CN104539145A - 一种Boost型DC-DC转换器同步功率管限流电路 - Google Patents

Abstract

本发明针对现有Boost电路中启动时浪涌电流对主开关管Q₂、同步功率管Q₁以及对输出端设备的存在损坏的风险，提出一种Boost型DC-DC转换器同步功率管限流电路，该电路能够实现对同步功率管Q₁电流的限制的功能，本发明的整个电路结构简洁、精度高、响应快速，能提高系统的可靠性。

Description

一种Boost型DC-DC转换器同步功率管限流电路

技术领域

本发明属于电子电路技术领域，涉及模拟集成电路，特别是一种Boost型DC-DC转换器同步功率管限流电路。

背景技术

随着半导体技术的快速发展和应用领域的不断扩展，Boost电路将低直流电压转换成高直流电压，实现直流电压的升压，因此Boost电路普遍应用到日常生活中。Boost电路一般由控制电路、开关管、储能元件电感、电容组成。其升压过程是由一个电感的能量传递过程。充电时，电感吸收能量，放电时电感放出能量。

典型的同步型Boost DC-DC转换器的系统结构如图1所示。该电路采用一个电压负反馈环路，通过脉冲宽度调制方法(PWM)实现控制。其中Q₂为主开关管，Q₁为同步功率管。其工作原理为：输出电压V_OUT经采样电阻R_SNS1和R_SNS2分压得到V_FB后与参考电压V_R相比较，其差值经误差放大器EA放大后经过补偿网络后，作为脉冲宽度调制器PWM比较器的同相输入端，通过与PWM比较器反相输入端的斜波信号进行比较，用比较后所得信号经过逻辑控制电路来控制同步功率管Q₁和主开关管Q₂的开启与关断。当输出电压V_OUT下降时，由采样电阻R_SNS1和R_SNS2分压所得反馈电压信号会下降，则通过误差放大器放大后的电压会增加，使得主开关管Q₂的导通时间增加，输出电压上升；反之亦然。电压控制模式通过这种负反馈的方式来维持输出的恒定。但是，该Boost电路由于在启动阶段输入直接通过同步功率管Q₁给输出充电，同步功率管Q₁要面临很大的浪涌电流，而且如果在同步功率管Q₁电流较大时开启主开关管Q₂，则存在损坏功率管的风险。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述Boost电路中启动时浪涌电流对主开关管Q₂、同步功率管Q₁以及对输出端设备的存在损坏的风险，提出一种Boost型DC-DC转换器同步功率管限流电路，该电路能够实现对同步功率管Q₁电流的限制的功能，本发明的整个电路结构简洁、精度高、响应快速，能提高系统的可靠性。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案予以解决：

一种Boost型DC-DC转换器同步功率管限流电路，包括如下单元：

电流与电压检测单元，用于检测同步功率管Q₁的输出电压V_OUT与输入电压V_IN之间的压差，并将检测结果欠压控制信号V_UVLO输送至限流单元和逻辑控制电路里；并采用负反馈稳住同步功率管Q₁的输出电压V_OUT，将采样电阻采出的同步功率管Q₁镜像管的电流I_SENSE转换为电压值即电流采样信号V_IS，并将电流采样信号V_IS输送至限流单元；

限流单元，用于控制同步功率管Q₁的电流值，并将接收到的电流采样信号V_IS与外部参考电压V_REF比较，最后将比较结果栅极控制信号V_GATE直接连接同步功率管Q₁的栅极，将电流控制在合适范围。

同步功率管Q₁：用于接收限流单元的栅极控制信号V_GATE，并给电流与电压检测单元提供输出电压V_OUT、开关节点电压V_SW和衬底电压V_BODY；

输入的直流电源并联第一电容C₁后得到输入电压V_IN，第一电感L₁串联在第一电容C₁与同步功率管Q₁之间，与同步功率管Q₁并联，欠压控制信号V_UVLO连接到限流单元和逻辑控制电路的欠压控制端；限流单元的输出栅极控制信号V_GATE连接到同步功率管Q₁的栅极；同步功率管Q₁源极与地之间并联主开关管Q₂，漏极并联第二电容C₂，并连接到输出电压V_OUT；输出电压V_OUT经采样电阻R_SNS1和R_SNS2分压后连接误差放大器EA的反相端，误差放大器EA同相端连接基准信号V_R，其输出连接到补偿网络；脉冲宽度调制器PWM的同相端连接补偿网络，其反相端连接斜坡信号，输出端连接到逻辑控制电路PWM控制端；逻辑控制电路时钟信号端输入时钟信号，其驱动控制端连接控制死区控制的驱动器的输入端，死区控制的驱动器输出端连接到同步功率管Q₁的栅极和主开关管Q₂的栅极。

进一步的，所述电流与电压检测单元，包括反相器101、反相器102、功率镜像PMOS管M₁₀₁、PMOS管M₁₀₂、PMOS管M₁₀₄、PMOS管M₁₀₇、PMOS管M₁₀₉、PMOS管M₁₁₁、PMOS管M₁₁₂、PMOS管M₁₁₃、NMOS管M₁₀₃、NMOS管M₁₀₅、NMOS管M₁₀₆、NMOS管M₁₀₈、NMOS管M₁₁₀、第一电阻R₁、第二电阻R₂、第一二极管D₁、第二二极管D₂、第一电容C₁和电流源I_S1；其中：

所述电流源I_S1的输入端接入内部电源V_DD，其输出端连接NMOS管M₁₀₆的漏极和栅极，NMOS管M₁₀₆的源极与地相连；NMOS管M₁₀₃、NMOS管M₁₀₅、NMOS管M₁₀₈、NMOS管M₁₁₀构成一排电流镜，它们的栅极与NMOS管M₁₀₆的栅极相连，它们的源极与地相连；

所述功率镜像PMOS管M₁₀₁，其与同步功率管Q₁构成比例镜像，其源极与开关节点电压V_SW相连，其栅极与栅极控制信号V_GATE相连，其衬底与衬底电压V_BODY相连，其漏极分别与PMOS管M₁₀₂和PMOS管M₁₁₁的源极相连，并且功率镜像PMOS管M₁₀₁的源极连接第一二极管D₁正极，第一二极管D₁负极连接其衬底，功率镜像PMOS管M₁₀₁的漏极连接第二二极管D₂的正极，第二二极管D₂的负极连接其衬底；

所述PMOS管M₁₀₂与PMOS管M₁₀₄构成反相器，其中PMOS管M₁₀₂的栅、漏极均与PMOS管M₁₀₄栅极、NMOS管M₁₀₃漏极相连；PMOS管M₁₀₄的源极与输出电压V_OUT相连并与PMOS管M₁₀₇的源极相连，其漏极与PMOS管M₁₁₁的栅极和NMOS管M₁₀₅的漏极相连；PMOS管M₁₁₁的漏极与第二电阻R₂和电流采样信号V_IS相连，第二电阻R₂与地相连；

所述PMOS管M₁₀₇与PMOS管M₁₀₉构成反相器，其中PMOS管M₁₀₉的栅、漏极均与PMOS管M₁₀₇的栅极、NMOS管M₁₁₀漏极相连，PMOS管M₁₀₉的源极与第一电阻R₁相连，第一电阻R1的另一端与输入电压V_IN相连；PMOS管M₁₀₇的漏极与NMOS管M₁₀₈的漏极和反相器101的输入端相连输入电压；

所述反相器101的输出端分别与反相器102的输入端、PMOS管M₁₁₂栅极和欠压控制信号V_UVLO相连；反相器102的输出端与PMOS管M₁₁₃的栅极相连；PMOS管M₁₁₂、M₁₁₃的漏极分别与输出电压V_OUT和输入电压V_IN相连，PMOS管M₁₁₂、M₁₁₃的源极和衬底均与第一电容C₁和内部电源V_DD相连，第一电容C₁接地。

进一步的，所述限流单元，包括反相器201、电流源I_S2、PMOS管M₂₀₁、PMOS管M₂₀₃、PMOS管M₂₀₅、PMOS管M₂₀₇、PMOS管M₂₀₉、NMOS管M₂₀₂、NMOS管M₂₀₄、NMOS管M₂₀₆、NMOS管M₂₀₈和NMOS管M₂₁₀；其中：

所述电流源I_S2，其输入端接内部电源V_DD，其输出端接在PMOS管M₂₀₃和M₂₀₅的源极上；

所述PMOS管M₂₀₁、M₂₀₉的源极接内部电源V_DD，PMOS管M₂₀₁的栅、漏极均与PMOS管M₂₀₉栅极和NMOS管M₂₀₂的漏极相连；PMOS管M₂₀₉的漏极分别与NMOS管M₂₁₀的漏极、栅极控制信号V_GATE相连；

所述PMOS管M₂₀₃的栅极与外部参考电压V_REF相连，其漏极分别与NMOS管M₂₀₄的漏、栅极和NMOS管M₂₀₂的栅极相连；所述PMOS管M₂₀₅的栅极与电流采样信号V_IS相连，其漏极分别与NMOS管M₂₀₆的漏、栅极和NMOS管M₂₁₀的栅极相连；NMOS管M₂₀₂、NMOS管M₂₀₄、NMOS管M₂₀₆和NMOS管M₂₁₀的源极都与地相连；

所述PMOS管M₂₀₇的漏极与PMOS管M₂₀₉的栅极相连，其栅极与欠压控制信号V_UVLO相连，其源极与内部电源V_DD相连；NMOS管M₂₀₈的漏极与NMOS管M₂₁₀的栅极相连，其栅极与反相器201的输出端相连；反相器201的输入端与欠压控制信号V_UVLO相连，NMOS管M₂₀₈的源极与地相连。

进一步的，所述限流单元，包括反相器201、电流源I_S1、PMOS管M₂₀₁、PMOS管M₂₀₂、PMOS管M₂₀₃、PMOS管M₂₀₄、PMOS管M₂₀₇、PMOS管M₂₀₈、PMOS管M₂₁₁、NMOS管M₂₀₅、NMOS管M₂₀₆、NMOS管M₂₀₉、NMOS管M₂₁₀和NMOS管M₂₁₂；其中：

所述电流源I_S1的输入端接内部电源V_DD，其输出端接在PMOS管M₂₀₁和M₂₀₂的源极上；

所述PMOS管M₂₀₁的栅极与电流采样信号V_IS相连，其漏极分别与NMOS管M₂₀₆的漏极和NMOS管M₂₀₅的源极相连；PMOS管M₂₀₂的栅极与外部参考电压V_REF相连，其漏极分别与NMOS管M₂₁₀的漏极和NMOS管M₂₀₉的源极相连；

所述PMOS管M₂₀₃、M₂₀₇的源极接内部电源V_DD，PMOS管M₂₀₃和M₂₀₇的栅极均与PMOS管M₂₀₄的漏极和NMOS管M₂₀₅的漏极相连，其中PMOS管M₂₀₃的漏极与PMOS管M₂₀₄的源极相连，PMOS管M₂₀₇的漏极与PMOS管M₂₀₈的源极连接；

所述PMOS管M₂₀₄和M₂₀₈的栅极均与输入电压V_B1相连，NMOS管M₂₀₄的漏极与NMOS管M₂₀₅的漏极相连，PMOS管M₂₀₈的漏极与NMOS管M₂₀₉的漏极和栅极控制信号V_GATE相连；

所述NMOS管M₂₀₅和M₂₀₉的栅极均与输入电压V_B2相连，NMOS管M₂₀₅的源极与NMOS管M₂₀₆的漏极相连，NMOS管M₂₀₉的源极与NMOS管M₂₁₀的漏极相连；

所述NMOS管M₂₀₆和M₂₁₀的栅极均与输入电压V_B3相连，它们的源极均与地相连；

所述PMOS管M₂₁₁的漏极分别与PMOS管M₂₀₄和PMOS管M₂₀₈的栅极相连，其源极与内部电源V_DD相连，其栅极与欠压控制信号V_UVLO相连；

所述NMOS管M₂₁₂的漏极分别与NMOS管M₂₀₅和NMOS管M₂₀₉的栅极相连，其源极与地相连，其栅极与反相器201的输出端相连；反相器201输入端与欠压控制信号V_UVLO相连。

进一步的，所述电流与电压检测单元，包括反相器101、反相器102、电流源I_S1、第一电阻R₁、第二电阻R₂、第三电阻R₃、第四电阻R₄、第五电阻R₅、第一二极管D₁、第二二极管D₂、第一电容C₁、功率镜像PMOS管M₁₁₅、PMOS管M₁₀₁、PMOS管M₁₀₃、PMOS管M₁₀₅、PMOS管M₁₁₁、PMOS管M₁₁₃、PMOS管M₁₁₆、PMOS管M₁₁₇、PMOS管M₁₁₈、NMOS管M₁₀₂、NMOS管M₁₀₄、NMOS管M₁₀₆、NMOS管M₁₀₇、NMOS管M₁₀₈、NMOS管M₁₀₉、NMOS管M₁₁₀、NMOS管M₁₁₂和NMOS管M₁₁₄；其中：

所述电流源I_S1的输入端接内部电源V_DD，其输出端接在NMOS管M₁₀₇的漏极和栅极上；

所述NMOS管M₁₀₂、M₁₀₄、M₁₀₆、M₁₀₇和M₁₁₀构成一排电流镜，且它们的源极都接地，其中NMOS管M₁₀₂、M₁₀₄、M₁₀₆和M₁₁₀的栅极都连接在NMOS管M₁₀₇的栅极上；

所述NMOS管M₁₁₀的漏极接在组成差分对的NMOS管M₁₀₈和M₁₀₉的源极上；其中NMOS管M₁₀₈的漏极接在PMOS管M₁₁₃的源极上；NMOS管M₁₀₉的漏极接在PMOS管M₁₁₁的源极上；NMOS管M₁₁₂的漏极分别接在NMOS管M₁₁₂和NMOS管M₁₁₄的栅极上，同时与PMOS管M₁₁₁漏极连接；NMOS管M₁₁₄的漏极接在PMOS管M₁₁₃的漏极和PMOS管M₁₁₆的栅极上；其中PMOS管M₁₁₁和PMOS管M₁₁₃的栅极与输入电压V_B1相连；NMOS管M₁₁₂和NMOS管M₁₁₄的源极接地；

所述NMOS管M₁₀₉和M₁₀₈构成差分对，它们的漏极分别通过第三电阻R₃和第四电阻R₄接在开关节点电压V_SW上，而它们的栅极则分别接到输出电压V_OUT和功率镜像PMOS管M₁₁₅的漏极上；

所述PMOS管M₁₀₁的源极与第一电阻R₁相连，第一电阻R₁另一端与开关节点电压V_SW相连，PMOS管M₁₀₁的栅极和漏极均与NMOS管M₁₀₂的漏极和输入电压V_B1相连；

所述功率镜像PMOS管M₁₁₅，其与同步功率管Q₁构成比例镜像，其源极与开关节点电压V_SW相连，其栅极与栅极控制信号V_GATE相连，其衬底与衬底电压V_BODY相连，其漏极与PMOS管M₁₁₆源极相连，并且功率镜像PMOS管M₁₁₅的源级连接第一二极管D₁正极，第一二极管D₁负极连接其衬底，其漏极连接第二二极管D₂正极，第二二极管D₂负极连接其衬底；其中PMOS管M₁₁₆的漏极分别与第五电阻R₅和电流采样信号V_IS相连；第五电阻R₅的另一端与地相连；

所述PMOS管M₁₀₃的栅极和漏极都与PMOS管M₁₀₅的栅极相连；PMOS管M₁₀₃的源极与第二电阻R₂相连，其漏极与NMOS管M₁₀₄的漏极相连；第二电阻R₂另一端与输入电压V_IN相连；PMOS管M₁₀₅的源极与输出电压V_OUT相连，其漏极分别与NMOS管M₁₀₆的漏极和欠压控制信号V_UVLO相连；

所述反相器102输入端与NMOS管M₁₀₆的漏极相连，其输出端分别与PMOS管M₁₁₈的栅极、反相器101输入端和欠压控制信号V_UVLO相连；反相器101的输出端与PMOS管M₁₁₇的栅极相连；PMOS管M₁₁₈的漏极与输出电压V_OUT相连，其衬底和源极均与PMOS管M₁₁₇的衬底和源极相连，并连接到内部电源V_DD上；第一电容C₁的一端连接内部电源V_DD，另一端接地；PMOS管M₁₁₇的漏极与输入电压V_IN相连。

传统方案当电路启动时，此时主开关管Q₂导通，同步功率管Q₁关闭，电感L₁开始储存电能；当同步功率管Q₁源极电压到达输出值时，主开关管Q₂关闭，同步功率管Q₁导通，而此时电感L₁上储存了很大的电流要通过同步功率管Q₁，容易会造成同步功率管Q1损坏；而且当主开关管Q₂导通，同步功率管Q₁关闭，电感L₁电流通过主开关管Q₂，同样会造成主开关管Q₂损坏。

传统电路另一个问题是电感电流会通过同步功率管Q₁的衬底而串通，同步功率管Q₁的衬底接在其漏极上，此时形成一个二极管，当同步功率管Q₁源极电压高于漏极时，电感电流会通过这个形成的二极管到达输出端，对输出端产生影响。

本发明在电路启动时，主开关管Q₂关闭，同步功率管Q₁导通，增加电流与电压检测单元，通过同步功率管Q₁的镜像管以及第二电阻将同步功率管Q₁的电流转换成为电压值即电流采样信号V_IS，并将电流采样信号V_IS传递给电流限制单元，使其与设定的阈值电压进行比较，将比较结果控制同步功率管Q₁的栅极电压，从而限制同步功率管Q₁的充电电流，使同步功率管Q₁缓慢进行充电，当同步功率管Q₁的漏极电压比输入电压低200mV时，开启主开关管Q₂导通，此时电流限制单元关闭，电路开始正常工作，这样防止电感L1会储存过大的电流对主开关管Q₂和同步功率管Q₁造成损坏。

本发明在同步功率管Q₁的衬底增加了两个反接的二极管，防止了电感电流直接通过衬底导致的电流串通。

本发明与现有技术相比具有以下优点：

1、本发明通过采样同步功率管Q₁镜像管电流并将其转成电压值即电流采样信号V_IS与外部参考电压进行比较从而限制同步功率管Q₁的充电电流，当同步功率管Q₁的漏极快要达到输入电压时，电路开始正常的升压工作，与传统的电压控制模式相比，能够有效保护同步功率管Q₁和主开关管Q₂。

2、本发明在同步功率管Q₁源、漏极与衬底之间增加二极管，防止了电感电流直接通过衬底导致的电流串通。

附图说明

图1是传统的Boost电路的系统框图。

图2是本发明的Boost型DC-DC转换器同步功率管限流电路的结构框图。

图3是本发明实施例1中的电流与电压检测单元的原理图。

图4是本发明实施例1中的限流电路单元的原理图。

图5是本发明实施例2中的限流电路单元的原理图。

图6是本发明实施例3中的电流与电压检测单元的原理图。

附图中：1-电流与电压检测单元，2-限流电路单元。

以下结合附图及其实施例对本发明作进一步描述。

具体实施方式

实施例1：

参照图2，本发明的Boost型DC-DC转换器同步功率管限流电路，包括电流与电压检测单元1和限流单元1。

所述电压与电流检测单元1设有四个输入端b、c、e、f和三个输出端a、d、g；所述限流单元2设有三个输入端h、i、k和一个输出端j；其中电压与电流检测单元1的第一输入端b连接输入电压V_IN；第二输入端c、第三输入端f和第四输入端e分别连接同步功率管Q₁的源极、栅极和漏极即开关节点电压V_SW、栅极控制信号V_GATE和输出电压V_OUT；其中第一输出端a输出欠压控制信号V_UVLO给逻辑控制电路的欠压控制端和限流单元2第五输入端h；第二输出端d连接同步功率管Q₁的衬底即衬底电位衬底电压V_BODY；第三输出端g连接限流单元2的第六输入端i即电流采样信号V_IS；限流单元2的第七输入端k连接外部参考电压V_REF；其中第四输出端j连接同步功率管Q₁的栅极；

输入的直流电源并联第一电容C₁后得到输入电压V_IN，第一电感L₁串联在第一电容C₁与同步功率管Q₁之间，与同步功率管Q₁并联，欠压控制信号V_UVLO连接到限流单元2和逻辑控制电路；限流单元2的输出栅极控制信号V_GATE连接到同步功率管Q₁的栅极；同步功率管Q₁源极与地之间并联主开关管Q₂，漏极并联第二电容C₂，并连接到输出电压V_OUT输出；输出电压V_OUT经采样电阻R_SNS1和R_SNS2分压连接误差放大器EA反相端，而误差放大器EA同相端连接基准信号V_R，其输出连接到补偿网络；脉冲宽度调制器PWM的同相端连接补偿网络，其反相端连接斜坡信号，输出连接到逻辑控制电路PWM控制端；逻辑控制电路时钟信号端输入时钟信号，其驱动控制端连接控制死区控制的驱动器的输入端，死区控制的驱动器输出端连接到同步功率管Q₁的栅极和主开关管Q₂的栅极。

当主开关管Q₂导通，直流电源流向第一电感L₁，同步功率管Q₁防止第二电容C₂对地放电，第一电感L₁上的电流以一定的比率线性增加，随着第一电感L₁电流增加，第一电感L₁里储存了一些能量；当主开关管Q₂关断时，由于第一电感L₁的电流保持特性，流经第一电感L₁的电流不会马上变为零，而是缓慢的由充电完毕时的值变为零，而原来的电路已断开，于是第一电感L₁开始给第二电容C₂充电，第二电容C₂两端电压输出电压V_OUT升高，此时电压输出电压V_OUT已经高于输入电压V_IN了。

参照图3，本实施例的电流与电压检测单元1，包括反相器101、反相器102、功率镜像PMOS管M₁₀₁、PMOS管M₁₀₂、PMOS管M₁₀₄、PMOS管M₁₀₇、PMOS管M₁₀₉、PMOS管M₁₁₁、PMOS管M₁₁₂、PMOS管M₁₁₃、NMOS管M₁₀₃、NMOS管M₁₀₅、NMOS管M₁₀₆、NMOS管M₁₀₈、NMOS管M₁₁₀、第一电阻R₁、第二电阻R₂、第一二极管D₁、第二二极管D₂、第一电容C₁和电流源I_S1；其中：

所述电流源I_S1，其输入端接入内部电源V_DD，其输出端连接NMOS管M₁₀₆的漏极和栅极，NMOS管M₁₀₆的源极与地相连；NMOS管M₁₀₃、NMOS管M₁₀₅、NMOS管M₁₀₈、NMOS管M₁₁₀构成一排电流镜，它们的栅极与NMOS管M₁₀₆的栅极相连，它们的源极与地相连；

所述功率镜像PMOS管M₁₀₁，其与同步功率管Q₁构成比例镜像，其源极与开关节点电压V_SW相连，其栅极与栅极控制信号V_GATE相连，其衬底与衬底电压V_BODY相连，其漏极分别与PMOS管M₁₀₂和PMOS管M₁₁₁的源极相连，并且功率镜像PMOS管M₁₀₁的源极连接第一二极管D₁正极，第一二极管D₁负极连接其衬底，功率镜像PMOS管M₁₀₁的漏极连接第二二极管D₂的正极，第二二极管D₂的负极连接其衬底；

第一二极管D₁和第二二极管D₂的作用是防止电流直接通过衬底将源漏极串通；其中功率镜像PMOS管M₁₀₁的电流I_SENSE与同步功率管Q₁和功率镜像PMOS管M₁₀₁的尺寸有关：

$I_{\mathrm{SENSE}}=\frac{{(W/L)}_{M_{101}}}{{(W/L)}_{Q_1}}---\left(1\right)$

此时，将电流I_SENSE转换通过R₂转换成电压值即电流采样信号V_IS：

V_IS＝I_SENSE×R₂   (2)

所述PMOS管M₁₀₂与PMOS管M₁₀₄构成反相器，其中PMOS管M₁₀₂的栅、漏极均与PMOS管M₁₀₄栅极、NMOS管M₁₀₃漏极相连；PMOS管M₁₀₄的源极与输出电压V_OUT相连并与PMOS管M₁₀₇的源极相连，其漏极与PMOS管M₁₁₁的栅极、NMOS管M₁₀₅漏极相连；PMOS管M₁₁₁的漏极与第二电阻R₂和电流采样信号V_IS相连，第二电阻R₂与地相连；

所述PMOS管M₁₀₇与PMOS管M₁₀₉构成反相器，其中PMOS管M₁₀₉的栅、漏极均与PMOS管M₁₀₇的栅极、NMOS管M₁₁₀漏极相连，PMOS管M₁₀₉的源极与第一电阻R₁相连，第一电阻R₁的另一端与输入电压V_IN相连；PMOS管M₁₀₇的漏极与NMOS管M₁₀₈的漏极和反相器101的输入端相连；

所述反相器101的输出端分别与反相器102的输入端、PMOS管M₁₁₂栅极和欠压控制信号V_UVLO相连；反相器102的输出端与PMOS管M₁₁₃的栅极相连；PMOS管M₁₁₂、M₁₁₃的漏极分别与输出电压V_OUT和输入电压V_IN相连，PMOS管M₁₁₂、M₁₁₃的源极和衬底均与第一电容C₁和内部电源V_DD相连，第一电容C₁接地。其中欠压控制信号V_UVLO与基准电流IS1有关：

V_UVLO＝I_S1×R₁   (3)

反相器101、102的作用是选择电压源V_DD，当输出电压V_OUT高于输入电压V_IN时，选择输出电压V_OUT为内部电源V_DD，此时欠压控制信号V_UVLO为低；反之选择输入电压V_IN为电压源V_DD，此时欠压控制信号V_UVLO为高；PMOS管M₁₁₂、M₁₁₃的源极和衬底相连，作用是防止V_DD选定后电流通过衬底反窜到另一个选择端，从而确保输入电压V_IN和输出电压V_OUT不会串通。

参考图4，本实施例的限流单元2，包括反相器201、电流源I_S2、PMOS管M₂₀₁、PMOS管M₂₀₃、PMOS管M₂₀₅、PMOS管M₂₀₇、PMOS管M₂₀₉、NMOS管M₂₀₂、NMOS管M₂₀₄、NMOS管M₂₀₆、NMOS管M₂₀₈和NMOS管M₂₁₀；其中：

所述电流源I_S2，其输入端接内部电源V_DD，其输出端接在PMOS管M₂₀₃和M₂₀₅的源极上；

所述PMOS管M₂₀₁、M₂₀₉的源极接内部电源V_DD，PMOS管M₂₀₁的栅、漏极均与PMOS管M₂₀₉栅极和NMOS管M₂₀₂的漏极相连；PMOS管M₂₀₉的漏极与NMOS管M₂₁₀的漏极、栅极控制信号V_GATE相连；

所述PMOS管M₂₀₃的栅极与外部参考电压V_REF相连，其漏极分别与NMOS管M₂₀₄的漏、栅极和NMOS管M₂₀₂的栅极相连；所述PMOS管M₂₀₅的栅极与电流采样信号V_IS相连，其漏极分别与NMOS管M₂₀₆的漏、栅极和NMOS管M₂₁₀的栅极相连；NMOS管M₂₀₂、NMOS管M₂₀₄、NMOS管M₂₀₆、NMOS管M₂₁₀的源极都与地相连；其中外部参考电压V_REF和电流采样信号V_IS的应满足如下关系：

V_REF＝V_IS   (4)

所述PMOS管M₂₀₇的漏极与PMOS管M₂₀₉的栅极相连，其栅极与欠压控制信号V_UVLO相连，其源极与内部电源V_DD相连；NMOS管M₂₀₈的漏极与NMOS管M₂₁₀的栅极相连，其栅极与反相器201的输出端相连；反相器201的输入端与欠压控制信号V_UVLO相连，NMOS管M₂₀₈的源极与地相连。

实施例2：

本实施例的电流与电压检测单元1与实施例1中的相同。

参照图5，本实施例的限流单元2，包括反相器201、电流源I_S1、PMOS管M₂₀₁、PMOS管M₂₀₂、PMOS管M₂₀₃、PMOS管M₂₀₄、PMOS管M₂₀₇、PMOS管M₂₀₈、PMOS管M₂₁₁、NMOS管M₂₀₅、NMOS管M₂₀₆、NMOS管M₂₀₉、NMOS管M₂₁₀和NMOS管M₂₁₂；其中：

所述电流源I_S1，其输入端接内部电源V_DD，其输出端接在PMOS管M₂₀₁和M₂₀₂的源极上；

所述PMOS管M₂₀₁的栅极与电流采样信号V_IS相连，其漏极分别与NMOS管M₂₀₆的漏极和NMOS管M₂₀₅的源极相连；PMOS管M₂₀₂的栅极与外部参考电压V_REF相连，其漏极分别与NMOS管M₂₁₀的漏极和NMOS管M₂₀₉的源极相连；

所述PMOS管M₂₀₃、M₂₀₇的源极接内部电源V_DD，PMOS管M₂₀₃、M₂₀₇栅极均与PMOS管M₂₀₄的漏极和NMOS管M₂₀₅的漏极相连，其中PMOS管M₂₀₃的漏极与PMOS管M₂₀₄的源极相连，PMOS管M₂₀₇的漏极与PMOS管M₂₀₈的源极连接；

所述PMOS管M₂₀₄、M₂₀₈的栅极均与输入电压V_B1相连，NMOS管M₂₀₄的漏极与NMOS管M₂₀₅的漏极相连，PMOS管M₂₀₈的漏极与NMOS管M₂₀₉的漏极和栅极控制信号V_GATE相连；

所述NMOS管M₂₀₅、M₂₀₉的栅极与输入电压V_B2相连，NMOS管M₂₀₅的源极与NMOS管M₂₀₆的漏极相连，NMOS管M₂₀₉的源极与NMOS管M₂₁₀的漏极相连；

所述NMOS管M₂₀₆、M₂₁₀的栅极与输入电压V_B3相连，它们的源极与地相连；

所述PMOS管M₂₁₁的漏极分别与PMOS管M₂₀₄和PMOS管M₂₀₈的栅极相连，其源极与内部电源V_DD相连，其栅极与欠压控制信号V_UVLO相连；

所述NMOS管M₂₁₂的漏极分别与NMOS管M₂₀₅和NMOS管M₂₀₉的栅极相连，其源极与地相连，其栅极与反相器201的输出端相连；反相器201输入端与欠压控制信号V_UVLO相连。

实施例3：

本实施例的限流单元2与实施例1中的相同。

参考图6，本实施例的电流与电压检测单元1，包括反相器101、反相器102、电流源I_S1、第一电阻R₁、第二电阻R₂、第三电阻R₃、第四电阻R₄、第五电阻R₅、第一二极管D₁、第二二极管D₂、第一电容C₁、功率镜像PMOS管M₁₁₅、PMOS管M₁₀₁、PMOS管M₁₀₃、PMOS管M₁₀₅、PMOS管M₁₁₁、PMOS管M₁₁₃、PMOS管M₁₁₆、PMOS管M₁₁₇、PMOS管M₁₁₈、NMOS管M₁₀₂、NMOS管M₁₀₄、NMOS管M₁₀₆、NMOS管M₁₀₇、NMOS管M₁₀₈、NMOS管M₁₀₉、NMOS管M₁₁₀、NMOS管M₁₁₂和NMOS管M₁₁₄。其中：

所述电流源I_S1，其输入端接内部电源V_DD，其输出端接在NMOS管M₁₀₇的漏极和栅极上；

所述NMOS管M₁₀₂、M₁₀₄、M₁₀₆、M₁₀₇和M₁₁₀构成一排电流镜，且它们的源极都接地，其中NMOS管M₁₀₂、M₁₀₄、M₁₀₆和M₁₁₀的栅极都连接在NMOS管M₁₀₇的栅极上；

所述NMOS管M₁₁₀的漏极接在组成差分对的NMOS管M₁₀₈、M₁₀₉的源极上；其中NMOS管M₁₀₈的漏极接在PMOS管M₁₁₃的源极上；NMOS管M₁₀₉的漏极接在PMOS管M₁₁₁的源极上；NMOS管M₁₁₂的漏极接在NMOS管M₁₁₂和NMOS管M₁₁₄的栅极上，同时与PMOS管M₁₁₁漏极连接；NMOS管M₁₁₄的漏极接在PMOS管M₁₁₃的漏极和PMOS管M₁₁₆的栅极上；其中PMOS管M₁₁₁和PMOS管M₁₁₃的栅极与输入电压V_B1相连；NMOS管M₁₁₂和NMOS管M₁₁₄的源极接地；

所述NMOS管M₁₀₉和M₁₀₈构成差分对，它们的漏极分别通过第三电阻R₃和第四电阻R₄接在开关节点电压V_SW上，而它们的栅极则分别接到输出电压V_OUT和功率镜像PMOS管M₁₁₅的漏极上；

所述PMOS管M₁₀₁的源极与第一电阻R₁相连，第一电阻R₁另一端与开关节点电压V_SW相连，PMOS管M₁₀₁的栅极和漏极均与NMOS管M₁₀₂的漏极和输入电压V_B1相连；其作用是提高NMOS管M₁₀₆和M₁₀₈的匹配性。其中NMOS管M₁₀₂的上流过电流I_D2与电流源I_S1以及NMOS管尺寸关系：

$I_{D1}=I_{S1}\×\frac{{(W/L)}_{M_{102}}}{{(W/L)}_{M_{107}}}=\frac{I_{S1}}{2}---\left(5\right)$

所述第一电阻R₁、第三电阻R₃、第四电阻R₄之间的关系：

R₁＝2R₃＝2R₄   (6)

所述功率镜像PMOS管M₁₁₅，其与同步功率管Q₁构成比例镜像，其源极与开关节点电压V_SW相连，其栅极与栅极控制信号V_GATE相连，其衬底与衬底电压V_BODY相连，其漏极与PMOS管M₁₁₆源极相连，并且功率镜像PMOS管M₁₁₅的源级连接第一二极管D₁正极，第一二极管D₁负极连接其衬底，其漏极连接第二二极管D₂正极，第二二极管D₂负极连接其衬底；其中PMOS管M₁₁₆的漏极与第五电阻R₅和电流采样信号V_IS相连；第五电阻R₅的另一端与地相连；

所述PMOS管M₁₀₃的栅极和漏极都与PMOS管M₁₀₅的栅极相连；PMOS管M₁₀₃的源极与第二电阻R₂相连，其漏极与NMOS管M₁₀₄的漏极相连；第二电阻R₂另一端与输入电压V_IN相连；PMOS管M₁₀₅的源极与输出电压V_OUT相连，其漏极分别与NMOS管M₁₀₆的漏极和欠压控制信号V_UVLO相连；

所述反相器102输入端与NMOS管M₁₀₆的漏极相连，其输出端与PMOS管M₁₁₈的栅极、反相器101输入端和欠压控制信号V_UVLO相连；反相器101的输出端与PMOS管M₁₁₇的栅极相连；PMOS管M₁₁₈的漏极与输出电压V_OUT相连，其衬底和源极与PMOS管M₁₁₇的衬底和源极相连，并连接到内部电源V_DD上；第一电容C₁的一端连接内部电源V_DD，另一端接地；PMOS管M₁₁₇的漏极与输入电压V_IN相连。

本发明在电路启动时，主开关管Q₂关闭，同步功率管Q₁导通，增加电流与电压检测单元1，通过同步功率管Q₁的镜像管以及第二电阻将同步功率管Q₁的电流转换成为电压值即电流采样信号V_IS，并将电流采样信号V_IS传递给电流限制单元2，使其与外部参考电压进行比较，将比较结果控制同步功率管Q₁的栅极电压，从而限制同步功率管Q₁的充电电流，使同步功率管Q₁缓慢进行充电，当同步功率管Q₁的漏极电压比输入电压低200mV时，开启主开关管Q₂导通，此时电流限制单元2关闭，电路开始正常工作，这样防止电感L₁会储存过大的电流对主开关管Q₂和同步功率管Q₁造成损坏。

以上仅是本发明的三个最佳实例，不构成对本发明的任何限制，显然在本发明的构思下，可以对其电路进行不同的变更与改进，但这些均在本发明的保护之列。

Claims (5)

1.一种Boost型DC-DC转换器同步功率管限流电路，其特征在于：除了电压负反馈环路外还包括如下单元：

电流与电压检测单元(1)，用于检测同步功率管Q₁的输出电压V_OUT与输入电压V_IN之间的压差，并将检测结果欠压控制信号V_UVLO输送至限流单元(2)和逻辑控制电路里；并采用负反馈稳住同步功率管Q₁的输出电压V_OUT，将采样电阻采出的同步功率管Q₁镜像管的电流I_SENSE转换为电压值即电流采样信号V_IS，并将电流采样信号V_IS输送至限流单元(2)；

限流单元(2)，用于控制同步功率管Q₁的电流值，并将接收到的电流采样信号V_IS与外部参考电压V_REF比较，最后将比较结果栅极控制信号V_GATE直接连接同步功率管Q₁的栅极，将电流控制在合适范围；

同步功率管Q₁：用于接收限流单元(2)的栅极控制信号V_GATE，并给电流与电压检测单元(1)提供输出电压V_OUT、开关节点电压V_SW和衬底电压V_BODY；

输入的直流电源并联第一电容C₁后得到输入电压V_IN，第一电感L₁串联在第一电容C₁与同步功率管Q₁之间，与同步功率管Q₁并联，欠压控制信号V_UVLO连接到限流单元(2)和逻辑控制电路的欠压控制端；限流单元(2)的输出栅极控制信号V_GATE连接到同步功率管Q₁的栅极；同步功率管Q₁源极与地之间并联主开关管Q₂，漏极并联第二电容C₂，并连接到输出电压V_OUT；输出电压V_OUT经采样电阻R_SNS1和R_SNS2分压后连接误差放大器EA的反相端，误差放大器EA同相端连接基准信号V_R，其输出连接到补偿网络；脉冲宽度调制器PWM的同相端连接补偿网络，其反相端连接斜坡信号，输出端连接到逻辑控制电路PWM控制端；逻辑控制电路时钟信号端输入时钟信号，其驱动控制端连接控制死区控制的驱动器的输入端，死区控制的驱动器输出端连接到同步功率管Q₁的栅极和主开关管Q₂的栅极。

2.根据权利要求1所述的一种Boost型DC-DC转换器同步功率管限流电路，其特征在于：所述电流与电压检测单元(1)，包括反相器101、反相器102、功率镜像PMOS管M₁₀₁、PMOS管M₁₀₂、PMOS管M₁₀₄、PMOS管M₁₀₇、PMOS管M₁₀₉、PMOS管M₁₁₁、PMOS管M₁₁₂、PMOS管M₁₁₃、NMOS管M₁₀₃、NMOS管M₁₀₅、NMOS管M₁₀₆、NMOS管M₁₀₈、NMOS管M₁₁₀、第一电阻R₁、第二电阻R₂、第一二极管D₁、第二二极管D₂、第一电容C₁和电流源I_S1；其中：

所述电流源I_S1的输入端接入内部电源V_DD，其输出端连接NMOS管M₁₀₆的漏极和栅极，NMOS管M₁₀₆的源极与地相连；NMOS管M₁₀₃、NMOS管M₁₀₅、NMOS管M₁₀₈、NMOS管M₁₁₀构成一排电流镜，它们的栅极与NMOS管M₁₀₆的栅极相连，它们的源极与地相连；

所述功率镜像PMOS管M₁₀₁，其与同步功率管Q₁构成比例镜像，其源极与开关节点电压V_SW相连，其栅极与栅极控制信号V_GATE相连，其衬底与衬底电压V_BODY相连，其漏极分别与PMOS管M₁₀₂和PMOS管M₁₁₁的源极相连，并且功率镜像PMOS管M₁₀₁的源极连接第一二极管D₁正极，第一二极管D₁负极连接其衬底，功率镜像PMOS管M₁₀₁的漏极连接第二二极管D₂的正极，第二二极管D₂的负极连接其衬底；

所述PMOS管M₁₀₂与PMOS管M₁₀₄构成反相器，其中PMOS管M₁₀₂的栅、漏极均与PMOS管M₁₀₄栅极、NMOS管M₁₀₃漏极相连；PMOS管M₁₀₄的源极与输出电压V_OUT相连并与PMOS管M₁₀₇的源极相连，其漏极与PMOS管M₁₁₁的栅极和NMOS管M₁₀₅的漏极相连；PMOS管M₁₁₁的漏极与第二电阻R₂和电流采样信号V_IS相连，第二电阻R₂与地相连；

所述PMOS管M₁₀₇与PMOS管M₁₀₉构成反相器，其中PMOS管M₁₀₉的栅、漏极均与PMOS管M₁₀₇的栅极、NMOS管M₁₁₀漏极相连，PMOS管M₁₀₉的源极与第一电阻R₁相连，第一电阻R1的另一端与输入电压V_IN相连；PMOS管M₁₀₇的漏极与NMOS管M₁₀₈的漏极和反相器101的输入端相连输入电压；

所述反相器101的输出端分别与反相器102的输入端、PMOS管M₁₁₂栅极和欠压控制信号V_UVLO相连；反相器102的输出端与PMOS管M₁₁₃的栅极相连；PMOS管M₁₁₂、M₁₁₃的漏极分别与输出电压V_OUT和输入电压V_IN相连，PMOS管M₁₁₂、M₁₁₃的源极和衬底均与第一电容C₁和内部电源V_DD相连，第一电容C₁接地。

3.根据权利要求1所述的一种Boost型DC-DC转换器同步功率管限流电路，其特征在于：所述限流单元，包括反相器201、电流源I_S2、PMOS管M₂₀₁、PMOS管M₂₀₃、PMOS管M₂₀₅、PMOS管M₂₀₇、PMOS管M₂₀₉、NMOS管M₂₀₂、NMOS管M₂₀₄、NMOS管M₂₀₆、NMOS管M₂₀₈和NMOS管M₂₁₀；其中：

所述电流源I_S2，其输入端接内部电源V_DD，其输出端接在PMOS管M₂₀₃和M₂₀₅的源极上；

所述PMOS管M₂₀₁、M₂₀₉的源极接内部电源V_DD，PMOS管M₂₀₁的栅、漏极均与PMOS管M₂₀₉栅极和NMOS管M₂₀₂的漏极相连；PMOS管M₂₀₉的漏极分别与NMOS管M₂₁₀的漏极、栅极控制信号V_GATE相连；

所述PMOS管M₂₀₃的栅极与外部参考电压V_REF相连，其漏极分别与NMOS管M₂₀₄的漏、栅极和NMOS管M₂₀₂的栅极相连；所述PMOS管M₂₀₅的栅极与电流采样信号V_IS相连，其漏极分别与NMOS管M₂₀₆的漏、栅极和NMOS管M₂₁₀的栅极相连；NMOS管M₂₀₂、NMOS管M₂₀₄、NMOS管M₂₀₆和NMOS管M₂₁₀的源极都与地相连；

所述PMOS管M₂₀₇的漏极与PMOS管M₂₀₉的栅极相连，其栅极与欠压控制信号V_UVLO相连，其源极与内部电源V_DD相连；NMOS管M₂₀₈的漏极与NMOS管M₂₁₀的栅极相连，其栅极与反相器201的输出端相连；反相器201的输入端与欠压控制信号V_UVLO相连，NMOS管M₂₀₈的源极与地相连。

4.根据权利要求1所述的一种Boost型DC-DC转换器同步功率管限流电路，其特征在于：所述限流单元，包括反相器201、电流源I_S1、PMOS管M₂₀₁、PMOS管M₂₀₂、PMOS管M₂₀₃、PMOS管M₂₀₄、PMOS管M₂₀₇、PMOS管M₂₀₈、PMOS管M₂₁₁、NMOS管M₂₀₅、NMOS管M₂₀₆、NMOS管M₂₀₉、NMOS管M₂₁₀和NMOS管M₂₁₂；其中：

所述电流源I_S1的输入端接内部电源V_DD，其输出端接在PMOS管M₂₀₁和M₂₀₂的源极上；

所述PMOS管M₂₀₁的栅极与电流采样信号V_IS相连，其漏极分别与NMOS管M₂₀₆的漏极和NMOS管M₂₀₅的源极相连；PMOS管M₂₀₂的栅极与外部参考电压V_REF相连，其漏极分别与NMOS管M₂₁₀的漏极和NMOS管M₂₀₉的源极相连；

所述PMOS管M₂₀₃、M₂₀₇的源极接内部电源V_DD，PMOS管M₂₀₃和M₂₀₇的栅极均与PMOS管M₂₀₄的漏极和NMOS管M₂₀₅的漏极相连，其中PMOS管M₂₀₃的漏极与PMOS管M₂₀₄的源极相连，PMOS管M₂₀₇的漏极与PMOS管M₂₀₈的源极连接；

所述PMOS管M₂₀₄和M₂₀₈的栅极均与输入电压V_B1相连，NMOS管M₂₀₄的漏极与NMOS管M₂₀₅的漏极相连，PMOS管M₂₀₈的漏极与NMOS管M₂₀₉的漏极和栅极控制信号V_GATE相连；

所述NMOS管M₂₀₅和M₂₀₉的栅极均与输入电压V_B2相连，NMOS管M₂₀₅的源极与NMOS管M₂₀₆的漏极相连，NMOS管M₂₀₉的源极与NMOS管M₂₁₀的漏极相连；

所述NMOS管M₂₀₆和M₂₁₀的栅极均与输入电压V_B3相连，它们的源极均与地相连；

所述PMOS管M₂₁₁的漏极分别与PMOS管M₂₀₄和PMOS管M₂₀₈的栅极相连，其源极与内部电源V_DD相连，其栅极与欠压控制信号V_UVLO相连；

所述NMOS管M₂₁₂的漏极分别与NMOS管M₂₀₅和NMOS管M₂₀₉的栅极相连，其源极与地相连，其栅极与反相器201的输出端相连；反相器201输入端与欠压控制信号V_UVLO相连。

5.根据权利要求1所述的一种Boost型DC-DC转换器同步功率管限流电路，其特征在于：所述电流与电压检测单元，包括反相器101、反相器102、电流源I_S1、第一电阻R₁、第二电阻R₂、第三电阻R₃、第四电阻R₄、第五电阻R₅、第一二极管D₁、第二二极管D₂、第一电容C₁、功率镜像PMOS管M₁₁₅、PMOS管M₁₀₁、PMOS管M₁₀₃、PMOS管M₁₀₅、PMOS管M₁₁₁、PMOS管M₁₁₃、PMOS管M₁₁₆、PMOS管M₁₁₇、PMOS管M₁₁₈、NMOS管M₁₀₂、NMOS管M₁₀₄、NMOS管M₁₀₆、NMOS管M₁₀₇、NMOS管M₁₀₈、NMOS管M₁₀₉、NMOS管M₁₁₀、NMOS管M₁₁₂和NMOS管M₁₁₄；其中：

所述电流源I_S1的输入端接内部电源V_DD，其输出端接在NMOS管M₁₀₇的漏极和栅极上；

所述NMOS管M₁₀₂、M₁₀₄、M₁₀₆、M₁₀₇和M₁₁₀构成一排电流镜，且它们的源极都接地，其中NMOS管M₁₀₂、M₁₀₄、M₁₀₆和M₁₁₀的栅极都连接在NMOS管M₁₀₇的栅极上；

所述NMOS管M₁₁₀的漏极接在组成差分对的NMOS管M₁₀₈和M₁₀₉的源极上；其中NMOS管M₁₀₈的漏极接在PMOS管M₁₁₃的源极上；NMOS管M₁₀₉的漏极接在PMOS管M₁₁₁的源极上；NMOS管M₁₁₂的漏极分别接在NMOS管M₁₁₂和NMOS管M₁₁₄的栅极上，同时与PMOS管M₁₁₁漏极连接；NMOS管M₁₁₄的漏极接在PMOS管M₁₁₃的漏极和PMOS管M₁₁₆的栅极上；其中PMOS管M₁₁₁和PMOS管M₁₁₃的栅极与输入电压V_B1相连；NMOS管M₁₁₂和NMOS管M₁₁₄的源极接地；

所述NMOS管M₁₀₉和M₁₀₈构成差分对，它们的漏极分别通过第三电阻R₃和第四电阻R₄接在开关节点电压V_SW上，而它们的栅极则分别接到输出电压V_OUT和功率镜像PMOS管M₁₁₅的漏极上；

所述PMOS管M₁₀₁的源极与第一电阻R₁相连，第一电阻R₁另一端与开关节点电压V_SW相连，PMOS管M₁₀₁的栅极和漏极均与NMOS管M₁₀₂的漏极和输入电压V_B1相连；

所述功率镜像PMOS管M₁₁₅，其与同步功率管Q₁构成比例镜像，其源极与开关节点电压V_SW相连，其栅极与栅极控制信号V_GATE相连，其衬底与衬底电压V_BODY相连，其漏极与PMOS管M₁₁₆源极相连，并且功率镜像PMOS管M₁₁₅的源级连接第一二极管D₁正极，第一二极管D₁负极连接其衬底，其漏极连接第二二极管D₂正极，第二二极管D₂负极连接其衬底；其中PMOS管M₁₁₆的漏极分别与第五电阻R₅和电流采样信号V_IS相连；第五电阻R₅的另一端与地相连；

所述PMOS管M₁₀₃的栅极和漏极都与PMOS管M₁₀₅的栅极相连；PMOS管M₁₀₃的源极与第二电阻R₂相连，其漏极与NMOS管M₁₀₄的漏极相连；第二电阻R₂另一端与输入电压V_IN相连；PMOS管M₁₀₅的源极与输出电压V_OUT相连，其漏极分别与NMOS管M₁₀₆的漏极和欠压控制信号V_UVLO相连；

所述反相器102输入端与NMOS管M₁₀₆的漏极相连，其输出端分别与PMOS管M₁₁₈的栅极、反相器101输入端和欠压控制信号V_UVLO相连；反相器101的输出端与PMOS管M₁₁₇的栅极相连；PMOS管M₁₁₈的漏极与输出电压V_OUT相连，其衬底和源极均与PMOS管M₁₁₇的衬底和源极相连，并连接到内部电源V_DD上；第一电容C₁的一端连接内部电源V_DD，另一端接地；PMOS管M₁₁₇的漏极与输入电压V_IN相连。