KR20230024441A - 신틸레이터 패널 및 방사선 검출기 - Google Patents
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Abstract
신틸레이터 패널(1)은 기판(2)과, 기판(2) 상에 형성되고, 유기 재료로 이루어진 수지 보호층(5)과, 수지 보호층(5) 상에 형성되고, 요오드화 탈륨을 주성분으로서 포함하는 배리어층(3)과, 배리어층(3) 상에 형성되고, 탈륨이 첨가된 요오드화 세슘을 주성분으로서 포함하는 신틸레이터층(4)을 구비한다. 이 신틸레이터 패널(1)에 의하면, 배리어층(3)을 가지므로, 내습성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 신틸레이터 패널 및 방사선 검출기에 관한 것이다.
해당 분야의 기술로서 특허문헌 1~3이 알려져 있다.
특허문헌 1은 신틸레이터 패널을 개시한다. 신틸레이터 패널은 수지 기판과 형광체층의 사이에 마련된 금속막을 가진다.
특허문헌 2는 신틸레이터 패널을 구비하는 방사선 검출 장치를 개시한다. 신틸레이터 패널은 요오드화 세슘을 주성분으로 하는 신틸레이터층을 가진다. 신틸레이터층에는, 탈륨이 도프되어 있다. 신틸레이터층에 있어서의 탈륨의 농도는, 기판과의 계면 부근에 있어서 크다. 탈륨의 농도 분포에 의하면, 광 출력이 향상된다.
특허문헌 3은 형광체층을 구비하는 방사선 검출기를 개시한다. 방사선 검출기는 요오드화 세슘을 주성분으로 하는 신틸레이터층을 가진다. 신틸레이터층에는, 탈륨이 도프되어 있다. 신틸레이터층에 있어서의 탈륨의 농도는, 기판측이 크다. 탈륨의 농도 분포에 의하면, 센서 기판과 형광체층의 밀착성이 향상된다.
신틸레이터층을 성장시키는 성장 기판은, 수분을 투과시키는 투습성을 가지는 것이 있다. 성장 기판을 투과한 수분은, 신틸레이터층의 근원부(根元部)에 도달한다. 요오드화 세슘에 의해 형성된 신틸레이터층은, 조해성(潮解性)을 가지는 것이 알려져 있다. 성장 기판으로부터 공급된 수분에 의해서, 신틸레이터층의 근원부에 조해가 발생한다. 그 결과, 신틸레이터 패널의 특성이 저하된다. 따라서, 해당 분야에 있어서는, 요오드화 세슘에 의해 형성된 신틸레이터층을 가지는 신틸레이터 패널의 내습성의 향상이 요망되고 있다.
예를 들면, 특허문헌 1의 신틸레이터 패널은, 기판과 형광체층의 사이에 마련된 금속막을 가진다. 금속막은 수지 기판으로부터 형광체층으로의 수분의 이동을 저해한다.
본 발명은 내습성을 향상시킬 수 있는 신틸레이터 패널 및 방사선 검출기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 형태인 신틸레이터 패널은, 기판과, 기판 상에 형성되고, 유기 재료로 이루어진 중간층과, 중간층 상에 형성되고, 요오드화 탈륨을 주성분으로서 포함하는 배리어층과, 배리어층 상에 형성되고, 탈륨이 첨가된 요오드화 세슘을 주성분으로서 포함하는 복수의 주상(柱狀) 결정에 의해 구성되는 신틸레이터층을 구비한다.
신틸레이터 패널의 신틸레이터층은, 중간층과 배리어층을 개재하여 기판 상에 형성된다. 배리어층은 요오드화 탈륨을 주성분으로서 포함한다. 배리어층은 수분을 투과시키기 어려운 성질을 가진다. 그 결과, 유기 재료로 이루어진 중간층으로부터 신틸레이터층으로 이동하려고 하는 수분을, 배리어층에 의해서 저지하는 것이 가능하게 된다. 즉, 신틸레이터층의 근원부에 있어서의 조해가 억제되므로, 더 나아가서는 신틸레이터 패널의 특성의 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 신틸레이터 패널의 내습성을 향상시킬 수 있다.
상기의 신틸레이터 패널에 있어서, 기판은, 금속 재료, 탄소 재료, 유리 재료 및 수지 재료 중 어느 하나를 주성분으로서 포함해도 된다. 이 구성에 의하면, 기판에 대해서 재료 특성에 기초하는 특성을 부여할 수 있다.
상기의 신틸레이터 패널에 있어서, 유기 재료는, 크실릴렌계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 폴리이미드 또는 폴리에스테르계 수지 중 어느 하나를 포함해도 된다. 이 구성에 의하면, 중간층에 대해서 재료 특성에 기초하는 특성을 부여할 수 있다.
본 발명의 다른 형태인 방사선 검출기는, 기판과, 기판 상에 형성되고, 유기 재료로 이루어진 중간층과, 중간층 상에 형성되고, 요오드화 탈륨을 주성분으로서 포함하는 배리어층과, 배리어층 상에 형성되고, 탈륨이 첨가된 요오드화 세슘을 주성분으로서 포함하는 복수의 주상 결정에 의해 구성되는 신틸레이터층을 가지는 신틸레이터 패널과, 신틸레이터 패널에 있어서 발생한 광을 받는 광전 변환 소자가 마련된 광 검출면을 포함하는 센서 기판을 구비하고, 센서 기판의 광 검출면은, 신틸레이터층과 대면한다.
방사선 검출기는 신틸레이터 패널에 입사한 방사선에 의해서 광이 생성되고, 광은 광 검출면에 마련된 광전 변환 소자에 의해서 검출된다. 방사선 검출기는, 기판과 신틸레이터층의 사이에, 유기 재료로 이루어진 중간층과, 요오드화 탈륨을 주성분으로서 포함하는 배리어층을 가진다. 배리어층에 의하면, 중간층으로부터 신틸레이터층으로의 수분의 이동을 저지하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 신틸레이터층의 근원부에 있어서의 조해가 억제되므로, 신틸레이터 패널의 특성의 저하를 억제하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 방사선 검출기는 방사선의 검출 특성의 저하가 억제된다. 따라서, 방사선 검출기는 내습성을 향상시킬 수 있다.
상기의 방사선 검출기에 있어서, 기판은, 금속 재료, 탄소 재료, 유리 재료 및 수지 재료 중 어느 하나를 주성분으로서 포함해도 된다. 이 구성에 의하면, 기판에 대해서 재료 특성에 기초하는 특성을 부여할 수 있다.
상기의 방사선 검출기에 있어서, 유기 재료는, 크실릴렌계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 폴리이미드 및 폴리에스테르계 수지 중 어느 하나를 포함해도 된다. 이 구성에 의하면, 중간층에 대해서 재료 특성에 기초하는 특성을 부여할 수 있다.
본 발명의 또 다른 형태인 방사선 검출기는, 기판과, 기판 상에 형성되고, 유기 재료로 이루어진 중간층과, 중간층 상에 형성되고, 요오드화 탈륨을 주성분으로서 포함하는 배리어층과, 배리어층 상에 형성되고, 탈륨이 첨가된 요오드화 세슘을 주성분으로서 포함하는 복수의 주상 결정에 의해 구성되는 신틸레이터층을 구비하고, 기판은 신틸레이터층에 있어서 발생한 광을 받는 광전 변환 소자가 마련된 광 검출면을 가진다.
방사선 검출기에서는, 신틸레이터 패널에 입사한 방사선에 의해서 광이 생성된다. 광은 광 검출면에 마련된 광전 변환 소자에 의해서 검출된다. 방사선 검출기는, 기판과 신틸레이터층의 사이에, 유기 재료로 이루어진 중간층과, 요오드화 탈륨을 주성분으로서 포함하는 배리어층을 가진다. 배리어층에 의하면, 중간층으로부터 신틸레이터층으로의 수분의 이동을 저지하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 신틸레이터층의 근원부에 있어서의 조해가 억제되므로, 신틸레이터 패널의 특성의 저하를 억제하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 방사선 검출기는 방사선의 검출 특성의 저하가 억제된다. 따라서, 방사선 검출기는 내습성을 향상시킬 수 있다.
상기의 방사선 검출기에 있어서, 기판은, 금속 재료, 탄소 재료 및 유리 재료 중 어느 하나를 주성분으로서 포함해도 된다. 이 구성에 의하면, 기판에 대해서 재료 특성에 기초하는 특성을 부여할 수 있다.
상기의 방사선 검출기에 있어서, 유기 재료는, 크실릴렌계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 폴리이미드, 폴리에스테르계 수지, 실록산 수지 및 에폭시 수지 중 어느 하나를 포함해도 된다. 이 구성에 의하면, 중간층에 대해서 재료 특성에 기초하는 특성을 부여할 수 있다.
본 발명에 의하면, 내습성을 향상시킬 수 있는 신틸레이터 패널 및 방사선 검출기가 제공된다.
도 1은 제1 실시 형태에 따른 신틸레이터 패널을 나타내는 단면도이다.
도 2는 제2 실시 형태에 따른 방사선 검출기를 나타내는 단면도이다.
도 3의 (a)부분은 변형예 1에 따른 신틸레이터 패널을 나타내는 단면도이고, 도 3의 (b)부분은 변형예 2에 따른 신틸레이터 패널을 나타내는 단면도이다.
도 4의 (a)부분은 변형예 3에 따른 신틸레이터 패널을 나타내는 단면도이고, 도 4의 (b)부분은 변형예 4에 따른 방사선 검출기를 나타내는 단면도이다.
도 5의 (a)부분은 변형예 5에 따른 방사선 검출기를 나타내는 단면도이고, 도 5의 (b)부분은 변형예 6에 따른 방사선 검출기를 나타내는 단면도이다.
도 6의 (a)부분은 변형예 7에 따른 방사선 검출기를 나타내는 단면도이고, 도 6의 (b)부분은 변형예 8에 따른 방사선 검출기를 나타내는 단면도이다.
도 7의 (a)부분은 변형예 9에 따른 방사선 검출기를 나타내는 단면도이고, 도 7의 (b)부분은 변형예 10에 따른 방사선 검출기를 나타내는 단면도이다.
도 8은 실험예의 결과를 나타내는 그래프이다.
도 2는 제2 실시 형태에 따른 방사선 검출기를 나타내는 단면도이다.
도 3의 (a)부분은 변형예 1에 따른 신틸레이터 패널을 나타내는 단면도이고, 도 3의 (b)부분은 변형예 2에 따른 신틸레이터 패널을 나타내는 단면도이다.
도 4의 (a)부분은 변형예 3에 따른 신틸레이터 패널을 나타내는 단면도이고, 도 4의 (b)부분은 변형예 4에 따른 방사선 검출기를 나타내는 단면도이다.
도 5의 (a)부분은 변형예 5에 따른 방사선 검출기를 나타내는 단면도이고, 도 5의 (b)부분은 변형예 6에 따른 방사선 검출기를 나타내는 단면도이다.
도 6의 (a)부분은 변형예 7에 따른 방사선 검출기를 나타내는 단면도이고, 도 6의 (b)부분은 변형예 8에 따른 방사선 검출기를 나타내는 단면도이다.
도 7의 (a)부분은 변형예 9에 따른 방사선 검출기를 나타내는 단면도이고, 도 7의 (b)부분은 변형예 10에 따른 방사선 검출기를 나타내는 단면도이다.
도 8은 실험예의 결과를 나타내는 그래프이다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명을 실시하기 위한 형태를 상세하게 설명한다. 도면의 설명에 있어서 동일한 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략한다.
＜제1 실시 형태＞
도 1에 도시되는 바와 같이, 제1 실시 형태에 따른 신틸레이터 패널(1)은, 기판(2)과, 수지 보호층(5)(중간층)과, 배리어층(3)과, 신틸레이터층(4)과, 보호막(6)을 가진다. 신틸레이터 패널(1)은 광전 변환 소자(도시하지 않음)와 조합되어 방사선 이미지 센서로서 이용된다.
기판(2), 수지 보호층(5), 배리어층(3) 및 신틸레이터층(4)은, 각각의 두께 방향을 따라서 이 순서대로 적층되어, 적층체(7)를 구성한다. 구체적으로는, 기판(2) 상에 수지 보호층(5)이 형성된다. 수지 보호층(5) 상에 배리어층(3)이 형성된다. 배리어층(3) 상에 신틸레이터층(4)이 형성된다. 기판(2)과 신틸레이터층(4)의 사이에는, 수지 보호층(5)과 배리어층(3)이 존재한다. 기판(2)과 신틸레이터층(4)이 직접적으로 접하지는 않는다. 적층체(7)는 보호막(6)으로 덮인다.
기판(2)은 신틸레이터 패널(1)의 기체(基體)를 구성한다. 기판(2)은, 평면에서 볼 때 직사각형, 다각형 또는 원형을 나타낸다. 신틸레이터 패널(1)의 두께는, 10 마이크로미터 이상 5000 마이크로미터 이하이다. 신틸레이터 패널(1)의 두께는, 일례로서 100 마이크로미터이다. 기판(2)은 기판 표면(2a)과, 기판 이면(2b)과, 기판 측면(2c)을 가진다. 기판(2)은 금속 재료, 탄소 재료, 세라믹스 재료 또는 수지 재료로 이루어진다. 금속 재료로서, 예를 들면, 알루미늄, 스테인리스강(SUS), 동을 들 수 있다. 탄소 재료로서, 예를 들면, 어모퍼스 카본을 들 수 있다. 세라믹스 재료로서, 예를 들면, 유리나 알루미나를 들 수 있다. 수지 재료로서, 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤을 들 수 있다.
수지 보호층(5)은, 기판(2)이 금속 재료로 이루어진 경우, 기판(2)에 대한 신틸레이터층(4)의 직접 접촉을 방해한다. 그 결과, 기판(2)이 신틸레이터층(4)에 직접 접촉되지 않기 때문에, 직접 접촉에 기인하는 금속제의 기판(2)의 부식이 방지된다. 따라서, 수지 보호층(5)은 적어도 신틸레이터층(4)보다도 큰 면적을 가진다. 또한, 기판(2)이 탄소 재료, 세라믹스 재료, 수지 재료로 이루어진 경우, 기판(2) 상에 수지 보호층(5)을 마련함으로써, 복수의 주상 결정에 의해 구성되는 신틸레이터층(4)의 근원 부분의 기판(2)에 대한 막 부착성이 좋아진다. 그 결과, 양호한 주상 결정을 성장시킬 수 있다. 수지 보호층(5)은 보호층 표면(5a)과, 보호층 이면(5b)과, 보호층 측면(5c)을 가진다. 보호층 표면(5a)은 배리어층(3)과 대면한다. 보호층 이면(5b)은 기판 표면(2a)과 대면한다. 보호층 측면(5c)은 기판 측면(2c)과 면이 일치한다. 수지 보호층(5)은 기판 표면(2a)의 전면에 형성된다. 수지 보호층(5)은, 기판 표면(2a)에 더하여, 기판 이면(2b) 및 기판 측면(2c) 상을 덮어도 된다. 수지 보호층(5)은 기판(2)의 전체를 덮어도 된다. 수지 보호층(5)은 수지 재료로 이루어진다. 수지 재료로서, 폴리파라크실릴렌 등의 크실릴렌계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 폴리이미드, 폴리에스테르계 수지를 들 수 있다.
배리어층(3)은 수지 보호층(5)으로부터 신틸레이터층(4)으로의 수분의 이동을 저해한다. 배리어층(3)은 보호층 표면(5a)의 일부의 영역 상에 형성된다. 두께 방향으로부터 보았을 때, 배리어층(3)은 수지 보호층(5) 및 기판(2)보다도 작다. 배리어층(3)의 두께는, 0.001 마이크로미터 이상 1.0 마이크로미터 이하이다. 배리어층(3)의 두께는, 일례로서 0.06 마이크로미터(600 옹스트롬)이다. 배리어층(3)은 배리어층 표면(3a)과, 배리어층 이면(3b)과, 배리어층 측면(3c)을 가진다. 배리어층 표면(3a)은 신틸레이터층(4)과 대면한다. 배리어층 이면(3b)은 보호층 표면(5a)과 대면한다. 배리어층(3)은 요오드화 탈륨(TlI)을 주성분으로서 포함한다. 예를 들면, 배리어층(3)의 TlI 함유량은, 90% 이상 100% 이하여도 된다. 배리어층(3)에 있어서의 TlI 함유량이 90% 이상인 경우에, 배리어층(3)은 TlI를 주성분으로 하는 것이라고 해도 된다. 배리어층(3)은, 예를 들면, 2원 증착법에 의해 형성해도 된다. 구체적으로는, 요오드화 세슘(CsI)을 수용하는 제1 증착원과, 요오드화 탈륨(TlI)을 수용하는 제2 증착원을 이용한다. CsI보다도 먼저 TlI를 기판에 증착함으로써, 배리어층(3)을 형성한다. 배리어층(3)의 두께는, 일례로서 600 옹스트롬 정도이다. 또한, 배리어층(3)의 두께는, 강(强)점착 테이프 등으로 신틸레이터층과 기판을 박리하고, 기판 계면을 형광 X선 분석(XRF) 장치를 이용하여 분석함으로써 측정할 수 있다. 형광 X선 분석장치로서는 예를 들면 Rigaku사의 ZSX Primus를 들 수 있다.
신틸레이터층(4)은 방사선을 받아서, 해당 방사선에 대응하는 광을 발생시킨다. 신틸레이터층(4)의 두께는, 10 마이크로미터 이상 3000 마이크로미터 이하이다. 신틸레이터층(4)의 두께는, 일례로서 600 마이크로미터이다. 신틸레이터층(4)은 형광체 재료로서, 탈륨이 첨가된 요오드화 세슘을 주성분으로서 포함한다. 요오드화 세슘은 탈륨을 도펀트로서 포함한다(CsI: Tl). 예를 들면, 신틸레이터층(4)의 CsI 함유량은, 90% 이상 100% 이하여도 된다. 신틸레이터층(4)의 CsI 함유량이 90% 이상인 경우에, 신틸레이터층(4)은 CsI를 주성분으로 하는 것이라고 해도 된다. 신틸레이터층(4)은 복수의 주상 결정에 의해 구성된다. 각 주상 결정은, 광 가이드 효과를 달성한다. 따라서, 신틸레이터층(4)은 고해상도의 이미징에 적합하다. 신틸레이터층(4)은, 예를 들면, 증착법에 의해 형성해도 된다.
신틸레이터층(4)은 신틸레이터층 표면(4a)과, 신틸레이터층 이면(4b)과, 신틸레이터층 측면(4c)을 가진다. 신틸레이터층(4)은 신틸레이터층 이면(4b)이 배리어층 표면(3a)과 대면하도록, 배리어층(3) 상에 형성된다. 신틸레이터층(4)과 수지 보호층(5)의 사이에는, 배리어층(3)이 존재한다. 신틸레이터층(4)은 수지 보호층(5)에 직접적으로 접촉되는 것은 아니다. 두께 방향으로부터 볼 때 배리어층(3)은, 기판(2) 및 수지 보호층(5)보다도 작다. 신틸레이터층(4)도 마찬가지로, 두께 방향으로부터 볼 때 신틸레이터층(4)은, 기판(2) 및 수지 보호층(5)보다도 작다.
신틸레이터층(4)은 신틸레이터층(4)의 두께 방향으로 연장되는 복수의 주상 결정을 포함한다. 복수의 주상 결정의 근원부는, 신틸레이터층 이면(4b)을 구성한다. 근원부는 배리어층(3)의 배리어층 표면(3a)과 접한다. 복수의 주상 결정의 선단부는, 신틸레이터층 표면(4a)을 구성한다.
신틸레이터층(4)은 각뿔대 형상을 나타낸다. 신틸레이터층 측면(4c)은 신틸레이터층 측면(4c)의 두께 방향에 대해서 기울어진다. 신틸레이터층 측면(4c)은 슬로프(경사)이다. 구체적으로는, 신틸레이터층(4)을 두께 방향과 직교하는 방향으로부터 단면에서 보았을 때, 단면은 사다리꼴 모양을 나타낸다. 즉, 신틸레이터층 표면(4a)측의 한 변은, 신틸레이터층 이면(4b)측의 한 변보다도 짧다.
보호막(6)은 적층체(7)를 덮는다. 그 결과, 보호막(6)은 적층체(7)를 습기로부터 보호한다. 보호막(6)은 기판 이면(2b), 기판 측면(2c), 보호층 측면(5c), 배리어층 측면(3c), 신틸레이터층 측면(4c) 및 신틸레이터층 표면(4a)을 덮는다. 보호막(6)의 두께는, 형성되는 모든 지점에 있어서 대략 같아도 된다. 또한, 보호막(6)의 두께는, 지점마다 다르게 되어 있어도 된다. 보호막(6)에 있어서, 예를 들면, 신틸레이터층 표면(4a) 상에 형성된 막(膜)부는, 기판 이면(2b), 기판 측면(2c), 배리어층 측면(3c), 신틸레이터층 측면(4c) 상에 형성된 막부보다도 두껍다. 보호막(6)은 폴리파라크실릴렌을 주성분으로서 포함해도 된다. 보호막(6)은 예를 들면 화학 기상 성장법(CVD)에 의해 형성해도 된다.
신틸레이터 패널(1)에서는, 수지 보호층(5)과 신틸레이터층(4)의 사이에 배리어층(3)이 마련된다. 배리어층(3)은 요오드화 탈륨을 주성분으로서 포함한다. 배리어층(3)은 수분을 투과시키기 어려운 성질을 가진다. 따라서, 수지 보호층(5)으로부터 신틸레이터층(4)으로 이동하려고 하는 수분을, 배리어층(3)에 의해서 저지하는 것이 가능하게 된다. 그 결과, 신틸레이터층(4)의 근원부에 있어서의 조해가 억제되므로, 신틸레이터 패널(1)의 특성의 저하를 억제할 수 있다. 따라서, 신틸레이터 패널(1)의 내습성을 향상시킬 수 있다.
＜제2 실시 형태＞
제2 실시 형태에 따른 방사선 검출기에 대해서 설명한다. 또한, 실제로는 센서 패널(11) 상에는 전기적인 도통을 취하기 위한 영역(변)이 마련된다. 그러나, 각 도면에서는, 편의상 도시하고 있지 않다.
도 2에 도시되는 바와 같이, 방사선 검출기(10)는, 센서 패널(11)(센서 기판)과, 수지 보호층(5)과, 배리어층(3)과, 신틸레이터층(4)과, 봉지부(12)를 가진다. 봉지판(14)으로부터 받아들여진 방사선은, 신틸레이터층(4)에 입사한다. 신틸레이터층(4)은 방사선에 따른 광을 발생시킨다. 해당 광은, 수지 보호층(5) 및 배리어층(3)을 통과하여 센서 패널(11)에 입사한다. 센서 패널(11)은 입사한 광에 따라서 전기 신호를 발생시킨다. 전기 신호는 소정의 전기 회로를 통해서 출력된다. 전기 신호에 의하면, 방사선 이미지 화상이 얻어진다.
센서 패널(11)은 패널 표면(11a)과, 패널 이면(11b)과, 패널 측면(11c)을 가진다. 센서 패널(11)은 광전 변환 소자(16)를 가지는 CCD 센서, CMOS 센서 또는 TFT 패널이다. 센서 패널(11)은 실리콘 등의 반도체 또는 유리를 주성분으로서 포함한다. 센서 패널(11)은 유기 재료를 주성분으로서 포함해도 된다. 유기 재료로서, 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI)를 들 수 있다. 복수의 광전 변환 소자(16)는, 패널 표면(11a) 상에 있어서 이차원 모양으로 배치된다. 복수의 광전 변환 소자(16)가 배치된 패널 표면(11a) 상의 영역은, 광 검출 영역(S1)(광 검출면)이다. 패널 표면(11a)은 광 검출 영역(S1)에 더하여, 해당 광 검출 영역(S1)을 둘러싸는 주위 영역(S2)을 포함한다. 광전 변환 소자(16)를 보호하기 위해서, 수지 보호층(5)이 마련된다. 수지 보호층(5)은, 예를 들면, 폴리이미드, 실록산 수지 또는 에폭시 수지이다. 복수의 주상 결정으로 이루어진 신틸레이터층의 결정성을 높이기 위해서, 제1 실시 형태와 마찬가지의 수지 보호층(5)을 마련해도 된다.
봉지부(12)는 센서 패널(11)의 보호층 이면(5b)의 일부와, 배리어층(3)과, 신틸레이터층(4)을 덮는다. 봉지부(12)는 보호층 이면(5b)에 있어서의 주위 영역(S2)에 고정된다. 봉지부(12)는 봉지부(12)와 수지 보호층(5)에 의해서 형성되는 내부 공간을 기밀하게 유지한다. 이 구성에 의해, 신틸레이터층(4)이 습기로부터 보호된다.
봉지부(12)는 봉지 테두리(13)와, 봉지판(14)을 가진다. 봉지 테두리(13)는 테두리 표면(13a)과, 테두리 이면(13b)과, 테두리 벽부(13c)를 가진다. 테두리 벽부(13c)는 테두리 표면(13a)과 테두리 이면(13b)을 연결한다. 테두리 벽부(13c)의 높이(즉 테두리 표면(13a)부터 테두리 이면(13b)까지의 길이)는, 보호층 이면(5b)부터 신틸레이터층 이면(4b)까지의 높이보다도 높다. 신틸레이터층 이면(4b)과 봉지판(14)의 사이에는 간극이 형성된다. 봉지 테두리(13)는, 예를 들면, 수지 재료, 금속 재료, 세라믹 재료에 의해 구성해도 된다. 봉지 테두리(13)는 안이 채워져 있어도, 안이 비워진 중공(中空)이어도 된다. 테두리 표면(13a)과 판 이면(14b), 테두리 이면(13b)과 수지 보호층(5)을 접착제에 의해서 접합해도 된다.
봉지판(14)은 평면에서 볼 때 직사각형 모양의 판재이다. 봉지판(14)은 판 표면(14a)과, 판 이면(14b)과, 판 측면(14c)을 가진다. 판 이면(14b)은 테두리 표면(13a)에 대해서 고정된다. 판 측면(14c)은 테두리 벽부(13c)의 외측면에 대해서 면이 일치해도 된다. 봉지판(14)은, 예를 들면, 유리 재료, 금속 재료, 카본 재료, 배리어 필름에 의해 구성해도 된다. 금속 재료로서는, 알루미늄이 예시된다. 카본 재료로서는, CFRP가 예시된다. 배리어 필름으로서는, 유기 재료층(PET나 PEN)과 무기 재료층(SiN)의 적층체가 예시된다.
방사선 검출기(10)에서는, 신틸레이터층(4)에 입사한 방사선에 의해서 광이 생성된다. 광은 광 검출 영역(S1)에 마련된 광전 변환 소자(16)에 의해서 검출된다. 방사선 검출기(10)는 수지 보호층(5)과 신틸레이터층(4)의 사이에, 요오드화 탈륨을 주성분으로서 포함하는 배리어층(3)을 가진다. 배리어층(3)은 수지 보호층(5)으로부터 신틸레이터층(4)으로의 수분의 이동을 저지한다. 따라서, 신틸레이터층(4)의 근원부에 있어서의 조해가 억제된다. 그 결과, 방사선 검출기(10)는 검출 특성의 저하를 억제할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명했지만, 상기 실시 형태로 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 실시된다. 변형예 1~3은 제1 실시 형태의 변형예이다. 또한, 변형예 4~9는 제2 실시 형태의 변형예이다.
＜변형예 1＞
도 3의 (a)부분은, 변형예 1에 따른 신틸레이터 패널(1A)을 나타낸다. 변형예 1에 따른 신틸레이터 패널(1A)은, 기판(2A)과, 수지 반사층(5A)과, 배리어층(3)과, 신틸레이터층(4)과, 보호막(6)을 가진다. 기판(2A)은 구성 재료에 특별히 한정은 없다. 기판(2A)은 금속 재료 및 탄소 재료에 의해 구성해도 되고, 유리 재료 및/또는 수지 재료에 의해 구성해도 된다. 금속 재료로서, 예를 들면, 알루미늄, 스테인리스강(SUS)을 들 수 있다. 탄소 재료로서, 예를 들면, 어모퍼스 카본, 탄소섬유 강화 플라스틱(CFRP)을 들 수 있다. 수지 재료로서, 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리이미드(PI)를 들 수 있다. 수지 반사층(5A)은 신틸레이터층(4)에 있어서 발생한 광을 반사시킨다. 수지 반사층(5A)은, 예를 들면, 백색 안료와 바인더 수지의 혼합 재료에 의해 구성해도 된다. 백색 안료로서는, 예를 들면, 알루미나, 산화 티탄, 산화 이트륨, 산화 지르코늄을 들 수 있다. 보호막(6)은 폴리파라크실릴렌에 의해서 구성해도 된다. 보호막(6)은 화학 기상 성장법(CVD법)에 따라 형성된다.
＜변형예 2＞
도 3의 (b)부분은, 변형예 2에 따른 신틸레이터 패널(1B)을 나타낸다. 변형예 2에 따른 신틸레이터 패널(1B)은, 기판(2)과, 무기 반사층(8)과, 수지 보호층(5)과, 배리어층(3)과, 신틸레이터층(4)과, 보호막(6)을 가진다. 즉, 변형예 2에 따른 신틸레이터 패널(1B)은, 제1 실시 형태에 따른 신틸레이터 패널(1)에, 무기 반사층(8)을 추가한 것이다. 무기 반사층(8)은 기판(2)과 수지 보호층(5)의 사이에 형성된다. 구체적으로는, 무기 반사층(8)은 반사층 표면(8a)과, 반사층 이면(8b)과, 반사층 측면(8c)을 가진다. 반사층 표면(8a)은 보호층 이면(5b)과 대면한다. 반사층 이면(8b)은 기판 표면(2a)과 대면한다. 무기 반사층(8)은, 예를 들면, 금속 재료에 의해 구성되어도 된다. 금속 재료로서, 예를 들면, 알루미늄, 은을 들 수 있다. 무기 반사층(8)은 유전체 다층막이어도 된다. 유전체 다층막은 산화 실리콘(SiO2)과 산화 티탄(TiO2)의 적층막이다. 수지 보호층(5)은, 예를 들면, 폴리이미드(PI), 폴리파라크실릴렌을 들 수 있다. 신틸레이터 패널(1B)에 의하면, 무기 반사층(8)에 있어서, 신틸레이터층(4)에 있어서 발생한 광을 반사시킬 수 있다. 신틸레이터층(4)과 무기 반사층(8)의 사이에는, 수지 보호층(5)이 형성된다. 수지 보호층(5)은 금속 재료에 의해 구성된 무기 반사층(8)이 신틸레이터층(4)에 직접적으로 접촉되는 것을 저해한다. 따라서, 무기 반사층(8)의 신틸레이터층(4)으로의 직접 접촉에 기인하는 무기 반사층(8)의 부식의 발생을 억제할 수 있다. 무기 반사층(8)이 유전체 다층막으로 이루어진 경우, 수지 보호층(5)을 마련함으로써, 유전체 다층막에 핀홀이 있는 경우의 금속 기판의 부식의 발생을 억제할 수 있다.
＜변형예 3＞
도 4의 (a)부분은, 변형예 3에 따른 신틸레이터 패널(1C)을 나타낸다. 신틸레이터 패널(1C)은 기판(2B)과, 수지 반사층(5A)과, 배리어층(3)과, 신틸레이터층(4)과, 수지막(9)을 가진다. 기판(2B)은 얇은 유리 재료(예를 들면 150㎛이하의 두께) 또는 CFRP와 같은 탄소 재료에 의해 구성된다. 기판(2B)은 휘어지기 쉬운 성질을 가진다. 신틸레이터 패널(1C)은, 신틸레이터층 형성시에 발생할 수 있는 기판(2B)의 휘어짐을 억제하기 위해서, 수지막(9)을 형성한다. 구체적으로는, 기판(2B)의 기판 이면(2b)의 전면(全面)에 수지막(9)을 형성한다. 수지막(9)은 수지 재료에 의해 구성된 시트 부재이다. 수지막(9)은 시트 부재를 기판 이면(2b)에 서로 붙여서도 된다. 수지막(9)은, 수지 재료를 도포한 후에, 건조시켜 형성한 것이어도 된다. 수지막(9)에 의하면, 기판(2B)의 휘어짐의 발생을 억제할 수 있다.
＜변형예 4＞
도 4의 (b)부분은, 변형예 4에 따른 방사선 검출기(10A)를 나타낸다. 방사선 검출기(10A)는 제2 실시 형태에 따른 방사선 검출기(10)와는 다른 봉지부(12A)를 가진다. 배리어층(3), 신틸레이터층(4), 수지 보호층(5) 및 센서 패널(11)의 구성은, 제2 실시 형태에 따른 방사선 검출기(10)와 마찬가지이다. 봉지부(12A)는 봉지판(14)과, 봉지 테두리(13A)를 가진다. 봉지 테두리(13A)는, 추가로, 내측 봉지 테두리(17)와 외측 봉지 테두리(18)를 가진다. 봉지 테두리(13)는 이중구조를 가진다. 내측 봉지 테두리(17)은, 예를 들면, 수지 재료에 의해 구성해도 된다. 외측 봉지 테두리(18)는, 예를 들면, 무기 재료에 의해 형성된 코팅층 및/또는 유리 막대와 같은 무기 고형 재료에 의해 구성해도 된다. 이 구성에 의하면, 신틸레이터층(4)을 습기로부터 적합하게 보호할 수 있다.
＜변형예 5＞
도 5의 (a)부분은, 변형예 5에 따른 방사선 검출기(10B)를 나타낸다. 방사선 검출기(10B)는 봉지부(12)를 가지고 있지 않고, 봉지부(12) 대신에 보호막(6A)을 가지는 점에서, 제2 실시 형태에 따른 방사선 검출기(10)와 상위하다. 배리어층(3), 신틸레이터층(4) 및 센서 패널(11)의 구성은, 제2 실시 형태에 따른 방사선 검출기(10)와 마찬가지이다. 보호막(6A)은 보호층 이면(5b)과, 배리어층 측면(3c)과, 신틸레이터층 측면(4c)과, 신틸레이터층 이면(4b)을 덮는다. 이 구성에 의하면, 보호막(6A)은 신틸레이터층(4A)을 습기로부터 보호할 수 있다. 보호막(6A)은 보호막(6)과 마찬가지의 재료로부터 선택해도 된다.
＜변형예 6＞
도 5의 (b)부분은, 변형예 6에 따른 방사선 검출기(10C)를 나타낸다. 방사선 검출기(10C)는, 변형예 5에 따른 방사선 검출기(10B)에 대해서, 추가로 봉지 테두리(13B)를 추가한 것이다. 따라서, 신틸레이터층(4), 배리어층(3), 수지 보호층(5), 센서 패널(11) 및 보호막(6A)은, 변형예 5에 따른 방사선 검출기(10B)와 마찬가지이다. 봉지 테두리(13B)는 수지 보호층(5)과 보호막(6A)의 접합부를 덮는다. 따라서, 봉지 테두리(13B)는, 두께 방향으로부터 평면에서 보면, 보호막(6A)의 외측 가장자리를 따른다. 봉지 테두리(13B)는, 예를 들면, UV 경화 수지에 의해 구성해도 된다. 이 구성에 의하면, 센서 패널(11)과 보호막(6A)의 접합부로부터의 습기의 침입이 억제된다. 따라서, 방사선 검출기(10C)는 내습성을 더욱 높일 수 있다.
＜변형예 7＞
도 6의 (a)부분은, 변형예 7에 따른 방사선 검출기(10D)를 나타낸다. 방사선 검출기(10D)는 제2 실시 형태에 따른 방사선 검출기(10)의 봉지부(12)를 가지고 있지 않고, 봉지부(12) 대신에 봉지 시트(12B)를 가지는 점에서, 제2 실시 형태에 따른 방사선 검출기(10)와 상위하다. 배리어층(3), 신틸레이터층(4), 수지 보호층(5) 및 센서 패널(11)의 구성은, 제2 실시 형태에 따른 방사선 검출기(10)와 마찬가지이다. 봉지 시트(12B)는 두께 방향으로 평면에서 볼 때 직사각형, 다각형 또는 원형을 나타낸다. 봉지 시트(12B)는, 예를 들면, 금속박, 알루미늄 시트와 같은 금속 시트, 배리어 필름에 의해 구성해도 된다. 봉지 시트(12B)는 신틸레이터층(4) 및 배리어층(3)을 덮는다. 구체적으로는, 신틸레이터층 이면(4b), 신틸레이터층 측면(4c), 배리어층 측면(3c) 및 보호층 이면(5b)의 일부를 덮는다. 평면에서 보았을 경우에, 봉지 시트(12B)는, 신틸레이터층(4) 및 배리어층(3)보다도 크다. 봉지 시트(12B)의 외측 둘레 가장자리(12a)는, 패널 표면(11a)에 대해서 접착제(15)에 의해 접착된다. 따라서, 봉지 시트(12B) 및 센서 패널(11)은, 신틸레이터층(4) 및 배리어층(3)을 수용하는 기밀 영역을 형성한다. 따라서, 신틸레이터층(4)을 습기로부터 보호할 수 있다. 접착제(15)는 필러재를 포함해도 된다. 이 필러재의 입경은, 접착층의 두께 미만이다.
＜변형예 8＞
도 6의 (b)부분은, 변형예 8에 따른 방사선 검출기(10E)를 나타낸다. 방사선 검출기(10E)는 변형예 7에 따른 봉지 시트(12B)와는 다른 구성의 봉지 테두리(12C)를 가진다. 봉지 테두리(12C)는 상자 모양을 나타낸다. 봉지 테두리(12C)는 바닥면에 개구를 가진다. 변형예 7에 따른 봉지 시트(12B)는 유연성을 가진다. 한편, 변형예 8에 따른 봉지 테두리(12C)는 소정의 형상을 유지하고, 경질이다. 따라서, 봉지 테두리(12C)는, 예를 들면, 유리 재료, 금속 재료, 카본 재료에 의해 구성해도 된다. 봉지 테두리(12C)는 그 바닥면이 패널 표면(11a)에 대해서 접착제(15)에 의해 접착된다. 이 구성에 의하면, 봉지 테두리(12C)와 센서 패널(11)이 형성하는 기밀 영역에 신틸레이터층(4)이 배치된다. 따라서, 방사선 검출기(10E)는 신틸레이터층(4)을 습기로부터 보호할 수 있다. 추가로, 봉지 테두리(12C)가 경질이다. 그 결과, 방사선 검출기(10E)는 신틸레이터층(4)을 기계적으로 보호할 수 있다.
＜변형예 9＞
도 7의 (a)부분은, 변형예 9에 따른 방사선 검출기(10F)를 나타낸다. 방사선 검출기(10F)는 제2 실시 형태에 따른 방사선 검출기(10)와는 다른 배리어층(3A), 신틸레이터층(4A) 및 수지 보호층(5B)을 가진다. 배리어층(3A)은 배리어층 표면(3a)과, 배리어층 이면(3b)과, 배리어층 측면(3c)을 가진다. 신틸레이터층(4A)은 신틸레이터층 표면(4a)과, 신틸레이터층 이면(4b)과, 신틸레이터층 측면(4c)을 가진다. 수지 보호층(5B)은 보호층 표면(5a)과, 보호층 이면(5b)과, 보호층 측면(5c)을 가진다. 센서 패널(11)의 단체(單體) 구성은, 제2 실시 형태에 따른 방사선 검출기(10)와 마찬가지이다. 신틸레이터층(4A)은 센서 패널(11)의 일 측면에 있어서, 광 검출 영역(S1)으로부터 튀어나오도록 형성된다. 구체적으로는, 우선, 수지 보호층(5B)은 광 검출 영역(S1)과, 한쪽의 주변 영역(S2a) 상에 형성된다. 다음으로, 배리어층(3A)은, 수지 보호층(5B)을 덮도록, 광 검출 영역(S1)과, 한쪽의 패널 측면(11c)과, 광 검출 영역(S1)과 한쪽의 패널 측면(11c)의 사이의 주변 영역(S2a) 상에 형성된다. 그리고, 신틸레이터층(4A)은, 배리어층(3A)을 덮도록, 배리어층(3A)의 전면 상에 형성된다. 이 구성을 가지는 방사선 검출기(10F)는, 매머그라피용의 방사선 검출기로서 적합하게 이용할 수 있다. 이와 같은 적용에 있어서, 방사선 검출기(10F)는, 신틸레이터층(4A)이 광 검출 영역(S1)을 벗어나도록 형성된 변이 피험자의 흉벽 측에 위치하도록, 배치된다.
＜변형예 10＞
도 7의 (b)부분은, 변형예 10에 따른 방사선 검출기(10G)를 나타낸다. 변형예 10에 따른 방사선 검출기(10G)는, 기판(2)과, 수지 보호층(5)과, 배리어층(3)과, 신틸레이터층(4)과, 센서 패널(11)을 가진다.
방사선 검출기(10G)에서는, 신틸레이터층 표면(4a)이 패널 표면(11a)과 대면하도록, 센서 패널(11)에 대해서 장착된다. 이 구성에 의하면, 기판 표면(2a)에 있어서의 노출 영역(S3)도 패널 표면(11a)의 주위 영역(S2)과 대면한다. 보호층 표면(5a)은 패널 표면(11a)에 대해서 신틸레이터층(4) 및 배리어층(3)의 높이분만큼 이격된다. 보호층 표면(5a)과 패널 표면(11a)의 사이에, 봉지 테두리(13)를 끼워넣는다. 봉지 테두리(13)와 수지 보호층(5)은 서로 접착에 의해 고정된다. 마찬가지로, 봉지 테두리(13)와 센서 패널(11)은 서로 접착에 의해 고정된다(봉지 테두리(13)가 접착성인 경우에는 서로 붙임으로써 접착되고, 비접착성인 경우에는 계면에 접착제를 마련함). 이 구성에 의하면, 수지 보호층(5)을 가지는 기판(2)은, 배리어층(3) 및 신틸레이터층(4)의 성장 기판으로서의 기능과, 방사선 검출기(10G)에 있어서의 봉지판으로서의 기능을 달성할 수 있다. 따라서, 방사선 검출기(10G)를 구성하는 부품수를 저감시킬 수 있다.
＜실험예＞
실험예에서는, 배리어층이 달성하는 내습성의 향상에 대해서 그 효과를 확인했다. 본 실험예에서 말하는 내습성이란, 소정의 습도를 가지는 환경에 노출된 시간과, 신틸레이터 패널이 나타내는 해상도(CTF)의 변화 정도의 관계를 말한다. 즉, 내습성이 높다는 것은, 습도 환경에 장시간 노출된 경우라도, 신틸레이터 패널이 나타내는 해상도의 저하 정도가 작은 것을 말한다. 반대로, 내습성이 낮다는 것은, 습도 환경에 장시간 노출된 경우에, 신틸레이터 패널이 나타내는 해상도의 저하 정도가 큰 것을 말한다.
실험예에서는, 우선, 3개의 시험체(신틸레이터 패널)를 준비했다. 각각의 시험체는, 신틸레이터층과 기판을 가진다. 각각의 신틸레이터층은, CsI를 주성분으로서 포함하고, 그 두께는 600 마이크로미터이다. 그리고, 제1 및 제2 시험체는, 기판과 신틸레이터층의 사이에 TlI를 주성분으로서 포함하는 배리어층을 가진다. 한편, 제3 시험체는 배리어층을 가지지 않는다. 제3 시험체는 기판 상에 직접 신틸레이터층이 형성된 비교예이다. 제1 시험체의 기판은, 유기 재료를 주성분으로서 포함하는 유기 기판이다. 제1 시험체는 참고예에 따른 신틸레이터 패널에 대응한다. 제2 시험체는 알루미늄제의 기판 상에 유기 재료를 주성분으로서 포함하는 수지 보호막을 형성했다. 제2 시험체는 제1 실시 형태에 따른 신틸레이터 패널에 대응한다. 제3 시험체의 기판은, 제2 시험체의 기판과 같다.
제1~제3 시험체의 구성은 이하와 같다.
제1 시험체: 유기 재료로 이루어진 기판, 배리어층, 신틸레이터층.
제2 시험체: 유기층을 가지는 기판, 배리어층, 신틸레이터층.
제3 시험체: 유기층을 가지는 기판, (배리어층 없음) 신틸레이터층.
제1~제3 시험체가 가지는 각각의 해상도를 얻었다. 이 해상도를 기준값으로 했다. 다음으로, 제1~제3 시험체를, 온도가 40℃이고 습도가 90%로 설정된 환경 시험기에 설치했다. 다음으로, 설치 개시부터 소정 시간이 경과할 때마다, 각각의 시험체에 대해서 해상도를 얻었다. 그리고, 소정 시간이 경과할 때마다 얻은 해상도가 기준값인 해상도에 대해서 어느 정도의 비율인지를 산출했다. 즉, 환경 시험기에 설치하기 전의 해상도에 대한 상대값을 얻었다. 예를 들면, 상대값이 100퍼센트인 경우에는, 소정 시간이 경과된 후에 얻은 해상도는, 환경 시험기에 설치하기 전의 해상도에 대해서 변화되지 않아, 성능이 저하되지 않은 것을 나타낸다. 따라서, 상대값이 낮아짐에 따라, 신틸레이터 패널의 특성이 저하되는 것을 나타낸다.
도 8에 도시된 그래프는, 상기의 환경에 노출된 시간(가로축)과 상대값(세로축)의 관계를 나타낸다. 제1 시험체는 설치 개시부터 1시간 후, 72시간 후, 405시간 후에 해상도의 측정을 행했다. 측정 결과는 플롯 P1a, P1b, P1c로서 나타낸다. 제2 시험체는 설치 개시부터 1시간 후, 20.5시간 후, 84시간 후 및 253시간 후에 해상도의 측정을 행했다. 측정 결과는 플롯 P2a, P2b, P2c, P2d로서 나타낸다. 제3 시험체는 설치 개시부터 1시간 후, 24시간 후, 71시간 후 및 311시간 후에 해상도의 측정을 행했다. 측정 결과는 플롯 P3a, P3b, P3c, P3d로서 나타낸다.
각각의 측정 결과를 확인하면, 제1~제3 시험체 중, 배리어층을 가지지 않은 제3 시험체(플롯 P3a, P3b, P3c, P3d)의 성능의 저하가 가장 컸다. 제3 시험체에서는, 유기층으로부터 수분이 신틸레이터층으로 침투하고, 수분의 침투에 기인하여 신틸레이터층의 조해가 시간의 경과와 함께 진행됨으로써, 성능의 저하가 발생된 것이라고 생각된다. 한편, 제1 및 제2 시험체(플롯 P1a, P1b, P1c, 플롯 P2a, P2b, P2c, P2d)에 대해서도, 시간이 경과할 때마다 상대값이 저하되는 경향을 확인할 수 있었다. 그러나, 제1 및 제2 시험체가 나타내는 상대값의 저하의 정도는, 제3 시험체가 나타내는 상대값의 저하의 정도보다도 분명하게 억제되어 있었다. 따라서, TlI를 주성분으로서 포함하는 배리어층을 마련함으로써, 신틸레이터 패널의 특성의 저하를 억제할 수 있는 것을 알 수 있었다. TlI를 주성분으로서 포함하는 배리어층은, 신틸레이터 패널의 내습성의 향상에 기여할 수 있는 것을 알 수 있었다.
1, 1A, 1B, 1C…신틸레이터 패널, 2, 2A, 2B…기판, 2a…기판 표면, 2b…기판 이면, 2c…기판 측면, 3, 3A…배리어층, 3a…배리어층 표면, 3b…배리어층 이면, 3c…배리어층 측면, 4, 4A…신틸레이터층, 4a…신틸레이터층 표면, 4b…신틸레이터층 이면, 4c…신틸레이터층 측면, 5, 5B…수지 보호층, 5A…수지 반사층, 5a…보호층 표면, 5b…보호층 이면, 5c…보호층 측면, 6, 6A…보호막, 7…적층체, 8…무기 반사층, 8a…반사층 표면, 8b…반사층 이면, 8c…반사층 측면, 9…수지막, 10, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 10F, 10G…방사선 검출기, 11…센서 패널, 11a…패널 표면, 11b…패널 이면, 11c…패널 측면, 12, 12A…봉지부, 12a…외측 둘레 가장자리, 12B…봉지 시트, 12C…봉지 테두리, 13, 13A, 13B…봉지 테두리, 13a…테두리 표면, 13b…테두리 이면, 13c…테두리 벽부, 14…봉지판, 14a…판 표면, 14b…판 이면, 14c…판 측면, 15…접착제, 16…광전 변환 소자, 17…내측 봉지 테두리, 18…외측 봉지 테두리, S1…광 검출 영역, S2…주위 영역, S2a…주변 영역, S3…노출 영역.
Claims (5)
- 유기 재료를 주성분으로서 포함하는 센서 기판과,
상기 센서 기판 상에 형성되고, 유기 재료로 이루어진 수지 보호층과,
상기 수지 보호층 상에 형성되고, 요오드화 탈륨을 주성분으로서 포함하는 배리어층과,
상기 배리어층 상에 형성되고, 탈륨이 첨가된 요오드화 세슘을 주성분으로서 포함하는 복수의 주상 결정에 의해 구성되는 신틸레이터층을 구비하고,
상기 센서 기판은 상기 신틸레이터층에 있어서 발생한 광을 수신하는 광전 변환 소자가 마련된 광 검출면을 가지는, 방사선 검출기. - 청구항 1에 있어서,
상기 센서 기판이 주성분으로서 포함하는 유기 재료는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 및 폴리이미드(PI) 중 어느 하나인, 방사선 검출기. - 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
상기 수지 보호층을 형성하는 유기 재료는 크실릴렌계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지, 폴리이미드, 폴리에스테르계 수지, 실록산 수지, 및 에폭시 수지 중 어느 하나를 포함하는, 방사선 검출기. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 수지 보호층의 주면과, 상기 신틸레이터층의 측면과, 상기 신틸레이터층의 주면을 덮는 보호막을 더 구비하는, 방사선 검출기. - 청구항 4에 있어서,
상기 보호막은 폴리파라크실릴렌으로 형성되는, 방사선 검출기.
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