CN102064678B - 一种开关电源的栅极驱动电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供的开关电源的栅极驱动电路，通过检测功率开关管栅极的电压，控制模块可以根据检测的电压控制电流产生模块产生不同大小的电流为功率开关管的栅极电容进行充电，这样可以保证在功率开关控制信号为高电平时功率开关管的栅极电压保持在一个稳定的电压值附近。由于该栅极驱动电路中的上管和下管均为高压薄栅MOS管，而不必为高压厚栅MOS管，这样节约了成本，并且上管为PMOS管，下管为NMOS管，这样不必在两个管之间采用自隔离技术。

Description

一种开关电源的栅极驱动电路

技术领域

本发明涉及开关电源技术领域，特别涉及一种开关电源的栅极驱动电路。

背景技术

开关电源具有体积小，效率高以及电流大的优点，因此被广泛应用于手机充电器和笔记本电脑适配器等场合。近年来，由于绿色电源概念的兴起，更加强调高转换效率和低待机功耗。

下面首先结合附图介绍开关电源的工作原理。

参见图1，该图为现有技术中开关电源的电路图。

开关电源控制器103通过功率开关管101连接到变压器102的原边绕组C1。开关电源控制器103用于控制功率开关管101在每个开关周期内导通与关断，将原边绕组C1的能量传递到副边绕组C2。开关电源控制器103通过控制功率开关管101的占空比或开关频率从而控制副边绕组C2上的输出电压。开关电源控制器103是通过控制功率开关管101的栅极电压来控制其导通或关断的，因此称为栅极驱动。

下面结合附图介绍现有技术中的栅极驱动电路。

参见图2，该图为现有技术中的开关电源的栅极驱动电路。

该栅极驱动电路的输出级上管202和下管203均采用高压厚栅的NMOS管。当开关电源控制器未完全启动前，功率开关管201的栅极通过初始信号置零。当输入信号为高脉冲时，下管控制模块控制下管203关闭，此时上管控制模块开启。非交迭模块待下管203完全关闭后，打开上管202，从而实现功率开关管201导通的功能。同时，箝位电路将上管202的栅极箝位在某一个固定电压，即功率开关管201的栅极也同样被箝位在该固定电压。当输入信号为低脉冲时，上管控制模块控制上管202关闭，同时，下管203控制模块开启，非交迭模块待上管202完全关闭后，打开下管203，从而实现功率开关管201关闭的功能。

目前，上管202和下管203均采用高压厚栅NMOS，主要是因为电子迁移率是空穴迁移率的约三倍，所以相同驱动能力下，采用高压厚栅NMOS管的面积是高压厚栅PMOS管的约1/3。另外高压厚栅MOS管可以直接利用高压源(VCC)作为栅极的输出信号。这样有利于简化设计，减小设计时的复杂度。但是利用高压厚栅NMOS管也存在缺点，主要是上管和下管均采用NMOS管需要采用自隔离技术，生产过程中需要采用外延衬底，在外延衬底中埋N层实现自隔离，这样将增加制造成本。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种开关电源的栅极驱动电路，能够降低成本。

本发明提供一种开关电源的栅极驱动电路，包括：控制模块、电流产生模块、电压反馈模块、上管和下管；

所述上管和下管与开关电源的功率开关管连接并控制功率开关管导通与关断；

所述电流产生模块与上管连接，能够分别产生第一电流及第二电流；

所述控制模块接收功率开关控制信号，并依据该功率开关控制信号的不同状态产生控制第一电流和第二电流的电流控制信号，以及控制上管和下管导通及关断的开关控制信号；

所述电压反馈模块用于对所述电流产生模块的输出电压进行检测，并与参考电压进行对比；

当功率开关控制信号处于第一状态时，若电流产生模块的输出电压大于参考电压，控制模块通过电流控制信号控制电流产生模块停止产生第一电流和第二电流；若电流产生模块的输出电压小于参考电压，控制模块通过电流控制信号控制电流产生模块产生第一电流和第二电流其中之一；

当功率开关控制信号处于第二状态时，控制模块通过开关控制信号控制下管导通，同时控制上管关断，电流产生模块停止第一电流和第二电流；

当脉冲控制信号由第二状态变为第一状态的过程中，所述控制模块通过电流控制信号控制电流产生模块产生第一电流和第二电流。

优选地，所述电压反馈模块检测与电流产生模块的输出电压成正比的电压；

所述电压反馈模块包括第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第一电阻的一端连接电流产生模块的输出端，另一端依次通过串联的第二电阻和第三电阻接地；所述第三电阻上的电压输入控制模块作为所述检测的电压。

优选地，所述控制模块包括比较器、D触发器、第一反相器、第二反相器、第三反相器和与非门；

D触发器的D端连接电源Vdd，时钟端连接功率开关控制信号，清零端连接比较器的输出端，D触发器的输出信号为第一开关信号；

比较器的正输入端连接所述检测的电压，负输入端连接参考值，输出端连接D触发器的清零端；

比较器的输出信号经过第一反相器后作为与非门的一个输入信号，功率开关控制信号作为与非门的另一个输入信号，与非门的输出信号经过第二反相器后作为第二开关信号；

功率开关控制信号经过第三反相器后作为第三开关信号。

优选地，所述控制模块通过电压反馈模块检测与电流产生模块的输出电压成正比的电压；

所述电压反馈模块包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，所述第一电阻的一端连接电流产生模块的输出端，另一端依次通过串联的第二电阻、第三电阻和第四电阻接地；所述第三电阻和第四电阻上的电压之和作为所述检测的电压；

所述第四电阻上的电压作为所述第一反馈电压输入所述控制模块，所述控制模块用于判断所述第一反馈电压大于预定电压值时，输出第三控制信号为高电平，以使下管导通。

优选地，所述预定电压值为NMOS的阈值电压。

优选地，所述电流产生模块为电流镜，包括第一PMOS管、第一开关、第二开关、第一NMOS管、第二NMOS管、上管和下管；

第一PMOS管的栅极连接上管的栅极；

所述第一PMOS管的源极连接VCC，漏极依次通过第一开关和第一NMOS管接地；第一PMOS管的栅极依次通过第二开关和第二NMOS管接地；

所述上管的源极连接VCC，漏极通过下管接地；

控制模块输出的第一开关信号控制第一开关，第二开关信号控制第二开关，第三开关信号控制下管；

上管的漏极连接下管的漏极作为电流产生模块的输出端。

优选地，所述第三电阻的两端并联第三NMOS管，所述第三NMOS管的栅极连接控制模块的第四开关信号输出端，当所述检测的电压大于参考值时，所述第四开关信号为高电平。

优选地，所述控制模块包括比较器、D触发器、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一与非门和第二与非门；

D触发器的D端连接电源Vdd，时钟端连接功率开关控制信号，清零端连接比较器的输出端，D触发器的输出信号为第一开关信号；

比较器的正输入端连接所述检测的电压，负输入端连接参考值，输出端连接D触发器的清零端；

比较器的输出信号经过第一反相器后作为第一与非门的一个输入信号，功率开关控制信号作为第一与非门的另一个输入信号，第一与非门的输出信号经过第二反相器后作为第二开关信号；

功率开关控制信号作为第二与非门的一个输入信号，第一反馈电压经过第三反相器后作为第二与非门的另一个输入信号，第一与非门的输出信号作为第三开关信号。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明提供的开关电源的栅极驱动电路，可以驱动上管为高压薄栅PMOS管，下管为高压薄栅NMOS管构成的栅极电路，通过检测功率开关管栅极的电压，控制模块可以根据检测的电压控制电流产生模块产生不同大小的电流为功率开关管的栅极电容进行充电，这样可以保证在功率开关控制信号为高电平时功率开关管的栅极电压保持在一个稳定的电压值附近。由于该栅极驱动电路中的上管和下管均为高压薄栅MOS管，而不必为高压厚栅MOS管，这样节约了成本，并且上管为PMOS管，下管为NMOS管，这样不必在两个管之间采用自隔离技术。

附图说明

图1是现有技术中开关电源的电路图；

图2是现有技术中的开关电源的栅极驱动电路；

图3是本发明提供的开关电源的栅极驱动电路实施例一的电路图；

图4是本发明提供的开关电源的栅极驱动电路实施例二的电路图；

图5是本发明实施例二中的控制模块的内部结构图；

图6是本发明实施例二中对应的各个信号的波形图；

图7是本发明提供的开关电源的栅极驱动电路实施例三的电路图；

图8是本发明实施例三中的控制模块的内部结构图；

图9是本发明实施例三中对应的各个信号的波形图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

本发明实施例提供的开关电源的栅极驱动电路，包括：控制模块、电流产生模块、电压反馈模块、上管和下管；

所述上管和下管与开关电源的功率开关管连接并控制功率开关管导通与关断；

所述电流产生模块与上管连接，能够分别产生第一电流及第二电流；

所述控制模块接收功率开关控制信号，并依据该功率开关控制信号的不同状态产生控制第一电流和第二电流的电流控制信号，以及控制上管和下管导通及关断的开关控制信号；

所述电压反馈模块用于对所述电流产生模块的输出电压进行检测，并与参考电压进行对比；

当功率开关控制信号处于第一状态时，若电流产生模块的输出电压大于参考电压，控制模块通过电流控制信号控制电流产生模块停止产生第一电流和第二电流；若电流产生模块的输出电压小于参考电压，控制模块通过电流控制信号控制电流产生模块产生第一电流和第二电流其中之一；

当功率开关控制信号处于第二状态时，控制模块通过开关控制信号控制下管导通，同时控制上管关断，电流产生模块停止第一电流和第二电流；

当脉冲控制信号由第二状态变为第一状态的过程中，所述控制模块通过电流控制信号控制电流产生模块产生第一电流和第二电流。

下面结合附图对本发明实施例的具体实现方式进行详细的说明。

本发明以下实施例中以高电平作为功率开关控制信号的第一状态，以低电平作为功率开关控制信号的第二状态为例进行说明，可以理解的是，功率开关控制信号的第一状态和第二状态也可以由其他具体的信号状态来实现，只要第一状态和第二状态不同即可。

参见图3，该图为本发明提供的开关电源的栅极驱动电路实施例一的电路图。

本发明实施例提供的开关电源的栅极驱动电路，包括：控制模块、电流产生模块、上管302和下管303；

所述上管为PMOS管，所述下管为NMOS管；

所述控制模块的输入信号为功率开关控制信号；所述功率开关控制信号由开关电源控制器内部产生；

功率开关控制信号由低电平变为高电平时，所述控制模块输出第一开关信号PEAK和第二开关信号SDN给电流产生模块，第一开关信号PEAK和第二开关信号SDN均为高电平，所述电流产生模块用于产生第一电流和第二电流给功率开关管301的栅极电容充电。此时，电流产生模块产生的电流是第一电流和第二电流之和，因此产生一个大电流给功率开关管的栅极电容充电。

当所述功率开关控制信号为高电平时，所述控制模块检测与所述电流产生模块的输出电压成正比的电压，当检测的电压大于参考值时，所述控制模块输出的第一开关信号PEAK和第二开关信号SDN均为低电平；电流产生模块停止给功率开关管301的栅极电容充电；当检测的电压小于参考值时，所述控制模块输出第二开关信号SDN为高电平，第一开关信号PEAK为低电平，所述电流产生模块用于产生第二电流给功率开关管301的栅极电容充电；此时，电流产生模块仅用产生的第二电流给功率开关管301的栅极电容充电，即利用一个小电流给功率开关管301的栅极电容充电。

当所述功率开关控制信号为低电平时：所述控制模块用于输出第三开关信号VGN给下管303，控制下管303导通，同时控制上管302关断，电流产生模块停止为功率开关管301的栅极电容充电。

本发明实施例提供的开关电源的栅极驱动电路，可以驱动上管为高压薄栅PMOS管，下管为高压薄栅NMOS管构成的栅极电路，通过检测功率开关管栅极的电压，控制模块可以根据检测的电压控制电流产生模块产生不同大小的电流为功率开关管的栅极电容进行充电，这样可以保证在功率开关控制信号为高电平时功率开关管的栅极电压保持在一个稳定的电压值附近。由于该栅极驱动电路中的上管和下管均为高压薄栅MOS管，而不必为高压厚栅MOS管，这样节约了成本，并且上管为PMOS管，下管为NMOS管，这样不需要自隔离的NMOS作为上管(图2中202)，降低了制造成本。

需要说明的是，所述功率开关控制信号可以为PWM信号或PFM信号。

参见图4，该图为本发明提供的实施例二的电路图。

首先说明一下，功率开关控制信号和内部偏置电压均是由开关电源控制器内部产生的。图4中的偏置电压Vbias是由内部偏置电压产生的。

所述控制模块406通过电压反馈模块检测与电流产生模块的输出电压成正比的电压；

所述电压反馈模块包括第一电阻412、第二电阻413和第三电阻414，所述第一电阻412的一端连接电流产生模块的输出端，另一端依次通过串联的第二电阻413和第三电阻414接地；所述第三电阻414上的电压输入控制模块406作为所述检测的电压。

所述电流产生模块为电流镜，包括第一PMOS管304、第一开关407、第二开关408、第一NMOS管409、第二NMOS管410、上管302和下管303；

第一PMOS管304的栅极连接上管302的栅极，并通过二极管405接VCC；

所述第一PMOS管304的源极连接VCC，漏极依次通过第一开关407和第一NMOS管409接地；第一PMOS管304的栅极依次通过第二开关408和第二NMOS管410接地；

所述上管302的源极连接VCC，漏极通过下管303接地；

控制模块406输出的第一开关信号控制第一开关407，第二开关信号控制第二开关408，第三开关信号控制下管303；

上管302的漏极连接下管的漏极作为电流产生模块的输出端OUT端。

图4中的PEAK是指第一开关信号，SDN是指第二开关信号，VGN是指第三开关信号。

上管302是高压薄栅PMOS管，下管303是高压薄栅NMOS管，此处的PMOS管和NMOS管均不需要是高压厚栅MOS管。

电流产生模块的输出端OUT端经过第五电阻415连接功率开关管301的栅极。

OUT1端的电压是经过分压电阻412、413和414分压得到的，OUT1端的电压为电阻414上的电压。OUT1端的电压作为反馈电压反馈给控制模块。

所述第三电阻414的两端并联第三NMOS管411，所述第三NMOS管411的栅极连接控制模块406输出的第四开关信号SD，当所述检测的电压大于参考值时，所述第四开关信号SD为高电平。411管是一个迟滞管，当OUT1端电压高于预设的比较电压时，不立即关断充电电流，而是迟滞一点时间后才关断，防止比较器翻转频率太快。下面结合图4和图5详细描述本实施例的工作原理。

需要说明的是，图5是本实施例二提供的控制模块的内部电路图。

本实施例提供的控制模块包括比较器502、D触发器501、第一反相器503、第二反相器505、第三反相器506和与非门504。

D触发器501的D端连接电源Vdd，时钟端连接功率开关控制信号，清零端CLR连接比较器502的输出端，Q输出信号为第一开关信号PEAK；

比较器502的正输入端连接OUT1端，负输入端连接参考值VREF，输出端的信号为第四开关信号SD。

第四开关信号SD经过第一反相器503后作为与非门504的一个输入信号，功率开关控制信号作为与非门504的另一个输入信号，与非门504的输出信号经过第二反相器505后作为第二开关信号SDN。

功率开关控制信号经过第三反相器506后作为第三开关信号VGN。

当开关电源控制器启动时，功率开关控制信号为零时，第一开关信号PEAK和第二开关信号SDN为零，第一开关407和第二开关408均断开，电流镜中没有电流；同时第三开关信号VGN为高电平，第四开关信号SD为低电平，下管303处于导通状态，OUT端的电压为零，因此功率开关管301处于关断状态。

当功率开关控制信号由低变高，即出现正脉冲时，控制模块输出的第一开关信号PEAK和第二开关信号SDN均由零变为高电平，第三开关信号VGN由高变低，此时下管303关断，第一开关407和第二开关408闭合，第一PMOS管304中流过较大的电流，该电流经过电流镜放大后，上管302中流过较大的驱动电流到功率开关管301的栅极，为功率开关管301的栅极进行充电。随之功率开关管301的栅极电压和OUT端的电压开始升高，对应OUT1端分的电压也升高。

控制模块检测OUT1端的反馈电压大于参考值VREF时，比较器502输出信号SD为高电平。控制模块控制输出的第一开关信号PEAK和第二开关信号SDN由高电平变为低电平，因此，第一开关407和第二开关408将关断，此时，功率开关管301的栅极会通过电阻412、NMOS管411、电阻414和电阻417放电，功率开关管301的栅极电压、OUT端电压和OUT1端电压将开始下降。

当OUT1端的电压下降到小于参考值VREF时，比较器502输出信号SD为低电平，D触发器的输出信号PEAK保持低电平，NMOS管411断开。第一开关信号SDN由低变高，第二开关408闭合，第一PMOS管304中流过较小的电流，经过电流镜放大以后，上管302中也流过较小的驱动电流给功率开关管301的栅极电容进行充电，但该充电电流大于从电阻412、413和414以及电阻417流过的放电电流，这样功率开关管301的栅极电压、OUT端电压和OUT1端电压会缓慢上升。

当OUT1端的电压大于参考值VREF时，比较器502输出信号SD为高电平。控制模块控制输出的第一开关信号PEAK和第二开关信号SDN由高电平变为低电平，因此，第一开关407和第二开关408均关断，功率开关管301的栅极通过电阻412、NMOS管411、电阻414和电阻417放电，功率开关管301的栅极电压、OUT端电压和OUT1端电压会缓慢下降。当OUT1端的电压下降到小于VREF时，第二开关信号SDN变高，第二开关408闭合，上管302中流过的较小驱动电流给功率开关管301的栅极电容进行充电。这样功率开关管301的栅极电压、OUT端电压和OUT1端电压会缓慢上升。

通过这样反复的充放电，使OUT端的电压保持在VREF*(R412+R414)/R414附件的一个较小的范围内。从而使功率开关管301的栅极电压保持平稳。

当功率开关控制信号由高电平变为低电平后，控制模块输出第三控制信号VGN由高变低，同时第一控制信号PEAK和第二控制信号SDN均变为低电平。此时，下管303闭合，功率开关管301关断。

如图6所示是本实施例中各个信号的波形图。从图6中可以看出各个信号之间的关系，在功率开关控制信号为高电平期间内，电流产生模块的输出端OUT端的电压稳定在某个值附近。在功率开关控制信号的第一个正跳变沿时，PEAK和SDN均为高电平，此时第一开关和第二开关均闭合，这样上管302中流过最大的电流，进而为功率开关管的栅极电容进行充电。当功率开关管的栅极电压达到一定值时，第一开关和第二开关断开。当栅极电压下降到一定值时，第二开关闭合，第一开关仍然断开，以较小的电流为栅极电容充电。

参见图7，该图为本发明提供的开关电源的栅极驱动电路实施例三的电路图。

本实施例与实施例二的区别是增加了一个电压反馈信号。

所述控制模块通过电压反馈模块检测与电流产生模块的输出电压成正比的电压；

本实施例中的电压反馈模块包括第一电阻412、第二电阻413、第三电阻714和第四电阻419，所述第一电阻412的一端连接电流产生模块的输出端，另一端依次通过串联的第二电阻413、第三电阻714和第四电阻419接地；所述第三电阻714和第四电阻419上的电压之和作为所述检测的电压；

所述第四电阻419上的电压作为所述第一反馈电压输入所述控制模块，所述控制模块406用于判断所述第一反馈电压大于预定电压值时，输出第三控制信号VGN为高电平，以使下管导通。从而使OUT端电压不高于允许的最大电压值，以防止损坏功率开关管301。

需要说明的是，该预定电压值可以设为NMOS管的阈值电压，例如0.7V。

实施例三中的控制模块由于多了一个对VGN信号的限制条件，因此控制模块的内部结构与实施例一中有所区别，主要区别在于产生VGN信号的条件发生了变化。

实施例三中的控制模块包括比较器502、D触发器501、第一反相器503、第二反相器505、第三反相器807、第一与非门504和第二与非门806；

D触发器501的D端连接电源Vdd，时钟端连接功率开关控制信号，清零端连接比较器502的输出端，D触发器501的输出信号为第一开关信号PEAK；

比较器502的正输入端连接所述检测的电压，负输入端连接参考值Vref，输出端连接D触发器501的清零端；

比较器502的输出信号经过第一反相器503后作为第一与非门504的一个输入信号，功率开关控制信号作为第一与非门504的另一个输入信号，第一与非门504的输出信号经过第二反相器505后作为第二开关信号SDN；

功率开关控制信号作为第二与非门806的一个输入信号，第一反馈电压OUT2经过第三反相器807后作为第二与非门806的另一个输入信号，第二与非门806的输出信号作为第三开关信号VGN。

参见图9，该图为本发明实施例三中的各个信号对应的波形图。

从图中可以看出，在功率开关控制信号处于高电平期间时，VGN也有一段时间为高电平，即下管303闭合，从而限制功率开关管301的栅极电压。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (8)

1.一种开关电源的栅极驱动电路，其特征在于，包括：控制模块、电流产生模块和电压反馈模块；

其中，所述电流产生模块中包括上管和下管；

所述上管和下管与开关电源的功率开关管连接并控制功率开关管导通与关断；

所述电流产生模块能够分别产生第一电流及第二电流；

所述控制模块接收功率开关控制信号，并依据该功率开关控制信号的不同状态产生控制第一电流和第二电流的电流控制信号，以及控制上管和下管导通及关断的开关控制信号；

所述电压反馈模块用于对所述电流产生模块的输出电压进行检测，并与参考电压进行对比；

当功率开关控制信号处于第一状态时，若电流产生模块的输出电压大于参考电压，控制模块通过电流控制信号控制电流产生模块停止产生第一电流和第二电流；若电流产生模块的输出电压小于参考电压，控制模块通过电流控制信号控制电流产生模块产生第一电流和第二电流其中之一；

当功率开关控制信号处于第二状态时，控制模块通过开关控制信号控制下管导通，同时控制上管关断，电流产生模块停止第一电流和第二电流；

当功率开关控制信号由第二状态变为第一状态的过程中，所述控制模块通过电流控制信号控制电流产生模块产生第一电流和第二电流。

2.根据权利要求1所述的开关电源的栅极驱动电路，其特征在于，所述电压反馈模块检测与电流产生模块的输出电压成正比的电压；

所述电压反馈模块包括第一电阻、第二电阻和第三电阻，所述第一电阻的一端连接电流产生模块的输出端，另一端依次通过串联的第二电阻和第三电阻接地；所述第三电阻上的电压输入控制模块作为所述检测的电压。

3.根据权利要求2所述的开关电源的栅极驱动电路，其特征在于，所述控制模块包括比较器、D触发器、第一反相器、第二反相器、第三反相器和与非门；

D触发器的D端连接电源Vdd，时钟端连接功率开关控制信号，清零端连接比较器的输出端，D触发器的输出信号为第一开关信号；

比较器的正输入端连接所述检测的电压，负输入端连接参考值，输出端连接D触发器的清零端；

比较器的输出信号经过第一反相器后作为与非门的一个输入信号，功率开关控制信号作为与非门的另一个输入信号，与非门的输出信号经过第二反相器后作为第二开关信号；

功率开关控制信号经过第三反相器后作为第三开关信号。

4.根据权利要求1所述的开关电源的栅极驱动电路，其特征在于，所述控制模块通过电压反馈模块检测与电流产生模块的输出电压成正比的电压；

所述电压反馈模块包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，所述第一电阻的一端连接电流产生模块的输出端，另一端依次通过串联的第二电阻、第三电阻和第四电阻接地；所述第三电阻和第四电阻上的电压之和作为所述检测的电压；

所述第四电阻上的电压作为第一反馈电压输入所述控制模块，所述控制模块用于判断所述第一反馈电压大于预定电压值时，输出第三控制信号为高电平，以使下管导通。

5.根据权利要求4所述的开关电源的栅极驱动电路，其特征在于，所述预定电压值为NMOS的阈值电压。

6.根据权利要求2或4所述的开关电源的栅极驱动电路，其特征在于，所述电流产生模块为电流镜，包括第一PMOS管、第一开关、第二开关、第一NMOS管、第二NMOS管、上管和下管；

第一PMOS管的栅极连接上管的栅极；

所述第一PMOS管的源极连接VCC，漏极依次通过第一开关和第一NMOS管接地；第一PMOS管的栅极依次通过第二开关和第二NMOS管接地；

所述上管的源极连接VCC，漏极通过下管接地；

控制模块输出的第一开关信号控制第一开关，第二开关信号控制第二开关，第三开关信号控制下管；

上管的漏极连接下管的漏极作为电流产生模块的输出端。

7.根据权利要求6所述的开关电源的栅极驱动电路，其特征在于，所述第二电阻的两端并联第三NMOS管，所述第三NMOS管的栅极连接控制模块的第四开关信号输出端，当所述检测的电压大于参考电压时，所述第四开关信号为高电平。

8.根据权利要求4所述的开关电源的栅极驱动电路，其特征在于，所述控制模块包括比较器、D触发器、第一反相器、第二反相器、第三反相器、第一与非门和第二与非门；

D触发器的D端连接电源Vdd，时钟端连接功率开关控制信号，清零端连接比较器的输出端，D触发器的输出信号为第一开关信号；

比较器的正输入端连接所述检测的电压，负输入端连接参考值，输出端连接D触发器的清零端；

比较器的输出信号经过第一反相器后作为第一与非门的一个输入信号，功率开关控制信号作为第一与非门的另一个输入信号，第一与非门的输出信号经过第二反相器后作为第二开关信号；

功率开关控制信号作为第二与非门的一个输入信号，第一反馈电压经过第三反相器后作为第二与非门的另一个输入信号，第二与非门的输出信号作为第三开关信号。

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