CN104425558A - 具有双堤部结构的高开口率有机发光二极管显示器 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 74
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 14
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000001002 morphogenetic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
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Abstract
本发明涉及一种具有高开口率的有机发光二极管显示器。本发明提供了一种有机发光二极管显示器，包括：具有以矩阵方式排列的多个像素区域的基板；形成在所述基板上的所述像素区域内的阳极；第一堤部，所述第一堤部具有暴露所述阳极的大部分并界定发光区域的开口区域；第二堤部，所述第二堤部暴露由所述第一堤部暴露的所述开口区域以及所述第一堤部的一部分上表面；有机发光层，所述有机发光层覆盖由所述第二堤部暴露的所述第一堤部的一部分上表面以及由所述第一堤部暴露的所述阳极的大部分；和形成在具有所述有机发光层的基板上的阴极。
Description
本申请要求2013年8月30日提交的韩国申请No.10-2013-104385的优先权，为了所有目的在此援引该专利申请作为参考，如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种具有高开口率的有机发光二极管显示器。本发明尤其涉及一种具有双堤部结构的高开口率有机发光二极管显示器，从而防止当使用油墨填充方法沉积有机发光材料时形成未填充区域。
背景技术
现在，为了克服阴极射线管的一些缺点，如重量重和体积庞大，提出了各种平板显示装置。平板显示装置包括液晶显示装置(或LCD)、场发射显示器(或FED)、等离子显示面板(或PDP)和电致发光装置(或EL)。
根据发光材料，电致发光显示装置分为无机发光二极管显示装置和有机发光二极管显示装置。作为自发光显示装置，电致发光显示装置具有响应速度非常快、亮度非常高且视角大的优点。
图1是图解有机发光二极管的结构的示图。如图1中所示，有机发光二极管包括有机发光材料层、以及彼此面对且之间设置有机发光材料层的阴极和阳极。有机发光材料层包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL和电子注入层EIL。由于以其中空穴和电子在发光层EML处重新组合的激发态形成的激子的能量，有机发光二极管发射光。
由于以其中来自阳极的空穴和来自阴极的电子在发光层EML处重新组合的激发态形成的激子的能量，有机发光二极管发射光。有机发光二极管显示器通过控制如图1中所示的有机发光二极管的发光层EML产生并发射的光量(或“亮度”)，呈现视频数据。
使用有机发光二极管的有机发光二极管显示器(或OLED)分为无源矩阵型有机发光二极管显示器(或PMOLED)和有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)。
有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)通过使用薄膜晶体管(或TFT)控制施加给有机发光二极管的电流显示视频数据。
图2是图解有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)中一个像素的结构的典型电路图。图3是图解AMOLED中一个像素的结构的平面图。图4是沿切线I-I’的图解AMOLED的结构的剖面图。
参照图2和3，有源矩阵型有机发光二极管显示器包括开关薄膜晶体管ST、与开关薄膜晶体管ST连接的驱动薄膜晶体管DT、以及与驱动薄膜晶体管DT连接的有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管ST形成在扫描线SL和数据线DL彼此交叉的地方。开关薄膜晶体管ST用于选择与开关薄膜晶体管ST连接的像素。开关薄膜晶体管ST包括从栅极线GL分支的栅极SG、与栅极SG重叠的半导体沟道层SA、源极SS和漏极SD。
驱动薄膜晶体管DT用于驱动设置在由开关薄膜晶体管ST选择的像素处的有机发光二极管OLED的阳极ANO。驱动薄膜晶体管DT包括与开关薄膜晶体管ST的漏极SD连接的栅极DG、半导体沟道层DA、与驱动电流线VDD连接的源极DS、和漏极D。驱动薄膜晶体管DT的漏极DD与有机发光二极管OLED的阳极ANO连接。
更详细地说，参照图4，开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的栅极SG和DG分别形成在有源矩阵型有机发光二极管显示器的基板SUB上。在栅极SG和DG上沉积栅极绝缘层GI。在与栅极SG和DG重叠的栅极绝缘层GI上分别形成半导体层SA和DA。在半导体层SA和DA上，形成彼此相对并间隔开的源极SS和DS及漏极SD和DD。
开关薄膜晶体管ST的漏极SD通过穿透栅极绝缘层GI的接触孔与驱动薄膜晶体管DT的栅极DG连接。在具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的基板SUB上沉积钝化层PAS。在钝化层PAS上形成有机发光二极管OLED的阳极ANO。在此，阳极ANO通过形成在钝化层PAS处的像素接触孔PH与驱动薄膜晶体管DT的漏极DD连接。
在具有阳极ANO的基板SUB上，在具有开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT以及各个线DL，SL和VDD的区域上形成堤部(或“堤部图案”)BN，用于界定发光区域。
具有薄膜晶体管ST和DT以及各个线DL，SL和VDD的基板SUB的顶表面不是平坦或平滑的，而是具有一些台阶外形。当在具有不平坦或不平滑表面条件的表面上沉积有机材料，如有机发光层时，有机材料的特性劣化。堤部BN用于防止有机材料在台阶部处劣化。为了划分具有平坦表面的发光区域与具有开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT以及各个线DL，SL和VDD的非发光区域，在非发光区域上形成堤部BN。因此，通过堤部BN界定发光区域。
由堤部BN暴露的阳极ANO的部分将是发光区域。在从堤部BN暴露的阳极ANO上形成有机发光层OLE。在有机发光层OLE上形成阴极CAT。在此，有机发光层可以是发射每个像素处指定的任意一个颜色的彩色有机发光层COLE。
我们将解释在由数据线DL、扫描线SL和驱动电流线VDD界定的像素区域处由堤部BN界定的发光区域。阳极ANO形成为不与数据线DL、扫描线SL和驱动电流线VDD重叠。
当通过电流驱动方法驱动有机发光二极管显示器时，通过驱动电流线VDD给阳极ANO提供大电流。如果阳极ANO与任何数据线DL，SL和/或VDD重叠，则在夹于其间的钝化层PAS处形成寄生电容。在现有技术中，钝化层PAS具有大约的厚度。在通过电压驱动方法驱动的液晶显示器中，厚度的钝化层能够防止在电极与任何线DL和/或SL之间形成寄生电容。
此外，当钝化层PAS包括具有低渗透性的有机材料时，即使液晶显示器的像素电极与像素电极周围的线重叠，也不会在重叠部分处存在寄生电容。因此，很容易确保开口率。然而，在具有厚度钝化层的有机发光二极管显示器的情形中，因为提供给阳极ANO的电流非常大或强，所以当阳极ANO形成为与任何线重叠时，很容易在重叠部分之间形成寄生电容。这导致有机发光二极管显示器中视频数据的质量劣化。
在现有技术中，当设计阳极ANO时，通过考虑构图工艺中的对准裕度，阳极ANO应当与电流驱动线VDD间隔开预定距离，如图3和4中所示。此外，当在阳极ANO上形成堤部BN时，通过考虑构图工艺裕度，堤部BN的边缘应当位于阳极ANO的边缘的内侧。就是说，如由图3中所示的交替的长短虚线画出的矩形形状，由堤部BN界定的开口区域将小于阳极ANO的区域。开口区域将被设计为发光区域。
在具有堤部BN的基板SUB的表面上，覆盖阳极ANO沉积有机发光层OLE。在有机发光层OLE上沉积阴极CAT。结果，其中阳极ANO、有机发光层OLE和阴极CAT同时重叠的区域为发光区域。
参照图5，我们将解释根据现有技术的像素区域与发光区域之间的关系。图5是图解在根据现有技术的AMOLED中，由于有机发光材料未填充至由堤部界定的发光区域的角部区域而导致的低开口率的平面图。
沉积有机发光层OLE的方法有很多，包括真空热沉积方法或喷墨印刷方法。如上所述，当在具有矩形形状的堤部BN上沉积有机发光层OLE时，在角部处不会填充有机发光材料。其中未沉积有机发光层OLE的该区域称为未填充区域。
结果，实际的发光区域定义为如图5中所示的虚线所表示的椭圆形。就是说，发光区域比阳极ANO小的多，特别是比由堤部BN暴露的阳极ANO小的多。根据现有技术，开口率，即发光区域与阳极的暴露区域的比率降低。
发明内容
为了克服上述缺陷，本发明的目的是提供一种通过减小发光区域的损耗而具有高开口率的有机发光二极管显示器。本发明的另一个目的是提供一种具有双堤部结构以防止在堤部图案内存在有机发光层的未填充区域的高开口率有机发光二极管显示器。
为了实现上面的目的，本发明提供了一种有机发光二极管显示器，包括：具有以矩阵方式排列的多个像素区域的基板；形成在所述基板上的所述像素区域内的阳极；第一堤部，所述第一堤部具有暴露大部分所述阳极并界定发光区域的开口区域；第二堤部，所述第二堤部暴露由所述第一堤部暴露的所述开口区域以及所述第一堤部的一部分上表面；有机发光层，所述有机发光层覆盖由所述第二堤部暴露的所述第一堤部的一部分上表面以及由所述第一堤部暴露的大部分所述阳极；和形成在具有所述有机发光层的基板上的阴极。
在一个实施方式中，本发明提供了一种有机发光二极管显示器，进一步包括：设置在所述像素区域内并与所述阳极连接的薄膜晶体管。
在一个实施方式中，本发明提供了一种有机发光二极管显示器，进一步包括滤色器，所述滤色器设置在所述阳极下方并呈现每个像素中指定的红色、绿色和蓝色之中任意一种颜色，其中所述有机发光层包括发射白光的有机材料。
在一个实施方式中，所述有机发光层包括发射每个像素区域处指定的红色、绿色和蓝色光之中任意一种彩色光的有机材料。
在一个实施方式中，所述第二堤部暴露由所述第一堤部暴露的多个阳极。
在一个实施方式中，所述第二堤部暴露形成在被指定相同颜色光的相邻像素区域处的多个阳极。
在一个实施方式中，所述第二堤部包括：第一组开口区域，所述第一组开口区域暴露形成在彼此相邻的红色像素区域处的所有阳极；第二组开口区域，所述第二组开口区域暴露形成在彼此相邻的绿色像素区域处的所有阳极；和第三组开口区域，所述第三组开口区域暴露形成在彼此相邻的蓝色像素区域处的所有阳极。
根据本发明的有机发光二极管显示器具有界定发光区域的第一堤部以及界定比第一堤部大的开口区域的第二堤部，从而有机发光层沉积在第一和第二堤部上而没有未填充区域。因此，根据本发明的有机发光二极管显示器，由用于界定发光区域的第一堤部暴露的阳极的区域被定义为发光区域而没有任何损失。结果，可消除由于未填充区域导致的开口率下降，很容易提供一种开口率高的多的有机发光二极管显示器。
附图说明
给本发明提供进一步理解并组成说明书一部分的附图图解了本发明的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1是图解根据现有技术的有机发光二极管的结构的示图；
图2是图解根据现有技术的有源矩阵型有机发光二极管显示器(或AMOLED)中一个像素的结构的典型电路图；
图3是图解根据现有技术的AMOLED中一个像素的结构的平面图；
图4是沿切线I-I’的图解根据现有技术的AMOLED的结构的剖面图；
图5是图解在根据现有技术的AMOLED中，由于有机发光材料未填充至由堤部界定的发光区域的角部区域而导致的低开口率的平面图；
图6是图解根据本发明第一个实施方式的具有双堤部结构的有机发光二极管显示器的平面图；
图7是沿图6中的切线II-II’的图解根据本发明第一个实施方式的有机发光二极管显示器的结构的剖面图；
图8是图解根据本发明第二个实施方式的具有双堤部结构的有机发光二极管显示器的平面图；
图9是沿图8中的切线III-III’的图解根据本发明第二个实施方式的有机发光二极管显示器的结构的剖面图；
图10是图解根据本发明第二个实施方式的有机发光二极管显示器的结构的平面图，其中第二堤部形成为包括在呈现相同颜色光的像素区域处形成的多个第一堤部。
具体实施方式
现在将参照附图描述本发明的优选实施方式。在整个详细描述中相同的参考标记表示相同的元件。然而，本发明并不限于这些实施方式，而是在不改变技术精神的情况下可应用各种变化或修改。在下面的实施方式中，考虑到便于解释而选择了元件的名称，从而它们可能与实际名称不同。
之后，参照图6和7，我们将解释根据本发明第一个实施方式的有机发光二极管显示器。图6是图解根据本发明第一个实施方式的具有双堤部结构的有机发光二极管显示器的平面图。图7是沿图6中的切线II-II’的图解根据本发明第一个实施方式的有机发光二极管显示器的结构的剖面图。
参照图6和7，根据本发明第一个实施方式的有机发光二极管显示器具有开关薄膜晶体管ST、与开关薄膜晶体管ST连接的驱动薄膜晶体管DT、以及与驱动薄膜晶体管DT连接的有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管ST形成在扫描线SL和数据线DL交叉的地方。开关薄膜晶体管ST选择任意特定像素。开关薄膜晶体管ST包括从扫描线SL分支的栅极SG、有源层SA、源极SS和漏极SD。
驱动薄膜晶体管DT驱动由开关薄膜晶体管ST选择的像素的有机发光二极管OLED。驱动薄膜晶体管DT包括与开关薄膜晶体管ST的漏极SD连接的栅极DG、有源层DA、与驱动电流线VDD连接的源极DS、以及漏极DD。驱动薄膜晶体管DT的漏极DD与有机发光二极管OLED的阳极ANO连接。
在有源矩阵型有机发光二极管显示器的基板SUB上，开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的栅极SG和DG分别形成在基板SUB上。在栅极SG和DG上沉积栅极绝缘层GI。在与栅极SG和DG重叠的一部分栅极绝缘层GI上形成半导体层SA和DA。在半导体层SA和DA上形成分别彼此相对并间隔开特定距离的源极SS和DS及漏极SD和DD。开关薄膜晶体管ST的漏极SD通过穿透栅极绝缘层GI的接触孔与驱动薄膜晶体管DT的栅极DG连接。
在具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的基板SUB上沉积钝化层PAS。在钝化层PAS上形成与驱动薄膜晶体管DT连接的有机发光二极管OLED的阳极ANO。在此，阳极ANO通过形成在钝化层PAS处的像素接触孔PH与驱动薄膜晶体管DT的漏极DD连接。
为了在具有阳极ANO的基板SUB上界定发光区域，形成第一堤部BN1，用于把具有开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT以及各个线DL、SL和VDD的非发光区域与具有有机发光二极管OLED的发光区域分开。在第一堤部BN1上，形成第二堤部BN2。
第一堤部BN1包括界定实际发光区域的开口区域。第二堤部BN2覆盖第一堤部BN1的上表面的一部分并具有比第一堤部BN1的开口区域大的面积的开口区域。就是说，在第一堤部BN1与第二堤部BN2之间存在台阶外形。
阳极ANO的大部分通过第一堤部BN1和第二堤部BN2暴露。在从第一堤部BN1和第二堤部BN2暴露的阳极ANO上，依次沉积有机发光层OLE和阴极CAT。因此，完成了具有阳极ANO、有机发光层OLE和阴极并与驱动薄膜晶体管DT连接的有机发光二极管OLED。
本发明的第一个实施方式提出了可应用于顶部发光型有机发光二极管显示器和底部发光型有机发光二极管显示器的结构。因此，有机发光层OLE可形成为在每个像素处包括发射红色、绿色和蓝色之中任意一种彩色光的有机发光材料。详细地说，在基板SUB的整个表面上沉积红色有机发光材料并将其构图，红色有机发光材料形成为仅填充在由红色像素区域的第二堤部BN2界定的开口区域处。通过相同的方法，绿色有机发光材料形成为仅填充在由绿色像素区域的第二堤部BN2界定的开口区域内。此外，蓝色有机发光材料形成为仅填充在由蓝色像素区域的第二堤部BN2界定的开口区域处。
结果，有机发光层OLE形成为填充并覆盖由第二堤部BN2暴露的第一堤部BN1的上表面、第一堤部BN1的侧壁、以及由第一堤部BN1的开口区域暴露的阳极ANO的表面。如此，因为有机发光层OLE沉积为覆盖具有台阶外形的第一堤部BN1和第二堤部BN2之间的边界区域，所以至少在第一堤部BN1的开口区域内沉积了有机发光层OLE，而没有“未填充区域”。因此，根据本发明的第一个实施方式，可形成由第一堤部BN1界定的发光区域而没有损失开口率。换句话说，由第一堤部BN1界定的开口区域正好被定义为发光区域。
之后，参照图8和9，我们将解释本发明的第二个实施方式。图8是图解根据本发明第二个实施方式的具有双堤部结构的有机发光二极管显示器的平面图。图9是沿图8中的切线III-III’的图解根据本发明第二个实施方式的有机发光二极管显示器的结构的剖面图。
参照图8和9，根据本发明第二个实施方式的有机发光二极管显示器具有开关薄膜晶体管ST、与开关薄膜晶体管ST连接的驱动薄膜晶体管DT、以及与驱动薄膜晶体管DT连接的有机发光二极管OLED。
开关薄膜晶体管ST形成在扫描线SL和数据线DL交叉的地方。开关薄膜晶体管ST选择任意特定像素。开关薄膜晶体管ST包括从扫描线SL分支的栅极SG、有源层SA、源极SS和漏极SD。
驱动薄膜晶体管DT驱动由开关薄膜晶体管ST选择的像素的有机发光二极管OLED。驱动薄膜晶体管DT包括与开关薄膜晶体管ST的漏极SD连接的栅极DG、有源层DA、与驱动电流线VDD连接的源极DS、以及漏极DD。驱动薄膜晶体管DT的漏极DD与有机发光二极管OLED的阳极ANO连接。
在有源矩阵型有机发光二极管显示器的基板SUB上，开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的栅极SG和DG分别形成在基板SUB上。在栅极SG和DG上沉积栅极绝缘层GI。在与栅极SG和DG重叠的一部分栅极绝缘层GI上形成半导体层SA和DA。在半导体层SA和DA上形成分别彼此相对并间隔开特定距离的源极SS和DS及漏极SD和DD。开关薄膜晶体管ST的漏极SD通过穿透栅极绝缘层GI的接触孔与驱动薄膜晶体管DT的栅极DG连接。
在具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的基板SUB上沉积钝化层PAS。在钝化层PAS上形成覆盖像素区域中界定的整个发光区域的滤色器CF。根据本发明第二个实施方式的有机发光二极管显示器适用于底部发光型，从而滤色器CF形成在有机发光二极管OLED下方。在具有滤色器CF的基板SUB的整个表面上沉积覆层OC。在此，阳极ANO通过形成在钝化层PAS和覆层OC处的像素接触孔PH与驱动薄膜晶体管DT的漏极DD连接。
为了在具有阳极ANO的基板SUB上界定发光区域，形成第一堤部BN1，用于把具有开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT以及各个线DL、SL和VDD的非发光区域与具有有机发光二极管OLED的发光区域分开。在第一堤部BN1上，形成第二堤部BN2。
第一堤部BN1包括界定实际发光区域的开口区域。第二堤部BN2覆盖第一堤部BN1的上表面的一部分并具有比第一堤部BN1的开口区域大的面积的开口区域。就是说，在第一堤部BN1与第二堤部BN2之间存在台阶外形。
阳极ANO的大部分通过第一堤部BN1和第二堤部BN2暴露。在从第一堤部BN1和第二堤部BN2暴露的阳极ANO上，依次沉积有机发光层OLE和阴极CAT。因为本发明的第二个实施方式涉及底部发光型有机发光二极管显示器，所以在有机发光二极管OLED下方形成一个呈现红色、绿色和蓝色之中任意一种颜色的滤色器CF。在该情形中，有机发光层OLE可包括发射白光的有机发光材料。
考虑到制造工艺的便利和生产率，优选在具有第一和第二堤部BN1和BN2的基板SUB的整个表面上沉积发射白光的有机材料。然后，在具有有机发光层OLE的基板SUB的整个表面上，沉积阴极CAT。然后，完成了与驱动薄膜晶体管DT连接并具有阳极ANO、有机发光层OLE和阴极的有机发光二极管OLED。
在第二个实施方式中，有机发光层OLE沉积在具有第一堤部BN1和第二堤部BN2的基板SUB的整个表面上。特别是，有机发光层OLE覆盖第二堤部BN2的上表面、第二堤部BN2的侧壁、由第二堤部BN2的开口区域暴露的第一堤部BN1的上表面、第一堤部BN1的侧壁、以及由第一堤部BN1的开口区域暴露的阳极ANO的上表面。因为有机发光层OLE沉积为覆盖第一堤部BN1和第二堤部BN2之间的具有台阶外形的边界区域，所以至少在第一堤部BN1的开口区域内沉积了有机发光层OLE，而没有“未填充区域”。因此，根据本发明的第二个实施方式，可实现由第一堤部BN1界定的发光区域而没有损失开口率。换句话说，由第一堤部BN1界定的孔径区域(或开口区域)正好被定义为发光区域。
此外，如第二个实施方式中所述，在其中形成薄膜晶体管ST和DT之后沉积覆层OC的情形中，基板SUB的表面粗糙变得更加平坦，并且可减小线SL、DL或/和VDD与阳极ANO之间的电子干扰。因此，可将阳极ANO设计为与线SL，DL和/或VDD重叠。结果，可界定更大的开口区域和发光区域并获得具有更高开口率的有机发光二极管显示器。
在上面的第一和第二个实施方式中，在每个像素区域中第二堤部BN2的形状具有比第一堤部BN1大的开口区域。在其他情形中，第二堤部BN2可形成为包括两个或多个第一堤部BN1。
例如，在其中每个像素区域具有红色、绿色和蓝色光之中任意一个彩色有机发光层OLE的第一个实施方式中，第二堤部BN2可形成为，其开口区域包括形成在具有相同颜色有机发光层OLE的像素区域处的多个第一堤部BN1。图10是图解根据本发明第二个实施方式的有机发光二极管显示器的结构的平面图，其中第二堤部形成为包括形成在呈现相同颜色光的像素区域处的多个第一堤部。
在基板SUB上，以矩阵方式排列多个阳极ANO。形成多个第一堤部BN1，从而每个第一堤部BN1暴露每个阳极ANO的大部分上表面。实际上，附图标记BN1表示由第一堤部BN1暴露的开口区域的边界线。在附图中，为简便起见，其本身表示为第一堤部BN1。
在其中红色、绿色和蓝色的单位彩色像素在基板SUB上沿水平线交替排列的情形中，如图10中所示，沿垂直线的一个像素列具有指定相同颜色的多个像素。因此，第二堤部BN2可形成为包括由沿垂直线，即任意一列的所有像素的所有第一堤部BN1界定的所有开口区域。
然后，沉积红色有机发光材料并将其构图，红色有机发光材料保留在(3N-2)列中(在此，N为自然数)，形成红色列。通过相同的方法，绿色列形成为填充在(3N-1)列内(N为自然数)。此外，蓝色列形成为填充在3N列内(N为自然数)。
例如，第二堤部BN2具有第一组开口区域，该第一组开口区域暴露设置于被指定为红色像素列的每个第(3N-2)列中的所有阳极ANO。此外，第二堤部BN2具有第二组开口区域，该第二组开口区域暴露设置于被指定为绿色像素列的每个第(3N-1)列中的所有阳极ANO。进一步，第二堤部BN2具有第三组开口区域，该第三组开口区域暴露设置于被指定为蓝色像素列的每个第3N列中的所有阳极ANO。
红色、绿色和蓝色有机发光材料每一个填充在由第二堤部BN2界定的每个开口区域内。特别是，有机发光材料填充由第一堤部BN1界定的开口区域的整个区域，而没有任何未填充区域。结果，由第一堤部BN1界定的开口区域正好被定义为实际的发光区域而没有损失开口率。
尽管参照附图详细描述了本发明的实施方式，但本领域技术人员应当理解，在不改变本发明的技术精神或实质特征的情况下，可以以其他特定形式实施本发明。因此，应当注意，前述实施方式在所有方面仅仅是举例说明，不解释为限制本发明。本发明的范围由所附权利要求限定，而不是由本发明的详细说明书限定。在权利要求的含义和范围内的所有变化或修改或它们的等同都应解释为落在本发明的范围内。
Claims (7)
1.一种有机发光二极管显示器，包括：
基板，其具有以矩阵方式排列的多个像素区域；
阳极，其形成在所述基板上的所述像素区域内；
第一堤部，其具有暴露大部分所述阳极并界定发光区域的开口区域；
第二堤部，其暴露由所述第一堤部暴露的所述开口区域以及所述第一堤部的一部分上表面；
有机发光层，其覆盖由所述第二堤部暴露的所述第一堤部的所述一部分上表面以及由所述第一堤部暴露的所述大部分所述阳极；和
阴极，其形成在具有所述有机发光层的所述基板上。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：
薄膜晶体管，其设置在所述像素区域内并与所述阳极连接。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：
滤色器，其设置在所述阳极下方并呈现在每个像素中指定的红色、绿色和蓝色之中的任意一种颜色，
其中所述有机发光层包括发射白光的有机材料。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述有机发光层包括发射在每个像素区域处指定的红色、绿色和蓝色光之中任意一种彩色光的有机材料。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二堤部暴露由所述第一堤部暴露的多个阳极。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二堤部暴露在被指定相同颜色光的相邻像素区域处形成的多个阳极。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二堤部包括：
第一组开口区域，其暴露在彼此相邻的红色像素区域形成的所有阳极；
第二组开口区域，其暴露在彼此相邻的绿色像素区域形成的所有阳极；和
第三组开口区域，其暴露在彼此相邻的蓝色像素区域形成的所有阳极。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2013-0104385 | 2013-08-30 | ||
| KR1020130104385A KR102081317B1 (ko) | 2013-08-30 | 2013-08-30 | 이중 뱅크 구조를 갖는 고 개구율 유기발광 다이오드 표시장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104425558A true CN104425558A (zh) | 2015-03-18 |
| CN104425558B CN104425558B (zh) | 2018-04-10 |
Family
ID=52581879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410429226.3A Active CN104425558B (zh) | 2013-08-30 | 2014-08-27 | 具有双堤部结构的高开口率有机发光二极管显示器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9356078B2 (zh) |
| KR (1) | KR102081317B1 (zh) |
| CN (1) | CN104425558B (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107863366A (zh) * | 2016-09-22 | 2018-03-30 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
| CN110911450A (zh) * | 2018-09-14 | 2020-03-24 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN112018150A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-01 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
| CN113130556A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104638147B (zh) * | 2015-03-04 | 2017-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素界定层及oled器件 |
| KR102430574B1 (ko) * | 2015-05-28 | 2022-08-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101831346B1 (ko) * | 2015-08-07 | 2018-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR20170080459A (ko) * | 2015-12-30 | 2017-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드표시장치 |
| CN105448957B (zh) * | 2016-01-04 | 2018-06-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示基板及其制作方法、显示装置 |
| KR102627284B1 (ko) * | 2016-05-12 | 2024-01-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 캐소드 전극과 보조 캐소드 전극의 접속구조 형성 방법과 그를 이용한 유기발광 다이오드 표시장치 |
| JP2018006212A (ja) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR20180025431A (ko) * | 2016-08-30 | 2018-03-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN107146807B (zh) * | 2017-05-12 | 2019-09-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层的制备方法、oled及制备方法和显示装置 |
| CN109860239B (zh) * | 2018-12-13 | 2021-03-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN113675216A (zh) * | 2020-05-13 | 2021-11-19 | 上海和辉光电股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其阵列基板 |
| KR20220092174A (ko) * | 2020-12-24 | 2022-07-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20240119773A (ko) * | 2023-01-30 | 2024-08-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100045173A1 (en) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | Kwon Do-Hyun | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing organic light emitting display apparatus |
| CN102592532A (zh) * | 2011-01-06 | 2012-07-18 | 索尼公司 | 有机电致发光显示单元和电子设备 |
| CN103094308A (zh) * | 2011-10-27 | 2013-05-08 | 乐金显示有限公司 | 有机电致发光显示装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4595955B2 (ja) * | 2003-10-23 | 2010-12-08 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器 |
| JP2010009815A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子、有機ｅｌ素子の製造方法、ならびに電気光学装置 |
| KR101679850B1 (ko) * | 2009-11-23 | 2016-11-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 |
| KR101635212B1 (ko) * | 2009-12-14 | 2016-06-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 |
| KR101746841B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2017-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR101671515B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2016-11-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치와 그 제조방법 |
| KR101223725B1 (ko) * | 2011-01-10 | 2013-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
| KR101521676B1 (ko) * | 2011-09-20 | 2015-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR101997122B1 (ko) * | 2012-07-27 | 2019-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102030799B1 (ko) * | 2013-03-11 | 2019-10-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| KR102028680B1 (ko) * | 2013-03-20 | 2019-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
-
2013
- 2013-08-30 KR KR1020130104385A patent/KR102081317B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-08-14 US US14/459,502 patent/US9356078B2/en active Active
- 2014-08-27 CN CN201410429226.3A patent/CN104425558B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100045173A1 (en) * | 2008-08-19 | 2010-02-25 | Kwon Do-Hyun | Organic light emitting display apparatus and method of manufacturing organic light emitting display apparatus |
| CN102592532A (zh) * | 2011-01-06 | 2012-07-18 | 索尼公司 | 有机电致发光显示单元和电子设备 |
| CN103094308A (zh) * | 2011-10-27 | 2013-05-08 | 乐金显示有限公司 | 有机电致发光显示装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107863366A (zh) * | 2016-09-22 | 2018-03-30 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
| CN110911450A (zh) * | 2018-09-14 | 2020-03-24 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN110911450B (zh) * | 2018-09-14 | 2024-05-28 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
| CN112018150A (zh) * | 2019-05-31 | 2020-12-01 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
| CN112018150B (zh) * | 2019-05-31 | 2024-04-12 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
| CN113130556A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20150026058A (ko) | 2015-03-11 |
| US9356078B2 (en) | 2016-05-31 |
| KR102081317B1 (ko) | 2020-02-25 |
| US20150060810A1 (en) | 2015-03-05 |
| CN104425558B (zh) | 2018-04-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |