CN104538327A - 一种修调方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种修调方法,包括步骤:通过技术判断,分析出测试单位是属于晶圆的中间区域,还是周边区域,从而使中间区域的修调目标值和周边区域的修调目标值能够分开。通过本发明,可以将周边区域测试单位的修调目标值和中间区域的修调目标值进行分别设定,这种设定真正考虑到了晶圆的周边和中心两个明显不同区域所具备的不同特征,将两个区域内部的每个参数修调的目标值各自统一了。另外,在将其写入到芯片中时,可以采用并行写入的方式,而非一个一个串行写入,大大缩短的测试时间。
Description
技术领域
本发明涉及大规模集成电路的测试领域,特别是涉及一种芯片的参数修调方法。
背景技术
现有大规模集成电路在进行测试时,经常出现某些芯片的参数需要修调,因为生产的原因,这些参数的本征值存在差别,需要修调到一定的范围内。为了达到这个目的,有的芯片的这个特性需要负的修调,而有的则需要正的修调,导致每个芯片的修调值发生不一致的情况。
但是大型逻辑测试仪器在测试芯片时,从生产的角度考虑,往往采用大规模的同时测试,这与上述修调的目的相矛盾,为了兼顾二者的平衡,需要找到一种更有效的办法,在保证大规模量产的同时提高修调的准确度。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种新型的修调方法。该方法是一种电参数相关的新型的修调方法,并能解决在电路中因修调参数的多样化而导致了测试时间的成倍增长问题,且该方法较为简练,缩短测试时间。
为解决上述技术问题,本发明的新型的修调方法,包括步骤:通过技术判断,分析出测试单位是属于晶圆的中间区域,还是周边区域,从而使中间区域的修调目标值和周边区域的修调目标值能够分开;
其中,针对晶圆的中间区域的修调目标值的设定方法,包括:
1)在每枚晶圆开始测试前,先在晶圆的中间区域内部选定2个以上的能够代表晶圆面内分布特征的位置,每个位置选择一个测试单位;
2)晶圆开始测试时,先移动探针卡到上述测试单位,对每个单位中的每个芯片上的每个需要修调的参数进行分析,然后将其取平均值,从而获得与该测试单位相对应的修调目标值;
3)所有测试单位的目标值获得之后,取其平均值;
4)将3)中获得的平均值作为该晶圆上中间区域内部所有测试单位内的所有芯片的修调目标值,同时写到芯片中,供芯片在后续的测试以及正常工作中使用;
针对晶圆的周边区域的修调目标值的设定方法,包括:
i)在每枚晶圆开始测试前,先在晶圆的周边域内部选定2个以上的能够代表晶圆面内分布特征的测试单位;
ii)晶圆开始测试时,先移动探针卡到上述测试单位,对每个单位中的每个芯片上的每个需要修调的参数进行分析,获得到其对应的修调目标值;
iii)所有测试单位的修调目标值获得之后,取其平均值;
iv)将上述iii)获得的平均值作为该晶圆上周边区域内部所有测试单位内的所有芯片的修调目标值,同时写到芯片中,供芯片在后续的测试以及正常工作中使用。
所述1)中,能够代表晶圆面内分布特征的位置包括:上、下、左、右、中间的位置。
所述1)中,测试单位可为探针卡上位一次所能扎到的芯片数作为一个测试单位。
所述2)、ii)中,需要修调的参数可以包括:芯片电路的基准电压、基准电流、基准频率以及以它们为参照而生成的参数(其他参数)等。
所述i)中,能够代表晶圆面内分布特征的测试单位可包括:以晶圆的圆心为平面直角坐标系的原点,把圆周的360度分成N等份,其中,N为2以上的整数,以每隔一定的度数即360/N(例如360/4=90度)度设定一个测试单位。另外,该测试单位还可包括:将圆心所在的位置也取样作为一个测试单位。
所述4)、iv)中,写到芯片中的方法可为并行写入的方式。
通过本发明,可以将周边区域测试单位的修调目标值和中间区域的修调目标值进行分别设定,这种设定真正考虑到了晶圆的周边和中心两个明显不同区域所具备的不同特征,将两个区域内部的每个参数修调的目标值各自统一了。另外,在将其写入到芯片中时,可以采用并行写入的方式,而非一个一个串行写入,大大缩短的测试时间。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:
图1是探针卡上位为一次能够扎到16个芯片时,该16个芯片为一个测试单位的示意图;
图2是测试前在晶圆中间和周边分别选择几个有代表性的测试单位进行目标值的分析和定义的示意图;
图3是中心区域的修调目标值为上限(upper limit)、下限(lower limit)后,每个芯片存在5个不同的参数需要进行修调的示意图;
图4是周边区域的修调目标值为上限(upper limit)、下限(lower limit)后,每个芯片存在5个不同的参数需要进行修调的示意图。
具体实施方式
本发明的修调方法,其步骤可如下:
通过技术判断,能够分析出待需要检测的测试单位是属于晶圆的中间区域,还是周边区域,从而使中间区域的修调目标值和周边区域的修调目标值能够分开;
其中,针对晶圆的中间区域的修调目标值的设定方法,可如下:
1)在每枚晶圆开始测试前,先在晶圆的中间区域内部选定2个以上的能够代表晶圆面内分布特征的位置(如上、下、左、右、中间这5个位置,如图2所示),每个位置选择一个测试单位;
其中,测试单位可为探针卡上位一次所能扎到的芯片数作为一个测试单位,如图1所示,探针卡上位为一次能够扎到16个芯片时,该16个芯片为一个测试单位。
2)晶圆开始测试时,先移动探针卡到上述测试单位(如上、下、左、右、中间这5个位置上的5个测试单位),对每个单位中的每个芯片上的每个需要修调的参数进行分析,然后将其取平均值,从而获得与该测试单位相对应的修调目标值(如图3所示);其中,该修调目标值由电路设计人员根据产品的特性需求来进行定义。
另外,步骤2)和以下的ii)中,需要修调的参数可以为芯片电路的基准电压、基准电流、基准频率以及以它们为参照而生成的其他参数等。
3)所有测试单位的目标值获得之后,取其平均值;
4)将3)中获得的平均值作为该晶圆上中间区域内部所有测试单位内的所有芯片的修调目标值,同时写到芯片中(如采用并行写入的方式),供芯片在后续的测试以及正常工作中使用;
针对晶圆的周边区域的修调目标值的设定方法,包括:
i)在每枚晶圆开始测试前,先在晶圆的周边域内部选定2个以上的能够代表晶圆面内分布特征的测试单位(如图2所示);
其中,能够代表晶圆面内分布特征的测试单位可按照以下的方法进行设定:
以晶圆的圆心为平面直角坐标系的原点,把圆周的360度分成N等份,其中,N为2以上的整数,以每隔360/N(例如360/4=90度)度设定一个测试单位。另外,圆心所在的位置也取样作为一个测试单位。
ii)晶圆开始测试时,先移动探针卡到上述测试单位,对每个单位中的每个芯片上的每个需要修调的参数进行分析,获得到其对应的修调目标值(如图4所示);
iii)所有测试单位的修调目标值获得之后,取其平均值;
iv)将上述iii)获得的平均值作为该晶圆上周边区域内部所有测试单位内的所有芯片的修调目标值,同时写到芯片中(如采用并行写入的方式),供芯片在后续的测试以及正常工作中使用。
通过上述方法,分别对中间和周边区域进行了操作,因而,通过本发明,能将周边和中间两个不同区域内的测试单位内部的每个参数修调的目标值分别进行了统一,并且在将其写入到芯片中时,可以采用并行写入的方式,而非一个一个串行写入,大大缩短的测试时间。
Claims (9)
1.一种修调方法,其特征在于,包括步骤:通过技术判断,分析出测试单位是属于晶圆的中间区域,还是周边区域,从而使中间区域的修调目标值和周边区域的修调目标值能够分开;
其中,针对晶圆的中间区域的修调目标值的设定方法,包括:
1)在每枚晶圆开始测试前,先在晶圆的中间区域内部选定2个以上的能够代表晶圆面内分布特征的位置,每个位置选择一个测试单位;
2)晶圆开始测试时,先移动探针卡到上述测试单位,对每个单位中的每个芯片上的每个需要修调的参数进行分析,然后将其取平均值,从而获得与该测试单位相对应的修调目标值;
3)所有测试单位的目标值获得之后,取其平均值;
4)将3)中获得的平均值作为该晶圆上中间区域内部所有测试单位内的所有芯片的修调目标值,同时写到芯片中,供芯片在后续的测试以及正常工作中使用;
针对晶圆的周边区域的修调目标值的设定方法,包括:
i)在每枚晶圆开始测试前,先在晶圆的周边域内部选定2个以上的能够代表晶圆面内分布特征的测试单位;
ii)晶圆开始测试时,先移动探针卡到上述测试单位,对每个单位中的每个芯片上的每个需要修调的参数进行分析,获得到其对应的修调目标值;
iii)所有测试单位的修调目标值获得之后,取其平均值;
iv)将上述iii)获得的平均值作为该晶圆上周边区域内部所有测试单位内的所有芯片的修调目标值,同时写到芯片中,供芯片在后续的测试以及正常工作中使用。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述1)中,能够代表晶圆面内分布特征的位置包括:上、下、左、右、中间的位置。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述1)中,测试单位为探针卡上位一次所能扎到的芯片数作为一个测试单位。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述2)、ii)中,需要修调的参数包括:芯片电路的基准电压、基准电流、基准频率以及以它们为参照而生成的参数。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述2)中,修调目标值由电路设计人员根据产品的特性需求来进行定义。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述i)中,能够代表晶圆面内分布特征的测试单位包括:以晶圆的圆心为平面直角坐标系的原点,把圆周的360度分成N等份,其中,N为2以上的整数,以每隔360/N度设定一个测试单位。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于:所述测试单位还包括:将圆心所在的位置也取样作为一个测试单位。
8.如权利要求6或7所述的方法,其特征在于:所述N为4。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述4)、iv)中,写到芯片中的方法可为并行写入的方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN201410842344.7A CN104538327B (zh) | 2014-12-29 | 2014-12-29 | 一种修调方法 |
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CN104538327B CN104538327B (zh) | 2017-08-08 |
Family
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CN201410842344.7A Active CN104538327B (zh) | 2014-12-29 | 2014-12-29 | 一种修调方法 |
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