CN203983941U - 一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，包括MOSFET管MI、电流采样管MII、电压比较器VC、MOS管M6和电流比较器IC。MOSFET管MI的源极和电源采样管MII的源极与电机电源电压VBB连接，MOSFET管MI的栅极和电源采样管MII的栅极连接在一起，MOSFET管MI的漏极和电源采样管MII的漏极分别与电压比较器VC的两个输入端连接，电压比较器VC的输出端与电流比较器IC的输入端连接，并在电流比较器IC中与基准电流Iref比较，根据比较结果进行电机电流充电模式下的最大峰值输出电流保护。

Description

一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路

技术领域

本实用新型涉及一种电机驱动芯片的过流保护检测电路，尤其涉及一种在高压大功率的电机驱动芯片的过流保护检测电路。 

背景技术

在电极驱动应用中，为了提高电机的输出功率，要求流过电机马达线圈的电流足够大，这就要求电机的驱动电路有足够的驱动能力，能够为电机提供足够的驱动电流。在增大了驱动电流的同时，还要注意电机的安全工作电流限制，这就对电路的过载电流提出了限制，因此需要对通过电机的电流峰值进行监测；在驱动电路内部，设计一个过流保护模块，同步检测流过电机的上升电流，设定一个安全工作阈值，使得流过电机的电流超过这个预设的阈值时，能够自动启动过流保护功能，避免电机的过热损毁。 

电机的马达需要的额定电流通常较大，一般大于1A，太大的电流不容易进行处理，技术难度很大。一般的做法是通过一个采样器件将大的电流采样等比例缩小后，再处理这个小的采样电流。对此采样电流的处理不外乎两个方式，一个是直接进行电流的比较，将采样电流与一个精密的基准电流作对比，共同输入一个电流比较器，当充电的电流上限到来，峰值电流超过了基准电流，使得比较器翻转，其输出提供给控制模块，控制电机驱动电路停止给电机充电。另一个方式是首先进行电流电压的转化，采样电流流过电阻后转化为电压，此电压同基准电压进行比较，比较输出送给控制模块，关断电机驱动电路。 

因此，本领域的技术人员致力于开发一种新型的电流采样检测电路，采用采样电流与基准电流直接比较的方式，实现在电流充电过程中的过流关断保护。 

实用新型内容

有鉴于现有技术的上述缺陷，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路。 

为实现上述目的，本实用新型提供了一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其特征在于，包括MOSFET管、电流采样管MII、MOS管M6、电流源Itrip、电压比较器VC和电流比较器IC； 

所述MOSFET管MI的源极与电机电源电压VBB连接，栅极与所述电流采样管MII的栅极连接在一起；漏极分别与所述电压比较器VC的输入端和所述电流源 Itrip的输入端连接； 

所述电流采样管MII的源极与所述电机电源电压VBB连接，栅极与所述MOSFET管MI的栅极连接，漏极分别与所述电压比较器VC的输入端和所述MOS管M6的漏极连接； 

所述电压比较器VC的输出端IN分别与所述MOS管M6的栅极和所述电流比较器IC的输入端连接； 

所述电流源Itrip是所述电机的线圈电流； 

所述MOS管M6的源极直接与地相连； 

所述电流比较器IC的输入端输入基准电流Iref。 

在本实用新型的一个较佳实施例中，所述过流保护电路还包括MOSFET管M3和MOSFET管M4；增加的MOSFET管M3和M4保证了MOSFET管MI和电流采样管MII在关断是能够快速彻底关断，避免出现关断后静态电流仍然较大的问题。 

所述MOSFET管M3的栅极与所述MOSFET管的栅极相连，所述MOSFET管M3的源极分别与所述电机电源电压VBB和所述MOSFET管MI的栅极连接，所述MOSFET管M3的漏极分别与所述电压比较器VC的负相输入端和所述MOSFET管MI的漏极连接； 

所述MOSFET管M4的源极分别与所述电机电源电压VDD和所述MOSFET管MII的栅极连接，所述MOSFET管M4漏极分别与所述电压比较器VC的输入端和所述功率MOSFET管MI的漏极连接。 

在本实用新型的一个较佳实施例中，所述过流保护电路还包括MOS管M5，所述MOS管M5连接在所述电流采样管MII的漏极与所述MOS管M6的漏极之间，所述MOS管M5的漏极与所述电流采样管MII的漏极连接，源极与所述MOS管M6的漏极连接，钳位电压VREG接入所述MOS管M5的栅极。 

进一步地，所述电压比较器VC包括若干MOSFET管、若干MOS管、三极管Q1和三极管Q2； 

所述电压比较器VC的输入信号输入到所述三极管Q1的基极，负相输入信号输入到所述三极管Q2的基极；所述电压比较器VC的输出端位于MOS管M24和MOS管M21的漏极之间； 

所述MOSFET管MI和所述电流采样管MII的栅极电压G_UP输入到MOSFET管M11、MOSFET管M12、MOSFET管M13和MOSFET管M14的源极；MOSFET管M11和MOSFET管M12、MOSFET管M13和MOSFET管M14是电流镜结构； 

所述三极管Q1的集电极与MOSFET管M12的栅极和漏极连接，发射极与MOSFET管M16的漏极连接；所述三极管Q2的集电极与MOSFET管M13的栅极和漏极连接，发射极与MOSFET管M16的漏极连接； 

所述钳位电压VREG输入到MOSFET管M15、MOSFET管M16和MOSFET管M17的栅极；MOSFET管M15的漏极与MOSFET管M11的漏极连接，源极与MOS管M18的栅极和漏极连接；MOSFET管M16的源极与MOS管M20的漏极连接；MOSFET管M17的漏极与MOSFET管M14的漏极连接，源极与MOS管M12的栅极和漏极连接； 

电源电压VDD接入MOS管M23和MOS管M24的源极；MOS管M18、MOS管M19、MOS管M20、MOS管M21和MOS管M22的源极直接接地；MOS管M20的栅极与偏置电流BIASN连接；MOS管M19、MOS管M21、MOS管M23和MOS管M24是电流镜结构。 

进一步地，所述三极管Q1和所述三极管Q2采用NPN管。 

在本实用新型的一个较佳实施例中，所述电流比较器IC包括若干MOS管； 

所述电流比较器IC的输入端IN与MOS管M34的栅极连接，所述基准电流Iref接入到MOS管31的栅极；所述电流比较器IC的输出端位于MOS管M37的漏极和MOS管M38的漏极之间； 

电源电压VDD接入MOS管M32、MOS管M33、MOS管M35和MOS管M37的源极；MOS管M31、MOS管M34、MOS管M36、和MOS管M38的源极直接接地；MOS管M32的栅极和MOS管M33的栅极连接；MOS管M35的栅极和MOS管M36的栅极连接；MOS管M37的栅极和MOS管M38的栅极连接。 

进一步地，在所述电流比较器IC中，所述MOS管M35和所述MOS管M36组成一个反相器；所述MOS管M37和所述MOS管M38组成一个反相器。 

进一步地，所述电流采样管MII的栅极电压G_UP要大于所述电机电源电压VBB。 

在本实用新型的较佳实施方式中，采用MOSFET管MI、电流采样管MII、电压比较器VC、电流比较器IC和MOS管M6。MOSFET管MⅠ的宽长比与电流采样管MⅡ的宽长比之比为：(W/L)Ⅰ:(W/L)Ⅱ＝m：1，将大电流经过采样缩小m倍产生采样电流。电压比较器VC的负反馈环路保证MⅠ与MⅡ工作在相同的VDS，保证MI和MII的工作状态完全相同，确保流过两个管子的镜像比例精度，同时实现高电压向的电压控制的转换，提高电路的镜像比例精度。MOS管M6是承接采样电流的调整管。采样电流和基准电流Iref经过比较器后输出送到控制电路进行关流关断操作。电流比较器IC的作用是将采样电流和Iref进行比较转换为过流保护电路的数字控制输出信号。 

本实用新型为了保证功率管MI和采样管MII在关断时能够快速彻底关断，避免出现关断后静态电流仍较大问题，在保护电路中增加了MOSFET管M3和M4。还增加了MOSFET管M5，以实现高压工作时对低压管子的箝位保护。而且，考虑到电路中的工作电压问题和功率器件的耐压能力，对电压比较器VC和电流比较 器IC的电路结构进行了优化。本实用新型的过流保护电路，实现了在高压大电流工作模式下的峰值电流检测，并将高电压转化为低压控制信号的功能；实现了低压控制电路对高压电路的控制操作。 

以下将结合附图对本实用新型的构思、具体结构及产生的技术效果作进一步说明，以充分地了解本实用新型的目的、特征和效果。 

附图说明

图1是本实用新型的应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路的一个较佳实施例的电路结构图； 

图2是本实用新型的应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路的另一个较佳实施例的电路结构图； 

图3是本实用新型的应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路中的电压比较器VC的电路结构图； 

图4是本实用新型的应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路中的电流比较器IC的电路结构图。 

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的实施例作详细说明：本实施例在以本实用新型技术方案前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本实用新型的保护范围不限于下述的实施例。 

如图1所示，本实用新型的一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路包括MOSFET管MI、电流采样管MII、MOS管M6、电流源Itrip、电压比较器VC和电流比较器IC。 

MOSFET管MI的源极与电机电源电压VBB连接，栅极与电流采样管MII的栅极连接在一起，漏极分别与电压比较器VC的负相输入端和电流源Itrip的输入端连接。 

电流采样管MII的源极与电机电源电压VBB连接，栅极与MOSFET管MI的栅极连接，漏极分别与电压比较器VC的正相输入端和MOS管M6的漏极连接。 

电压比较器VC的输出端IN分别与MOS管M6的栅极和电流比较器IC的负相输入端连接；MOS管M6的源极直接与地相连；所述电流比较器IC的正相输入端输入基准电流Iref。 

如图1所示，由于电机驱动的MOSFET管MI工作于开关模式，导通时处于MOS管的线性区，VDS约是0.1V，电机驱动电路的门级驱动电压一般都要大于其源级电压，使得门级驱动的栅极电压G_UP高于电机电源电压VBB。对于30V的VBB一般设计为35V，此部分功能由电路的电荷泵产生。而电路的逻辑控制部分 的电源电压VDD常常采用5V的低压。在电路的设计中要注意高低压间的转换和保护。在本实用新型的一个较佳实施例中，设定高压G_UP＝35V，而VBB＝30V，VDD＝5V，因此，本实用新型的电路结构是高压采样电路与低压输出的电路结构。 

在本实用新型的一个较佳实施例中，过流保护电路进行了改进，增加了MOSFET管M3和MOSFET管M4和MOS管M5。增加MOSFET管M3和M4是为了保证MOSFET管MI和电流采样管MII在关断是能够快速彻底关断，避免出现关断后静态电流仍然较大的问题。而MOS管M5是为了实现高压工作时对低压管子的箝位保护 

增加了M3、M4和M5的过流保护电路具体如图2所示。M3的栅极与MI的栅极相连，M3的源极分别与电机电源电压VBB和MI的栅极连接，M3的漏极分别与电压比较器VC的负相输入端和MI的漏极连接。 

M4的源极分别与电机电源电压VDD和MII的栅极连接，M4漏极分别与VC的正相输入端和MI的漏极连接。 

M5的漏极与电流采样管MII的漏极连接，源极与M6的漏极连接，钳位电压VREG接入M5的栅极。 

进一步地，考虑到电路中的工作电压问题和功率器件的耐压能力，本实用新型对电压比较器VC和电流比较器IC的电路结构进行了重新设计，电压比较器VC的电路如图3所示，电流比较器IC的电路如图4所示。 

电压比较器VC如图3所示，包括MOSFET管M11～M17、MOS管M18～M24、三极管Q1和Q2。 

MI和MII的栅极电压G_UP输入到M11、M12、M13和M14的源极；M11和M12、M13和M14是电流镜结构。 

Q1的集电极与M12的栅极和漏极连接，Q1的发射极与M16的漏极连接；Q2的集电极与M13的栅极和漏极连接，Q2的发射极与M16的漏极连接。 

钳位电压VREG输入到M15、M16和M17的栅极；M15的漏极与M11的漏极连接，M15的源极与M18的栅极和漏极连接；M16的源极与M20的漏极连接；M17的漏极与M14的漏极连接，M17的源极与M12的栅极和漏极连接。 

电源电压VDD接入M23和M24的源极；M18、M19、M20、M21和M22的源极直接接地；M20的栅极与偏置电流BIASN连接；M19、M21、M23和M24是电流镜结构。 

在本实用新型的一个较佳实施例中，三极管Q1和Q2采用NPN管。 

如图4所示，电流比较器IC包括MOS管M31～M38。 

电源电压VDD接入M32、M33、M35和M37的源极；M31、M34、M36、和M38的源极直接接地；M32的栅极和M33的栅极连接；M35的栅极和M36的栅极连接；M37的栅极和M38的栅极连接。 

本实用新型的过流保护电流在进行过流保护过程中， 

首先，使用G_UP作为过流保护电路的高压电源，由于电压比较器VC的负相输入INN和电压比较器VC的正相输入INP的采样电压都是近似等于电机电源电压VBB的高电压，使得图3中M11、M12、M13和M14的工作电压要求高于VBB，使得电路的功耗很大。并且，通过添加同步控制关断结构，使得电路相当复杂。而采用G_UP作为过流保护电路的高压电源，由于H桥的工作方式，充电时，相应半桥的上端功率管才导通，而相对的半桥上管关断。利用这个特性，只需要使得过流保护电路工作在开启的半桥即可，关断的半桥过流保护电路不需要工作，当然其功耗也就可以不考虑。由于采用的都是N型MOSFET作功率管，对上管MOSFET，只有当G_UP为高电平时才能开启工作，G_UP为低电压时N型MOSFET关断。当半桥的上管导通充电时，过流保护电路同步开启，检测该半桥通路的充电电流，相对半桥的过流保护电流可以关闭以降低功耗。当半桥由导通转为关断时，G_UP降为低电平，此时，该半桥的过流保护也被关断。G_UP的电压上升沿要快，由于过流保护分流了部分电流，使得MOSFET的开启速度会变慢，设计时要注意开启瞬间G_UP的上升速度。 

如图3所示，电压比较器VC是跨导放大器，G_UP＝35V，VDD和VREG一般为2.7～6V，在本实施例中，VDD＝5V，VREG＝5V，而INN和INP电压约为VBB电压30V，高压MOSFET管M15、M16、M17可以理解为高压有源电阻，使得高电压值大都降在其VDS上，同时他们的栅极由VREG＝5V钳位，其VGS约为2V，其源级电压VS＝3.0V左右，这样，他们的源级连接的器件都能安全的工作在5V以下的安全工作区。实现高压到低压的转换。由于他们的作用等同于有缘电阻，而流过他们的电流由他们连接的电流源提供，所以通过调整其W/L(宽长比)选取适当的电阻值可以使得G_UP在相当大的范围内变化时，电路都能满足对电源电压的要求。Q1、Q2使用npn管子，是利用npn管子的耐压高于MOS的栅极耐压，满足对MI和MII源级大电压的工作需要。M12/M13为二极管负载，将INN和INP上的差模电压经过差分对Q1/Q2的跨导级转化为电流，经过M11/M12和M13/M14的镜像传到低压管M18/M22。由于没有电流的分路，其上的电流保持1：1的传送。此时完成了高压向低压的转化。转化下来的低压电流通过电流镜M19/M21/M23/M24的镜像，汇聚到M21、M24的漏极，完成两路电流的叠加，实现IN处高电压到OUT处低电压的转变。 

电压比较器VC为反馈环路提供环路增益，其输出控制了M6的栅极，M6为共源放大器，进一步增大了环路的增益，通过反馈环路的作用，控制流过M6的电流精确镜像电机线圈电流Itrip。M5的加入，能够使得低压M6管工作在安全电压范围。 

图4所示的电流比较器IC为最后的过流保护低压控制信号形成过程。IN连接 VC的OUT输出，也就是M6和M34的VGS电压相同，形成了一个比例系数为n：1的电流镜，将M6流过的电流进一步缩小为1/n。调整M33的宽长比，使得M33和M34构成的比较器翻转阈值约为M6流过Imax/m时的VDS电压。Iref为基准电流，通过确定下来的M33、M34选择M32、M31的W/L比。反向器M35/M36和M37/M38对M33、M34比较器输出的电压信号进行整形，其工作电压都是VDD＝5V。到此，整个过流保护电路的输出信号得到了完好的处理。高压VBB工作信号实现了到VDD低电压控制信号的转变。 

以上详细描述了本实用新型的较佳具体实施例。应当理解，本领域的普通技术无需创造性劳动就可以根据本实用新型的构思作出诸多修改和变化。因此，凡本技术领域中技术人员依本实用新型的构思在现有技术的基础上通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在由权利要求书所确定的保护范围内。 

Claims (7)

1.一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，用于在电机的线圈电流超过基准电流Iref时启动过流保护，其特征在于，包括MOSFET管MI、电流采样管MII、MOS管M6、电流源Itrip、电压比较器VC和电流比较器IC；所述电流源Itrip是所述电机的线圈电流；所述电流比较器IC的输入端输入基准电流Iref； 

所述MOSFET管MI的源极与电机电源电压VBB连接，栅极与所述电流采样管MII的栅极连接在一起；漏极分别与所述电压比较器VC的输入端和所述电流源Itrip的输入端连接； 

所述电流采样管MII的源极与所述电机电源电压VBB连接，栅极与所述MOSFET管MI的栅极连接，漏极分别与所述电压比较器VC的输入端和所述MOS管M6的漏极连接； 

所述电压比较器VC的输出端IN分别与所述MOS管M6的栅极和所述电流比较器IC的输入端连接； 

所述MOS管M6的源极直接与地相连； 

所述电流比较器IC输出控制信号以启动所述过流保护。 

2.如权利要求1所述的一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其中，其中，所述电流采样管MII的栅极电压G_UP要大于所述电机电源电压VBB。 

3.如权利要求1所述的一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其中，所述过流保护电路还包括MOS管M5，所述MOS管M5连接在所述电流采样管MII的漏极与所述MOS管M6的漏极之间，所述MOS管M5的漏极与所述电流采样管MII的漏极连接，源极与所述MOS管M6的漏极连接，钳位电压VREG接入所述MOS管M5的栅极。 

4.如权利要求3所述的一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其中，所述电压比较器VC包括若干MOSFET管、若干MOS管、三极管Q1和三极管Q2； 

所述电压比较器VC的正相输入信号输入到所述三极管Q1的基极，负相输入信号输入到所述三极管Q2的基极；所述电压比较器VC的输出端位于MOS管M24和MOS管M21的漏极之间； 

所述MOSFET管MI和所述电流采样管MII的栅极电压G_UP输入到MOSFET管M11、MOSFET管M12、MOSFET管M13和MOSFET管M14的源极；MOSFET管M11和MOSFET管M12、MOSFET管M13和MOSFET管M14是电流镜结构； 

所述三极管Q1的集电极与MOSFET管M12的栅极和漏极连接，发射极与MOSFET管M16的漏极连接；所述三极管Q2的集电极与MOSFET管M13的栅极和漏极连接，发射极与MOSFET管M16的漏极连接； 

所述钳位电压VREG输入到MOSFET管M15、MOSFET管M16和MOSFET管M17的栅极；MOSFET管M15的漏极与MOSFET管M11的漏极连接，源极与MOS管M18的栅极和漏极连接；MOSFET管M16的源极与MOS管M20的漏极连接；MOSFET管M17的漏极与MOSFET管M14的漏极连接，源极与MOS管M12的栅极和漏极连接； 

电源电压VDD接入MOS管M23和MOS管M24的源极；MOS管M18、MOS管M19、MOS管M20、MOS管M21和MOS管M22的源极直接接地；MOS管M20的栅极与偏置电流BIASN连接；MOS管M19、MOS管M21、MOS管M23和MOS管M24是电流镜结构。 

5.如权利要求4所述的一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其中，所述三极管Q1和所述三极管Q2采用NPN管。 

6.如权利要求3所述的一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其中，所述电流比较器IC包括若干MOS管； 

所述电流比较器IC的输入端IN与MOS管M34的栅极连接，所述基准电流Iref接入到MOS管31的栅极；所述电流比较器IC的输出端位于MOS管M37的漏极和MOS管M38的漏极之间； 

电源电压VDD接入MOS管M32、MOS管M33、MOS管M35和MOS管M37的源极；MOS管M31、MOS管M34、MOS管M36、和MOS管M38的源极直接接地；MOS管M32的栅极和MOS管M33的栅极连接；MOS管M35的栅极和MOS管M36的栅极连接；MOS管M37的栅极和MOS管M38的栅极连接。 

7.如权利要求6所述的一种应用于大功率电机驱动芯片的过流保护检测电路，其中，在所述电流比较器IC中，所述MOS管M35和所述MOS管M36组成一个反相器；所述MOS管M37和所述MOS管M38组成一个反相器。