CN104426050A - 半导体激光二极管及其封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种半导体激光二极管及其封装方法。所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件、防静电元件和半导体激光二极管芯片，所述封装方法包括步骤：a）将半导体激光二极管芯片固定在散热元件上，并将固定有半导体激光二极管芯片的散热元件固定在管座上；b）将防静电元件设置在管座之上，并将防静电元件并联在半导体激光二极管芯片的正、负极；c）在充入保护气体的同时利用封帽结合封装管座，以形成半导体激光二极管。本发明因在管座内封装防静电元件，在半导体激光二极管的制作、存储及运输过程中产生的静电可通过防静电元件而释放，同时防静电元件的电压特性不影响半导体激光二极管的正常工作，提高了半导体激光二极管的防静电能力。
Description
技术领域
本发明涉及半导体激光二极管技术，更具体地讲，涉及一种能够防止静电的半导体激光二极管及其封装方法。
背景技术
近年来，半导体激光二极管技术发展迅速，紫外、紫光、蓝光、绿光半导体激光二极管也相继问世。然而，在半导体激光二极管的制作、储存、运输和使用过程中静电对其存在致命的伤害，对半导体激光二极管的静电防护一直是个难题。在半导体激光二极管的使用过程中可在电路中采取防静电措施，而在半导体激光二极管的制作、储存和运输过程中目前没有较好的防静电方法。因此，如何有效地防护静电成为了半导体激光二极管研究中的技术难点。
目前半导体激光二极管一般采用金属管座进行封装，半导体激光二极管芯片的正负极直接与金属管座的接线柱相连，由于金属摩擦极易产生静电且接线柱的面积较大，半导体激光二极管芯片在封装、存储和运输时很容易被静电击穿，造成器件失效。目前防静电的方法主要有减少摩擦、增加空气湿度等，这些方法都具有很大的局限性。
发明内容
为了解决上述现有技术存在的问题，本发明的目的在于提供一种能够有效地提高静电防护能力的半导体激光二极管及其封装方法。
根据本发明的一方面，提供了一种半导体激光二极管的封装方法，所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件和半导体激光二极管芯片，其中，所述半导体激光二极管还包括防静电元件，所述封装方法包括步骤：a）将所述半导体激光二极管芯片固定在所述散热元件上，并将固定有所述半导体激光二极管芯片的所述散热元件固定在所述管座上；b）将所述防静电元件设置在所述管座之上，并将所述防静电元件并联在所述半导体激光二极管芯片的正、负极；c）在充入保护气体的同时利用封帽结合封装所述管座，以形成所述半导体激光二极管。
进一步地，所述半导体激光二极管还至少包括第一接线柱和第二接线柱，在步骤b）中，将所述第一接线柱和第二接线柱由所述管座外侧穿伸到所述管座的内侧，将所述第一接线柱分别与所述防静电元件的一端和所述半导体激光二极管芯片的正极耦接，并且将所述第二接线柱分别与所述防静电元件的另一端和所述半导体激光二极管芯片的负极耦接。
进一步地，所述散热元件包括第一热沉和第二热沉，其中，在步骤a）中，将所述第二热沉固定在所述管座上，将所述第一热沉固定在所述第二热沉上，将所述半导体激光二极管芯片固定在所述第一热沉上。
进一步地，所述防静电元件包括第一单向防静电二极管和第二单向防静电二极管，其中，将所述第一单向防静电二极管和第二单向防静电二极管均固定在所述管座上，将所述第一单向防静电二极管的负极和第二单向防静电二极管的负极耦接，并且将所述第一单向防静电二极管的正极耦接到所述第一接线柱，将所述第二单向防静电二极管的正极耦接到所述第二接线柱。
进一步地，所述防静电元件包括双向防静电二极管，其中，将所述双向防静电二极管的两端分别耦接到所述第一接线柱和第二接线柱。
进一步地，所述防静电元件为双向防静电二极管芯片，其中，将所述双向防静电二极管芯片固定在所述第二热沉上，并且将所述防静电二极管芯片的两端分别耦接到所述第一接线柱和第二接线柱。
根据本发明的另一方面，提供了一种半导体激光二极管，其包括管座、封帽、散热元件和半导体激光二极管芯片，所述散热元件固定在所述管座上，所述半导体激光二极管芯片固定在所述散热元件上，所述封帽与所述管座结合封装，其中，所述半导体二极管还包括防静电元件，所述防静电元件设置于所述封帽与所述管座之间，并且所述防静电元件并联在所述半导体激光二极管芯片的正、负极。
进一步地，所述半导体激光二极管还至少包括第一接线柱和第二接线柱，其中，所述第一接线柱和第二接线柱由所述管座外侧穿伸到所述管座和所述封帽之间，所述第一接线柱分别与所述防静电元件的一端和所述半导体激光二极管芯片的正极耦接，所述第二接线柱分别与所述防静电元件的另一端和所述半导体激光二极管芯片的负极耦接。
进一步地，所述散热元件包括第一热沉和第二热沉，其中，所述第二热沉固定在所述管座上，所述第一热沉固定在所述第二热沉上，所述半导体激光二极管芯片固定在所述第一热沉上。
进一步地，所述防静电元件包括第一单向防静电二极管和第二单向防静电二极管，所述第一单向防静电二极管和第二单向防静电二极管固定在所述管座上，其中，所述第一单向防静电二极管的负极和第二单向防静电二极管的负极耦接，并且所述第一单向防静电二极管的正极耦接到所述第一接线柱，所述第二单向防静电二极管的正极耦接到所述第二接线柱。
进一步地，所述防静电元件为双向防静电二极管，所述双向防静电二极管固定在所述管座上，其中，所述双向防静电二极管的两端分别耦接到所述第一接线柱和第二接线柱。
进一步地，所述防静电元件为双向防静电二极管芯片，所述双向防静电二极管芯片固定在所述第二热沉上，其中，所述防静电二极管芯片的两端分别耦接到所述第一接线柱和第二接线柱。
本发明的半导体激光二极管及其封装方法，由于在管座内封装了防静电元件，在半导体激光二极管的制作、存储以及运输过程中产生的静电可通过防静电元件得到释放，同时防静电元件的电压特性又不影响半导体激光二极管的正常工作，有效地提高了半导体激光二极管的静电防护能力。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，本发明的上述和其它目的、特点和优点将会变得更加清楚，其中：
图1是本发明的半导体激光二极管的封装方法流程图。
图2是本发明的半导体激光二极管封装封帽时的立体图。
图3是根据本发明的实施例1的半导体激光二极管未封封帽时的侧视图。
图4是根据本发明的实施例2的半导体激光二极管未封封帽时的侧视图。
图5是根据本发明的实施例3的半导体激光二极管未封封帽时的侧视图。
具体实施方式
现在对本发明的实施例进行详细的描述，其示例表示在附图中，其中，相同的标号始终表示相同部件。下面通过参照附图对实施例进行描述以解释本发明。在附图中，为了清晰起见，可以夸大层和区域的厚度。在下面的描述中，为了避免公知结构和/或功能的不必要的详细描述所导致的本发明构思的混淆，可省略公知结构和/或功能的不必要的详细描述。
实施例1
图1是本发明的半导体激光二极管的封装方法流程图。图2是本发明的半导体激光二极管封装封帽时的立体图。图3是根据本发明的实施例1的半导体激光二极管未封封帽时的侧视图。
参照图1至图3，根据本发明的实施例1的半导体激光二极管的封装方法包括步骤：
S1：将半导体激光二极管芯片10固定在散热元件20上，并将固定有半导体激光二极管芯片10的散热元件20固定在管座30上；
S2：将防静电元件固定在管座30上，并且将防静电元件的两端并联在半导体激光二极管芯片10的正、负极；
S3：在充入保护气体（例如：氮气）的同时利用封帽50结合封装管座30，以完成半导体激光二极管的封装。
具体而言，散热元件20可包括第一热沉21和第二热沉22；在步骤S1中，可通过焊接等固定连接方式将半导体激光二极管芯片10固定在第一热沉21上，而后通过焊接等固定连接方式将固定有半导体激光二极管芯片10的第一热沉21固定在第二热沉22上，接着将第二热沉22固定在管座30上。
这里，要说明的是，半导体激光二极管芯片10的正极指的是半导体激光二极管芯片10的上表面，半导体激光二极管芯片10的负极指的是半导体激光二极管芯片10的下表面，该下表面与第一热沉21接触固定。
本实施例的半导体激光二极管还进一步包括第一接线柱61、第二接线柱62和第三接线柱63，防静电元件可包括第一单向防静电二极管41和第二单向防静电二极管42，在步骤S2中，可通过粘结等固定连接方式将第一单向防静电二极管41和第二单向防静电二极管42固定在管座30上，将各个接线柱由管座30的外侧（即管座30的未固定元件的一侧）穿伸到管座30的内侧（即管座30固定有元件的一侧或者管座30和封帽50之间），可利用金属导线将第一单向防静电二极管41的负极和第二单向防静电二极管42的负极耦接，再利用金属导线将第一接线柱61分别与第一单向防静电二极管41的正极和半导体激光二极管芯片10的正极（或者负极）耦接，并且再利用金属导线将第二接线柱62分别与第二单向防静电二极管42的正极和半导体激光二极管芯片10的负极（或正极）耦接。另外，第三接线柱63是在半导体激光二极管应用的过程中用来连接到光电探测器等器件，由于其是所属领域技术人员熟知的功能，在此不再赘述。
经过上述步骤，完成了半导体激光二极管的封装，由于在管座30内封装了两个单向防静电二极管，在半导体激光二极管的制作、存储以及运输过程中产生的静电可通过两个单向防静电二极管得到释放，同时两个单向防静电二极管的电压特性又不影响半导体激光二极管的正常工作，有效地提高了半导体激光二极管的静电防护能力。
实施例2
图1是本发明的半导体激光二极管的封装方法流程图。图2是本发明的半导体激光二极管封装封帽时的立体图。图4是根据本发明的实施例2的半导体激光二极管未封封帽时的侧视图。
参照图1、图2和图4，根据本发明的实施例2的半导体激光二极管的封装方法包括步骤：
S1：将半导体激光二极管芯片10固定在散热元件20上，并将固定有半导体激光二极管芯片10的散热元件20固定在管座30上；
S2：将防静电元件固定在管座30上，并且将防静电元件的两端并联在半导体激光二极管芯片10的正、负极；
S3：在充入保护气体（例如：氮气）的同时利用封帽50结合封装管座30，以完成半导体激光二极管的封装。
具体而言，散热元件20可包括第一热沉21和第二热沉22；在步骤S1中，可通过焊接等固定连接方式将半导体激光二极管芯片10固定在第一热沉21上，而后通过焊接等固定连接方式将固定有半导体激光二极管芯片10的第一热沉21固定在第二热沉22上，接着将第二热沉22固定在管座30上。
这里，要说明的是，半导体激光二极管芯片10的正极指的是半导体激光二极管芯片10的上表面，半导体激光二极管芯片10的负极指的是半导体激光二极管芯片10的下表面，该下表面与第一热沉21接触固定。
本实施例的半导体激光二极管还进一步包括第一接线柱61、第二接线柱62和第三接线柱63，防静电元件可为双向防静电二极管43，在步骤S2中，可通过粘结等固定连接方式将双向防静电二极管43固定在管座30上，将各个接线柱由管座30的外侧（即管座30的未固定元件的一侧）穿伸到管座30的内侧（即管座30的固定有元件的一侧或者管座30和封帽50之间），可利用金属导线将第一接线柱61分别与双向防静电二极管43的一端和半导体激光二极管芯片10的正极（或负极）耦接，并且可利用金属导线将第二接线柱62分别与双向防静电二极管43的另一端和半导体激光二极管芯片10的负极（或正极）耦接。另外，第三接线柱63是在半导体激光二极管应用的过程中用来连接到光电探测器等器件，由于其是所属领域技术人员熟知的功能，在此不再赘述。
经过上述步骤，完成了半导体激光二极管的封装，由于在管座30内封装了双向防静电二极管43，在半导体激光二极管的制作、存储以及运输过程中产生的静电可通过双向防静电二极管43得到释放，同时双向防静电二极管43的电压特性又不影响半导体激光二极管的正常工作，有效地提高了半导体激光二极管的静电防护能力。
实施例3
图1是本发明的半导体激光二极管的封装方法流程图。图2是本发明的半导体激光二极管封装封帽时的立体图。图5是根据本发明的实施例3的半导体激光二极管未封封帽时的侧视图。
参照图1、图2和图5，根据本发明的实施例3的半导体激光二极管的封装方法包括步骤：
S1：将半导体激光二极管芯片10固定在散热元件20上，并将固定有半导体激光二极管芯片10的散热元件20固定在管座30上；
S2：将防静电元件固定在管座30上，并且将防静电元件的两端并联在半导体激光二极管芯片10的正、负极；
S3：在充入保护气体（例如：氮气）的同时利用封帽50结合封装管座30，以完成半导体激光二极管的封装。
具体而言，散热元件20可包括第一热沉21和第二热沉22；在步骤S1中，可通过焊接等固定连接方式将半导体激光二极管芯片10固定在第一热沉21上，而后通过焊接等固定连接方式将固定有半导体激光二极管芯片10的第一热沉21固定在第二热沉22上，接着将第二热沉22固定在管座30上。
这里，要说明的是，半导体激光二极管芯片10的正极指的是半导体激光二极管芯片10的上表面，半导体激光二极管芯片10的负极指的是半导体激光二极管芯片10的下表面，该下表面与第一热沉21接触固定。
本实施例的半导体激光二极管还进一步包括第一接线柱61、第二接线柱62和第三接线柱63，防静电元件可为双向防静电二极管芯片44，在步骤S2中，可通过焊接等固定连接方式将双向防静电二极管芯片44固定在第二热沉22上，将各个接线柱由管座30的外侧（即管座30的未固定元件的一侧）穿伸到管座30的内侧（即管座30的固定有元件的一侧或者管座30和封帽50之间），可利用金属导线将第一接线柱61分别与双向防静电二极管芯片44的一端和半导体激光二极管芯片10的正极（或负极）耦接，并且可利用金属导线将第二接线柱62分别与双向防静电二极管芯片44的另一端和半导体激光二极管芯片10的负极（或正极）耦接。另外，第三接线柱63是在半导体激光二极管应用的过程中用来连接到光电探测器等器件，由于其是所属领域技术人员熟知的功能，在此不再赘述。
与实施例2的不同之处在于，本实施例采用了双向防静电二极管芯片，其没有经过封装，即没有形成实施例2的双向防静电二极管，这样有利于半导体激光二极管的小型化。
经过上述步骤，完成了半导体激光二极管的封装，由于在管座30内封装了双向防静电二极管芯片44，在半导体激光二极管的制作、存储以及运输过程中产生的静电可通过双向防静电二极管芯片44得到释放，同时双向防静电二极管芯片44的电压特性又不影响半导体激光二极管的正常工作，有效地提高了半导体激光二极管的静电防护能力。
尽管已经参照其示例性实施例具体显示和描述了本发明，但是本领域的技术人员应该理解，在不脱离权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对其进行形式和细节上的各种改变。
Claims (12)
1.一种半导体激光二极管的封装方法，所述半导体激光二极管包括管座、封帽、散热元件和半导体激光二极管芯片，其特征在于，所述半导体二极管还包括防静电元件，所述封装方法包括步骤：
a）将所述半导体激光二极管芯片固定在所述散热元件上，并将固定有所述半导体激光二极管芯片的所述散热元件固定在所述管座上；
b）将所述防静电元件设置在所述管座之上，并将所述防静电元件并联在所述半导体激光二极管芯片的正、负极；
c）在充入保护气体的同时利用封帽结合封装所述管座，以形成所述半导体激光二极管。
2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述半导体激光二极管还至少包括第一接线柱和第二接线柱，在步骤b）中，将所述第一接线柱和第二接线柱由所述管座外侧穿伸到所述管座的内侧，将所述第一接线柱分别与所述防静电元件的一端和所述半导体激光二极管芯片的正极耦接，并且将所述第二接线柱分别与所述防静电元件的另一端和所述半导体激光二极管芯片的负极耦接。
3.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述散热元件包括第一热沉和第二热沉，其中，在步骤a）中，将所述第二热沉固定在所述管座上，将所述第一热沉固定在所述第二热沉上，将所述半导体激光二极管芯片固定在所述第一热沉上。
4.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述防静电元件包括第一单向防静电二极管和第二单向防静电二极管，其中，将所述第一单向防静电二极管和第二单向防静电二极管均固定在所述管座上，将所述第一单向防静电二极管的负极和第二单向防静电二极管的负极耦接，并且将所述第一单向防静电二极管的正极耦接到所述第一接线柱，将所述第二单向防静电二极管的正极耦接到所述第二接线柱。
5.根据权利要求2所述的封装方法，其特征在于，所述防静电元件包括双向防静电二极管，其中，将所述双向防静电二极管的两端分别耦接到所述第一接线柱和第二接线柱。
6.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于，所述防静电元件为双向防静电二极管芯片，其中，将所述双向防静电二极管芯片固定在所述第二热沉上，并且将所述防静电二极管芯片的两端分别耦接到所述第一接线柱和第二接线柱。
7.一种半导体激光二极管，包括管座、封帽、散热元件和半导体激光二极管芯片，所述散热元件固定在所述管座上，所述半导体激光二极管芯片固定在所述散热元件上，所述封帽与所述管座结合封装，其特征在于，所述半导体二极管还包括防静电元件，所述防静电元件设置于所述封帽与所述管座之间，并且所述防静电元件并联在所述半导体激光二极管芯片的正、负极。
8.根据权利要求7所述的半导体激光二极管，其特征在于，所述半导体激光二极管还至少包括第一接线柱和第二接线柱，其中，所述第一接线柱和第二接线柱由所述管座外侧穿伸到所述管座和所述封帽之间，所述第一接线柱分别与所述防静电元件的一端和所述半导体激光二极管芯片的正极耦接，所述第二接线柱分别与所述防静电元件的另一端和所述半导体激光二极管芯片的负极耦接。
9.根据权利要求8所述的半导体激光二极管，其特征在于，所述散热元件包括第一热沉和第二热沉，其中，所述第二热沉固定在所述管座上，所述第一热沉固定在所述第二热沉上，所述半导体激光二极管芯片固定在所述第一热沉上。
10.根据权利要求8或9所述的半导体激光二极管，其特征在于，所述防静电元件包括第一单向防静电二极管和第二单向防静电二极管，所述第一单向防静电二极管和第二单向防静电二极管固定在所述管座上，其中，所述第一单向防静电二极管的负极和第二单向防静电二极管的负极耦接，并且所述第一单向防静电二极管的正极耦接到所述第一接线柱，所述第二单向防静电二极管的正极耦接到所述第二接线柱。
11.根据权利要求8或9所述的半导体激光二极管，其特征在于，所述防静电元件为双向防静电二极管，所述双向防静电二极管固定在所述管座上，其中，所述双向防静电二极管的两端分别耦接到所述第一接线柱和第二接线柱。
12.根据权利要求9所述的半导体激光二极管，其特征在于，所述防静电元件为双向防静电二极管芯片，所述双向防静电二极管芯片固定在所述第二热沉上，其中，所述防静电二极管芯片的两端分别耦接到所述第一接线柱和第二接线柱。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109560461A (zh) * | 2017-09-26 | 2019-04-02 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 一种激光器阵列 |
| CN110021874A (zh) * | 2018-01-10 | 2019-07-16 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种半导体激光器及激光器芯片 |
| CN111541145A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-08-14 | 江西亮弘光电科技有限公司 | 一种具备清洁功能的激光二极管封帽机台 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1154803A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-02-26 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| CN2713645Y (zh) * | 2004-07-02 | 2005-07-27 | 北京工业大学 | 用于发光管的抗静电保护电路 |
| CN101103502A (zh) * | 2005-01-11 | 2008-01-09 | 罗姆股份有限公司 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| KR20090007978U (ko) * | 2008-02-01 | 2009-08-05 | 한국 고덴시 주식회사 | 리드 프레임 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지 |
| CN201994295U (zh) * | 2011-02-12 | 2011-09-28 | 厦门厦荣达电子有限公司 | 一种高抗静电的led |
-
2013
- 2013-09-03 CN CN201310394933.9A patent/CN104426050B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1154803A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-02-26 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| CN2713645Y (zh) * | 2004-07-02 | 2005-07-27 | 北京工业大学 | 用于发光管的抗静电保护电路 |
| CN101103502A (zh) * | 2005-01-11 | 2008-01-09 | 罗姆股份有限公司 | 半导体激光装置及其制造方法 |
| KR20090007978U (ko) * | 2008-02-01 | 2009-08-05 | 한국 고덴시 주식회사 | 리드 프레임 및 이를 이용한 발광 다이오드 패키지 |
| CN201994295U (zh) * | 2011-02-12 | 2011-09-28 | 厦门厦荣达电子有限公司 | 一种高抗静电的led |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109560461A (zh) * | 2017-09-26 | 2019-04-02 | 青岛海信激光显示股份有限公司 | 一种激光器阵列 |
| CN110021874A (zh) * | 2018-01-10 | 2019-07-16 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种半导体激光器及激光器芯片 |
| CN110021874B (zh) * | 2018-01-10 | 2021-05-11 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种半导体激光器及激光器芯片 |
| CN111541145A (zh) * | 2020-05-11 | 2020-08-14 | 江西亮弘光电科技有限公司 | 一种具备清洁功能的激光二极管封帽机台 |
Also Published As
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