到的溶液在40℃下搅拌至两者混合均匀；
随后，将混合后的溶液均匀的旋涂在培养皿中，在空气中静置至干燥后转移到烘箱中，在100℃下干燥24小时；
待培养皿冷却至室温后，用刀片刮下涂覆在培养皿上的薄膜，并在玛瑙研钵中对其进行研磨，收集研磨后的粉体；
取部分粉体置于石英舟中，在氮气保护下放在管式炉内焙烧。管式炉的升温速率为2℃/min，在900℃下保持2小时，随后自然冷却至室温，收集焙烧后的粉体；
将焙烧后的粉体置于离心管中，用HF(10wt％)溶液在40℃下刻蚀48小时，随后将所得溶液置于透析袋中，透析袋截留分子量范围3500，透析24小时，最终得到包含有石墨烯的水溶液。
对实施例所得样品的仪器检测：
1)小角X射线衍射仪(SAXS)测试
用SAXS表征了上述实施例1和实施例2得到的SiO2/CTAB/pyrene复合结构的层间距。结果表明有机小分子pyrene成功的进入到表面活性剂层。
2)原子力显微镜(AFM)测试
用AFM表征上述实施例2得到的石墨烯的厚度，结果表明当有机小分子pyrene的添加量为0.237g时，所得到的石墨烯厚度在0.7～1.2nm之间，约为2～3层。
3)透射电子显微镜(TEM)测试
用TEM表征上述实施例2得到的石墨烯的形貌，结果表明当有机小分子pyrene的添加量为0.237g时，所得到的石墨烯具有良好的形貌，尺寸可达1μm以上。
4)拉曼光谱(Raman)测试
用Raman光谱表征了上述实施例1中制备的以石英为基底的石墨烯薄膜，可以看到位于1350和1580cm‐ 1的D峰和G峰，结果表明在石英基底上成功制备了石墨烯。
5)紫外可见光谱(UV‐Vis)测试
用UV‐Vis可见光谱表征了上述实施例1中制备的以石英为基底的石墨烯薄膜，可以看到通过添加pyrene引入石墨烯后，样品的透射率减小了5％，结果表明在石英基底上石墨烯的厚度为2层。
6)Z‐scan测试
用Z‐scan技术测试了上述实施例1中制备的以石英为基底的石墨烯薄膜的光学性质。
通过分析在焦点前后“先谷后峰”的波形，可以得出石墨烯具有正的三阶非线性折射率，结果表明了石英基底石墨烯具有大的三阶非线性折射率，以及该材料在光电领域具有巨大的应用潜力。
Claims (7)
1.一种基于软‐硬模板的石墨烯制备方法，其特征在于，以十六烷基三甲基溴化铵为结构导向剂、四甲氧基硅烷为硅源、油溶性有机小分子芘为碳前驱体，在酸性体系下合成SiO2/CTAB/pyrene复合材料，经成型和焙烧后得到直接生长在电介质基底上的石墨烯/二氧化硅薄膜，具体包括以下步骤：
a.称取作为表面活性剂的CTAB溶于超纯水中，在40℃下搅拌至澄清后再将有机小分子pyrene加入到此溶液中；
b.称取TMOS，加入到pH为3的盐酸水溶液中，在室温下搅拌2小时；
c.将上述两个步骤所得到的溶液在40℃下搅拌至两者混合均匀；
d.将混合后的溶液均匀的旋涂在电介质基底上或涂覆在培养皿中，在空气中静置至干燥后转移到烘箱中，在100℃下固化时间不低于24小时；
e.将步骤d得到的电介质基底或其粉体置于石英舟中，在惰性气体保护下放置在管式炉内焙烧，管式炉的升温速率为2℃/min，在900℃下保持2小时，随后自然冷却至室温；
当将溶液涂覆在培养皿中时，待培养皿冷却至室温后，用刀片刮下涂覆在培养皿上的薄膜，并在玛瑙研钵中对其进行研磨，收集研磨后的粉体；
当将溶液旋涂在电介质基底上时，焙烧得到以电介质为基底的石墨烯薄膜；当将溶液涂覆在培养皿中时，烧结得到的粉体经氢氟酸溶液刻蚀后透析可得到含有石墨烯的水溶液。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的pyrene和CTAB的摩尔比为1:5‐20。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的CTAB与TMOS的摩尔比为1:2‐4。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的旋涂速率为3000‐10000rpm，旋涂时间1‐3分钟。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的刻蚀是指：用氢氟酸溶液在室温下刻蚀48小时，该氢氟酸的质量分数为10％。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征是，所述的透析是指：采用截留分子量范围为3500的透析袋透析24小时。
7.一种根据上述任一权利要求中所述方法制备得到的石墨烯，其特征在于，包括：石墨烯薄膜和含有石墨烯的水溶液，其中：
石墨烯薄膜为二氧化硅/石墨烯/二氧化硅夹层结构，且该薄膜非线性折射率n2为10‐ 12m2W‐ 1水平级；
含有石墨烯的水溶液中的石墨烯的厚度在0.7～1.2nm之间，厚度为2‐3层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410841684.8A CN104591163B (zh) | 2014-12-29 | 2014-12-29 | 基于软-硬模板的石墨烯制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410841684.8A CN104591163B (zh) | 2014-12-29 | 2014-12-29 | 基于软-硬模板的石墨烯制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104591163A CN104591163A (zh) | 2015-05-06 |
| CN104591163B true CN104591163B (zh) | 2016-08-17 |
Family
ID=53117284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410841684.8A Expired - Fee Related CN104591163B (zh) | 2014-12-29 | 2014-12-29 | 基于软-硬模板的石墨烯制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104591163B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105776181B (zh) * | 2016-04-29 | 2018-12-21 | 大连理工大学 | 一种片状纳米多孔碳与碳纳米管复合材料的制备方法 |
| CN106601591B (zh) * | 2016-12-21 | 2019-12-03 | 昆明物理研究所 | 氯掺杂多层石墨烯薄膜制备方法 |
| CN106832411B (zh) * | 2017-03-10 | 2019-01-29 | 福建科华中盈新材料有限公司 | 一种介孔阻燃接枝石墨烯材料及其制备方法 |
| US11806983B2 (en) | 2018-01-22 | 2023-11-07 | Neograf Solutions, Llc | Graphite article and method of making same |
| CN113583668A (zh) * | 2021-08-02 | 2021-11-02 | 深圳齐锂纳米科技有限公司 | 一种环保的石墨烯量子点的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102433544A (zh) * | 2012-01-11 | 2012-05-02 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种利用多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的方法 |
| CN103083942A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-05-08 | 漳州师范学院 | 一种基于SiO2键合石墨烯的固相微萃取吸附涂层的制备方法 |
| CN104030276A (zh) * | 2014-06-09 | 2014-09-10 | 中南大学 | 一种少层石墨烯的制备方法 |
-
2014
- 2014-12-29 CN CN201410841684.8A patent/CN104591163B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102433544A (zh) * | 2012-01-11 | 2012-05-02 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种利用多苯环碳源低温化学气相沉积生长大面积石墨烯的方法 |
| CN103083942A (zh) * | 2013-02-05 | 2013-05-08 | 漳州师范学院 | 一种基于SiO2键合石墨烯的固相微萃取吸附涂层的制备方法 |
| CN104030276A (zh) * | 2014-06-09 | 2014-09-10 | 中南大学 | 一种少层石墨烯的制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| "Graphene-Based Nanosheets with a Sandwich Structure";Shubin Yang et al.;《Angew. Chem. Int. Ed.》;20100628;第49卷;第4795页第2段、第4798页第2段实验部分 * |
| "Graphene-Silica Composite Thin Films as Transparent Conductors";Supinda Watcharotone et al.;《NANO LETTERS》;20070626;第7卷(第7期);第1889页第2段 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104591163A (zh) | 2015-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104591163B (zh) | 基于软-硬模板的石墨烯制备方法 | |
| Liu et al. | Energy storage materials from nature through nanotechnology: a sustainable route from reed plants to a silicon anode for lithium‐ion batteries | |
| CN103413594B (zh) | 拓扑绝缘体柔性透明导电材料及其制备方法与应用 | |
| CN102600775B (zh) | SiC-石墨烯纳米复合材料及其制备方法 | |
| CN102583335A (zh) | 一种石墨烯均匀分散液的制备方法 | |
| CN103408001B (zh) | 微波消解制备大比表面积石墨烯的方法 | |
| CN114315365B (zh) | 一种碳化硅气凝胶材料及其制备方法 | |
| CN103964424A (zh) | 一种光照还原氧化石墨烯薄膜的制备方法 | |
| CN106829929A (zh) | 一种三维氮硼共掺杂石墨烯气凝胶的制备方法 | |
| CN102627274A (zh) | 一种制备石墨烯的方法 | |
| KR20110110538A (ko) | 균일한 나노입자가 증착된 그래핀 및 그 제조방법 | |
| CN103130217B (zh) | 三维多孔石墨烯的制备方法 | |
| CN103910492B (zh) | 一种石墨烯材料复合玻璃及其制备方法和应用 | |
| CN107221387A (zh) | 基于短暂性构架的高电导率石墨烯薄膜的制备方法 | |
| CN105293479A (zh) | 一种三维有序方形孔介孔石墨烯骨架材料的制备方法 | |
| Du et al. | One-step synthesis of SiO2 nanomesh for antireflection and self-cleaning of solar cell | |
| CN101319368A (zh) | 一种同时合成SiO2纳米线和SiC晶须的方法 | |
| CN102602945A (zh) | 一种多孔硅的制备方法 | |
| Wang et al. | Carbon nanotube templated synthesis of CeF3 nanowires | |
| CN103213976A (zh) | 一种在衬底表面直接制备石墨烯的方法 | |
| CN101700980A (zh) | 溶胶凝胶-水热法制备纳米莫来石粉体的方法 | |
| CN109950356B (zh) | 一种基于铯铅碘光电探测器及制备方法 | |
| CN102810359A (zh) | 化学气相沉积法制备同轴碳化硅/二氧化硅纳米电缆的方法 | |
| CN103159501B (zh) | 核壳Si/Fe2O3纳米线阵列的制备方法 | |
| CN102403069B (zh) | 一种二氧化钛/钛丝复合电极的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160817 Termination date: 20181229 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |