CN104446522B - 基于ltcc的多层烧结工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于LTCC的多层烧结工艺,它包括:低损耗基板制作步骤:用功率损耗小的电路基片代替LTCC上微波电路部分基片;大尺寸器件装配步骤:将大尺寸器件粘接在LTCC上并进行包裹加固;LTCC与金属腔连接的步骤:用载板过渡连接替换LTCC直接与金属腔连接;LTCC多芯片烧结步骤:将芯片在多个载板上组合后粘接在LTCC上,扩大热容。本发明提供了一种基于LTCC的多层烧结工艺,解决了LTCC介电常数大、损耗大、可焊性差、可返修性差,LTCC与铝合金材料热膨胀系数差异大导致装配困难等技术问题,提高了产品可靠性,具有很强的可操作性,经济可行。
Description
技术领域
本发明涉及一种LTCC工艺,特别是一种基于LTCC的多层烧结工艺。
背景技术
随着电子行业的飞速发展,时代的进步,客服的需求,电子产品高集成化、小型化要求越来越高,LTCC低温共烧陶瓷因其高介电常数可实现多层、密集的电路设计,也可对微型元器件进行预埋处理。但也因基于LTCC技术的电路损耗大,厚膜及溅射金属化工艺可焊性、可返修性差和不可调试性,预埋器件尺寸小等因数导致LTCC技术应用受到诸多限制;另,LTCC物理性能(如:脆性大、热膨胀系数小、导热性差等)也给LTCC技术的应用带来极大的工艺技术难题。
优化LTCC金属化工艺可改善LTCC的可焊性和可调试性,优化思路为将单独的厚膜或溅射工艺改为:厚膜/溅射→镀镍→镀金,但会大大增加LTCC的生产成本。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种基于LTCC的多层烧结工艺,能够解决LTCC介电常数大、损耗大、可焊性差、可返修性差,LTCC与铝合金材料热膨胀系数差异大导致装配困难等技术问题。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的:它包括一个低损耗基板制作步骤、一个大尺寸器件装配步骤、一个LTCC与金属腔连接的步骤和一个LTCC多芯片烧结步骤;
(1)低损耗基板制作步骤:用功率损耗小的电路基片代替LTCC上微波电路部分基片;
(2)大尺寸器件装配步骤:将大尺寸器件粘接在LTCC上并进行包裹加固;
(3)LTCC与金属腔连接的步骤:用载板过渡连接替换LTCC直接与金属腔连接;
(4)LTCC多芯片烧结步骤:将芯片在多个载板上组合后粘接在LTCC上,扩大热容。
所述的低损耗基板制作包括:用导电胶将RT6002电路基片粘接在LTCC基板上,替代原有的微波电路。
所述的大尺寸器件装配包括如下步骤:
S21:用导电胶将大尺寸器件粘接在LTCC焊盘上;
S22:在大尺寸器件周围用高分子树脂进行包围加固。
所述的LTCC与金属腔连接包括如下子步骤:
S31:将LTCC基板与钨铜载板进行连接;
S32:将钨铜载板用铅锡合金烧结在金属腔上,或者用导电胶粘接在金属腔上。
所述的LTCC多芯片烧结包括如下步骤:
S41:将芯片组合焊接在钼铜载板上;
S42:将芯片组合件用高导热率导电胶粘接在LTCC上。
所述的高导热率导电胶为SK100导电胶。
所述的导电胶为H20E导电胶。
所述的LTCC基板与钨铜载板之间使用金锡合金连接。
本发明的有益效果是:本发明提供了一种基于LTCC的多层烧结工艺,解决了因LTCC损耗大带来的技术难题;解决了因LTCC热膨胀系数小带来的LTCC装配问题;解决了因LTCC可焊性差、不可调试性等导致的微波电路设计难题;解决了因LTCC导热性差导致的大功率芯片损坏的工艺难题。既提高了产品可靠性,又具有很强的可操作性,经济可行。
附图说明
图1为LTCC多层烧结工艺框图。
具体实施方式
下面结合附图进一步详细描述本发明的技术方案,但本发明的保护范围不局限于以下所述。
如图1所示,它包括一个低损耗基板制作步骤、一个大尺寸器件装配步骤、一个LTCC与金属腔连接的步骤和一个LTCC多芯片烧结步骤;
(1)低损耗基板制作步骤:用功率损耗小的电路基片代替LTCC上微波电路部分基片;
(2)大尺寸器件装配步骤:将大尺寸器件粘接在LTCC上并进行包裹加固;
(3)LTCC与金属腔连接的步骤:用载板过渡连接替换LTCC直接与金属腔连接;
(4)LTCC多芯片烧结步骤:将芯片在多个载板上组合后粘接在LTCC上,扩大热容。
所述的低损耗基板制作包括:用导电胶将RT6002电路基片粘接在LTCC基板上,替代原有的微波电路。
RT6002电路基片介电常数小,功率损耗小,解决其功率损耗问题;RT6002电路基片金属化层为Cu/Ni/Ag,可焊性和可返修性能较好,能方便的进行电路调试。
大尺寸器件装配包括如下步骤:
S21:用导电胶将大尺寸器件粘接在LTCC焊盘上;
S22:在大尺寸器件周围用高分子树脂进行包围加固。
LTCC可预埋器件尺寸小,诸如胆电容之类的大尺寸器件无法实现预埋,而电路设计又无法规避类似器件的使用用H20E粘接胆电容至LTCC焊盘上实现了胆电容的电路连接,再在胆电容四周用高分子树脂进行包裹加固,提高了粘接可靠性,从而实现了胆电容在LTCC表面的装配工艺。
所述的LTCC与金属腔连接包括如下子步骤:
S31:将LTCC基板与钨铜载板进行连接;
S32:将钨铜载板用铅锡合金烧结在金属腔上,或者用导电胶粘接在金属腔上。
LTCC脆性大,直接将LTCC粘接/烧结至金属腔体内,温度冲击下因其热膨胀系数差异大,容易导致LTCC崩裂,可靠性差;用钨铜载板作为中间过渡,良好的解决了因膨胀系数不匹配导致的LTCC损坏问题;LTCC与钨铜之间用金锡合金连接,钨铜与腔体之间用H20E粘接或者用铅锡合金烧结。
所述的LTCC多芯片烧结包括如下步骤:
S41:将芯片组合焊接在钼铜载板上;
S42:将芯片组合件用高导热率导电胶粘接在LTCC上。
LTCC导热率低,直接在上粘接功率芯片易导致芯片散热不良而损坏,可靠性低,本发明通过在钼铜载板上用金锡合金进行芯片的组合焊接,在将芯片组合件用高导热率导电胶SK100粘接在LTCC上,扩大了热容,从而有效的实现了LTCC上的多芯片烧结工艺。
所述的高导热率导电胶为SK100导电胶。
所述的导电胶为H20E导电胶。
所述的LTCC基板与钨铜载板之间使用金锡合金连接。
Claims (5)
1.基于LTCC的多层烧结工艺,其特征在于:它包括一个低损耗基板制作步骤、一个大尺寸器件装配步骤、一个LTCC与金属腔连接的步骤和一个LTCC多芯片烧结步骤;
(1)低损耗基板制作步骤:用功率损耗小的电路基片代替LTCC上微波电路部分基片;
(2)大尺寸器件装配步骤:将大尺寸器件粘接在LTCC上并进行包裹加固;
(3)LTCC与金属腔连接的步骤:用载板过渡连接替换LTCC直接与金属腔连接;
(4)LTCC多芯片烧结步骤:将芯片在多个载板上组合后粘接在LTCC上,扩大热容;
所述的大尺寸器件装配包括如下步骤:
S21:用导电胶将大尺寸器件粘接在LTCC焊盘上;
S22:在大尺寸器件周围用高分子树脂进行包围加固;
所述的LTCC与金属腔连接包括如下子步骤:
S31:将LTCC基板与钨铜载板进行连接;
S32:将钨铜载板用铅锡合金烧结在金属腔上,或者用导电胶粘接在金属腔上;
所述的LTCC多芯片烧结包括如下步骤:
S41:将芯片组合焊接在钼铜载板上;
S42:将芯片组合件用高导热率导电胶粘接在LTCC上。
2.根据权利要求1所述的基于LTCC的多层烧结工艺,其特征在于:所述的低损耗基板制作包括:用导电胶将RT6002电路基片粘接在LTCC基板上,替代原有的微波电路。
3.根据权利要求1所述的基于LTCC的多层烧结工艺,其特征在于:所述的高导热率导电胶为SK100导电胶。
4.根据权利要求1或2中任意一项所述的基于LTCC的多层烧结工艺,其特征在于:所述的导电胶为H20E导电胶。
5.根据权利要求1所述的基于LTCC的多层烧结工艺,其特征在于:所述的LTCC基板与钨铜载板之间使用金锡合金连接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510000543.8A CN104446522B (zh) | 2015-01-04 | 2015-01-04 | 基于ltcc的多层烧结工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
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CN201510000543.8A CN104446522B (zh) | 2015-01-04 | 2015-01-04 | 基于ltcc的多层烧结工艺 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104446522A CN104446522A (zh) | 2015-03-25 |
CN104446522B true CN104446522B (zh) | 2016-04-13 |
Family
ID=52893368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510000543.8A Active CN104446522B (zh) | 2015-01-04 | 2015-01-04 | 基于ltcc的多层烧结工艺 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104446522B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106285624A (zh) * | 2016-07-20 | 2017-01-04 | 中国海洋石油总公司 | 一种测井仪器数据采集器件及装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201215805Y (zh) * | 2007-11-02 | 2009-04-01 | 中国电子科技集团公司第十研究所 | Ltcc集成封装毫米波组件 |
-
2015
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201215805Y (zh) * | 2007-11-02 | 2009-04-01 | 中国电子科技集团公司第十研究所 | Ltcc集成封装毫米波组件 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
一种基于LTCC技术的新型功率放大器研制;伍星等;《太赫兹科学与电子信息学报》;20141031;第12卷(第5期);第707-711页 * |
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN104446522A (zh) | 2015-03-25 |
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