CN104538397A - 桥式二极管整流器及其制造方法 - Google Patents

桥式二极管整流器及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种桥式二极管整流器，由深沟槽穿过外延层并交替排列隔离出的多个第一导电类型柱；单元结构包括四个第一导电类型外延柱，两个柱正面以及另两个柱反面分别形成有第二导电类型阱，各第一导电类型柱和对应的第二导电类型阱形成纵向PN结构二极管；在外延层的正面形成有正面金属图形、背面形成有背面金属图形，通过正面和背面金属图形将各纵向PN结构二极管连接形成器件单元结构。本发明还公开了一种桥式二极管整流器的制造方法。本发明具有较高的击穿电压，能够实现工艺集成节省芯片面积，以及能节省后续模块封装成本。

Description

桥式二极管整流器及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种桥式二极管整流器，本发明还涉及一种桥式二极管整流器的制造方法。
背景技术
如图1所示，是桥式二极管整流器电路简化示意图；桥式二极管整流器由四个二极管端D101、D102、D103和D104连接形成。输入输出信号曲线如图2所示，可知，当输入信号Vin为正时，二极管D101和D104导通、D102和D103截止，此时输出信号Vout也为正；当输入信号Vin为负时，二极管D101和D104截止、D102和D103导通，此时输出信号Vout也为正，这就实现了对输入信号Vin的整流。
现有技术中，各二极管都是采用平面PN结形成，且都分立结构；这种平面PN结的击穿电压低；而分立PN结需要通过模块封装，封装成本较大。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种桥式二极管整流器，具有较高的击穿电压，能够实现工艺集成节省芯片面积，以及能节省后续模块封装成本。为此，本发明还提供一种桥式二极管整流器的制造方法。
为解决上述技术问题，本发明提供的桥式二极管整流器包括：
第一导电类型外延层，在所述第一导电类型外延层中形成有多个深沟槽，在所述深沟槽中填充有隔离介质层，所述深沟槽穿过整个所述第一导电类型外延层的厚度并交替排列隔离出多个由所述第一导电类型外延层组成的第一导电类型柱。
桥式二极管整流器的单元结构包括四个所述第一导电类型柱，其中两个所述第一导电类型柱的正面形成有第二导电类型阱，另外两个所述第一导电类型柱的背面形成有第二导电类型阱，各所述第一导电类型柱分别和对应的第二导电类型阱形成纵向PN结构二极管，通过调节所述第一导电类型外延层的掺杂浓度和所述第一导电类型柱的厚度调节各所述纵向PN结构二极管的击穿电压。
在所述第一导电类型外延层的正面形成有正面金属图形，所述第一导电类型外延层的背面形成有背面金属图形，通过所述正面金属图形和所述背面金属图形将各所述纵向PN结构二极管连接形成所述桥式二极管整流器的单元结构。
进一步的改进是，所述第一导电类型外延层的电阻率为5欧姆·厘米～10欧姆·厘，厚度为60微米～150微米。
进一步的改进是，所述深沟槽的宽度为大于1微米。
进一步的改进是，所述第一导电类型柱的正面或背面形成的第二导电类型阱的注入条件为：注入能量大于100kev，注入剂量为1E14cm-2～5E14cm-2。
进一步的改进是，所述桥式二极管整流器的单元结构所对应的四个所述第一导电类型柱为四个相邻的所述第一导电类型柱。
进一步的改进是，所述正面金属图形形成有所述桥式二极管整流器的单元结构的两个正面电极、所述背面金属图形形成有所述桥式二极管整流器的单元结构的两个背面电极。
进一步的改进是，一个所述正面电极连接一个背面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱以及连接一个正面的所述第二导电类型阱，另一个所述正面电极连接另一个背面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱以及连接另一个正面的所述第二导电类型阱；一个所述背面电极连接两个背面的所述第二导电类型阱，另一个所述背面电极连接两个正面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱。
进一步的改进是，一个所述背面电极连接一个正面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱以及连接一个背面的所述第二导电类型阱，另一个所述背面电极连接另一个正面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱以及连接另一个背面的所述第二导电类型阱；一个所述正面电极连接两个正面的所述第二导电类型阱，另一个所述正面电极连接两个背面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱。
进一步的改进是，所述正面金属图形和所述背面金属图形分别通过接触孔和各所述纵向PN结构二极管形成连接，在各所述接触孔和各所述纵向PN结构二极管形成连接位置处形成有接触孔注入区，各所述接触孔注入区和对应的所述接触孔形成欧姆接触。
进一步的改进是，所述接触孔注入区的注入能量小于80kev，注入剂量大于5E15cm-2；所述接触孔注入区的掺杂类型所接触的区域的掺杂类型相同，当所述接触接触孔注入区的掺杂类型为N型时注入杂质为砷，当所述接触接触孔注入区的掺杂类型为P型时注入杂质为二氟化硼。
进一步的改进是，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或者，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
为解决上述技术问题，本发明提供的桥式二极管整流器的制造方法包括如下步骤：
步骤一、提供一基片，所述基片由第一导电类型外延层组成或者在所述基片正面形成有第一导电类型外延层。
步骤二、采用光刻刻蚀工艺对所述第一导电类型外延层进行刻蚀形成多个深沟槽；所述深沟槽交替排列隔离出多个由所述第一导电类型外延层组成的第一导电类型柱；桥式二极管整流器的单元结构包括四个所述第一导电类型柱。
步骤三、在所述深沟槽中填充隔离介质层。
步骤四、在所述第一导电类型外延层正面进行第二导电类型阱注入并在所述桥式二极管整流器的单元结构的二个所述第一导电类型柱的正面形成第二导电类型阱。
步骤五、形成正面介质层。
步骤六、对所述基片进行背面减薄，减薄所述深沟槽穿过减薄后的所述第一导电类型外延层。
步骤七、在所述第一导电类型外延层背面进行第二导电类型阱注入并在所述桥式二极管整流器的单元结构的另外二个未形成正面第二导电类型阱的所述第一导电类型柱的背面形成第二导电类型阱；
步骤八、形成背面介质层。采用退火工艺对所述第二导电类型阱进行推进；各所述第一导电类型柱分别和对应的第二导电类型阱形成纵向PN结构二极管，通过调节所述第一导电类型外延层的掺杂浓度和所述第一导电类型柱的厚度调节各所述纵向PN结构二极管的击穿电压。
步骤九、在所述第一导电类型外延层的正面的所述正面介质层表面形成正面金属图形，在所述第一导电类型外延层的背面的所述背面介质层表面形成背面金属图形，通过所述正面金属图形和所述背面金属图形将各所述纵向PN结构二极管连接形成所述桥式二极管整流器的单元结构。
本发明桥式二极管整流器各器件通过由填充由隔离介质层的深沟槽对外延层隔离出的外延柱以及在外延柱的正反面形成的阱区组成，这使得桥式二极管整流器的各PN结都为纵向PN结构二极管，不仅击穿电压高，而且击穿电压通过对外延层的掺杂浓度和形成的外延柱的厚度就能调节，所以本发明能够形成较大击穿电压的器件结构。
另外，本发明桥式二极管整流器的各纵向PN结构二极管都采用同一外延层实现，也即各纵向PN结构二极管能集成在同一基片上，且各纵向PN结构二极管的区域通过深沟槽隔离就能定义出来，所以本发明能够实现工艺集成节省芯片面积。
本发明桥式二极管整流器通过在正面和背面分别形成金属图形就能实现电极的引出，相对于现有分立PN结需要通过模块封装，本发明还能节省后续模块封装成本。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是桥式二极管整流器电路简化示意图；
图2是图1电路的输入输出曲线；
图3是本发明实施例桥式二极管整流器的结构图；
图4A-图4J是本发明实施例制造方法的各步骤中器件的结构示意图。
具体实施方式
如图3所示，是本发明实施例桥式二极管整流器的结构图；本发明实施例中以第一导电类型为P型、第二导电类型为N型的器件为例进行说明；本发明实施例桥式二极管整流器包括：
P型外延层1，在所述P型外延层1中形成有多个深沟槽2，在所述深沟槽2中填充有隔离介质层11，所述深沟槽2穿过整个所述P型外延层1的厚度并交替排列隔离出多个由所述P型外延层1组成的P型柱1。较佳为，所述深沟槽2的宽度为大于1微米。
桥式二极管整流器的单元结构包括四个所述P型柱，其中两个所述P型柱1的正面形成有N型阱3，另外两个所述P型柱1的背面形成有N型阱4，各所述P型柱分别和对应的N型阱形成纵向PN结构二极管。通过调节所述P型外延层1的掺杂浓度和所述P型柱的厚度调节各所述纵向PN结构二极管的击穿电压。其中P型柱1和顶部的N型阱3形成从下往上纵向PN结构二极管，P型柱1和底部的N型阱4形成从上往下纵向PN结构二极管。
较佳为，所述P型外延层1的电阻率为5欧姆·厘米～10欧姆·厘，厚度为60微米～150微米。
所述P型柱的正面或背面形成的N型阱3或4的注入条件都为：注入能量大于100kev，注入剂量为1E14cm-2～5E14cm-2，注入杂质为磷。
在所述P型外延层1的正面形成有正面金属图形9，所述P型外延层1的背面形成有背面金属图形10，通过所述正面金属图形9和所述背面金属图形10将各所述纵向PN结构二极管连接形成所述桥式二极管整流器的单元结构。
较佳选择为，所述桥式二极管整流器的单元结构所对应的四个所述P型柱1为四个相邻的所述P型柱1，这样能够将所述桥式二极管整流器的单元结构的面积做到最小。
所述正面金属图形9形成有所述桥式二极管整流器的单元结构的两个正面电极、所述背面金属图形10形成有所述桥式二极管整流器的单元结构的两个背面电极。图3中，一个所述正面电极连接一个背面形成有所述N型阱的所述P型柱1以及连接一个正面的所述N型阱3，另一个所述正面电极连接另一个背面形成有所述N型阱的所述P型柱1以及连接另一个正面的所述N型阱3；一个所述背面电极连接两个背面的所述N型阱4，另一个所述背面电极连接两个正面形成有所述N型阱3的所述P型柱1。
也能将图3中的正面电极和反面电极对掉，这种情形图3中没有示意出，具体为：一个所述背面电极连接一个正面形成有所述N型阱3的所述P型柱1以及连接一个背面的所述N型阱4，另一个所述背面电极连接另一个正面形成有所述N型阱3的所述P型柱1以及连接另一个背面的所述N型阱4；一个所述正面电极连接两个正面的所述N型阱3，另一个所述正面电极连接两个背面形成有所述N型阱4的所述P型柱1。
图3中，所述正面金属图形9和所述背面金属图形10分别通过接触孔和各所述纵向PN结构二极管形成连接。形成于正面的接触孔102穿过正面介质层7和底部的掺杂区如N阱3或P型柱1接触；形成于背面的接触孔103穿过背面介质层8和底部的掺杂区如N阱4或P型柱1接触。
在各所述接触孔102或104和各所述纵向PN结构二极管形成连接位置处形成有接触孔注入区，各所述接触孔注入区和对应的所述接触孔形成欧姆接触。图3中仅示意出了其中接触孔注入区5和6，接触孔注入区5位于正面的所述N型阱3表面，接触孔注入区6为于背面的所述N型阱3表面；其中P型柱1表面的接触孔注入区未示出。较佳为，所述接触孔注入区的注入能量小于80kev，注入剂量大于5E15cm-2；所述接触孔注入区的掺杂类型所接触的区域的掺杂类型相同，当所述接触接触孔注入区的掺杂类型为N型时注入杂质为砷，当所述接触接触孔注入区的掺杂类型为P型时注入杂质为二氟化硼。
上面是以第一导电类型为P型、第二导电类型为N型的器件为例进行说明；将P型和N型互换也能得到本发明其它实施例结构的桥式二极管整流器，本说明书中不再详细描述。
如图4A至图4J所示，是本发明实施例制造方法的各步骤中器件的结构示意图，本发明实施例方法中同样是以第一导电类型为P型、第二导电类型为N型的器件为例进行说明，用以制造如图3所示的本发明实施例器件。本发明实施例桥式二极管整流器的制造方法包括如下步骤：
步骤一、如图4A所示，提供一基片，所述基片由P型外延层1组成或者在所述基片正面形成有P型外延层1。
本发明实施例方法后续形成的纵向PN结构二极管的击穿电压是通过调节所述P型外延层1的掺杂浓度和后续由P型外延层减薄形成的P型柱的厚度来调节。所述P型外延层1的电阻率为5欧姆·厘米～10欧姆·厘，减薄后的所述P型外延层1的厚度为60微米～150微米，故所述基片上的所述P型外延层1的厚度要比减薄后的厚度要大。
步骤二、如图4A所示，采用光刻工艺形成光刻胶图形101定义出深沟槽2的形成位置，采用刻蚀工艺对所述P型外延层1进行刻蚀形成多个深沟槽2；所述深沟槽2交替排列隔离出多个由所述P型外延层1组成的P型柱，如P型柱1。桥式二极管整流器的单元结构包括四个所述P型柱；较佳为，所述桥式二极管整流器的单元结构所对应的四个所述P型柱为四个相邻的所述P型柱。
所述深沟槽2的宽度为大于1微米，所述深沟槽2的深度大于等于减薄后的所述P型外延层1的厚度。
步骤三、如图4B所示，在所述深沟槽2中填充隔离介质层11。
步骤四、如图4C所示，在所述P型外延层1正面进行N型阱注入并在所述桥式二极管整流器的单元结构的二个所述P型柱1的正面形成N型阱3。
所述N型阱3的注入区域由光刻工艺定义，也能在所述N型阱3注入完成后采用相同的光刻胶定义进行接触孔注入区5的注入，接触孔注入区5位于N型阱3的表面。所述N型阱3的注入的工艺条件为：注入能量大于100kev，注入剂量为1E14cm-2～5E14cm-2，注入杂质为磷。所述接触孔注入区5的注入能量小于80kev，注入剂量大于5E15cm-2。
步骤五、如图4D所示，形成正面介质层7。
步骤六、如图4E所示，对所述基片进行背面减薄，减薄所述深沟槽2穿过减薄后的所述P型外延层1。
步骤七、如图4F所示，在所述P型外延层1背面进行N型阱注入并在所述桥式二极管整流器的单元结构的另外二个未形成正面N型阱3的所述P型柱1的背面形成N型阱4。
所述N型阱4的注入区域由光刻工艺定义，也能在所述N型阱4注入完成后采用相同的光刻胶定义进行接触孔注入区6的注入，接触孔注入区6位于N型阱4的表面。所述N型阱4的注入的工艺条件为：注入能量大于100kev，注入剂量为1E14cm-2～5E14cm-2，注入杂质为磷。所述接触孔注入区6的注入能量小于80kev，注入剂量大于5E15cm-2。
步骤八、如图4G所示，形成背面介质层8。
如图4H所示，采用退火工艺对所述N型阱3和4以及接触孔注入区5和6进行推进。
各所述P型柱分别和对应的N型阱形成纵向PN结构二极管，如P型柱1和顶部的N型阱3形成从下往上纵向PN结构二极管，P型柱1和底部的N型阱4形成从上往下纵向PN结构二极管。
步骤九、在所述P型外延层1的正面的所述正面介质层7表面形成正面金属图形9，在所述P型外延层1的背面的所述背面介质层8表面形成背面金属图形10，通过所述正面金属图形9和所述背面金属图形10将各所述纵向PN结构二极管连接形成所述桥式二极管整流器的单元结构。具体为：
如图4I所示，采用光刻刻蚀工艺对所述正面介质层7进行刻蚀形成穿过正面介质层7的接触孔102a。如图4J所示，形成正面金属层9并图形化形成电极结构。正面金属也将接触孔102a填充形成具有电连接的接触孔102。其中接触孔注入区5也能在所述正面介质层7打开后在接触孔102a底部注入。
如图3所示，采用光刻刻蚀工艺对所述背面介质层8进行刻蚀形成穿过背面介质层8的接触孔。形成背面金属层10并图形化形成电极结构。背面金属也将背面的接触孔填充形成具有电连接的接触孔103。其中接触孔注入区6也能在所述背面介质层8打开后且背面金属填充前在背面的接触孔底部注入。
所述正面金属图形9形成有所述桥式二极管整流器的单元结构的两个正面电极、所述背面金属图形10形成有所述桥式二极管整流器的单元结构的两个背面电极。图4J中，一个所述正面电极连接一个背面形成有所述N型阱的所述P型柱1以及连接一个正面的所述N型阱3，另一个所述正面电极连接另一个背面形成有所述N型阱的所述P型柱以2及连接另一个正面的所述N型阱3；一个所述背面电极连接两个背面的所述N型阱4，另一个所述背面电极连接两个正面形成有所述N型阱3的所述P型柱1。
也能将图4J中的正面电极和反面电极对掉，这种情形图4J中没有示意出，具体为：一个所述背面电极连接一个正面形成有所述N型阱3的所述P型柱1以及连接一个背面的所述N型阱4，另一个所述背面电极连接另一个正面形成有所述N型阱3的所述P型柱1以及连接另一个背面的所述N型阱4；一个所述正面电极连接两个正面的所述N型阱3，另一个所述正面电极连接两个背面形成有所述N型阱4的所述P型柱1。
上面是以第一导电类型为P型、第二导电类型为N型的器件为例进行说明；将P型和N型互换本发明实施例方法也能得到结构的桥式二极管整流器，本说明书中不再详细描述。
以上通过具体实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (22)

1.一种桥式二极管整流器，其特征在于，包括：
第一导电类型外延层，在所述第一导电类型外延层中形成有多个深沟槽，在所述深沟槽中填充有隔离介质层，所述深沟槽穿过整个所述第一导电类型外延层的厚度并交替排列隔离出多个由所述第一导电类型外延层组成的第一导电类型柱；
桥式二极管整流器的单元结构包括四个所述第一导电类型柱，其中两个所述第一导电类型柱的正面形成有第二导电类型阱，另外两个所述第一导电类型柱的背面形成有第二导电类型阱，各所述第一导电类型柱分别和对应的第二导电类型阱形成纵向PN结构二极管，通过调节所述第一导电类型外延层的掺杂浓度和所述第一导电类型柱的厚度调节各所述纵向PN结构二极管的击穿电压；
在所述第一导电类型外延层的正面形成有正面金属图形，所述第一导电类型外延层的背面形成有背面金属图形，通过所述正面金属图形和所述背面金属图形将各所述纵向PN结构二极管连接形成所述桥式二极管整流器的单元结构。
2.如权利要求1所述的桥式二极管整流器，其特征在于：所述第一导电类型外延层的电阻率为5欧姆·厘米～10欧姆·厘，厚度为60微米～150微米。
3.如权利要求1所述的桥式二极管整流器，其特征在于：所述深沟槽的宽度为大于1微米。
4.如权利要求1所述的桥式二极管整流器，其特征在于：所述第一导电类型柱的正面或背面形成的第二导电类型阱的注入条件为：注入能量大于100kev，注入剂量为1E14cm-2～5E14cm-2。
5.如权利要求1所述的桥式二极管整流器，其特征在于：所述桥式二极管整流器的单元结构所对应的四个所述第一导电类型柱为四个相邻的所述第一导电类型柱。
6.如权利要求1或5所述的桥式二极管整流器，其特征在于：所述正面金属图形形成有所述桥式二极管整流器的单元结构的两个正面电极、所述背面金属图形形成有所述桥式二极管整流器的单元结构的两个背面电极。
7.如权利要求6所述的桥式二极管整流器，其特征在于：一个所述正面电极连接一个背面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱以及连接一个正面的所述第二导电类型阱，另一个所述正面电极连接另一个背面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱以及连接另一个正面的所述第二导电类型阱；一个所述背面电极连接两个背面的所述第二导电类型阱，另一个所述背面电极连接两个正面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱。
8.如权利要求6所述的桥式二极管整流器，其特征在于：一个所述背面电极连接一个正面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱以及连接一个背面的所述第二导电类型阱，另一个所述背面电极连接另一个正面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱以及连接另一个背面的所述第二导电类型阱；一个所述正面电极连接两个正面的所述第二导电类型阱，另一个所述正面电极连接两个背面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱。
9.如权利要求1所述的桥式二极管整流器，其特征在于：所述正面金属图形和所述背面金属图形分别通过接触孔和各所述纵向PN结构二极管形成连接，在各所述接触孔和各所述纵向PN结构二极管形成连接位置处形成有接触孔注入区，各所述接触孔注入区和对应的所述接触孔形成欧姆接触。
10.如权利要求9所述的桥式二极管整流器，其特征在于：所述接触孔注入区的注入能量小于80kev，注入剂量大于5E15cm-2；所述接触孔注入区的掺杂类型所接触的区域的掺杂类型相同，当所述接触接触孔注入区的掺杂类型为N型时注入杂质为砷，当所述接触接触孔注入区的掺杂类型为P型时注入杂质为二氟化硼。
11.如权利要求1所述的桥式二极管整流器，其特征在于：所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或者，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
12.一种桥式二极管整流器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、提供一基片，所述基片由第一导电类型外延层组成或者在所述基片正面形成有第一导电类型外延层；
步骤二、采用光刻刻蚀工艺对所述第一导电类型外延层进行刻蚀形成多个深沟槽；所述深沟槽交替排列隔离出多个由所述第一导电类型外延层组成的第一导电类型柱；桥式二极管整流器的单元结构包括四个所述第一导电类型柱；
步骤三、在所述深沟槽中填充隔离介质层；
步骤四、在所述第一导电类型外延层正面进行第二导电类型阱注入并在所述桥式二极管整流器的单元结构的二个所述第一导电类型柱的正面形成第二导电类型阱；
步骤五、形成正面介质层；
步骤六、对所述基片进行背面减薄，减薄所述深沟槽穿过减薄后的所述第一导电类型外延层；
步骤七、在所述第一导电类型外延层背面进行第二导电类型阱注入并在所述桥式二极管整流器的单元结构的另外二个未形成正面第二导电类型阱的所述第一导电类型柱的背面形成第二导电类型阱；
步骤八、形成背面介质层；采用退火工艺对所述第二导电类型阱进行推进；各所述第一导电类型柱分别和对应的第二导电类型阱形成纵向PN结构二极管，通过调节所述第一导电类型外延层的掺杂浓度和所述第一导电类型柱的厚度调节各所述纵向PN结构二极管的击穿电压；
步骤九、在所述第一导电类型外延层的正面的所述正面介质层表面形成正面金属图形，在所述第一导电类型外延层的背面的所述背面介质层表面形成背面金属图形，通过所述正面金属图形和所述背面金属图形将各所述纵向PN结构二极管连接形成所述桥式二极管整流器的单元结构。
13.如权利要求12所述的桥式二极管整流器的制造方法，其特征在于：所述第一导电类型外延层的电阻率为5欧姆·厘米～10欧姆·厘，减薄后的所述第一导电类型外延层的厚度为60微米～150微米。
14.如权利要求12所述的桥式二极管整流器的制造方法，其特征在于：所述深沟槽的宽度为大于1微米，所述深沟槽的深度大于等于减薄后的所述第一导电类型外延层的厚度。
15.如权利要求12所述的桥式二极管整流器的制造方法，其特征在于：步骤四和步骤七的所述第二导电类型阱注入的工艺条件相同且都为：注入能量大于100kev，注入剂量为1E14cm-2～5E14cm-2。
16.如权利要求12所述的桥式二极管整流器的制造方法，其特征在于：所述桥式二极管整流器的单元结构所对应的四个所述第一导电类型柱为四个相邻的所述第一导电类型柱。
17.如权利要求12或16所述的桥式二极管整流器的制造方法，其特征在于：所述正面金属图形形成有所述桥式二极管整流器的单元结构的两个正面电极、所述背面金属图形形成有所述桥式二极管整流器的单元结构的两个背面电极。
18.如权利要求17所述的桥式二极管整流器的制造方法，其特征在于：一个所述正面电极连接一个背面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱以及连接一个正面的所述第二导电类型阱，另一个所述正面电极连接另一个背面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱以及连接另一个正面的所述第二导电类型阱；一个所述背面电极连接两个背面的所述第二导电类型阱，另一个所述背面电极连接两个正面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱。
19.如权利要求17所述的桥式二极管整流器的制造方法，其特征在于：一个所述背面电极连接一个正面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱以及连接一个背面的所述第二导电类型阱，另一个所述背面电极连接另一个正面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱以及连接另一个背面的所述第二导电类型阱；一个所述正面电极连接两个正面的所述第二导电类型阱，另一个所述正面电极连接两个背面形成有所述第二导电类型阱的所述第一导电类型柱。
20.如权利要求12所述的桥式二极管整流器的制造方法，其特征在于：所述正面金属图形和所述背面金属图形分别通过接触孔和各所述纵向PN结构二极管形成连接，位于正面的所述接触孔穿过所述正面介质层，位于背面的所述接触孔穿过所述背面介质层；在各所述接触孔和各所述纵向PN结构二极管形成连接位置处形成有接触孔注入区，各所述接触孔注入区和对应的所述接触孔形成欧姆接触。
21.如权利要求20所述的桥式二极管整流器的制造方法，其特征在于：所述接触孔注入区的注入能量小于80kev，注入剂量大于5E15cm-2；所述接触孔注入区的掺杂类型所接触的区域的掺杂类型相同，当所述接触接触孔注入区的掺杂类型为N型时注入杂质为砷，当所述接触接触孔注入区的掺杂类型为P型时注入杂质为二氟化硼。
22.如权利要求12所述的桥式二极管整流器的制造方法，其特征在于：所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型；或者，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
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