CN104498208A - 一种新型特效硅片清洗液制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供的一种新型特效硅片清洗液制备方法制备的清洗剂,配方简单易于操作,在清洗后,会在硅片表面生成一层保护膜,可提高硅片的抗污能力,同时去污力强,硅片的清洗速度快,提高了硅片清洗的清洁率,并且对环境无污染。
Description
技术领域
本发明涉及一种清洗液,特别涉及一种新型特效硅片清洗液制备方法。
背景技术
清洗最为硅片的一个生产工序之一,清洗的好坏程度对硅片的使用性能有着很大的影响。清洗的主要目的是为了清洗掉切割过程中产生的沙粒,残留的切削磨料、金属离子及指纹等,使硅片表面达到无腐蚀、无氧化、无残留等技术指标。传统的硅片清洗,由于各个方法不一样,采用的清洗液也不一样。现有技术中的清洗液清洗效果较差,对于硅片表面的污渍难以做到更好的去除,降低了硅片的使用效果。
发明内容
针对上述问题,本发明提出了一种新型特效硅片清洗液制备方法。
为解决以上技术问题,本发明提供的技术方案是:
一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述制备方法如下:
1.按重量分数称取原材料如下:
氟化铵7-10份、三羟乙基胺7-12份、阴离子活性剂5-8份、非离子表面活性剂3-5份、盐酸3-4份、葡萄糖酸钠10—15份和助洗剂15—17份;
2.将三羟乙基胺加入到重量分数为80%的温度为33℃的水中,得到基础液;
3.用搅拌机搅拌基础液,同时依次缓慢加入氟化铵、阴离子活性剂和非离子表面活性剂,随后再搅拌20分钟,并过滤,得混合液A;
4.继续搅拌混合液A,同时依次缓慢加入盐酸、葡萄糖酸钠和助洗剂,随后再搅拌25分钟,并过滤,得混合液B;
5.将混合液B放入蒸发器中,回转蒸馏20分钟,提取上清液B;
6.将上清液B放入过滤离心机中在1750r/s下进行离心,时间为15分钟,最终得到清洗液。
上述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其中,所述阴离子活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠按1-1.2:1.4-1.5比例混合而成。
上述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其中,所述非离子活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按1-1.7:1.3-1.5比例混合而成。
上述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其中,所述助洗剂为氢氧化钠。
上述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其中,所述的盐酸为工业盐酸。
上述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其中,所述搅拌机为KD-20搅拌机。
本发明的有益效果为:
本发明提供的一种新型特效硅片清洗液制备方法制备的清洗剂,配方简单易于操作,在清洗后,会在硅片表面生成一层保护膜,可提高硅片的抗污能力,同时去污力强,硅片的清洗速度快,提高了硅片清洗的清洁率,并且对环境无污染。
具体实施方式
实施例一
一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述制备方法如下:
1.按重量分数称取原材料如下:
氟化铵9份、三羟乙基胺 10份、阴离子活性剂6份、非离子表面活性剂4份、盐酸3份、葡萄糖酸钠12份和助洗剂15份;
2.将三羟乙基胺加入到重量分数为80%的温度为33℃的水中,得到基础液;
3.用搅拌机搅拌基础液,同时依次缓慢加入氟化铵、阴离子活性剂和非离子表面活性剂,随后再搅拌20分钟,并过滤,得混合液A;
4.继续搅拌混合液A,同时依次缓慢加入盐酸、葡萄糖酸钠和助洗剂,随后再搅拌25分钟,并过滤,得混合液B;
5.将混合液B放入蒸发器中,回转蒸馏20分钟,提取上清液B;
6.将上清液B放入过滤离心机中在1750r/s下进行离心,时间为15分钟,最终得到清洗液。
其中,所述阴离子活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠按1.2:1.45比例混合而成,所述非离子活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按1.5:1.4比例混合而成,所述助洗剂为氢氧化钠,所述的盐酸为工业盐酸。
实施例二
一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述制备方法如下:
1.按重量分数称取原材料如下:
氟化铵7份、三羟乙基胺8份、阴离子活性剂6份、非离子表面活性剂3份、盐酸4份、葡萄糖酸钠15份和助洗剂16份;
2.将三羟乙基胺加入到重量分数为80%的温度为33℃的水中,得到基础液;
3.用搅拌机搅拌基础液,同时依次缓慢加入氟化铵、阴离子活性剂和非离子表面活性剂,随后再搅拌20分钟,并过滤,得混合液A;
4.继续搅拌混合液A,同时依次缓慢加入盐酸、葡萄糖酸钠和助洗剂,随后再搅拌25分钟,并过滤,得混合液B;
5.将混合液B放入蒸发器中,回转蒸馏20分钟,提取上清液B;
6.将上清液B放入过滤离心机中在1750r/s下进行离心,时间为15分钟,最终得到清洗液。
其中,所述阴离子活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠按1.1:1.4比例混合而成,所述非离子活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按1.7:1.3比例混合而成,所述助洗剂为氢氧化钠,所述的盐酸为工业盐酸。
实施例三
一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述制备方法如下:
1.按重量分数称取原材料如下:
氟化铵9份、三羟乙基胺11份、阴离子活性剂7份、非离子表面活性剂5份、盐酸3份、葡萄糖酸钠11份和助洗剂17份;
2.将三羟乙基胺加入到重量分数为80%的温度为33℃的水中,得到基础液;
3.用搅拌机搅拌基础液,同时依次缓慢加入氟化铵、阴离子活性剂和非离子表面活性剂,随后再搅拌20分钟,并过滤,得混合液A;
4.继续搅拌混合液A,同时依次缓慢加入盐酸、葡萄糖酸钠和助洗剂,随后再搅拌25分钟,并过滤,得混合液B;
5.将混合液B放入蒸发器中,回转蒸馏20分钟,提取上清液B;
6.将上清液B放入过滤离心机中在1750r/s下进行离心,时间为15分钟,最终得到清洗液。
其中,所述阴离子活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠按1.2:1.比例混合而成,所述非离子活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按1.4-1.5比例混合而成,所述助洗剂为氢氧化钠, 所述的盐酸为工业盐酸。
一种新型特效硅片清洗液制备方法制备的清洗剂,配方简单易于操作,在清洗后,会在硅片表面生成一层保护膜,可提高硅片的抗污能力,同时去污力强,硅片的清洗速度快,提高了硅片清洗的清洁率,并且对环境无污染。
一种新型特效硅片清洗液制备方法,可以极大降低了切削液的表面张力,大大提高了切削液的流动性和渗透性,同时在保证了切削液对磨料的润湿性的同时,大幅度提高了磨料的分散性,避免磨料团聚结成块对硅片造成损坏,不仅有利于提高硅片切割的成品率,同时使硅片切割成品率达到 99%,而且可在硅片表面形成保护膜,使硅片更容易被清洗,总体上大大提高了切削液的润滑效果、耐磨特性及冷却特性。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。
Claims (6)
1.一种新型特效硅片清洗液制备方法制备方法,其特征在于,所述制备方法如下:
1.按重量分数称取原材料如下:
氟化铵7-10份、三羟乙基胺7-12份、阴离子活性剂5-8份、非离子表面活性剂3-5份、盐酸3-4份、葡萄糖酸钠10—15份和助洗剂15—17份;
2.将三羟乙基胺加入到重量分数为80%的温度为33℃的水中,得到基础液;
3.用搅拌机搅拌基础液,同时依次缓慢加入氟化铵、阴离子活性剂和非离子表面活性剂,随后再搅拌20分钟,并过滤,得混合液A;
4.继续搅拌混合液A,同时依次缓慢加入盐酸、葡萄糖酸钠和助洗剂,随后再搅拌25分钟,并过滤,得混合液B;
5.将混合液B放入蒸发器中,回转蒸馏20分钟,提取上清液B;
6.将上清液B放入过滤离心机中在1750r/s下进行离心,时间为15分钟,最终得到清洗液。
2.如权利要求1所述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述阴离子活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠按1-1.2:1.4-1.5比例混合而成。
3.如权利要求1所述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述非离子活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按1-1.7:1.3-1.5比例混合而成。
4.如权利要求1所述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述助洗剂为氢氧化钠。
5.如权利要求1所述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述的盐酸为工业盐酸。
6.如权利要求1所述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述搅拌机为KD-20搅拌机。
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