CN104518014A - 绝缘栅双极晶体管及其制造方法 - Google Patents
绝缘栅双极晶体管及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104518014A CN104518014A CN201310450234.1A CN201310450234A CN104518014A CN 104518014 A CN104518014 A CN 104518014A CN 201310450234 A CN201310450234 A CN 201310450234A CN 104518014 A CN104518014 A CN 104518014A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gallium nitride
- nitride layer
- grid
- igbt
- gan layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 141
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 97
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 14
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical class [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 aluminium gallium nitride Chemical class 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
本发明提出一种绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）及其制造方法。绝缘栅双极晶体管包含：氮化镓(gallium nitride,GaN)基板，具有上表面；第一GaN层，具有第一导电型，形成于上表面上，且第一GaN层具有侧壁，垂直于上表面；第三GaN层，具有与第一导电型相反的第二导电型或纯质导电型，形成于第一GaN层上，且第三GaN层与GaN基板间，由第一GaN层隔开；栅极，形成于GaN基板上，且栅极具有侧板，于横向上，邻近或邻接于侧壁，以控制通道；以及第三GaN层，具有第一导电型，形成于上表面上，且第三GaN层与第一GaN层之间，由栅极隔开。
Description
技术领域
本发明涉及一种绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolartransistor,IGBT）及其制造方法；特别是指一种包含氮化镓(galliumnitride,GaN)基板的IGBT及其制造方法。
背景技术
图1显示一种现有IGBT100的剖视示意图。如图1所示，于一硅基板或碳化硅基板中形成IGBT100，其包含P型阳极11、N型区12、P型区13、N型阴极14、栅极15、与N型缓冲层16。IGBT100为一种垂直型的双扩散金属氧化物半导体(double diffusion metal oxidesemiconductor,DMOS)IGBT，其中，由栅极15、并以N型缓冲层16作为漏极(drain)、N型区12作为漂移区(drift region)、P型区13作为井区(well)、N型阴极14作为源极(source)而形成于一垂直型的DMOS元件。另一方面，由P型区13作为射极(emitter)、N型缓冲层16作为基极(base)、P型阳极11做为集极(collector)而形成一双极接面晶体管(bipolar junction transistor,BJT)。其中，当IGBT100操作时，由垂直型的DMOS元件控制，使BJT导通或不导通，以实现由DMOS元件快速切换高功率元件BJT的功能。
当IGBT100操作时，如图1所示，栅极15两边的N型阴极14与P型区13会形成寄生接面场效晶体管(junction field effect transistor,JFET)，N型阴极14与P型区13所形成的空乏区会使导通电流受限，限制了应用范围。
有鉴于此，本发明即针对上述现有技术的改善，提出一种IGBT及其制造方法，可提高操作的速度并降低导通阻值。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种绝缘栅双极晶体管及其制造方法，以提高绝缘栅双极晶体管操作的速度并降低导通阻值。
为达上述目的，就其中一观点言，本发明提供了一种绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）包含：一氮化镓(galliumnitride,GaN)基板，具有一上表面；一第一GaN层，具有第一导电型，形成于该上表面上，且该第一GaN层具有一侧壁，垂直于该上表面；一第二GaN层，具有第一导电型，形成于该上表面上；一第三GaN层，具有与第一导电型相反的第二导电型或纯质导电型，形成于该第一GaN层上，且该第三GaN层与该GaN基板间，由该第一GaN层隔开；以及一栅极，形成于该GaN基板上，且该栅极具有一侧板，于一横向上，邻近或邻接于该侧壁，以控制一通道；其中，该第二GaN层与该第一GaN层之间，由该栅极隔开。
为达上述目的，就另一观点言，本发明提供了一种绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）制造方法，包含：提供一氮化镓(gallium nitride,GaN)基板，具有一上表面；形成一第一GaN层于该上表面上，具有第一导电型，且该第一GaN层具有一侧壁，垂直于该上表面；形成一第二GaN层于该上表面上，具有第一导电型；形成一第三GaN层于该第一GaN层上，具有与第一导电型相反的第二导电型或纯质导电型，且该第三GaN层与该GaN基板间，由该第一GaN层隔开；以及形成一栅极于该GaN基板上，且该栅极具有一侧板，于一横向上，邻近或邻接于该侧壁，以控制一通道；其中，该第二GaN层与该第一GaN层之间，由该栅极隔开。
在其中一种较佳的实施型态中，该IGBT更包含一氮化铝镓(aluminum gallium nitride,AlGaN)阻障层，形成于该上表面上，并覆盖该侧壁，且该栅极与该GaN基板及该第一GaN层间，由该AlGaN阻障层隔开。
前述的实施例中，该GaN基板、该第一GaN层、该第三GaN层、该AlGaN层、与该栅极可形成一金属氧化物半导体场效晶体管(metaloxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)，且该第三GaN层、该第一GaN层、该第二GaN层与该GaN基板可形成一双极接面晶体管(bipolar junction transistor,BJT)，其中，该MOSFET与该BJT并联。
在其中一种较佳的实施型态中，该GaN基板、该第一GaN层、该第三GaN层与该栅极形成一接面场效晶体管(junction field effecttransistor,JFET)，且该第一GaN层、该第二GaN层与该GaN基板形成一双极接面晶体管(bipolar junction transistor,BJT)，其中，该JFET与该BJT并联。
附图说明
图1显示一种现有IGBT100的剖视示意图；
图2A-2E显示本发明的第一个实施例；
图3A-3D显示本发明的第二个实施例。
图中符号说明
11 P型阳极
12 N型区
13 P型区
14 N型阴极
15,24,34 栅极
16 N型缓冲层
21,31 GaN基板
22a,22b,32a,32b GaN层
25,26,27 导电层
38 二维电子云(2-D electron gas,2DEG)
39 AlGaN阻障层
100,200,300 IGBT
211,311 上表面
221,321 侧壁
241,341 侧板
具体实施方式
本发明中的图式均属示意，主要意在表示制程步骤以及各层之间的上下次序关系，至于形状、厚度与宽度则并未依照比例绘制。
图2A-2E显示本发明的第一个实施例。图2A-2E显示根据本发明的绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）200的制造流程剖视示意图。如图2A所示，首先，提供氮化镓(gallium nitride,GaN)基板21，具有上表面211。GaN基板21例如但不限于为N型或纯质导电型。接下来如图2B所示，于上表面上211上，形成GaN层22a与GaN层22b，例如但不限于为P型，且GaN层22a具有侧壁221垂直于上表面211。接下来如图2C所示，于GaN层22a上形成GaN层23，其例如但不限于为导电型与P型相反的N型或纯质导电型，且GaN层23与GaN基板21间，由GaN层22a隔开。接下来如图2D所示，于GaN基板21上形成栅极24，且栅极24具有侧板241(如图中虚框线所示意)，其于横向上(如图中实线箭号所示意)，邻接于侧壁221，以控制通道。接下来如图2E所示，形成导电层25、26、27，分别与GaN层22b、GaN层23、与GaN层22电连接，较佳地形成欧姆接触，以作为GaN层22b、GaN层23、与GaN层22的电性接点。其中，GaN基板21、GaN层22a、GaN层23与栅极24形成接面场效晶体管(junctionfield effect transistor,JFET)，且GaN层22a、GaN层22b与GaN基板21形成双极接面晶体管(bipolar junction transistor,BJT)，其中，JFET与BJT并联。需说明的是，前述侧板241所控制的通道是指当IGBT200中的JFET于导通操作时，所形成的主要电流路径。本实施例根据本发明，在JFET于导通操作时，会在前述通道中，形成二维电子云(2-Delectron gas,2DEG)(如图中虚线所示意)，其中的电流即为前述BJT的基极电流，用以控制BJT的射极-集极电流。BJT的基极电流与射极-集极电流为本领域技术人员所熟知，在此不予赘述。
本发明主要的概念在于，第一，不同于现有技术IGBT是垂直结构，本发明IGBT为横向结构。相较于垂直结构的IGBT，根据本发明，横向结构的IGBT可整合于其它半导体元件制程，例如但不限于为肖特基位障二极管(Schottky-barrier diode,SBD)或高电子迁移率晶体管(highelectron mobility transistor,HEMT)等元件的制程中。因此，可节省制造成本并降低产品的尺寸。第二。不同于现有技术IGBT所具有的硅基板或碳化硅基板，根据本发明的IGBT包括GaN基板，可大幅改善操作速度，使得根据本发明的IGBT相较于现有技术，可以更快速切换，而可适用于高频元件，增加IGBT的应用范围。
图3A-3D显示本发明的第二个实施例。本实施例旨在说明根据本发明，IGBT300相较于第一个实施例IGBT200，可更包含氮化铝镓(aluminum gallium nitride,AlGaN)阻障层39，形成于上表面311上，并覆盖侧壁321，且栅极34与GaN基板31及GaN层32a间，由AlGaN阻障层39隔开。图3A-3D显示根据本发明的IGBT300的制造流程剖视示意图。如图3A所示，首先，提供氮化镓(gallium nitride,GaN)基板31，具有上表面311。GaN基板31例如但不限于为N型或纯质导电型。接下来如图3B所示，于上表面上311上，形成GaN层32a与32b，例如但不限于为P型，且GaN层32a具有侧壁321垂直于上表面311。接下来如图3C所示，于GaN层32a上形成GaN层33，其例如但不限于为导电型与P型相反的N型或纯质导电型，且GaN层33与GaN基板31间，由GaN层32a隔开。接下来如图3D所示，于GaN基板31上形成AlGaN阻障层39与栅极34，且栅极34具有侧板341(如图中虚框线所示意)，其于横向上(如图中实线箭号所示意)，邻近于侧壁321，以控制通道。如图所示，在横向上，侧板341邻接AlGaN阻障层39，且AlGaN阻障层39邻接于GaN层32的侧壁321。其中，GaN基板31、GaN层32a、GaN层33、AlGaN阻障层39与栅极34形成金属氧化物半导体场效晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)，且GaN层32a、GaN层32b与GaN基板31形成BJT，其中，MOSFETFET与BJT并联。
需说明的是，前述侧板341所控制的通道是指当IGBT200中的MOSFET于导通操作时，所形成的主要电流路径。本实施例根据本发明，在MOSFET于导通操作时，会在前述通道中，形成二维电子云(2-Delectron gas,2DEG)38(如图中虚线所示意)，其中的电流即为前述BJT的基极电流，用以控制BJT的射极-集极电流。2DEG38可大幅改善操作速度，使得IGBT300相较于现有技术，可以更快速切换；此外，2DEG38亦可以降低导通阻值，使得IGBT300操作时有更佳的电子特性
以上已针对较佳实施例来说明本发明，只是以上所述，仅为使本领域技术人员易于了解本发明的内容，并非用来限定本发明的权利范围。在本发明的相同精神下，本领域技术人员可以思及各种等效变化。例如，本发明所称“侧壁221垂直于上表面211”，并不表示必须绝对无误差地恰好垂直，而应视为可容许有微幅的偏离；又如，在不影响元件主要的特性下，可加入其它制程步骤或结构，如深井区等。本发明的范围应涵盖上述及其它所有等效变化。
Claims (8)
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包含：
一氮化镓基板，具有一上表面；
一第一氮化镓层，具有第一导电型，形成于该上表面上，且该第一氮化镓层具有一侧壁，垂直于该上表面；
一第二氮化镓层，具有第一导电型，形成于该上表面上；
一第三氮化镓层，具有与第一导电型相反的第二导电型或纯质导电型，形成于该第一氮化镓层上，且该第三氮化镓层与该氮化镓基板间，由该第一氮化镓层隔开；以及
一栅极，形成于该氮化镓基板上，且该栅极具有一侧板，于一横向上，邻近或邻接于该侧壁，以控制一通道；
其中，该第二氮化镓层与该第一氮化镓层之间，由该栅极隔开。
2.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其中，还包含一氮化铝镓阻障层，形成于该上表面上，并覆盖该侧壁，且该栅极与该氮化镓基板及该第一氮化镓层间，由该氮化铝镓阻障层隔开。
3.如权利要求1所述的绝缘栅双极晶体管，其中，该氮化镓基板、该第一氮化镓层、该第三氮化镓层与该栅极形成一接面场效晶体管，且该第一氮化镓层、该第二氮化镓层与该氮化镓基板形成一双极接面晶体管，其中，该接面场效晶体管与该双极接面晶体管并联。
4.如权利要求2所述的绝缘栅双极晶体管，其中，该氮化镓基板、该第一氮化镓层、该第三氮化镓层、该氮化铝镓层、与该栅极形成一金属氧化物半导体场效晶体管，且该第一氮化镓层、该第二氮化镓层与该氮化镓基板形成一双极接面晶体管，其中，该金属氧化物半导体场效晶体管与该双极接面晶体管并联。
5.一种绝缘栅双极晶体管制造方法，其特征在于，包含：
提供一氮化镓基板，具有一上表面；
形成一第一氮化镓层于该上表面上，具有第一导电型，且该第一氮化镓层具有一侧壁，垂直于该上表面；
形成一第二氮化镓层于该上表面上，具有第一导电型；
形成一第三氮化镓层于该第一氮化镓层上，具有与第一导电型相反的第二导电型或纯质导电型，且该第三氮化镓层与该氮化镓基板间，由该第一氮化镓层隔开；以及
形成一栅极于该氮化镓基板上，且该栅极具有一侧板，于一横向上，邻近或邻接于该侧壁，以控制一通道；
其中，该第二氮化镓层与该第一氮化镓层之间，由该栅极隔开。
6.如权利要求5所述的绝缘栅双极晶体管制造方法，其中，还包含：形成一氮化铝镓阻障层于该上表面上，并覆盖该侧壁，且该栅极与该氮化镓基板及该第一氮化镓层间，由该氮化铝镓阻障层隔开。
7.如权利要求5所述的绝缘栅双极晶体管制造方法，其中，该氮化镓基板、该第一氮化镓层、该第三氮化镓层与该栅极形成一接面场效晶体管，且该第一氮化镓层、该第二氮化镓层与该氮化镓基板形成一双极接面晶体管，其中，该接面场效晶体管与该双极接面晶体管并联。
8.如权利要求6所述的绝缘栅双极晶体管制造方法，其中，该氮化镓基板、该第一氮化镓层、该第三氮化镓层、该氮化铝镓层、与该栅极形成一金属氧化物半导体场效晶体管，且该第一氮化镓层、该第二氮化镓层与该氮化镓基板形成一双极接面晶体管，其中，该金属氧化物半导体场效晶体管与该双极接面晶体管并联。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310450234.1A CN104518014A (zh) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | 绝缘栅双极晶体管及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201310450234.1A CN104518014A (zh) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | 绝缘栅双极晶体管及其制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104518014A true CN104518014A (zh) | 2015-04-15 |
Family
ID=52793041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310450234.1A Pending CN104518014A (zh) | 2013-09-27 | 2013-09-27 | 绝缘栅双极晶体管及其制造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104518014A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105374860A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-03-02 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 |
| TWI623967B (zh) * | 2017-08-25 | 2018-05-11 | 世界先進積體電路股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US10032938B1 (en) | 2017-10-03 | 2018-07-24 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Semiconductor devices and methods for manufacturing the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580101B2 (en) * | 2000-04-25 | 2003-06-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | GaN-based compound semiconductor device |
| US20090008675A1 (en) * | 2005-10-12 | 2009-01-08 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Soi trench lateral igbt |
| CN102064192A (zh) * | 2010-12-03 | 2011-05-18 | 电子科技大学 | 一种soi横向绝缘栅双极型晶体管器件 |
| CN102969354A (zh) * | 2011-09-01 | 2013-03-13 | 富士通株式会社 | 半导体器件 |
-
2013
- 2013-09-27 CN CN201310450234.1A patent/CN104518014A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580101B2 (en) * | 2000-04-25 | 2003-06-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | GaN-based compound semiconductor device |
| US20090008675A1 (en) * | 2005-10-12 | 2009-01-08 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | Soi trench lateral igbt |
| CN102064192A (zh) * | 2010-12-03 | 2011-05-18 | 电子科技大学 | 一种soi横向绝缘栅双极型晶体管器件 |
| CN102969354A (zh) * | 2011-09-01 | 2013-03-13 | 富士通株式会社 | 半导体器件 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105374860A (zh) * | 2015-12-08 | 2016-03-02 | 北京华进创威电子有限公司 | 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 |
| TWI623967B (zh) * | 2017-08-25 | 2018-05-11 | 世界先進積體電路股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
| US10032938B1 (en) | 2017-10-03 | 2018-07-24 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Semiconductor devices and methods for manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102130158B (zh) | 阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管 | |
| CN109920854B (zh) | Mosfet器件 | |
| CN103258847B (zh) | 一种双面场截止带埋层的rb-igbt器件 | |
| CN104538440B (zh) | 一种缓冲层荷电resurf hemt器件 | |
| TW201427001A (zh) | 階梯溝渠式金氧半場效電晶體及其製造方法 | |
| CN104347701B (zh) | 一种具有复合钝化层结构的场效应晶体管 | |
| CN104201201A (zh) | 一种用于GaN基HEMT器件的自适应偏置场板 | |
| CN107482059A (zh) | 一种GaN异质结纵向逆导场效应管 | |
| CN102201439A (zh) | 一种体内电导调制增强的沟槽型绝缘栅双极型晶体管 | |
| CN102856373B (zh) | 高电子迁移率晶体管 | |
| CN105097911A (zh) | 一种具有结型半导体层的hemt器件 | |
| Donkers et al. | 600V-900V GaN-on-Si process technology for Schottky barrier diodes and power switches fabricated in a standard Si-production fab | |
| CN104299999A (zh) | 一种具有复合栅介质层的氮化镓基异质结场效应晶体管 | |
| CN103872145A (zh) | 一种GaN异质结功率二极管 | |
| CN104393040A (zh) | 一种具有荷电介质的hemt器件 | |
| CN103730490A (zh) | 一种具有垂直导电沟道的半导体装置及其制备方法 | |
| CN103227199B (zh) | 半导体电子器件 | |
| CN104518014A (zh) | 绝缘栅双极晶体管及其制造方法 | |
| US9362381B2 (en) | Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate and manufacturing method thereof | |
| CN107393954B (zh) | 一种GaN异质结纵向场效应管 | |
| CN103745990B (zh) | 耗尽型AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法 | |
| CN104167444A (zh) | 一种具有局部帽层的氮化镓基异质结场效应晶体管 | |
| CN104241351A (zh) | 具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管 | |
| CN103779406A (zh) | 加源场板耗尽型绝缘栅AlGaN/GaN器件结构及其制作方法 | |
| CN103794643B (zh) | 一种基于槽栅高压器件及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150415 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |