CN104470181A - 一种绝对密闭的等离子体表面处理装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种绝对密闭的等离子体表面处理装置,包括电源组、电机马达组、供气源以及密闭的外壳,其中,外壳内设有等离子体放电处理室,等离子体放电处理室一侧设有放卷轴,另一侧设有收卷轴;等离子体放电处理室内设有若干组被硅胶管包覆的金属管高压电极,以及位于金属管高压电极一侧的、与金属管高压电极平行的地电极;等离子体放电处理室顶部设有进出布口,进出布口上方设有排气罩;等离子体放电处理室底部设有若干进气孔。本发明的绝对密闭的等离子体表面处理装置,主要用途是:对薄膜和各种面料的表面进行等离子体的放电的深度处理,改变其表面能,接枝功能基团,提高粘合性能,具有可以实现深度处理,实现连续生产等优点。
Description
技术领域
本发明涉及一种绝对密闭的等离子体表面处理装置
背景技术
等离子体技术应用在薄膜和纺织领域是在近年人们十分关注的新技术,过去人们采用真空等离子体对各种薄膜和纺织面料进行了放电处理,实验证明,经过等离子体处理后,可以进行表面的接枝、聚合、改变表面能、提高染色牢度和改变手感方面都取得了很好的实验结果。但是,由于真空等离子体器壁限制,使其无法实现连续生产,设备运行费用也很高。
在空气中进行的介质阻挡放电过去一般是采用硅橡胶包覆的金属管,采用硅橡胶介质与玻璃或陶瓷介质比较,电极之间需要的击穿电压较高,放电时所形成的局部电弧丝较粗,放电不均匀;另外,过去在常压下进行的介质阻挡放电,是在空气中进行的,放电处理时受天气因素的影响,处理效果不够稳定,更不能实现在反应气体的氛围中进行处理,无法实现对薄膜或面料表面的深度处理,从而影响了表面处理的效果。
发明内容
针对上述现有技术,本发明提供了一种绝对密闭的等离子体表面处理装置。
本发明是通过以下技术方案实现的:
一种绝对密闭的等离子体表面处理装置,包括电源组、电机马达组、供气源以及密闭的外壳,其中,外壳内设有等离子体放电处理室,等离子体放电处理室一侧设有放卷轴,另一侧设有收卷轴;等离子体放电处理室内设有若干组被硅胶管包覆的金属管高压电极,以及位于金属管高压电极一侧的、与金属管高压电极平行的地电极,金属管高压电极以及地电极分别通过电缆线与电源组连接;等离子体放电处理室顶部设有进出布口,进出布口上方设有排气罩;进出布口的外侧及内侧设有用于引导薄膜或面料的导向辊;等离子体放电处理室底部设有若干进气孔,供气源通过管道与进气孔连通,管道上设有控制阀。
所述电源组所采用的电源频率选择范围为:1~100KHz,放电电压范围为:4~35KV。
所述等离子体放电处理室的内壁上设有高压电极支架,金属管电压电极的两端通过轴承固定在高压电极支架上。所述等离子体放电处理室的内壁上设有地电极支架,地电极的两端分别连接弹簧,并通过弹簧连接一个由电机马达组带动的轴承,该轴承固定在地电极支架上,连接在一起的轴承、弹簧和地电极由电机马达组带动形成自转。在金属管高压电极的一侧可以设有多个地电极,该多个地电极与金属管高压电极外的绝缘介质(硅胶管)之间设有相同的间隙,在该间隙中形成等离子体的放电区。
所述进出布口为一条宽8~15cm的缝隙。
所述等离子体放电处理室由不锈钢制成。
所述排气罩由金属材料制成,例如不锈钢。
所述金属管高压电极由不锈钢管制成。
所述地电极由不锈钢制成。
所述高压电极支架、地电极支架由绝缘材料制成,例如还氧或聚四氟材料等。
所述供气源提供氩气,以及反应气源,反应气源可以是氧气、氨气、氮气、六氟化硫以及液体。
上述设备、结构及连接关系,未详尽描述之处,均为现有技术,不再赘述。
本发明的绝对密闭的等离子体表面处理装置,主要用途是:对薄膜和各种面料的表面进行等离子体的放电的深度处理,改变其表面能,接枝功能基团,提高粘合性能,具有以下优点:
1、等离子体放电室内充有以氩气为主并有少量反应气体,使放电时的气体成分能很好控制。
2、处理过程是连续的。
3、金属管高压电极被硅胶管包覆,可以较好地减少放电击穿电压。
4、在放电进行时,电极本身分别被马达和面料带动自转,避免了电极局部受热不均匀。
5、由于在地电极的两端采用弹簧连接,当两个面料的连接处通过电极之间的缝隙时,不会阻塞。
6、与授权公告号为CN201202022Y的专利相比,为绝对密闭(设有一个密闭的外壳,外壳内的气体组成、压力温度等可以人为灵活地调节,而CN201202022Y中的设备,是在常压下进行的介质阻挡放电,是在空气中进行的,放电处理时受天气因素的影响,处理效果不够稳定,更不能实现在反应气体的氛围中进行处理,无法实现对薄膜或面料表面的深度处理,从而影响了表面处理的效果),可以实现深度处理,实现连续生产。
附图说明
图1:本发明的绝对密闭的等离子体表面处理装置的结构示意图。
图2:等离子体放电处理室的结构示意图以及电源、供气源结构示意。
图3:金属管高压电极、地电极的结构示意图。
其中,100、等离子体放电处理室;101、排气罩;、102、导向辊;
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步的说明。
一种绝对密闭的等离子体表面处理装置,包括电源组203、电机马达组207、供气源204以及密闭的外壳,如图1、图2、图3所示,其中,外壳内设有等离子体放电处理室100,等离子体放电处理室100一侧设有放卷轴202,另一侧设有收卷轴201;等离子体放电处理室100内设有若干组被硅胶管103-1包覆的金属管高压电极103,以及位于金属管高压电极103一侧的、与金属管高压电极103平行的地电极104,金属管高压电极103以及地电极104分别通过电缆线206与电源组203连接;等离子体放电处理室100顶部设有进出布口106,进出布口106上方设有排气罩101;进出布口106的外侧及内侧设有用于引导面料105的导向辊(包括远端外侧导向辊102、远端内侧导向辊102-1、近端外侧导向辊108、近端内侧导向辊108-1);等离子体放电处理室100底部设有若干进气孔107,供气源204通过管道与进气孔107连通,管道上设有控制阀205。
所述电源组203所采用的电源频率选择范围为:1~100KHz,放电电压范围为:4~35KV。
所述等离子体放电处理室100的内壁上设有高压电极支架103-3,金属管电压电极103的两端通过轴承103-2固定在高压电极支架103-3上。所述等离子体放电处理室100的内壁上设有地电极支架104-3,地电极104的两端分别连接弹簧104-1,并通过弹簧104-1连接一个由电机马达组207带动的轴承104-2,该轴承104-2固定在地电极支架104-3上,连接在一起的轴承104-2、弹簧104-1和地电极104由电机马达组207带动形成自转。在金属管高压电极103的一侧可以设有多个地电极104,该多个地电极104与金属管高压电极103外的绝缘介质(硅胶管103-1)之间设有相同的间隙111,在该间隙111中形成等离子体的放电区。
所述进出布口106为一条宽8~15cm的缝隙。
所述等离子体放电处理室100由不锈钢制成。所述排气罩101由金属材料制成,例如不锈钢。
所述金属管高压电极103由不锈钢管制成。所述地电极104由不锈钢制成。所述高压电极支架103-3、地电极支架104-3由绝缘材料制成,例如还氧或聚四氟材料等。
所述供气源204提供氩气,以及反应气源,反应气源可以是氧气、氨气、氮气、六氟化硫以及液体。
上面参考附图结合具体的实施例对本发明进行了描述,然而,需要说明的是,对于本领域的技术人员而言,在不脱离本发明的精神和范围的情况下,可以对上述实施例作出许多等效的、非实质性的改变和修改,这些改变和修改都落在本发明的保护范围内。
Claims (9)
1.一种绝对密闭的等离子体表面处理装置,其特征在于:包括电源组、电机马达组、供气源以及密闭的外壳,其中,外壳内设有等离子体放电处理室,等离子体放电处理室一侧设有放卷轴,另一侧设有收卷轴;等离子体放电处理室内设有若干组被硅胶管包覆的金属管高压电极,以及位于金属管高压电极一侧的、与金属管高压电极平行的地电极,金属管高压电极以及地电极分别通过电缆线与电源组连接;等离子体放电处理室顶部设有进出布口,进出布口上方设有排气罩;进出布口的外侧及内侧设有用于引导薄膜或面料的导向辊;等离子体放电处理室底部设有若干进气孔,供气源通过管道与进气孔连通,管道上设有控制阀。
2.根据权利要求1所述的绝对密闭的等离子体表面处理装置,其特征在于:所述电源组所采用的电源频率选择范围为:1~100KHz,放电电压范围为:4~35KV。
3.根据权利要求1所述的绝对密闭的等离子体表面处理装置,其特征在于:所述等离子体放电处理室的内壁上设有高压电极支架,金属管电压电极的两端通过轴承固定在高压电极支架上。
4.根据权利要求1所述的绝对密闭的等离子体表面处理装置,其特征在于:所述等离子体放电处理室的内壁上设有地电极支架,地电极的两端分别连接弹簧,并通过弹簧连接一个由电机马达组带动的轴承,该轴承固定在地电极支架上。
5.根据权利要求1所述的绝对密闭的等离子体表面处理装置,其特征在于:所述进出布口为一条宽8~15cm的缝隙。
6.根据权利要求1所述的绝对密闭的等离子体表面处理装置,其特征在于:所述等离子体放电处理室由不锈钢制成。
7.根据权利要求1所述的绝对密闭的等离子体表面处理装置,其特征在于:所述金属管高压电极由不锈钢管制成。
8.根据权利要求1所述的绝对密闭的等离子体表面处理装置,其特征在于:所述地电极由不锈钢制成。
9.根据权利要求1所述的绝对密闭的等离子体表面处理装置,其特征在于:所述高压电极支架、地电极支架由绝缘材料制成。
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