CN104582322A - 一种纳米复合材料电路板的孔化方法 - Google Patents

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Abstract

一种纳米复合材料电路板的孔化方法，包括：（1）去毛刺，首先通过去毛刺设备对钻孔后的板面进行去毛刺处理，去除孔边缘的纳米复合材料毛刺，同时对表面进行抛光处理；（2）等离子处理，将抛光去毛刺后的电路板放入低温等离子设备中，采用合适的气体对孔内纳米复合材料层进行溅射刻蚀等物理反应处理；（3）化学沉铜，将经等离子处理好的电路板进行表面除油、微蚀、预浸、活化、加速、沉铜；（4）全板电镀，在化学沉铜层上通过电解方法沉积金属铜；本发明的优点是：有效地将孔内及孔边缘由于钻孔产生的纳米复合材料碎屑、批锋和毛刺进行去除，改善表面的浸润性和接触性，对聚四氟乙烯材料具有改性、激活，达到良好的孔化效果。

Description

一种纳米复合材料电路板的孔化方法
技术领域
本发明涉及一种线路板的孔化方法，尤其是涉及一种纳米复合材料电路板的孔化方法。
背景技术
目前，国内对高频电路板的孔化处理方式通常采用化学法，即金属钠加荼四氢肤喃等溶液，形成荼钠络合物，使孔内聚四氟乙烯表层原子受到浸蚀达到润湿孔的目的。此方法虽然可以解决孔金属化的问题，但存在毒性大，金属钠易燃，危险性大，需专人管理等缺点。
根据纳米复合材料电路基板的特性，首先采用等离子处理技术对孔壁进行处理，再按照常规电路板的孔化方式进行金属化处理。
发明内容
为克服上述问题，本发明采用的技术方案如下：
一种纳米复合材料电路板的孔化方法，包括：
（1）去毛刺，首先通过去毛刺设备对钻孔后的板面进行去毛刺处理，去除孔边缘的纳米复合材料毛刺，同时对表面进行抛光处理；
（2）等离子处理，将抛光去毛刺后的电路板放入低温等离子设备中，采用合适的气体对孔内纳米复合材料层进行溅射刻蚀等物理反应处理；
（3）化学沉铜，将经等离子处理好的电路板进行表面除油、微蚀、预浸、活化、加速、沉铜；
（4）全板电镀，在化学沉铜层上通过电解方法沉积金属铜，以提供足够的导电性/厚度及防止导电电路出现热和机械缺陷。
所述步骤（1）中采用800目和1200目两组尼龙磨刷对板面进行抛光处理。
所述步骤（3）中孔化参数采用纳米复合材料电路板特定孔化参数，钻速130～160krpm，进刀180～200cm/min，上升1200-1500cm/min。
所述步骤（4）中钻刀采用纳米复合材料电路板特定的硬质合金单刃雕刻钻刀。
本发明的优点是：改变了孔化方式，由于纳米复合材料的塑胶特性，普通磨刷不能够彻底清除孔壁边缘的毛刺和批锋，采用800目和1200目两组尼龙磨刷能够非常有效地将孔内及孔边缘由于钻孔产生的纳米复合材料碎屑、批锋和毛刺进行去除。通过低温等离子处理机对低气压气体施加电场进行辉光放电，产生低温等离子体，在高分子材料表面发生溅射刻蚀等物理反应，使其具有亲水性，改善表面的浸润性和接触性，对聚四氟乙烯材料具有改性、激活，达到良好的孔化效果。
具体实施方式
一种纳米复合材料电路板的孔化方法，包括：以下步骤：步骤一，将钻孔后的电路板放入去毛刺设备，采用800目和1200目两组尼龙磨刷对钻孔后的板面和孔口进行去毛刺处理，去除孔边缘的纳米复合材料毛刺，同时对表面进行抛光处理；步骤二，在抽真空的环境下，在二个高压电极之间注入氮气和氩气气体，将抛光去毛刺后的电路板放在二个电极之间，通过对低气压气体施加电场进行辉光放电，使腔内产生低温等离子体，在高分子材料表面发生溅射刻蚀等物理反应；步骤三，将经等离子处理好的电路板进行表面除油、微蚀、预浸、活化、加速、沉铜；步骤四全板电镀，在化学沉铜层上通过电解方法沉积金属铜，以提供足够的导电性/厚度及防止导电电路出现热和机械缺陷。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (3)

1.一种纳米复合材料电路板的孔化方法，其特征在于，包括：
（1）去毛刺，首先通过去毛刺设备对钻孔后的板面进行去毛刺处理，去除孔边缘的纳米复合材料毛刺，同时对表面进行抛光处理；
（2）等离子处理，将抛光去毛刺后的电路板放入低温等离子设备中，采用合适的气体对孔内纳米复合材料层进行溅射刻蚀等物理反应处理；
（3）化学沉铜，将经等离子处理好的电路板进行表面除油、微蚀、预浸、活化、加速、沉铜；
（4）全板电镀，在化学沉铜层上通过电解方法沉积金属铜，以提供足够的导电性/厚度及防止导电电路出现热和机械缺陷。
2.根据权利要求1所述的一种纳米复合材料电路板的孔化方法，其特征在于，所述步骤（1）中采用800目和1200目两组尼龙磨刷对板面进行抛光处理。
3.根据权利要求1所述的一种纳米复合材料电路板的孔化方法，其特征在于，所述步骤（3）中采用低温等离子设备，在抽真空的环境下，在二个高压电极之间注入氮气和氩气气体，电路板放在二个电极之间，通过对低气压气体施加电场进行辉光放电，使腔内产生低温等离子体，在高分子材料表面发生溅射刻蚀等物理反应。
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