CN104451537A - 用于蒸镀工艺的掩膜板的制造方法及其结构 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了用于蒸镀工艺的掩膜板的制造方法及其结构。掩膜板本体设有开口区域，该方法包括如下步骤：对掩膜板本体的表面镀锌，形成锌层；对掩膜板本体的表面镀铬，形成铬层。该结构包括掩膜板本体、掩膜板本体的表面依次镀覆有锌层和铬层。在掩膜板本体的表面镀有锌层，锌层的厚度的范围较大，可以用来减小开口区域的宽度，使得该掩膜板符合高像素密度的要求，镀有铬层的厚度较小，对于开口区域宽度的影响几乎可以忽略，但是铬层具有较强的硬度，在进行蒸镀时，使得该掩膜板不会发生形变。

Description

用于蒸镀工艺的掩膜板的制造方法及其结构
技术领域
本发明涉及有机发光器件的蒸镀工艺，特别是涉及一种用于蒸镀工艺的掩膜板的制造方法以及结构。
背景技术
有源矩阵有机发光二极体面板(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)器件的制造工艺分为：基板工序、蒸镀工序和封装工序。基板工序是在玻璃上面生成薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，可以沉积硅材料和金属材料。为了利用通过基板工序而形成的TFT来点亮面板，必须在TFT基板上进行有机物的蒸镀工序，有机物的蒸镀工序是利用掩膜板作为掩膜将已汽化的有机物蒸镀在TFT基板上。目前使用的掩膜板为条形的掩膜板，这种掩膜板中间是比较长的开口区域，汽化的有机物透过该开口区域蒸镀到TFT基板上。
一般说来，传统的蚀刻方式下由于精度影响导致掩膜板的开口区域无法做小，而随着AMOLED对高分辨率的要求不断提高，亦对像素蒸镀密度的提高提出了更高的要求。由于有机发光材料的掩膜板制作工艺限制，所蒸镀出来的发光层最小面积会受到限制，即会影响到显示屏的像素密度。
传统采用电铸的方式来制造具有较小开口的掩膜板，在固定模具上电镀一层掩膜板，然后整体剥离，由于模具精度较高，所以此方式可以做到高像素密度的要求，但是此工艺会导致掩膜板整体强度不足，变形严重，从而导致在蒸镀过程中，蒸镀区域的部分位置偏位严重。
发明内容
基于此，有必要提供一种开口符合高像素密度要求的、并且具有较高强度的掩膜板的制造方法以及结构。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
一种用于蒸镀工艺的掩膜板的制造方法，所述掩膜板本体设有开口区域，该方法包括如下步骤：对所述掩膜板本体的表面镀锌，形成锌层；对所述掩膜板本体的表面镀铬，形成铬层。
在其中一个实施例中，还包括步骤：对所述掩膜板本体的表面补镀镍。
在其中一个实施例中，还包括步骤：对所述掩膜板本体清洁。
在其中一个实施例中，所述锌层的厚度为4至10微米。
在其中一个实施例中，所述铬层的厚度为0.2至0.3微米。
一种用于蒸镀工艺的掩膜板的结构，包括设有开口区域的掩膜板本体，所述掩膜板本体的表面依次镀覆有锌层和铬层。
在其中一个实施例中，所述掩膜板本体的表面还镀覆镍。
在其中一个实施例中，所述锌层的厚度为4至10微米。
在其中一个实施例中，所述铬层的厚度为0.2至0.3微米。
上述用于蒸镀工艺的掩膜板的制造方法，在掩膜板本体的表面镀有锌层，锌层的厚度的范围较大，可以用来减小开口区域的宽度，使得该掩膜板符合高像素密度的要求，镀有铬层的厚度较小，对于开口区域宽度的影响几乎可以忽略，但是铬层具有较强的硬度，在进行蒸镀时，使得该掩膜板不会发生形变。
上述用于蒸镀工艺的掩膜板的结构，在掩膜板本体的表面依次镀有锌层和铬层，锌层用来减小开口区域的宽度，铬层用来增强掩膜板的强度，使该掩膜板在进行蒸镀时，符合高像素密度要求并且不会发生形变。
附图说明
图1为用于蒸镀工艺的掩膜板的制造方法的流程图；
图2为用于蒸镀工艺的掩膜板的结构的示意图。
具体实施方式
请参考图1，图1为用于蒸镀工艺的掩膜板的制造方法流程图。该方法包括以下步骤：
S01：对掩膜板本体清洁。
在本步骤中提供的掩膜板本体设有开口区域，该掩膜板本体在蒸镀工艺时，作为掩膜，已经汽化的有机物透过开口区域蒸镀在TFT基板上。但是传统的掩膜板本体的开口区域宽度较大，并不能够符合AMOLED对高像素密度的要求。为了符合AMOLED对高像素密度的要求，需要将该掩膜板本体的开口区域的宽度变小。在进行该操作时，先要对掩膜板本体进行清洁。
可以将掩膜板本体置于去离子水中，然后对其进行超声波清洗，将附着在掩膜板本体上的异物清洗下来，然后对该掩膜板本体烘干，保持掩膜板本体的清洁度。
掩膜板本体还可能附着有油污，还可以利用化学除油的方法去除掩膜板本体上的油污。将掩膜板本体置于热碱溶液中，利用热碱溶液对油脂的皂化和乳化作用，将掩膜板本体表面的油污去除。在本实施方式中，碱性溶液包括两部分：一部分是碱性物质，如氢氧化钠、碳酸钠等；另一部分是硅酸钠、乳化剂等表面活性物质。然后，再将该掩膜板本体烘干，保持掩膜板本体的清洁度。
S02：对掩膜板本体的表面镀锌，形成锌层。
在本步骤中，将清洁过后的掩膜板本体放置在电解液中，该掩膜板本体作为阴极，而锌作为阳极，在该掩膜板本体的表面镀锌，以使该掩膜板本体的开口区域的宽度变小。在本实施方式中，采用锌，因为锌是相对便宜而又易镀覆的一种金属，并且其形成的镀层厚度相对选择范围较宽，可以使得掩膜板本体的开口区域的宽度的选择范围也较宽。利用锌层将开口区域的宽度减小，以符合AMOLED对高像素密度的要求。锌层的厚度可以通过电流密度以及电镀时间来控制，在本实施方式中，锌层的厚度为4至10微米。但是，锌的表面硬度为60至140维氏硬度(Vickers Hardness，HV)，其硬度还是较小，在进行蒸镀工艺时，该掩膜板还是比较容易变形，从而影响蒸镀区域的位置。
S03：对掩膜板本体的表面镀铬，形成铬层。
在本步骤中，将上述步骤得到的掩膜板放置在电解液中，该掩膜板作为阴极，而阳极为铬，在该掩膜板的表面镀铬，以形成铬层，由于镀铬工艺的本身因素，铬层的厚度选择范围相对比较小。在本实施方式中，通过控制电流密度以及电镀时间，使得铬层的厚度为0.2至0.3微米，这样的厚度对开口区域的宽度的影响是可以忽略的。但是铬层的表面硬度可以达到750至1000HV，这样的硬度足以应付蒸镀工艺中对掩膜板的硬度的要求，使该掩膜板不易发生形变，从而在进行蒸镀工艺时，不会影响蒸镀区域的位置。
S04：对掩膜板本体的本体表面补镀镍。
在上述步骤中形成的锌层和铬层，在电镀过程中，掩膜板的表面难免会有不平整的地方，利用镍对该不平整的地方进行补镀，以使得该掩膜板具有平整的表面，对蒸镀区域的影响降低到最小。在本步骤中，将所需补镀的位置浸入电解液中，将其作为阴极，而镍作为阳极，进行补镀。控制电镀的电流密度以及电镀时间，使得该掩膜板具有平整的表面。因为镀镍的厚度选择范围比较宽广，可以适应于不同形状及厚度的需补镀位置，可以使得掩膜板表面具有良好的平整度。并且，镍的硬度可以达到500至800HV，比较适合于补镀技术，以适应蒸镀工艺时掩膜板所需的硬度。
经过上述步骤得到的掩膜板，开口区域的宽度较小，符合AMOLED对高像素密度的要求，并且其强度足以适应蒸镀工艺，使得掩膜板在蒸镀工序中，不会发生形变。
请参考图2，图2为在此披露了用于蒸镀工艺的掩膜板的结构，该掩膜板100包括掩膜板本体110以及依次镀覆在掩膜板本体110表面的锌层120、铬层130等，图2中披露只是掩膜板本体110、锌层120、铬层130以及开口区域140的示意图，并不意味着它们之间的大小关系就如图2所示，这一点本领域的普通技术人员应当知晓。掩膜板本体110设有开口区域140，由于该开口区域140的宽度较宽不符合AMOLED对高像素密度的要求，所以在掩膜板本体110表面镀覆锌层120，锌层120的厚度选择范围比较宽广，在本实施方式中，其厚度在4至10微米之间。但是，锌层120的硬度为60至140HV，其硬度不足以使得掩膜板100不发生形变。所以在锌层120外再镀覆一层铬层130，在本实施方式中，铬层130的厚度为0.2至0.3微米，其硬度为750至1000HV。由于在电镀过程中形成的锌层120和铬层130的表面难免会有不平整的地方，利用镍(图未示)进行补镀，以使得掩膜板100具有平整的表面，对蒸镀区域的影响降低到最小。并且镍电镀时的厚度选择范围比较宽广，可以适应于不同形状及厚度的需补镀位置，使得掩膜板100具有平整的表面；而且，其硬度可以达到500至800HV，比较适合于补镀技术，以适应蒸镀工艺时掩膜板所需的硬度。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种用于蒸镀工艺的掩膜板的制造方法，所述掩膜板本体设有开口区域，其特征在于，包括如下步骤：
对所述掩膜板本体的表面镀锌，形成锌层；
对所述掩膜板本体的表面镀铬，形成铬层。
2.根据权利要求1所述的用于蒸镀工艺的掩膜板的制造方法，其特征在于，还包括步骤：对所述掩膜板本体的表面补镀镍。
3.根据权利要求1所述的用于蒸镀工艺的掩膜板的制造方法，其特征在于，还包括步骤：对所述掩膜板本体清洁。
4.根据权利要求1所述的用于蒸镀工艺的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述锌层的厚度为4至10微米。
5.根据权利要求1所述的用于蒸镀工艺的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述铬层的厚度为0.2至0.3微米。
6.一种用于蒸镀工艺的掩膜板的结构，包括设有开口区域的掩膜板本体，其特征在于，所述掩膜板本体的表面依次镀覆有锌层和铬层。
7.根据权利要求6所述的用于蒸镀工艺的掩膜板的结构，其特征在于，所述掩膜板本体的表面还镀覆镍。
8.根据权利要求6所述的用于蒸镀工艺的掩膜板的结构，其特征在于，所述锌层的厚度为4至10微米。
9.根据权利要求6所述的用于蒸镀工艺的掩膜板的结构，其特征在于，所述铬层的厚度为0.2至0.3微米。
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