CN104508756A - 闪烁器面板以及放射线检测器 - Google Patents

闪烁器面板以及放射线检测器 Download PDF

Info

Publication number
CN104508756A
CN104508756A CN201380038103.0A CN201380038103A CN104508756A CN 104508756 A CN104508756 A CN 104508756A CN 201380038103 A CN201380038103 A CN 201380038103A CN 104508756 A CN104508756 A CN 104508756A
Authority
CN
China
Prior art keywords
glass substrate
layer
scintillator
resin
organic resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380038103.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104508756B (zh
Inventor
上西秀典
式田宗功
楠山泰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Publication of CN104508756A publication Critical patent/CN104508756A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104508756B publication Critical patent/CN104508756B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20181—Stacked detectors, e.g. for measuring energy and positional information
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20185—Coupling means between the photodiode and the scintillator, e.g. optical couplings using adhesives with wavelength-shifting fibres
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20188—Auxiliary details, e.g. casings or cooling
    • G01T1/20189—Damping or insulation against damage, e.g. caused by heat or pressure
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
    • G01T1/2023—Selection of materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
    • H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • G21K2004/10—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens with a protective film
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)

Abstract

在本发明所涉及的闪烁器面板(2A)中，通过厚度为150μm以下的玻璃基板(11)成为支撑体从而就能够获得优异的放射线透过性以及可挠性，并且还能够缓和热膨胀系数的问题。另外，在该闪烁器面板(2A)中以覆盖玻璃基板(11)的一面(11a)侧和侧面(11c)侧的形式形成有机树脂层(12)。由此，玻璃基板被增强并且能够抑制边缘部分缺损或龟裂的发生。再有，除了能够防止来自玻璃基板(11)的侧面(11c)的杂散光之外，通过不将有机树脂层(12)形成于玻璃基板(11)的另一面(11b)侧，从而能够确保光到达玻璃基板(11)的另一面(11b)侧的透过性。

Description

闪烁器面板以及放射线检测器
技术领域
本发明涉及闪烁器面板以及放射线检测器。
背景技术
作为现有的闪烁器面板有例如专利文献1所记载的闪烁器面板。在现有的闪烁器面板的结构中，作为闪烁器层的支撑体是使用0.05mm的玻璃基板。另外，缓和来自框体外部的力的缓冲材料和刚性比闪烁器层更高的高刚性构件被配置于框体与闪烁器层之间。
另外，在专利文献2所记载的闪烁器面板中，以聚酰亚胺类树脂膜或者聚对二甲苯膜进行覆膜的石墨基板被作为支撑体来进行使用。再有，在专利文献3所记载的闪烁器面板中，由无定形碳构成的基板的整个面被聚对二甲苯膜等中间膜覆盖。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-58124号公报
专利文献2：国际公开WO2009/028275号册子
专利文献3：日本特开2007-279051号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
例如关于适用于被称作为薄膜晶体管(TFT)面板的固体检测器的闪烁器面板，要求能够满足相对于固体检测器的形状追随性的可挠性。另外，如果在TFT面板的热膨胀系数与闪烁器面板的基板的热膨胀系数之间存在着差异的话，则闪烁器面板的基板上的细微伤痕、或由在通过蒸镀来形成闪烁器层的情况下产生的异常生长部分而在与TFT面板之间产生的伤痕会由于工作时的热而相对于受光面发生移动，恐怕会产生校正的工夫变得繁杂的问题。
为了解决像这样的可挠性的问题或热膨胀系数的问题，例如可以考虑将厚度为150μm以下的极薄玻璃作为闪烁器面板的基板来使用。然而，在使用极薄玻璃的情况下，玻璃的端部(边缘部分)相对于冲击而会有发生发脆、缺损或龟裂的问题。
本发明为了解决上述技术问题而完成，其目的在于提供一种既能够防止玻璃基板发生缺损或龟裂又能够确保可挠性的闪烁器面板以及使用了该闪烁器面板的放射线检测器。
解决技术问题的手段
为了解决上述技术问题，本发明所涉及的闪烁器面板的特征在于，具备：具有放射线透过性的厚度为150μm以下的玻璃基板、以覆盖玻璃基板的一面侧和侧面侧的形式形成的有机树脂层、在形成有有机树脂层的玻璃基板的一面侧形成的闪烁器层、以覆盖形成有有机树脂层的玻璃基板和闪烁器层的形式形成的耐湿性的保护层。
在该闪烁器面板中，通过厚度为150μm以下的玻璃基板成为支撑体，从而就能够获得优异的放射线透过性以及可挠性，并且还能够缓和热膨胀系数的问题。另外，在该闪烁器面板中以覆盖玻璃基板的一面侧和侧面侧的形式形成有机树脂层。由此，玻璃基板被补强并且能够抑制边缘部分缺损或龟裂的发生。再有，除了能够防止来自玻璃基板的侧面的杂散光之外，通过不将有机树脂层形成于玻璃基板的另一面侧从而能够确保光到达玻璃基板的另一面侧的透过性。
另外，本发明所涉及的闪烁器面板的特征在于，具备：具有放射线透过性的厚度为150μm以下的玻璃基板、以覆盖玻璃基板的另一面侧和侧面侧的形式形成的有机树脂层、在形成有有机树脂层的玻璃基板的一面侧形成的闪烁器层、以覆盖形成有有机树脂层的玻璃基板和闪烁器层的形式形成的耐湿性的保护层。
在该闪烁器面板中，通过厚度为150μm以下的玻璃基板成为支撑体从而就能够获得优异的放射线透过性以及可挠性，并且还能够缓和热膨胀系数的问题。另外，在该闪烁器面板中以覆盖玻璃基板的另一面侧和侧面侧的形式形成有机树脂层。由此，玻璃基板被补强并且能够抑制边缘部分缺损或龟裂的发生。再有，除了能够防止来自玻璃基板的侧面的杂散光之外，通过有机树脂层处于玻璃基板的另一面侧从而能够消除闪烁器层的内部应力，并且能够抑制玻璃基板翘曲。
另外，在上述闪烁器面板中，有机树脂层可以选自硅树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂以及氟树脂。
另外，本发明所涉及的闪烁器面板的特征在于，具备：具有放射线透过性的厚度为150μm以下的玻璃基板、以覆盖玻璃基板的一面侧的形式贴附的树脂薄膜层、在贴附有树脂薄膜的玻璃基板的一面侧形成的闪烁器层、以覆盖贴附有树脂薄膜的玻璃基板和闪烁器层的形式形成的耐湿性的保护层。
在该闪烁器面板中，通过厚度为150μm以下的玻璃基板成为支撑体从而就能够获得优异的放射线透过性以及可挠性，并且还能够缓和热膨胀系数的问题。另外，在该闪烁器面板中以覆盖玻璃基板的一面侧的形式形成有树脂薄膜层。由此，玻璃基板被补强并且能够抑制边缘部分缺损或龟裂的发生。再有，通过树脂薄膜层被形成于玻璃基板的另一面侧从而能够确保到达玻璃基板的另一面侧的光的透过性。
另外，本发明所涉及的闪烁器面板的特征在于，具备：具有放射线透过性的厚度为150μm以下的玻璃基板、以覆盖玻璃基板的另一面侧的形式贴附的树脂薄膜层、在贴附有树脂薄膜被的玻璃基板的一面侧形成的闪烁器层、以覆盖贴附有树脂薄膜的玻璃基板和闪烁器层的形式形成的耐湿性的保护层。
在该闪烁器面板中，通过厚度为150μm以下的玻璃基板成为支撑体从而就能够获得优异的放射线透过性以及可挠性，并且还能够缓和热膨胀系数的问题。另外，在该闪烁器面板中以覆盖玻璃基板的另一面侧的形式形成有树脂薄膜层。由此，玻璃基板被补强并且能够抑制边缘部分缺损或龟裂的发生。再有，通过树脂薄膜层处于玻璃基板的另一面侧从而就能够消除闪烁器层的内部应力，并且能够抑制玻璃基板翘曲。
另外，本发明所涉及的闪烁器面板的特征在于，具备：具有放射线透过性的厚度为150μm以下的玻璃基板、以覆盖玻璃基板的一面侧以及另一面侧的形式贴附的树脂薄膜层、在贴附有树脂薄膜的玻璃基板的一面侧形成的闪烁器层、以覆盖贴附有树脂薄膜的玻璃基板和闪烁器层的形式形成的耐湿性的保护层。
在该闪烁器面板中，通过厚度为150μm以下的玻璃基板成为支撑体从而就能够获得优异的放射线透过性以及可挠性，并且还能够缓和热膨胀系数的问题。另外，在该闪烁器面板中以覆盖玻璃基板的一面侧以及另一面侧的形式形成有树脂薄膜层。由此，玻璃基板被补强并且能够进一步有效抑制边缘部分缺损或龟裂的发生。再有，通过树脂薄膜层被形成于玻璃基板的一面侧以及另一面侧从而能够抑制玻璃基板翘曲。
另外，在上述闪烁器面板中，树脂薄膜可以选自PET、PEN、COP以及PI。
另外，本发明所涉及的闪烁器面板的特征在于，具备：具有放射线透过性的厚度为150μm以下的玻璃基板、以覆盖玻璃基板的一面侧和侧面侧的形式形成的有机树脂层、以覆盖玻璃基板的另一面侧的形式贴附的树脂薄膜层、在形成有有机树脂层以及树脂薄膜层的玻璃基板的一面侧形成的闪烁器层、以覆盖形成有有机树脂层以及树脂薄膜层的玻璃基板和闪烁器层的形式形成的耐湿性的保护层。
在该闪烁器面板中，通过厚度为150μm以下的玻璃基板成为支撑体从而就能够获得优异的放射线透过性以及可挠性，并且还能够缓和热膨胀系数的问题。另外，在该闪烁器面板中以覆盖玻璃基板的一面侧和侧面侧的形式形成有机树脂层，并且以覆盖玻璃基板的另一面侧的形式形成有树脂薄膜层。由此，玻璃基板被补强并且能够抑制边缘部分缺损或龟裂的发生。再有，除了能够防止来自玻璃基板的侧面的杂散光之外，通过在表面整体至少形成有机树脂层以及树脂薄膜层中的任意一方，从而能够抑制玻璃基板翘曲。
另外，本发明所涉及的闪烁器面板的特征在于，具备：具有放射线透过性的厚度为150μm以下的玻璃基板、以覆盖玻璃基板的另一面侧和侧面侧的形式形成的有机树脂层、以覆盖玻璃基板的一面侧的形式贴附的树脂薄膜层、在形成有有机树脂层以及树脂薄膜层的玻璃基板的一面侧形成的闪烁器层、以覆盖形成有有机树脂层以及树脂薄膜层的玻璃基板和闪烁器层的形式形成的耐湿性的保护层。
在该闪烁器面板中，通过厚度为150μm以下的玻璃基板成为支撑体从而就能够获得优异的放射线透过性以及可挠性，并且还能够缓和热膨胀系数的问题。另外，在该闪烁器面板中以覆盖玻璃基板的另一面侧和侧面侧的形式形成有机树脂层，并且以覆盖玻璃基板的一面侧的形式形成有树脂薄膜层。由此，玻璃基板被补强并且能够抑制边缘部分缺损或龟裂的发生。再有，除了能够防止来自玻璃基板侧面的杂散光之外，通过在表面整体至少形成有机树脂层以及树脂薄膜层中的任意一方，从而能够抑制玻璃基板翘曲。
另外，在上述闪烁器面板中，有机树脂层可以选自硅树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂以及氟树脂，树脂薄膜可以选自于PET、PEN、COP以及PI。
另外，本发明所涉及的放射线检测器的特征在于，具备：以上所述的闪烁器面板、与形成有保护层的闪烁器层相对配置的受光元件。
在该放射线检测器中，通过厚度为150μm以下的玻璃基板成为支撑体从而就能够获得优异的放射线透过性以及可挠性，并且还能够缓和热膨胀系数的问题。另外，在该放射线检测器中，通过有机树脂层或者树脂薄膜层，玻璃基板能够被补强并且能够抑制边缘部分缺损或龟裂的发生。
发明效果
根据本发明，既能够防止玻璃基板发生缺损或龟裂又能够确保可挠性。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式所涉及的放射线检测器结构的截面图。
图2是表示本发明的第2实施方式所涉及的放射线检测器结构的截面图。
图3是表示本发明的第3实施方式所涉及的放射线检测器结构的截面图。
图4是表示本发明的第4实施方式所涉及的放射线检测器结构的截面图。
图5是表示本发明的第5实施方式所涉及的放射线检测器结构的截面图。
图6是表示本发明的第6实施方式所涉及的放射线检测器结构的截面图。
图7是表示本发明的第7实施方式所涉及的放射线检测器结构的截面图。
具体实施方式
以下是参照附图并就本发明所涉及的闪烁器面板以及放射线检测器的优选的实施方式进行详细说明。
[第1实施方式]
图1是表示本发明的第1实施方式所涉及的放射线检测器结构的截面图。如该图所示，放射线检测器1A通过将受光元件3固定于闪烁器面板2A来构成。受光元件3例如就是将光电二极管(PD)和薄膜晶体管(TFT)排列于玻璃基板上来进行构成的TFT面板。
受光元件3是以受光面3a相对于闪烁器面板2A中的后述的闪烁器层13进行相对的形式被贴附于闪烁器面板2A的一面侧。还有，作为受光元件3除了TFT面板之外还可以使用通过光学纤维面板(Fiberoptic plate)(FOP：将数微米的光纤做成束的光学装置，例如可以列举浜松光子学株式会社制的J5734)来连接CCD等图像传感器的光学器件。
闪烁器面板2A由以下构件构成：成为支撑体构成的玻璃基板11、保护玻璃基板11的有机树脂层12、将入射的放射线转换成可见光的闪烁器层13、保护闪烁器层13受湿气侵袭的耐湿性的保护层14。
玻璃基板11是一种例如厚度为150μm以下优选为100μm以下的极薄的基板。通过玻璃基板11的厚度变得极薄从就能够获得充分的放射线透过性以及可挠性，并且能够确保在对受光元件3的受光面3a实行贴附的时候的对闪烁器面板2A的追随性。
有机树脂层12是由例如硅类树脂、聚氨酯类树脂、环氧类树脂、氟类树脂等并以覆盖玻璃基板11的一面11a以及侧面11c的形式构成。作为有机树脂层12的形成方法例如可以列举由旋转涂布法等的涂布。有机树脂层12的厚度例如成为100μm左右。
闪烁器层13例如是通过由蒸镀法来使掺杂了Tl的CsI柱状结晶生长并沉积，从而被形成于形成有有机树脂层12的玻璃基板11的一面11a侧。闪烁器层13的厚度例如成为250μm。闪烁器层13吸湿性强，如果就这样露出，恐怕会由于空气中的湿气而发生潮解。因此，对闪烁器层13来说耐湿性的保护层14就成为了必要。
保护层14例如是以通过使用CVD法等气相沉积法来使聚对二甲苯等生长，从而覆盖形成有有机树脂层12的玻璃基板11和闪烁器层13的形式进行形成的。保护层14的厚度例如成为10μm左右。
在具有以上所述那样的结构的放射线检测器1A中，从玻璃基板11侧入射的放射线在闪烁器层13被转换成光，并被受光元件3检测出。在闪烁器面板2A上，通过厚度为150μm以下的玻璃基板11成为支撑体，从而就能够获得优异的放射线透过性以及可挠性。
通过玻璃基板11具有充分的可挠性，从而就能够满足在将闪烁器面板2A贴附于受光元件3的受光面3a的时候的对形状的追随性。另外，在作为受光元件3而使用TFT面板并且受光面3a为玻璃制的面板的情况下，能够使受光面3a的热膨胀系数与闪烁器面板2A的玻璃基板11的热膨胀系数相一致。为此，就能够防止玻璃基板11上的细微伤痕、或由在通过蒸镀来形成闪烁器层13的情况下产生的异常生长部分而在与TFT面板之间产生的伤痕由于工作时的热而相对于受光面3a发生移动，并且还能够避免校正的工夫变得繁杂。
另外，在该闪烁器面板2A中，有机树脂层12是以覆盖玻璃基板11的一面11a以及侧面11c的形式被形成的。由此，玻璃基板11被补强并且能够抑制边缘部分缺损或龟裂的发生。这还有助于提高制造时或使用时的操作性。再有，除了能够防止来自玻璃基板11的侧面11c的杂散光之外，通过不将有机树脂层12形成于玻璃基板11的另一面11b侧，从而能够确保光到达玻璃基板11的另一面11b侧的透过性，到达受光元件3侧的光的反射发生衰减，其结果能够维持分辨率。
另外，通过以覆盖玻璃基板11的一面11a以及侧面11c的形式形成有机树脂层12，从而能够以在形成闪烁器层13的时候成为适宜的表面能量以及表面粗糙度的形式调整玻璃基板11的表面状态。
[第2实施方式]
图2是表示本发明的第2实施方式所涉及的放射线检测器结构的截面图。如该图所示，第2实施方式所涉及的放射线检测器1B在以下所述方面与第1实施方式有所不同，即，在闪烁器面板2B上有机树脂层12是以不覆盖玻璃基板11的一面11a而覆盖另一面11b的形式进行形成的。
即使是在像这样的结构中也与上述实施方式相同地，因为玻璃基板11被有机树脂层12补强，所以能够抑制边缘部分缺损或龟裂的发生，并且能够防止来自玻璃基板11的侧面11c的杂散光。
另外，通过有机树脂层12处于玻璃基板11的另一面11b侧，从而就能够消除闪烁器层13的内部应力，并且抑制玻璃基板11的翘曲。玻璃基板11的翘曲的抑制效果在玻璃基板为10cm×10cm程度的小型基板的情况变得特别显著。
[第3实施方式]
图3是表示本发明的第3实施方式所涉及的放射线检测器结构的截面图。如该图所示，第3实施方式所涉及的放射线检测器1C在以下所述方面与第1实施方式有所不同，即，在闪烁器面板2C上，并非是有机树脂层12而是树脂薄膜层16覆盖玻璃基板11的一面11a的形式被贴附，并且侧面11c没有被有机树脂层12覆盖。
更加具体地来说树脂薄膜层16在玻璃基板11上通过使用层压等从而被贴附于形成有闪烁器层13的面(一面11a)侧。
作为树脂薄膜层16例如可以使用PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、COP(环烯烃聚合物)、PI(聚酰亚胺)等。另外，树脂薄膜层16的厚度例如成为100μm的程度。另外，优选树脂薄膜层16的边缘部与玻璃基板11的边缘部相一致，或者成为突仅出一点的程度。
即使是在像这样的结构中，因为玻璃基板11被树脂薄膜层16补强，所以与以上所述实施方式相同地，也能够抑制边缘部分缺损或龟裂的发生。另外，通过将树脂薄膜层16形成于玻璃基板11的另一面11b侧，从而与第1实施方式相同地，到达玻璃基板11的另一面11b侧的光的透过性被确保，到达受光元件3侧的光的反射发生衰减，其结果，能够维持分辨率。
另外，通过以覆盖玻璃基板11的一面11a的形式形成树脂薄膜层16，从而能够以在形成闪烁器层13的时候成为适宜的表面能量以及表面粗糙度的形式调整玻璃基板11的表面状态。
[第4实施方式]
图4是表示本发明的第4实施方式所涉及的放射线检测器结构的截面图。如该图所示，第4实施方式所涉及的放射线检测器1D在以下所述方面与第3实施方式有所不同，即，在闪烁器面板2D上，树脂薄膜层16是以不覆盖玻璃基板11的一面11a而覆盖另一面11b的形式被贴附。
即使是在像这样的结构中，因为玻璃基板11被树脂薄膜层16补强，所以与以上所述实施方式相同地，也能够抑制边缘部分缺损或龟裂的发生。另外，通过树脂薄膜层16处于玻璃基板11的另一面11b侧，从而与第2实施方式相同能够消除闪烁器层13的内部应力并且能够抑制玻璃基板11的翘曲。
[第5实施方式]
图5是表示本发明的第5实施方式所涉及的放射线检测器结构的截面图。如该图所示，第5实施方式所涉及的放射线检测器1E在以下所述方面与第3和第4实施方式有所不同，即，在闪烁器面板2E上树脂薄膜层16是以覆盖玻璃基板11的两面的形式被贴附。
即使是在像这样的结构中，因为玻璃基板11的一面11a以及另一面11b的两面被树脂薄膜层16增强，所以也能够更加有效地抑制边缘部分缺损或龟裂的发生。另外，通过将相同材质的树脂层形成于玻璃基板11的一面11a侧以及另一面11b侧的两面，从而能够抑制玻璃基板11的翘曲。
另外，通过以覆盖玻璃基板11的一面11a以及另一面11b的形式形成树脂薄膜层16，从而能够以在形成闪烁器层13的时候成为适宜的表面能量以及表面粗糙度的形式调整玻璃基板11的表面状态。
[第6实施方式]
图6是表示本发明的第6实施方式所涉及的放射线检测器结构的截面图。如该图所示，第6实施方式所涉及的放射线检测器1F在以下所述方面与第1实施方式有所不同，即，在闪烁器面板2F上追加了树脂薄膜层16。更加具体地来说在以有机树脂层12覆盖一面11a侧以及侧面11c侧的形式进行形成的玻璃基板11上，以进一步覆盖另一面11b侧的形式贴附树脂薄膜层16。
在如此结构中因为玻璃基板11的整个面被有机树脂层12以及树脂薄膜层16补强，所以能够更加有效地抑制边缘部分缺损或龟裂的发生。另外，与第1实施方式相同通过以覆盖玻璃基板11的侧面11c的形式形成有机树脂层12，从而就能够防止来自玻璃基板11的侧面11c的杂散光。另外，通过将树脂层分别形成于玻璃基板11的一面11a侧以及另一面11b侧，从而变得能够抑制玻璃基板11的翘曲。
另外，通过以覆盖玻璃基板11的整个面的形式形成有机树脂层12以及树脂薄膜层16，从而能够以在形成闪烁器层13的时候成为适宜的表面能量以及表面粗糙度的形式调整玻璃基板11的表面状态。
[第7实施方式]
图7是表示本发明的第7实施方式所涉及的放射线检测器结构的截面图。如该图所示，第7实施方式所涉及的放射线检测器1G在以下所述方面与第2实施方式有所不同，即，在闪烁器面板2G上追加了树脂薄膜层16。更加具体地来说在以有机树脂层12覆盖另一面11b侧以及侧面11c侧的形式进行形成的玻璃基板11上，进一步以覆盖一面11a侧的形式贴附树脂薄膜层16。
在如此结构中因为玻璃基板11的整个面被有机树脂层12以及树脂薄膜层16增强，所以与第6实施方式相同能够更加有效地抑制边缘部分缺损或龟裂的发生。另外，与第6实施方式相同地，通过以覆盖玻璃基板11的侧面11c的形式形成有机树脂层12，从而就能够防止来自玻璃基板11的侧面11c的杂散光，通过将树脂层分别形成于玻璃基板11的一面11a侧以及另一面11b侧，从而变得能够抑制玻璃基板11的翘曲。
另外，通过以覆盖玻璃基板11的整个面的形式形成有机树脂层12以及树脂薄膜层16，从而能够以在形成闪烁器层13的时候成为适宜的表面能量以及表面粗糙度的形式调整玻璃基板11的表面状态。
符号说明
1A～1G. 放射线检测器
2A～2G. 闪烁器面板
3. 受光元件
11. 玻璃基板
11a. 一面
11b. 另一面
11c. 侧面
12. 有机树脂层
13. 闪烁器层
14. 保护层
16. 树脂薄膜层

Claims (11)

1.一种闪烁器面板，其特征在于：
具备：
具有放射线透过性的厚度为150μm以下的玻璃基板；
以覆盖所述玻璃基板的一面侧和侧面侧的形式形成的有机树脂层；
在形成有所述有机树脂层的所述玻璃基板的所述一面侧形成的闪烁器层；以及
以覆盖形成有所述有机树脂层的所述玻璃基板和所述闪烁器层的形式形成的耐湿性的保护层。
2.一种闪烁器面板，其特征在于：
具备：
具有放射线透过性的厚度为150μm以下的玻璃基板；
以覆盖所述玻璃基板的另一面侧和侧面侧的形式形成的有机树脂层；
在形成有所述有机树脂层的所述玻璃基板的一面侧形成的闪烁器层；以及
以覆盖形成有所述有机树脂层的所述玻璃基板和所述闪烁器层的形式形成的耐湿性的保护层。
3.如权利要求1或者2所述的闪烁器面板，其特征在于：
所述有机树脂层选自硅树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂以及氟树脂。
4.一种闪烁器面板，其特征在于：
具备：
具有放射线透过性的厚度为150μm以下的玻璃基板；
以覆盖所述玻璃基板的一面侧的形式贴附的树脂薄膜层；
在贴附有所述树脂薄膜的所述玻璃基板的所述一面侧形成的闪烁器层；以及
以覆盖贴附有所述树脂薄膜的所述玻璃基板和所述闪烁器层的形式形成的耐湿性的保护层。
5.一种闪烁器面板，其特征在于：
具备：
具有放射线透过性的厚度为150μm以下的玻璃基板；
以覆盖所述玻璃基板的另一面侧的形式贴附的树脂薄膜层；
在贴附有所述树脂薄膜的所述玻璃基板的一面侧形成的闪烁器层；以及
以覆盖贴附有所述树脂薄膜的所述玻璃基板和所述闪烁器层的形式形成的耐湿性的保护层。
6.一种闪烁器面板，其特征在于：
具备：
具有放射线透过性的厚度为150μm以下的玻璃基板；
以覆盖所述玻璃基板的一面侧以及另一面侧的形式贴附的树脂薄膜层；
在贴附有所述树脂薄膜的所述玻璃基板的所述一面侧形成的闪烁器层；以及
以覆盖贴附有所述树脂薄膜的所述玻璃基板和所述闪烁器层的形式形成的耐湿性的保护层。
7.如权利要求4～6中任意一项所述的闪烁器面板，其特征在于：
所述树脂薄膜选自PET、PEN、COP以及PI。
8.一种闪烁器面板，其特征在于：
具备：
具有放射线透过性的厚度为150μm以下的玻璃基板；
以覆盖所述玻璃基板的一面侧和侧面侧的形式形成的有机树脂层；
以覆盖所述玻璃基板的另一面侧的形式贴附的树脂薄膜层；
在形成有所述有机树脂层以及所述树脂薄膜层的所述玻璃基板的所述一面侧形成的闪烁器层；以及
以覆盖形成有所述有机树脂层以及所述树脂薄膜层的所述玻璃基板和所述闪烁器层的形式形成的耐湿性的保护层。
9.一种闪烁器面板，其特征在于：
具备：
具有放射线透过性的厚度为150μm以下的玻璃基板；
以覆盖所述玻璃基板的另一面侧和侧面侧的形式形成的有机树脂层；
以覆盖所述玻璃基板的一面侧的形式贴附的树脂薄膜层；
在形成有所述有机树脂层以及所述树脂薄膜层的所述玻璃基板的所述一面侧形成的闪烁器层；以及
以覆盖形成有所述有机树脂层以及所述树脂薄膜层的所述玻璃基板和所述闪烁器层的形式形成的耐湿性的保护层。
10.如权利要求8或者9所述的闪烁器面板，其特征在于：
所述有机树脂层选自硅树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂以及氟树脂，所述树脂薄膜选自PET、PEN、COP以及PI。
11.一种放射线检测器，其特征在于：
具备：
权利要求1～10中任意一项所述的闪烁器面板；以及
与形成有所述保护层的所述闪烁器层相对配置的受光元件。
CN201380038103.0A 2012-07-20 2013-04-18 闪烁器面板以及放射线检测器 Active CN104508756B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012161787A JP5922519B2 (ja) 2012-07-20 2012-07-20 シンチレータパネル及び放射線検出器
JP2012-161787 2012-07-20
PCT/JP2013/061514 WO2014013772A1 (ja) 2012-07-20 2013-04-18 シンチレータパネル及び放射線検出器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104508756A true CN104508756A (zh) 2015-04-08
CN104508756B CN104508756B (zh) 2017-02-22

Family

ID=49948609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380038103.0A Active CN104508756B (zh) 2012-07-20 2013-04-18 闪烁器面板以及放射线检测器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9513381B2 (zh)
EP (1) EP2876646B1 (zh)
JP (1) JP5922519B2 (zh)
KR (1) KR20150032937A (zh)
CN (1) CN104508756B (zh)
WO (1) WO2014013772A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108352208A (zh) * 2015-11-05 2018-07-31 浜松光子学株式会社 放射线图像变换面板、放射线图像变换面板的制造方法、放射线图像传感器及放射线图像传感器的制造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5940887B2 (ja) * 2012-05-18 2016-06-29 浜松ホトニクス株式会社 固体撮像装置
US9581701B2 (en) * 2014-12-16 2017-02-28 Carestream Health, Inc. Impact protection for wireless digital detector glass panel
US9939295B2 (en) 2014-12-16 2018-04-10 Carestream Health, Inc. Impact protection for wireless digital detector glass panel
KR102432252B1 (ko) 2017-06-13 2022-08-16 삼성전자주식회사 엑스선 검출기, 이를 포함한 엑스선 촬영 장치 및 그 제조 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005114680A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法
US20060038132A1 (en) * 2004-08-19 2006-02-23 Shinsuke Hayashida Cassette type radiographic apparatus
US20060038131A9 (en) * 1998-06-18 2006-02-23 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and radiation image sensor
CN101542635A (zh) * 2007-03-27 2009-09-23 株式会社东芝 闪烁器板和射线检测器
US7618511B2 (en) * 2003-03-07 2009-11-17 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and method of manufacturing radiation image sensor

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3855035A (en) * 1972-06-22 1974-12-17 Varian Associates Image intensifier plate and method and compositions for manufacturing same
JP4057316B2 (ja) * 2002-03-07 2008-03-05 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネルおよびその製造方法
JP4099206B2 (ja) 2001-01-30 2008-06-11 浜松ホトニクス株式会社 シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ
EP1523014A3 (en) * 2003-10-10 2008-02-13 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Radiographic image conversion panel and method for manufacturing the radiographic image conversion panel
JPWO2008026453A1 (ja) * 2006-08-30 2010-01-21 コニカミノルタエムジー株式会社 シンチレータプレート、その製造方法及び放射線イメージセンサ
WO2009028275A1 (ja) 2007-08-28 2009-03-05 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. シンチレータパネル
JP2011128085A (ja) * 2009-12-18 2011-06-30 Canon Inc 放射線撮像装置、放射線撮像システム及び放射線撮像装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060038131A9 (en) * 1998-06-18 2006-02-23 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and radiation image sensor
US7618511B2 (en) * 2003-03-07 2009-11-17 Hamamatsu Photonics K.K. Scintillator panel and method of manufacturing radiation image sensor
JP2005114680A (ja) * 2003-10-10 2005-04-28 Konica Minolta Medical & Graphic Inc 放射線画像変換パネル及び放射線画像変換パネルの製造方法
US20060038132A1 (en) * 2004-08-19 2006-02-23 Shinsuke Hayashida Cassette type radiographic apparatus
CN101542635A (zh) * 2007-03-27 2009-09-23 株式会社东芝 闪烁器板和射线检测器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108352208A (zh) * 2015-11-05 2018-07-31 浜松光子学株式会社 放射线图像变换面板、放射线图像变换面板的制造方法、放射线图像传感器及放射线图像传感器的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2876646A1 (en) 2015-05-27
EP2876646A4 (en) 2016-05-18
EP2876646B1 (en) 2018-03-14
CN104508756B (zh) 2017-02-22
JP5922519B2 (ja) 2016-05-24
US9513381B2 (en) 2016-12-06
KR20150032937A (ko) 2015-03-31
WO2014013772A1 (ja) 2014-01-23
US20150168568A1 (en) 2015-06-18
JP2014021005A (ja) 2014-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104508756A (zh) 闪烁器面板以及放射线检测器
CN104488038B (zh) 闪烁器面板及放射线检测器
US9158010B2 (en) Radiation detector
KR20090010216A (ko) 신틸레이터 패널과 방사선 검출기
TWI256482B (en) Radiation detecting device and method of manufacturing the same
KR20120014175A (ko) 투명 배리어 라미네이트
CN104488039A (zh) 闪烁器面板以及放射线检测器
US20170301873A1 (en) Flexible conductive fabric substrate and method for manufacturing same
US20140329048A1 (en) Composite sheet and display apparatus including the same
KR100921960B1 (ko) 디스플레이용 플라스틱 기판 및 그 제조 방법
US10036814B2 (en) X-ray detector with directly applied scintillator
JP2008082852A (ja) 放射線検出装置
KR20230024441A (ko) 신틸레이터 패널 및 방사선 검출기
RU174187U1 (ru) Составное фотосчитывающее устройство с композитными дистанционерами для рентгеночувствительных панелей
JP2012013572A (ja) 放射線検出器の製造方法及び放射線画像撮影装置
KR20220082822A (ko) 신틸레이터 패널, 방사선 검출기, 신틸레이터 패널의 제조 방법 및 방사선 검출기의 제조 방법
KR20210128489A (ko) 신틸레이터 모듈, 신틸레이터 센서 유닛 및 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant