CN104396358A - 透光性导电图案部件及使用了其的透光性电磁屏蔽·天线部件 - Google Patents

透光性导电图案部件及使用了其的透光性电磁屏蔽·天线部件 Download PDF

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Abstract

本发明提供通过金属图案部自身具有透光性而难以见到金属图案部、减少波纹、衍射导致的散射、且兼具充分的导电性的透光性导电图案部件。通过具备使用含有氮原子的化合物构成的基底层、使用银或以银为主要成分的合金而在上述基底层上的至少一部分上设置的具有透光性的导电图案部的具有透光性的导电图案部件来达到。

Description

透光性导电图案部件及使用了其的透光性电磁屏蔽·天线部件
技术领域
本发明涉及导电部自身也具有透光性的透光性导电图案部件、及其制造方法、进而使用了其的透光性电磁屏蔽部件、透光性频率选择性电磁波屏蔽部件、透光性天线部件、触摸面板。
背景技术
透光性导电图案部件，在例如等离子体显示面板的电磁波屏蔽等中得到利用。
进而，因最近的无线环境的扩展，为了维持无线数据的安全、或者为了防止利用了维持通信品质的、例如多个的IC标记时的混台等，尝试对窗玻璃、处理带有IC标记的商品的收银机间、商品分类道的透明分离板附加电磁波屏蔽功能。在单纯的屏蔽中，连手机、公共无线的电波也屏蔽了，因此可频率选择性地进行电磁波屏蔽的FSS(Frequency SelectiveSurface)正备受关注。FSS的特征在于在基材表面形成根据要屏蔽的电磁波的频率的导电性的独立图案。该图案在面内不连续地接合，因此表面电阻变高，但为了反射电磁波，各自的图案自身需要高的导电性。
另外，透光性导电图案部件可作为电视、收音机、无线LAN的透明接收天线而利用，例如可在窗玻璃上附加这样的透明接收天线。进而，如果在非接触IC卡的天线、无线标记的接收发送天线也利用透光性导电图案部件，则可在IC卡表面具有天线，或制作透明的无线标记。
作为这样的透光性导电图案部件，已知通过以下的方法而形成了的透光性导电图案部件：应用卤化银照片感光材料的技术而将银核形成为图案状来进行物理显像、镀敷的方法(专利文献1)，用喷墨、丝网等的印刷法将含有钯催化剂的墨涂布成图案状、进行化学镀敷的方法(专利文献2)，在形成为图案状的含有导电性高分子的涂膜上进行化学镀敷的方法(专利文献3)，进而用光刻将金属薄膜形成为图案状的方法。
但是，在用镀敷、光刻而制作了的金属图案部件中，没有金属图案的部分具有透光性，金属图案部本身没有透光性。因此，进行将金属图案部细化，尽管如此，仍可见到图案部，或者，根据图案形状在图案部发生光的衍射，外光在选择的方向被强烈地散射，或产生波纹。另外，如果金属图案部自身将金属部减薄至通过光的水平，则不出现导电性。
作为减薄金属而金属部自身一边具有透光性一边呈现导电性的方法，已知层叠了ITO/银/ITO而成的电磁波屏蔽部件(专利文献4)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-277675号公报
专利文献2：日本特开平11-170420号公报
专利文献3：日本特开2009-16496号公报
专利文献4：日本特开2005-277228号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是，ITO使用稀有金属的铟，因此材料成本高，另外为了降低电阻，需要在成膜后在300℃左右下进行退火处理。因此，需要用于高温退火的大规模的装置、用于处理的能量，进而，由于一般的膜基材没有耐热性而不能应用。进而，即使以这样的层叠ITO/银/ITO的构成也难以谋求充分的导电性和透光性的并存。
因此，本发明的目的在于，提供通过金属图案部自身具有透光性而难以见到金属图案部、减少波纹(干涉条纹)及衍射导致的散射、且兼具充分的导电性的透光性导电图案部件、及提供通过使用该透光性导电图案部件来谋求了性能的提高的透光性电磁屏蔽部件、透光性频率选择性电磁波屏蔽部件、透光性天线部件、触摸面板。
用于解决课题的手段
本发明的上述课题，通过以下的构成而达到。
即，本发明通过透光性导电图案部件而达到，所述透光性导电图案部件具备使用含有氮原子的化合物而构成的基底层、使用银或以银为主要成分的合金而在上述基底层上的至少一部分上设置的具有透光性的导电图案部。
另外，本发明通过透光性导电图案部件的制造方法来实现，其特征在于，其为具备使用含有氮原子的化合物而构成的基底层和使用银或以银为主要成分的合金而在上述基底层上的至少一部分上设置的具有透光性的导电图案部而成的透光性导电图案部件的制造方法，其中，在所述基底层上形成了的银或以银为主要成分的合金是经由形成了图案的掩模而通过蒸镀法来形成为导电图案部的。
进而，本发明通过透光性电磁屏蔽部件、透光性频率选择性电磁屏蔽部件、透光性天线部件而达到，其特征在于，使用上述透光性导电图案部件。
如以上构成了的本发明的透光性导电图案部件为以下构成：在使用含有氮原子的化合物而构成了的基底层上的至少一部分上设置使用了银或以银为主要成分的合金的具有透光性的导电图案部。
一般而言，如果要形成银的薄膜层，则银由于成为核生长型(Volumer-Weber：VW型)的膜生长而形成以岛状孤立了的微小银部的集合体。因此，微小银部形成比推测的还厚的膜厚，微小银部的透光性大大降低。另外，由于为各自孤立了的状态，导电图案部没有呈现导电性。为了使导电性呈现，需要使银生长至以岛状孤立了的微小银部进行连接，若使其生长至该水平，则银层自身的透射率进一步大大地降低。
在本发明中，在基底层的上部成膜导电图案部时，构成导电图案部的银原子与构成基底层的含有氮原子的化合物相互作用，银原子在基底层表面的扩散距离减少，银的凝聚受到抑制。因此，银层通过单层生长型(Frank-van der Merwe：FW型)的膜生长而成膜。因此，可得到虽然为薄的膜厚但均匀的膜厚的导电图案部。其结果，可形成更薄的膜厚、具有透光性的同时确保了导电性的导电图案部。
附图说明
图1A是表示本发明的透光性导电图案部件的一实施方式的构成的平面示意图；图1B是沿图1A的1B-1B线的剖面示意图。
图2A是表示本发明的透光性导电图案部件的其它的实施方式的构成的剖面示意图；图2B是表示将图2A的透光性导电图案部件与基体侧(对方侧)粘接而转印、剥下具有脱模性的基材的情形的剖面示意图。
图3是对于导电图案部的形状示出了几个例子的附图。其中，图3A是表示直线状的导电图案的附图。图3B是表示网眼状的图案中、示出了三角形状的导电图案的附图。图3C是示出了圆形状的导电图案的附图。
图4示出了作为导电图案部的形状开放了端部的天线图案例。
图5是表示将本发明的实施方式的透光性导电图案部件作为触摸面板用透明电极1-1、1-2而使用了的触摸面板21的示意构成的透视图。
图6是表示触摸面板21的电极构成的2张透明电极(本发明的实施方式的透光性导电图案部件)1-1、1-2的俯视图。
图7是表示在构成各y电极图案5y1、5y2、…的菱形的图案部分相对于构成x电极图案5x1、5x2、…的菱形的图案部分配置而在俯视地没有重叠的位置上配置、形成在没有重叠的范围尽量占大的范围的形状的情形的透明电极(本发明的实施方式的透光性导电图案部件)1-1、1-2的俯视图。
图8是表示将本发明的实施方式的透光性导电图案部件作为触摸面板用透明电极1-1、1-2而使用了的触摸面板21的概略构成的剖面图。
图9是表示使用铝掩模的图案而在由设于上述PET基材上的上述TPD构成的基底层上形成了的、由试样101的银构成的网眼形状的导电图案部和在评价用中形成了的由银构成的实体部(ベタ部)的平面示意图。
图10A是用于说明网眼状(格子状)的图案部的L/S的平面示意图；图10B是用于示出比较试样205的图案部的构成的沿图10A(镀敷后)的10B-10B线的剖面示意图。
图11是表示衰减率的评价装置的配置的示意图。
具体实施方式
以下，对本发明的优选的方式进行说明。
<透光性导电图案部件>
本发明一方式涉及的透光性导电图案部件，其特征在于，具备使用含有氮原子的化合物而构成的基底层和使用银或以银为主要成分的合金而在上述基底层上的至少一部分上设置的具有透光性的导电图案部。通过采用上述构成，根据本发明的透光性导电图案部件，可在透光性导电图案部件中金属图案部自身具有透光性的同时，谋求与金属图案部的导电性的并存，另外，可谋求使用了该透光性导电图案部件的透光性电磁屏蔽部件、透光性频率选择性电磁波屏蔽部件、透光性天线部件的性能的提高。
以下，一边参照附图，一边对本发明的实施方式进行说明。予以说明，在附图的说明中，对同一技术特征赋予同一符号，省略重复的说明。另外，附图的尺寸比率，为了方便说明而进行夸张，有时与实际的比率不同。
图1A是表示本发明的透光性导电图案部件的一实施方式的构成的平面示意图。图1B是沿图1A的1B-1B线的剖面示意图。图2A是表示本发明的透光性导电图案部件的其它的实施方式的构成的剖面示意图。图2B是表示将图2A的透光性导电图案部件粘接于基体侧(配对侧)而转印、剥下具有脱模性的基材的情形的剖面示意图。如图1A、B中所示，透光性导电图案部件11为层叠了基底层15和在其上部的至少一部上成膜了的具有透光性的导电图案部17的结构，例如，在基材13的上部依次设有基底层15、具有透光性的导电图案部17。其中基底层15为使用含有氮原子的化合物而构成了的层，具有透光性的导电图案部17为使用银或以银为主要成分的合金而构成了的层。另外，如图2A、B中所示，透光性导电图案部件11例如可以为在具有脱模性的基材13上依次设置保护层14、基底层15、具有透光性的导电图案部17、粘接层18而转印到适当的基体19(被转印体，例如窗玻璃车的后面玻璃等)来使用的构成。优选这些基材13、保护层14、基底层15、具有透光性的导电图案部17、粘接层18、进而基体19均具有高的透光性。
接着，对在这样的透光性导电图案部件11中使用的基材13、基底层15及导电图案部17以该顺序说明详细的构成。
(基材)
在本发明的透光性导电图案部件11中，优选使用基材13。基材13为透明基材。作为透明基材，只要具有高的透光性就没有特别限制。例如，可以使用透明树脂膜、玻璃，但从挠性等的观点考虑，更优选为透明树脂膜。特别是由于在本发明中不需要层叠ITO/银/ITO这样的高温处理，因此可优选应用。
对上述透明树脂膜没有特别限制，对于其材料、形状、结构、厚度等可以从公知的物质中适宜选择。例如可以举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯、改性聚酯等双轴拉伸聚酯系膜；聚乙烯(PE)树脂膜、聚丙烯(PP)树脂膜、聚苯乙烯树脂膜、环状烯烃系树脂等聚烯烃类树脂膜；聚氯乙烯、聚偏氯乙烯等乙烯基系树脂膜；聚醚醚酮(PEEK)树脂膜、聚砜(PSF)树脂膜、聚醚砜(PES)树脂膜、聚碳酸酯(PC)树脂膜、聚酰胺树脂膜、聚酰亚胺树脂膜、丙烯酸类树脂膜、三乙酰纤维素(TAC)树脂膜等。
<基底层>
基底层15为使用含有氮原子的化合物而构成的层。在这样的基底层15为在基材13上所成膜的层的情况下、作为其成膜方法，可以举出：使用涂布法、喷墨法、涂敷法、浸渍法等的湿法的方法、及使用蒸镀法(电阻加热、EB法(电子束蒸镀法)等)、溅射法、CVD法(化学气相蒸镀法)等干法的方法等。其中，可优选使用蒸镀法。
基底层15的厚度只要可起到本发明的效果即可，优选可为0.1nm以上(1分子膜以上)。基底层15的厚度的上限没有特别限制，但优选为1μm以下，更优选为100nm以下。若基底层15的厚度为0.1nm以上(1分子膜以上)，则构成导电图案部的银原子与构成基底层的含有氮原子的化合物相互作用，银原子在基底层表面中的扩散距离减少，银的凝聚受到抑制。因此，银层可通过单层生长型(FW型)的膜生长而成膜。若基底层15的厚度为1μm以下，则可以在不损伤高的透光性的情况下，起到上述效果。
构成基底层15的含有氮原子的化合物只要为分子内含有氮原子的化合物就没有特别限定，但优选具有以氮原子作为杂原子的杂环的化合物。作为以氮原子作为杂原子的杂环，可以举出：吖丙啶、吖丙因、吖丁啶、吖丁、氮杂环戊烷、唑、六氢吡啶、吡啶、氮杂环庚烷、氮卓、咪唑、吡唑、噁唑、噻唑、咪唑啉、吡嗪、吗啉、噻嗪、吲哚、异吲哚、苯并咪唑、嘌呤、喹啉、异喹啉、喹喔啉、噌啉、蝶啶、吖啶、咔唑、苯并-C-噌啉、卟啉、二氢卟酚、胆碱等。其中，优选具有吡啶环的化合物。另外，更优选在化合物的末端具有以氮原子作为杂原子的杂环。
另外，作为如以上的具有以氮原子作为杂原子的杂环的化合物，特别优选为由下述通式(1)～(3)表示的化合物。
[通式(1)]
通式(1)
(Ar1)n1-Y1
在通式(1)的式中，n1表示1以上的整数，Y1在n1为1的情况下表示取代基，在n1为2以上的情况下表示单纯的连接键或n1价的连接基团。Ar1表示由后述的通式(A)表示的基团，在n1为2以上的情况下，多个Ar1可以相同，也可以不同。其中，由上述通式(1)表示的化合物在分子内具有至少2个由3环以上的环进行稠合而成的稠合芳香族杂环，
在通式(1)中，作为由Y1表示的取代基的例子，可以举出：烷基(例如：甲基、乙基、丙基、异丙基、叔丁基、戊基、己基、辛基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基等)、环烷基(例如：环戊基、环己基等)、烯基(例如：乙烯基、烯丙基等)、炔基(例如：乙炔基、炔丙基等)、芳香族烃基(也称为芳香族碳环基、芳基等，例如：苯基、对氯苯基、均三甲苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、蒽基、薁基、苊基、芴基、菲基、茚基、芘基、联苯基)、芳香族杂环基(例如：呋喃基、噻吩基、吡啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、喹唑啉基、咔唑基、咔啉基、二氮杂咔唑基(表示上述咔啉基的构成咔啉环的任意的碳原子之一用氮原子替换了的基团)、酞嗪基等)、杂环基(例如：吡咯烷基、咪唑烷基、吗啉基、噁唑烷基等)、烷氧基(例如：甲氧基、乙氧基、丙氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、十二烷氧基等)、环烷氧基(例如、环戊氧基、环己氧基等)、芳氧基(例如：苯氧基、萘氧基等)、烷硫基(例如：甲硫基、乙硫基、丙硫基、戊硫基、己硫基、辛硫基、十二烷硫基等)、环烷硫基(例如：环戊硫基、环己硫基等)、芳硫基(例如：苯硫基、萘硫基等)、烷氧基羰基(例如：甲氧基羰基、乙氧基羰基、丁氧基羰基、辛氧基羰基、十二烷氧基羰基等)、芳氧基羰基(例如：苯氧基羰基、萘氧基羰基等)、氨磺酰基(例如：氨基磺酰基、甲基氨基磺酰基、二甲基氨基磺酰基、丁基氨基磺酰基、己基氨基磺酰基、环己基氨基磺酰基、辛基氨基磺酰基、十二烷基氨基磺酰基、苯基氨基磺酰基、萘基氨基磺酰基、2-吡啶基氨基磺酰基等)、酰基(例如：乙酰基、乙基羰基、丙基羰基、戊基羰基、环己基羰基、辛基羰基、2-乙基己基羰基、十二烷基羰基、苯基羰基、萘基羰基、吡啶基羰基等)、酰氧基(例如、乙酰氧基、乙基羰基氧基、丁基羰基氧基、辛基羰基氧基、十二烷基羰基氧基、苯基羰基氧基等)、酰胺基(例如：甲基羰基氨基、乙基羰基氨基、二甲基羰基氨基、丙基羰基氨基、戊基羰基氨基、环己基羰基氨基、2-乙基己基羰基氨基、辛基羰基氨基、十二烷基羰基氨基、苯基羰基氨基、萘基羰基氨基等)、氨基甲酰基(例如：氨基羰基、甲基氨基羰基、二甲基氨基羰基、丙基氨基羰基、戊基氨基羰基、环己基氨基羰基、辛基氨基羰基、2-乙基己基氨基羰基、十二烷基氨基羰基、苯基氨基羰基、萘基氨基羰基、2-吡啶基氨基羰基等)、脲基(例如：甲基脲基、乙基脲基、戊基脲基、环己基脲基、辛基脲基、十二烷基脲基、苯基脲基、萘基脲基、2-吡啶基氨基脲基等)、亚磺酰基(例如：甲基亚磺酰基、乙基亚磺酰基、丁基亚磺酰基、环己基亚磺酰基、2-乙基己基亚磺酰基、十二烷基亚磺酰基、苯基亚磺酰基、萘基亚磺酰基、2-吡啶基亚磺酰基等)、烷基磺酰基(例如：甲基磺酰基、乙基磺酰基、丁基磺酰基、环己基磺酰基、2-乙基己基磺酰基、十二烷基磺酰基等)、芳基磺酰基或杂芳基磺酰基(例如：苯基磺酰基、萘基磺酰基、2-吡啶基磺酰基等)、氨基(例如：氨基、乙基氨基、二甲基氨基、丁基氨基、环戊基氨基、2-乙基己基氨基、十二烷基氨基、苯胺基、萘基氨基、2-吡啶基氨基、哌啶基(也称为哌啶基)、2,2,6,6-四甲基哌啶基等)、卤素原子(例如：氟原子、氯原子、溴原子等)、氟代烃基(例如：氟甲基、三氟甲基、五氟乙基、五氟苯基等)、氰基、硝基、羟基、巯基、甲硅烷基(例如：三甲基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基二乙基甲硅烷基等)、磷酸酯基(例如：二己基磷酰基等)、亚磷酸酯基(例如：二苯基氧膦基等)、膦酰基等。
这些取代基可以被上述的取代基进一步取代。另外，这些取代基可以多个互相键合而形成环。
在通式(1)中，作为由Y1表示的n1价的连接基团，具体而言，可以举出2价的连接基团、3价的连接基团、4价的连接基团等。
在通式(1)中，作为由Y1表示的2价的连接基团，可以举出：亚烷基(例如：亚乙基、三亚甲基、四亚甲基、亚丙基、乙基亚乙基、五亚甲基、六亚甲基、2,2,4-三甲基六亚甲基、七亚甲基、八亚甲基、九亚甲基、十亚甲基、十一亚甲基、十二亚甲基、亚环己基(例如：1,6-环己烷二基等)、亚环戊基(例如：1,5-环戊烷二基等)等)、亚烯基(例如：亚乙烯基、亚丙烯基、亚丁烯基、亚戊烯基、1-甲基亚乙烯基、1-甲基亚丙烯基、2-甲基亚丙烯基、1-甲基亚戊烯基、3-甲基亚戊烯基、1-乙基亚乙烯基、1-乙基亚丙烯基、1-乙基亚丁烯基、3-乙基亚丁烯基等)、亚炔基(例如：亚乙炔基、1-亚丙炔基、1-亚丁炔基、1-亚戊炔基、1-亚己炔基、2-亚丁炔基、2-亚戊炔基、1-甲基亚乙炔基、3-甲基-1-亚丙炔基、3-甲基-1-亚丁炔基等)、亚芳基(例如：邻亚苯基、对亚苯基、萘二基、蒽二基、丁省二基、芘二基、萘基萘二基、联苯二基(例如：[1,1’-联苯]-4,4’-二基、3,3’-联苯二基、3,6-联苯二基等)、三联苯二基、四联苯二基、五联苯二基、六联苯二基、七联苯二基、八联苯二基、九联苯二基、十联苯二基等)、亚杂芳基(例如：从由咔唑环、咔啉环、二氮杂咔唑环(也称为一氮杂咔啉环，表示构成咔啉环的碳原子之一以氮原子替换了的构成的环构成)、三唑环、吡咯环、吡啶环、吡嗪环、喹喔啉环、噻吩环、噁二唑环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、吲哚环构成的组衍生的2价的基团等)、由氧及硫等硫属元素原子、3环以上的环进行稠合而成的稠合芳香族杂环衍生的基团等(在此，作为3环以上的环进行稠合而成的稠合芳香族杂环，优选为含有选自N、O及S的杂原子作为构成稠合环的元素的芳香族杂稠合环，具体而言，吖啶环、苯并喹啉环、咔唑环、吩嗪环、菲啶环、邻二氮菲环、咔啉环、哌嗪环、喹叨啉环、哌唑嗪环、喹宁叨啉环、三苯二噻嗪环、三苯二噁嗪环、菲咯啉环、二蒽并哒嗪环、伯啶环、二氮杂咔唑环(表示构成咔啉环的碳原子的任意一个以氮原子替换了的基团)、邻二氮菲环、二苯并呋喃环、二苯并噻吩环、萘并呋喃环、萘并噻吩环、苯并二呋喃环、苯并二噻吩环、萘并二呋喃环、萘并二噻吩环、蒽并呋喃环、蒽并二呋喃环、蒽并噻吩环、蒽并二噻吩环、噻嗯环、吩噁嗪环、萘并噻吩环(萘并噻吩环)等)。
在通式(1)中，作为Y1表示的3价的连接基团，例如可以举出：乙烷三基、丙烷三基、丁烷三基、戊烷三基、己烷三基、庚烷三基、辛烷三基、壬烷三基、癸烷三基、十一烷三基、十二烷三基、环己烷三基、环戊烷三基、苯三基、萘三基、吡啶三基、咔唑三基等。
在通式(1)中，作为由Y1表示的4价的连接基团，为对上述的3价的基团进一步赋予一个键合基而成的基团，例如可以举出：丙烷二亚基、1,3-丙烷二基-2-亚基、丁烷二亚基、戊烷二亚基、己烷二亚基、庚烷二亚基、辛烷二亚基、壬烷二亚基、癸烷二亚基、十一烷二亚基、十二烷二亚基、环己烷二亚基、环戊烷二亚基、苯四基、萘四基、吡啶四基、咔唑四基等。
予以说明，上述的2价的连接基团、3价的连接基团、4价的连接基团可以分别进一步具有在通式(1)中由Y1表示的取代基。
作为由通式(1)表示的化合物的优选的方式，优选Y1表示由3环以上的环进行稠合而成的稠合芳香族杂环衍生的基团，作为该3环以上的环进行稠合而成的稠合芳香族杂环，优选二苯并呋喃环或二苯并噻吩环。另外，优选n1为2以上。
进而，由通式(1)表示的化合物在分子内具有至少2个上述的3环以上的环进行稠合而成的稠合芳香族杂环。
另外，在Y1表示n1价的连接基团的情况下，为了高地保持由通式(1)表示的化合物的三重态激发能量，Y1优选为非共轭，进而，从提高Tg(也称为玻璃化转变点、玻璃化转变温度)的观点考虑，优选由芳香环(芳香族烃环+芳香族杂环)构成。
在此，所谓非共轭，是指连接基团无法由单键(也称为单键)和双键的重复来表记、或构成连接基团的芳香环彼此的共轭被空间上切割的情况。
[由通式(A)表示的基团]
通式(1)中的Ar1表示由下述通式(A)表示的基团。
[化学式1]
通式(A)
式中，X表示-N(R)-、-O-、-S-或-Si(R)(R’)-，E1～E8表示-C(R1)＝或-N＝，R、R’及R1表示氢原子、取代基或与Y1的连接部位。*表示与Y1的连接部位。Y2表示单纯的连接键或2价的连接基团。Y3及Y4分别表示由5元或6元的芳香族环衍生的基团，至少一者表示由含有氮原子作为环构成原子的芳香族杂环衍生的基团。n2表示1～4的整数。
在此，在由通式(A)的X表示的-N(R)-或-Si(R)(R’)-中，以及在由E1～E8表示的-C(R1)＝中，分别由R、R’及R1表示的取代基与在通式(1)中由Y1表示的取代基的含义相同。
另外，在通式(A)中，作为由Y2表示的2价的连接基团，与在通式(1)中由Y1表示的2价的连接基团的含义相同。
进而，在通式(A)中，在作为分别由Y3及Y4表示的由5元或6元的芳香族环衍生的基团的形成中使用的5元或6元的芳香族环，可以举出：苯环、噁唑环、噻吩环、呋喃环、吡咯环、吡啶环、哒嗪环、嘧啶环、吡嗪环、二嗪环、三嗪环、咪唑环、异噁唑环、吡唑环、三唑环等。
进而，分别由Y3及Y4表示的由5元或6元的芳香族环衍生的基团的至少一者表示由含有氮原子作为环构成原子的芳香族杂环衍生的基团，但作为含有氮原子作为该环构成原子的芳香族杂环，可以举出：噁唑环、吡咯环、吡啶环、哒嗪环、嘧啶环、吡嗪环、二嗪环、三嗪环、咪唑环、异噁唑环、吡唑环、三唑环等。
(由Y3表示的基团的优选的方式)
在通式(A)中，作为由Y3表示的基团，优选为由上述6元的芳香族环衍生的基团，进一步优选为由苯环衍生的基团。
(由Y4表示的基团的优选的方式)
在通式(A)中，作为由Y4表示的基团，优选为由上述6元的芳香族环衍生的基团，进一步优选为由含有氮原子作为环构成原子的芳香族杂环衍生的基团，特别优选Y4为由吡啶环衍生的基团。
(由通式(A)表示的基团的优选的方式)
作为由通式(A)表示的基团的优选的方式，可以举出：由下述通式(A-1)、(A-2)、(A-3)或(A-4)的任一者表示的基团。
[化学式2]
通式(A-1)
上述通式(A-1)的式中，X表示-N(R)-、-O-、-S-或-Si(R)(R’)-，E1～E8表示-C(R1)＝或-N＝，R、R’及R1表示氢原子、取代基或与Y1的连接部位。Y2表示单纯的连接键或2价的连接基团。E11～E20表示-C(R2)＝或-N＝，至少1个表示-N＝。R2表示氢原子、取代基或连接部位。其中，E11、E12的至少1个表示-C(R2)＝，R2表示连接部位。n2表示1～4的整数。*表示与上述通式(1)的Y1的连接部位。
[化学式3]
通式(A-2)
上述通式(A-2)的式中，X表示-N(R)-、-O-、-S-或-Si(R)(R’)-，E1～E8表示-C(R1)＝或-N＝，R、R’及R1表示氢原子、取代基或与Y1的连接部位。Y2表示单纯的连接键或2价的连接基团。E21～E25表示-C(R2)＝或-N＝，E26～E30表示-C(R2)＝、-N＝、-O-、-S-或-Si(R3)(R4)-，E21～E30的至少1个表示-N＝。R2表示氢原子、取代基或连接部位，R3及R4表示氢原子或取代基。其中，E21或E22的至少1个表示-C(R2)＝，R2表示连接部位。n2表示1～4的整数。*表示与上述通式(1)的Y1的连接部位。
[化学式4]
通式(A-3)
上述通式(A-3)的式中，X表示-N(R)-、-O-、-S-或-Si(R)(R’)-，E1～E8表示-C(R1)＝或-N＝，R、R’及R1表示氢原子、取代基或与Y1的连接部位。Y2表示单纯的连接键或2价的连接基团。E31～E35表示-C(R2)＝、-N＝、-O-、-S-或-Si(R3)(R4)-，E36～E40表示-C(R2)＝、-N＝，E31～E40的至少1个表示-N＝。R2表示氢原子、取代基或连接部位，R3及R4表示氢原子或取代基。其中，E32或E33的至少1个由-C(R2)＝表示，R2表示连接部位。n2表示1～4的整数。*表示与上述通式(1)的Y1的连接部位。
[化学式5]
通式(A-4)
上述通式(A-4)的式中，X表示-N(R)-、-O-、-S-或-Si(R)(R’)-，E1～E8表示-C(R1)＝或-N＝，R、R’及R1表示氢原子、取代基或与Y1的连接部位。Y2表示单纯的连接键或2价的连接基团。E41～E50表示-C(R2)＝、-N＝、-O-、-S-或-Si(R3)(R4)-，至少1个表示-N＝。R2表示氢原子、取代基或连接部位，R3及R4表示氢原子或取代基。其中，E42或E43的至少1个由-C(R2)＝表示，R2表示连接部位。n2表示1～4的整数。*表示与上述通式(1)的Y1的连接部位。
以下，对于由通式(A-1)～(A-4)的任一者表示的基团进行说明。
在由通式(A-1)～(A-4)表示的基团的任一个的X表示的-N(R)-或-Si(R)(R’)-中，进而，在由E1～E8表示的-C(R1)＝中，分别由R、R’及R1表示的取代基与在通式(1)中由Y1表示的取代基的含义相同。
在由通式(A-1)～(A-4)表示的基团的任一者中，作为由Y2表示的2价的连接基团，与通式(1)中的由Y1表示的2价的连接基团的含义相同。
分别由通式(A-1)的E11～E20、通式(A-2)的E21～E30、通式(A-3)的E31～E40、通式(A-4)的E41～E50表示的-C(R2)＝的R2表示的取代基与在通式(1)中由Y1表示的取代基的含义相同。
接着，对本发明涉及的由通式(1)表示的化合物的进一步优选的方式进行说明。
[由通式(2)表示的化合物]
在本发明中，在由上述通式(1)表示的化合物中，优选由下述通式(2)表示的化合物。以下，对由通式(2)表示的化合物进行说明。
[化学式6]
通式(2)
上述通式(2)的式中，Y5表示亚芳基、亚杂芳基或由这些的组合构成的2价的连接基团。E51～E66分别表示-C(R3)＝或-N＝，R3表示氢原子或取代基。Y6～Y9分别表示由芳香族烃环衍生的基团或由芳香族杂环衍生的基团，Y6或Y7的至少一者及Y8或Y9的至少一者表示由含有N原子的芳香族杂环衍生的基团。n3及n4表示0～4的整数，但n3+n4为2以上的整数。
在通式(2)中，由Y5表示的亚芳基、亚杂芳基分别与在通式(1)中由Y1表示的2价的连接基团的一个例子而记载的亚芳基、亚杂芳基的含义相同。
作为由Y5表示的亚芳基、亚杂芳基或由这些的组合构成的2价的连接基团的优选的方式，在亚杂芳基中，优选含有由3环以上的环进行稠合而成的稠合芳香族杂环衍生的基团，另外，作为由该3环以上的环进行稠合而成的稠合芳香族杂环衍生的基团，优选由二苯并呋喃环衍生的基团或由二苯并噻吩环衍生的基团。
在通式(2)中，分别由E51～E66表示的-C(R3)＝的R3表示的取代基，与在通式(1)中由Y1表示的取代基的含义相同。
在通式(2)中，作为分别由E51～E66表示的基团，优选E51～E58中的6个以上及E59～E66中的6个以上分别由-C(R3)＝表示。
在通式(2)中，Y6～Y9作为分别由芳香族烃环衍生的基团的形成中所使用的芳香族烃环，可以举出：苯环、联苯环、萘环、薁环、蒽环、菲环、芘环、稠二萘环、丁省环、三亚苯基环、邻三联苯环、间三联苯环、对三联苯环、苊环、晕苯环、芴环、荧蒽环、丁省环、并五苯环、苝环、二苯并菲环、苉环、芘环、皮蒽环、联蒽环等。
进而，上述芳香族烃环也可以具有在通式(1)中由Y1表示的取代基。
在通式(2)中，Y6～Y9作为分别由芳香族杂环衍生的基团的形成中所使用的芳香族杂环，例如可以举出：呋喃环、噻吩环、噁唑环、吡咯环、吡啶环、哒嗪环、嘧啶环、吡嗪环、三嗪环、苯并咪唑环、噁二唑环、三唑环、咪唑环、吡唑环、噻唑环、吲哚环、吲唑环、苯并咪唑环、苯并噻唑环、苯并噁唑环、喹喔啉环、喹唑啉环、噌啉环、喹啉环、异喹啉环、酞嗪环、萘啶环、咔唑环、咔啉环、二氮杂咔唑环(表示构成咔啉环的碳原子之一进一步以氮原子取代的环)等。
进而，上述芳香族杂环也可以具有在通式(1)中由Y1表示的取代基。
在通式(2)中，作为在由Y6或Y7的至少一者及Y8或Y9的至少一者表示的由含有N原子的芳香族杂环衍生的基团的形成中使用的含有N原子的芳香族杂环，例如可以举出：噁唑环、吡咯环、吡啶环、哒嗪环、嘧啶环、吡嗪环、三嗪环、苯并咪唑环、噁二唑环、三唑环、咪唑环、吡唑环、噻唑环、吲哚环、吲唑环、苯并咪唑环、苯并噻唑环、苯并噁唑环、喹喔啉环、喹唑啉环、噌啉环、喹啉环、异喹啉环、酞嗪环、萘啶环、咔唑环、咔啉环、二氮杂咔唑环(表示构成咔啉环的碳原子之一进一步以氮原子取代的环)等。
在通式(2)中，作为由Y7、Y9表示的基团，优选分别表示由吡啶环衍生的基团。
另外，在通式(2)中，作为由Y6及Y8表示的基团，优选分别表示由苯环衍生的基团。
进而，对本发明涉及的在由通式(2)表示的化合物中进一步优选的方式进行说明。
[由通式(3)表示的化合物]
在本发明中，由上述通式(2)表示的化合物中，进一步优选由下述通式(3)表示的化合物。以下，对于由通式(3)表示的化合物进行说明。
[化学式7]
通式(3)
上述通式(3)的式中，Y5表示亚芳基、亚杂芳基或由这些的组合构成的2价的连接基团。E51～E66、E71～E88分别表示-C(R3)＝或-N＝，R3表示氢原子或取代基。其中，E71～E79的至少1个及E80～E88的至少1个表示-N＝。n3及n4表示0～4的整数，但n3+n4为2以上的整数。
在通式(3)中，由Y5表示的亚芳基、亚杂芳基分别与作为在通式(1)中由Y1表示的2价的连接基团的一个例子而记载的亚芳基、亚杂芳基的含义相同。
作为由Y5表示的亚芳基、亚杂芳基或由这些的组合构成的2价的连接基团的优选的方式，优选亚杂芳基中含有由3环以上的环进行稠合而成的稠合芳香族杂环衍生的基团，另外，作为该由3环以上的环进行稠合而成的稠合芳香族杂环衍生的基团，优选由二苯并呋喃环衍生的基团或由二苯并噻吩环衍生的基团。
在通式(3)中，分别由E51～E66、E71～E88表示的-C(R3)＝的R3表示的取代基与在通式(1)中由Y1表示的取代基的含义相同。
在通式(3)中，优选E51～E58中的6个以上及E59～E66中的6个以上分别由-C(R3)＝表示。
在通式(3)中，优选E75～E79的至少1个及E84～E88的至少1个表示-N＝。
进而，在通式(3)中，优选E75～E79中任1个及E84～E88中任1个表示-N＝。
另外，在通式(3)中，E71～E74及E80～E83分别由-C(R3)＝表示，作为优选的方式而可举出。
进而，在由通式(2)或通式(3)表示的化合物中，优选E53由-C(R3)＝表示、且R3表示连接部位，进一步优选E61也同时由-C(R3)＝表示、且R3表示连接部位。
进一步优选E75及E84由-N＝表示，优选E71～E74及E80～E83分别由-C(R3)＝表示。
[化合物的具体例]
以下示出表示本发明涉及的由通式(1)、(2)或(3)表示的化合物的具体例(1～112)，但并不限定于这些物质。
[化学式8-a]
[化学式8-b]
[化学式8-c]
[化学式8-d]
[化学式8-e]
[化学式8-f]
[化学式8-g]
[化学式8-h]
[化学式8-i]
[化学式8-j]
[化学式8-k]
[化学式8-l]
[化学式8-m]
[化学式8-n]
[化学式8-o]
[化学式8-p]
[化学式8-q]
[化学式8-r]
[化学式8-s]
[化学式8-t]
[化学式8-u]
[化学式8-v]
[化学式8-w]
[化学式8-x]
[化学式8-y]
[化学式8-z]
[化学式8-aa]
[化学式8-bb]
[化合物的合成例]
以下作为代表性的化合物的合成例，示出化合物5的具体的合成例，但并不限定于此。
[化学式9]
(化合物5的合成例)
中间体2+
工序1：(中间体1的合成)
在氮气氛下，在DMAc(二甲基乙酰胺)300ml中混合3,6-二溴二苯并呋喃(1.0摩尔)、咔唑(2.0摩尔)、铜粉末(3.0摩尔)、碳酸钾(1.5摩尔)，在130℃下搅拌24小时。将由此得到的反应液冷却至室温后，加入甲苯1L，用蒸馏水清洗3次，对有机层在减压下蒸馏除去溶剂，用硅胶快速色谱(正庚烷:甲苯＝4:1～3:1(质量比))精制残渣，以收率85％得到中间体1。
工序2：(中间体2的合成)
在室温、大气下，将中间体1(0.5摩尔)溶解于DMF(二甲基甲酰胺)100ml中，加入NBS(N-溴代琥珀酰亚胺)(2.0摩尔)，在室温搅拌一晚。过滤得到的沉淀，用甲醇清洗，以收率92％得到中间体2。
工序3：(化合物5的合成)
在氮气氛下，在NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮)3L中混合中间体2(0.25摩尔)、2-苯基吡啶(1.0摩尔)、钌络合物[(η6-C6H6)RuCl2]2(0.05摩尔)、三苯基膦(0.2摩尔)、碳酸钾(12摩尔)，在140℃下搅拌一晚。
将反应液冷却至室温后，加入二氯甲烷5L，过滤反应液。滤液在减压下蒸馏除去溶剂(800Pa、80℃)，用硅胶快速色谱(CH2Cl2:Et3N(三乙胺)＝20:1～10:1(质量比))精制NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮)残渣。
收集各馏分(fraction)而在减压下蒸馏除去溶剂，然后，将残渣再次溶解于二氯甲烷中，用水清洗3次。将有机相用无水硫酸镁干燥后，在减压下蒸馏除去溶剂，而以收率68％得到化合物5。
[具有透光性的导电图案部]
所谓本发明的具有透光性的导电图案部17的具有透光性，表示导电图案部17的总光线透射率为50％以上，由此，难以见到图案部，另外，可降低波纹、衍射导致的外光的散射。为了达到这样的性能，由银或以银为主要成分的合金形成的具有透光性的导电图案部17的膜厚优选在4～9nm的范围。予以说明，在此所谓导电图案部17的膜厚，为假定银或以银为主要成分的合金形成均匀的膜厚而换算了的膜厚。这样的膜厚可以通过由蒸镀速率换算、或抽取每单位面积的银或以银为主要成分的合金而定量来求出。若导电图案部17的膜厚比9nm厚，则该膜厚的吸收成分或反射成分变多，透射率下降。另外，若导电图案部17的膜厚比4nm薄，则该膜厚的导电性不足，因此不优选。导电图案部17的总光线透射率更优选为60％以上，最优选为70％以上。予以说明，总光线透射率可以根据图案部的线宽准备孔来进行测定。或者，可以通过对同样地制作了的实体的图案部进行测定来求出。另外，在本发明的具有透光性的导电图案部17中使用以银为主要成分的合金的情况下，就该合金中的银的含量而言，从得到上述透光性及在以下所示的导电性的观点考虑，优选具有50质量％以上，更优选为60质量％以上。
导电图案部17的导电性以同样地制作了的实体部的薄层电阻值计优选为50Ω/□(square)以下，更优选为20Ω/□以下。
在本发明中，因为导电图案部17也具有透光性，因此导电图案难以成为视野的障碍，因此图案线宽只要根据天线、电磁屏蔽能等适宜设计即可，例如可以设为10μm至10mm、优选设为100μm至1mm。
具有透光性的导电图案部17为使用银或以银为主要成分的合金而构成了的层，为在基底层15上的至少一部分上成膜了的层。作为这样的导电图案部17的成膜方法，可以举出：使用蒸镀法(电阻加热、EB法等)、溅射法、CVD法等的干法的方法等。其中在本发明中，最优选应用蒸镀法。另外，具有透光性的导电图案部17的特征在于：在基底层15上成膜而由此导电图案部17即使没有成膜后的高温退火处理等也充分地具有导电性，但也可以根据需要在成膜后进行高温退火处理等。
构成导电图案部17的以银(Ag)为主要成分的合金可以举出：银镁(AgMg)、银铜(AgCu)、银钯(AgPd)、银钯铜(AgPdCu)、银铟(AgIn)等。
如以上的导电图案部17，也可以为银或以银为主要成分的合金的层根据需要而分为多个层来层叠了的构成。
作为将导电图案部17成膜为期望的形状的方法，准备期望的形状的掩模、通过蒸镀法来进行形成的方法最简便，可最优选利用。
另外，用上述的方法形成银或以银为主要成分的合金的层后，也可利用以下方法等：使用一般的光刻工艺而形成图案的方法，在导电图案部以外的区域将含有脱银剂的组合物进行图案印刷后、进行水洗的方法等。其中，在导电图案部以外的区域将含有脱银剂的组合物进行图案印刷后、进行水洗的方法也因为工序简便而为优选的图案形成方法。
作为脱银剂的组成，可以优选使用在卤化银彩色照片感光材料的显像处理中使用的漂白定影剂。
作为在上述漂白定影剂中使用的漂白剂，也可以使用公知的漂白剂，但特别优选铁(III)的有机络合盐(例如氨基多元羧酸类的络合盐)或者柠檬酸、酒石酸、苹果酸等的有机酸、过硫酸盐、过氧化氢等。
这些中，铁(III)的有机络合盐从迅速处理和防止环境污染的观点考虑而特别优选，特别优选氨基多元羧酸铁络合物。若例举为了形成铁(III)的有机络合盐而有用的氨基多元羧酸或它们的盐，以有生物分解性的乙二胺二琥珀酸(SS体)、N-(2-羧酸乙酯)-L-天冬氨酸、β-丙氨酸二乙酸、甲基亚氨基二乙酸为代表，除乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、1,3-二氨基丙烷四乙酸、丙二胺四乙酸、次氨基三乙酸、环己烷二胺四乙酸、亚氨基二乙酸、乙二醇醚二胺四乙酸等以外，可以举出欧州专利0789275号的由通式(I)或(II)表示的化合物。这些化合物可以为钠、钾、锂或铵盐的任一者。在这些化合物中，优选乙二胺二琥珀酸(SS体)、N-(2-羧酸乙酯)-L-天冬氨酸、β-丙氨酸二乙酸、乙二胺四乙酸、1,3-二氨基丙烷四乙酸、甲基亚氨基二乙酸的铁(III)络合盐。这些三价铁离子络合盐也可以以络合盐的形式使用，也可以使用三价铁盐，例如硫酸铁、氯化铁、硝酸铁、硫酸铁铵、磷酸铁等和氨基多元羧酸等螯合剂在溶液中形成三价铁离子络合盐。另外，可以以形成三价铁离子络合盐以上地过量地使用螯合剂。铁(III)的氨基多元羧酸铁络合物的添加量为0.01～1.0摩尔/升，优选为0.05～0.50摩尔/升，进一步优选为0.10～0.50摩尔/升，进一步优选为0.15～0.40摩尔/升。
在漂白定影剂中使用的定影剂为公知的定影剂，即硫代硫酸钠、硫代硫酸铵等的硫代硫酸盐；硫氰酸钠、硫氰酸铵等的硫氰酸盐；亚乙基双硫代乙醇酸、3,6-二硫杂-1,8-辛二醇等的硫醚化合物及硫脲类等的水溶性的卤化银溶解剂，可以使用这些中的1种，或者可以将这些中的2种以上混合使用。另外，也可以使用由如日本特开昭55-155354号公报中记载的定影剂和大量的碘化钾这样的卤化物等的组合构成的特殊的漂白定影剂等。在本发明中，优选硫代硫酸盐、特别是硫代硫酸铵盐的使用。每1升的定影剂的量优选0.3～2摩尔，进一步优选为0.5～1.0摩尔的范围。
本发明中使用的漂白定影剂的pH区域优选3～8，进一步特别优选4～7。为了调整pH，可以根据需要添加盐酸、硫酸、硝酸、碳酸氢盐、氨、苛性钾、苛性钠、碳酸钠、碳酸钾等。
另外，在漂白定影剂中，可以含有其它的各种消泡剂或者表面活性剂、聚乙烯基吡咯烷酮、甲醇等的有机溶剂。漂白定影剂优选含有作为防腐剂的亚硫酸盐(例如：亚硫酸钠、亚硫酸钾、亚硫酸铵等)、亚硫酸氢盐(例如：亚硫酸氢铵、亚硫酸氢钠、亚硫酸氢钾等)、偏亚硫酸氢盐(例如：偏亚硫酸氢钾、偏亚硫酸氢钠、偏亚硫酸氢铵等)等的亚硫酸离子释放化合物、对甲苯亚磺酸、间羧基苯亚磺酸等的芳基亚磺酸等。这些化合物优选换算为亚硫酸离子及亚磺酸离子含有约0.02～1.0摩尔/升。
作为防腐剂，除上述以外，也可以添加抗坏血酸、羰基亚硫酸氢盐加成物、或者羰基化合物等。进而也可以根据需要添加缓冲剂、螯合剂、消泡剂、防霉剂等。
脱银剂进一步优选含有水溶性粘结剂。水溶性粘结剂，具体而言可优选使用乙烯-乙烯醇共聚物、聚乙烯醇、聚丙烯酸钠、碳水化合物及其衍生物。作为碳水化合物及其衍生物，可以举出：水溶性纤维素衍生物和水溶性天然高分子。作为水溶性纤维素衍生物，是指甲基、羟乙基、钠羧甲基[为钠盐，羧甲基纤维素(以下称为CMC)]、羧甲基等的纤维素衍生物。另外，所谓水溶性天然高分子，是指淀粉、淀粉糊料、可溶性淀粉、糊精等。其中，CMC因为易于溶于水而优选。水溶性粘结剂的分子量可以根据需要的粘度而任意地选择。
作为将含有脱银剂的组合物进行图案印刷的方法，可以使用凸版(活版)印刷法、孔版(丝网)印刷法、平版(胶版)印刷法、凹版(凹版)印刷法、喷射印刷法、喷墨印刷法等的印刷法，但特别优选用凹版印刷法或丝网印刷法来进行。将本发明的含有脱银剂的组合物图案印刷于本发明中的导电图案部以外的区域、接着进行水洗处理、除去非图案部的银或以银为主要成分的合金的层，由此可以形成图案。
<透光性电磁屏蔽部件、透光性频率选择性电磁屏蔽部件、透光性天线部件>
本发明的其它的实施方式为透光性电磁屏蔽部件，其特征在于，其是使用上述的实施方式的透光性导电图案部件而成的。另外，本发明的进一步其它的实施方式为透光性频率选择性电磁屏蔽部件，其特征在于，其是使用上述的实施方式的透光性导电图案部件而成的。本发明的进一步另外其它的实施方式为透光性天线部件，其特征在于，其是使用上述的实施方式的透光性导电图案部件而成的。
对本发明的具有透光性的导电图案部件11的导电图案部17的形状(及其用途)进行说明。图3中对于导电图案部的形状示出几个的例子。图4中示出作为导电图案部的形状(及其用途)、开放了端部的天线图案例(使用透光性导电图案部件的透光性天线部件的例子)。对于导电图案部的形状(及其用途)，可根据电磁屏蔽(使用透光性导电图案部件的透光性电磁屏蔽部件)、透明天线(使用透光性导电图案部件的透光性天线部件)等其用途而适宜确定，没有特别限制。例如，对于作为使用透光性导电图案部件的透光性频率选择性电磁屏蔽部件而利用的情况进行说明。
(向透光性频率选择性电磁屏蔽部件的应用)
在导体片处于空中的情况下，若向该面入射电波，则在线状的导电部(导电图案部)中，例如若形成开放了端部的形状，将从中心延伸的其一边的长度(电长度)设为要屏蔽的电波的1/4波长(在一条形状中为1/2波长)而使要屏蔽的波长共振，则可以使电磁波反射、散射、衰减。
另外，在不是端部开放形状而是设为关闭了的环状形状(例如，四边形等的多边形状、圆形状(参照图3C)等)的情况下，可将周长(电长度)设为与要屏蔽的电磁波的波长相同。
考虑该线状的导电部(导电图案部)的电磁场反射等价面积(散射开口面积)或电磁场反射等价体积(散射开口体积)，使这样的线状的导电图案部以一定的间隔平面地或者立体地排列在空间中或者非导电性材料上(例如，如图3A所示使一定的长度的线状(直线形状)的导电部以一定的间隔平面地排列而成的导电图案)，由此可以使共振的频率的电磁波衰减、屏蔽。
如图3的导电图案部的形状的几个的例子(参照图3A、C)那样图案化了的小导电图案，通过确定其长度，可屏蔽特定的频率，其结果，使其他的波长的电磁波通过，因此，可不屏蔽无线、电视电波等需要来自外部的信息的收集的波而仅屏蔽特定的电波。
(向透光性电磁屏蔽部件的应用)
在不特别需要波长选择性的电磁波屏蔽的情况下，导电图案部的形状可以使用例如网眼图案(参照图1A、图5)。另外，可以为组合了三角形(参照图3B)、正方型、长方型、菱形、平行四边形、梯形等的四边形、(正)六边形、(正)八边形等的由几何学图形构成的网眼状的图案。
(向透光性天线部件的应用)
在用于电视、收音机、无线LAN的接收天线、非接触IC卡的接收发送的在天线、无线标记的天线中进行利用的情况下，导电图案部的形状可根据接收的频率来适宜确定。例如为形成为进行旋转的漩涡状的线圈的图案，形成环天线。该天线适于AM频带的接收。
作为另外的天线图案，为以一边的长度为目的电波的1/4波长频率的、直线状的图案(例如，参照图4的开放了端部的四角形型的天线图案41)。可以设计为FM频带、或者TV频带用的天线。予以说明，在作为该天线图案而利用的情况下，图案的一端或者两端连接于供电部。
<触摸面板>
本发明的其它的实施方式为触摸面板，其特征在于，其是将上述的实施方式的透光性导电图案部件作为触摸面板用透明电极来使用。
(在透明基板上设有使用了本发明的实施方式的透光性导电图案部件的二层的透明电极的构成)
图5是表示将本发明的实施方式的透光性导电图案部件作为触摸面板用透明电极1-1、1-2而使用了的触摸面板21的示意构成的透视图。另外，图6是表示触摸面板21的电极构成的2张透明电极(本发明的实施方式的透光性导电图案部件)1-1、1-2的俯视图。
这些图5、6中所示的触摸面板21为投影型电容式的触摸面板。该触摸面板21，在透明基板23的一主面上依次配置使用了透光性导电图案部件的第1透明电极1-1及使用了透光性导电图案部件的第2透明电极1-2，其上部由前面板25覆盖。
第1透明电极(透光性导电图案部件)1-1，具备第1含氮层(基底层)3-1和该第1含氮层3-1上所设的第1电极层(导电图案部)5-1。第1电极层5-1为第1触摸面板用透明电极1-1所具备的电极层，作为在第1含氮层3-1上被图案化了的多个x电极图案5x1、5x2、…而构成(参照图6)。各x电极图案5x1、5x2、…，以分别在x方向延伸设置了的状态互相保持间隔而并列地配置。这些各x电极图案5x1、5x2、…，设为分别例如将在x方向排列了的菱形的图案部分设为在菱形的顶点附近在x方向直线状地连接了的形状(导电图案部的形状)。
另外，在各x电极图案5x1、5x2、…中，在各自的端部连接有x配线29x。这些x配线29x，在透明基板23上的周缘区域配线，由透明基板23的边缘引出。如上所述的各x配线29x与x电极图案5x1、5x2、…同样地，可以为作为以银为主要成分的第1电极层5-1构成的层，也可以为由另外形成的电极层构成的层。
第2透明电极(透光性导电图案部件)1-2是具备第2含氮层(基底层)3-2和该第2含氮层3-2上所设的第2电极层(导电图案部)5-2而成的。第2电极层5-2为第2触摸面板用透明电极1-2所具备的电极层，作为在第2含氮层3-2上图案化的多个y电极图案5y1、5y2、…构成(参照图6)。各y电极图案5y1、5y2、…分别以沿与x电极图案5x1、5x2、…垂直的y方向扩展的状态互相保持间隔并列地配置。这些各y电极图案5y1、5y2、…分别例如将沿y方向排列的菱形的图案部分设为在菱形的顶点附近为沿y方向直线状地连接的形状(导电图案部的形状)。
在此，如图7所示，构成各y电极图案5y1、5y2、…的菱形的图案部分相对于形成x电极图案5x1、5x2、…的菱形的图案部分俯视地配置在没有重叠的位置，成为在没有重叠的范围尽量占较大的范围的形状。由此，成为在透明基板23的中央部的区域中，不易见到由第1电极层5-1构成的x电极图案5x1、5x2、…、及由第2电极层5-2构成的y电极图案5y1、5y2、…的构成。
各y电极图案5y1、5y2、…仅在菱形的电极图案的连接部分与各x电极图案5x1、5x2、…层叠。在这些层叠部分夹持有第2含氮层3-2，由此，成为可确保x电极图案5x1、5x2、…和y电极图案5y1、5y2、…的绝缘性的状态。
另外，在各y电极图案5y1、5y2、…中，在各自的端部连接有y配线29y。这些y配线29y在透明基板23上的周缘区域配线，以与x配线29x排列的方式由透明基板23的边缘引出。如上所述的各y配线29y与y电极图案5y1、5y2、…同样地，可以为作为以银为主要成分的第2电极层5-2构成的层，也可以为由另外形成的电极层构成的层。
另外，成为在由透明基板23的边缘引出的x配线29x及y配线29y连接有柔性印刷基板等的构成。
(前面板25)
如图5及图8图示的前面板25为在触摸面板21中与输入位置对应的部分被冲压的板材。如上所述的前面板25为具有透光性的板材，可以使用与透明基板23同样的材料。另外，该前面板25可以选择使用具备根据需要的光学特性的材料。如上所述的前面板25例如通过粘接剂(层)27(参照图8)与第2透明电极1-2侧贴合。该粘接剂27只要为具有透光性的物质，材料就没有特别的限制。
另外，该前面板25设有覆盖透明基板23的周缘的遮光膜，防止从前面板25侧见到由x电极图案5x1、5x2、…引出的x配线29x、及由y电极图案5y1、5y2、…引出的y配线29y。
(触摸面板的工作)
在使如上所述的触摸面板21工作的情况下，预先对与x配线29x及y配线29y连接的柔性印刷基板等至x电极图案5x1、5x2、…及y电极图案5y1、5y2、…施加电压。在该状态，若手指或触控笔接触前面板25的表面，则触摸面板21内存在的各部分的容量变化，表现为x电极图案5x1、5x2、…及y电极图案5y1、5y2、…的电压的变化。该变化根据手指或触控笔距接触的位置的距离而不同，在手指或触控笔接触的位置最大。因此，在电压的变化最大的x电极图案5x1、5x2、…及y电极图案5y1、5y2、…报告的位置作为手指或触控笔接触的位置检测出来。
另外，对由如上所述的基底层15和至少在该上部的一部分成膜的具有透光性的导电图案部17构成的层叠结构的透光性导电图案部件11及其应用部件(透光性电磁屏蔽部件、透光性频率选择性电磁屏蔽部件、透光性天线部件、触摸面板)而言，具有透光性的导电图案部17的上部由保护膜(未图示)覆盖，或可以层叠有其它的导电性层(未图示)。此时，优选这些保护膜及导电性层以不损伤透光性导电图案部件11及其应用部件的透光性的方式具有透光性。另外，在基底层15的下部、即基底层15和基材13之间，也可以采用设置根据需要的层(例如图2所示的保护层14等)的构成。
透光性导电图案部件11及其应用部件(透光性电磁屏蔽部件、透光性频率选择性电磁屏蔽部件、透光性天线部件、触摸面板)的导电图案部17以外的区域优选具有透光性，另外，从导电图案部17也具有透光性的方面考虑，作为部件11也可期待高的透光性。具体而言，透光性导电图案部件11的总光线透射率优选为70％以上，更优选为75％以上，最优选为80％以上。在此，透光性导电图案部件11的总光线透射率可以由以下求出。即，可以使用东京电色公司制HAZE METER NDH5000对试样的3cm见方图案部的总光线透射率进行测定，求出透光性导电图案部件的总光线透射率。
实施例
以下，举出实施例对本发明具体地进行说明，但本发明并不限定于这些。予以说明，在实施例中，使用“％”的表示，但只要没有特别说明，就表示“质量％”。
[透光性导电图案部件101(试样101)的制作]
将透明的市售的PET基材(コスモシャインA4100、东洋纺织(株)公司制、膜厚100μm)以将基底层、银层设于未设有易滑层的面的方式固定于市售的真空镀膜装置的基材支架，将下述TPD放入钽制电阻加热板，将这些基板支架和加热板安装在真空镀膜装置的第1真空槽。另外，在钨制的电阻加热板放入银(Ag)，安装于第2真空槽内。
在该状态下，首先，将第1真空槽减压至4×10-4Pa，然后，对放入了TPD的加热板通电而加热，以蒸镀速度0.1nm/秒～0.2nm/秒在基材上设置膜厚25nm的由TPD构成的基底层。在此，基底层的膜厚使用水晶振动式膜厚计来进行测定(以下相同)。
接着，将成膜至基底层的基材在真空的状态下移至第2真空槽，将另行制作了的铝掩模(参照图9)设置于成膜基底层了的基材面，将第2真空槽减压至4×10-4Pa后，对放入了银的加热板进行通电而加热。由此，以蒸镀速度0.1nm/秒～0.2nm/秒形成膜厚8nm的由银构成的导电图案部，得到由基底层和在其上部的一部分与导电图案部的层叠结构构成的透光性导电图案部件101(试样101)。予以说明，在此，所谓银的膜厚表示假定银形成均匀的膜而由银的镀膜量换算了的膜厚值(以下相同)。另外，图9是表示使用铝掩模的图案在上述PET基材51上所设的由上述TPD构成的基底层(未图示)上形成的由试样101的银构成的网眼形状的具有透光性的导电图案部52和在评价用中形成了的由银构成的具有透光性的实体部53的平面示意图。在此，上述PET基材51的尺寸，使用了5cm×9cm的材料。另外，网眼形状的导电图案部52的尺寸，为3cm×3cm，图案形状使用了L/S＝1mm/4mm的网眼图案。图10A是用于说明网眼状(格子状)的图案部的L/S的平面示意图。在此，如图10A中所示，上述L/S表示基底层61上所形成了的网眼形状的(具有透光性的导电)图案部63的Line(图案的线宽；L)/Space(网眼的开口宽度；S)。另外，图9的评价用实体部53，为作为总光线透射率及导电性评价用而形成了的部分，其尺寸与网眼形状的导电图案部52的尺寸相同，为3cm×3cm。予以说明，铝掩模的图案为图9的相反(负)的图案。
予以说明，试样101的基底层的材料(TPD)，为下述结构，为含有氮的化合物。
[化学式10]
[透光性导电图案部件102～109(试样102～109)的制作]
在试样101中，如表1所记载的那样变更基底层的材料、银的膜厚，除此以外同样地制作透光性导电图案部件102～109(试样102～109)。
予以说明，如下述所示，试样102的基底层的材料(卟啉衍生物)，为下述结构，为具有以氮原子作为杂原子的杂环的化合物。
[化学式11]
进而，试样103的基底层的材料(化合物99)、试样104的基底层的材料(化合物94)、试样105～108的基底层的材料(化合物10)、及试样109的基底层的材料(化合物112)，为以前面的基底层的材料的形式而表示的各结构。其中，化合物99对应于通式(1)，化合物94对应于通式(2)，化合物10具有吡啶基且对应于通式(3)，化合物112对应于通式(1)。
[透光性导电图案部件110(试样110)的制作]
首先，在与试样101相同的PET基材上使用旋涂机以干燥膜厚为30nm的方式调整转数来涂布下述锚固层涂布液1，在120℃下，进行10分钟的干燥处理。
<锚固层涂布液1>
甲苯              83g
甲基乙基酮        15g
聚甲基丙烯酸甲酯  2g
接着，用旋涂机以1500rpm、30秒钟的条件将溶解0.75g的上述化合物112于100g的2,2,3,3-四氟-1-丙醇而得到的涂布液涂布在基材上。接着，在基板表面温度120℃下加热30分钟，得到由化合物112构成的基底层。基底层的膜厚为25nm。
接着，将设置至基底层的基材固定于市售的真空镀膜装置的基材支架，在钨制电阻加热板放入银，安装于真空镀膜装置的真空槽。接着，在未使用试样101中使用的掩模的情况下将真空槽减压至4×10-4Pa，然后，对放入了银的加热板进行通电而加热，以蒸镀速度0.1nm/秒～0.2nm/秒形成膜厚8nm的由银构成的导电层。予以说明，在此，所谓由银构成的导电层的膜厚表示由银的镀膜量假定银成为均匀的膜而进行换算的膜厚值。
进而，对试样101中使用的掩模而言，使用形成了相反的印刷图案的丝网印刷用聚酯网而用羧甲基纤维素Na(SIGMA-ALDRICH公司制；C5013以下简称为CMC)将下述的脱银剂BF-1的粘度调整至10000cp，在导电层之上以涂布膜厚30μm的方式进行丝网印刷。印刷后放置1分钟，接着进行水洗处理，制作透光性导电图案部件110(试样110)。
<脱银剂BF-1的制作>
用纯水定为1L，用硫酸或氨水将pH调整为5.5，制作脱银剂BF-1。
[透光性导电图案部件111(试样111)的制作]
在试样107中，将第2真空槽减压至4×10-4Pa后，分别独立地对放入了银的上述加热板和放入了铜的上述加热板进行通电而加热，以铜相对于银的比率为3质量％(即，银:铜＝100:3(质量比))的方式调整蒸镀速度，形成膜厚8nm的由银和铜构成的导电图案部，除此以外，同样地制作透光性导电图案部件111(试样111)。
[透光性导电图案部件112(试样112)的制作]
在试样107中，使用透明的无碱玻璃制的基材代替PET基材，除此以外同样地制作透光性导电图案部件112(试样112)。
[比较试样201～203的制作]
在试样101中，未设置基底层，将银的膜厚设为表1记载的膜厚，除此以外同样地制作比较试样201～203。
[比较试样204的制作]
在透明的市售的PET基材(コスモシャインA4100、东洋纺织(株)公司制、膜厚100μm)的未设有易滑层的面，使用直流磁控管溅射法形成由铟和锡的氧化物构成的40nm的ITO薄膜层。在ITO薄膜层的形成中，使用氧化铟·氧化锡烧结体[In2O3:SnO2＝90:10(质量比)]作为靶材，使用氩·氧混合气体(总压266mPa、氧分压5mPa)作为溅射气体。
接下来，使用市售的真空镀膜装置，将与试样101同样的铝掩模设置于将ITO薄膜层成膜了的基材面，减压至4×10-4Pa，然后，对放入了银的加热板进行通电而加热。由此，以蒸镀速度0.1nm/秒～0.2nm/秒形成膜厚15nm的由银构成的导电图案部。进而，如上述同样地形成89nm的ITO薄膜层，制作比较试样204。
[比较试样205的制作]
[利用镀敷法的具有不具有透光性的导电图案部的部件的制作]
<涂料1的制作>
将聚氧乙烯烷基醚系非离子表面活性剂(エマルゲン409P/花王株式会公司制)2.1mmol溶解于离子交换水100mL中，接着加入吡咯单体21.2mmol，搅拌30分钟，接着加入0.12M过硫酸铵水溶液50mL(相当于6mmol)，在20℃下进行反应1小时。(聚合率52％、平均粒径86nm)，接着，添加二氢松油醇25mL，搅拌4小时。搅拌结束后，回收有机相，用离子交换水清洗多次而得到分散在二氢松油醇中的具有还原性能的还原性聚吡咯微粒分散液。
上述所得到的二氢松油醇分散液中的还原性聚吡咯微粒的固体成分约为1.3质量％，但向其中加入相对于还原性聚吡咯微粒1质量份为1质量份的スーパーベッカミンJ-820：三聚氰胺系(大日本油墨化学工业(株)公司制)来调整涂料1。
在透明的市售的PET基材(コスモシャインA4100、东洋纺织(株)公司制、膜厚100μm)的未设有易滑层的面，使用市售的凹版印刷机，将涂料1以格子状实施印刷以使得L/S＝100μm/500μm、膜厚100nm、开口率70％，然后，放入120℃的干燥箱中10分钟，进行干燥。将形成有涂料1的涂膜层的膜在35℃下浸渍于0.02％氯化钯-0.01％盐酸水溶液中7分钟，然后，用自来水水洗。接着，在35℃下将该膜浸渍于化学镀铜浴ATSアドカッパーIW浴(奥野制药工业(株)公司制)5分钟，实施膜厚100nm的铜镀敷，作为比较试样205。图10A是用于说明网眼状(格子状)的图案部的L/S的平面示意图。图10B是用于表示比较试样205的图案部的构成的沿图10A(镀敷后)的10B-10B线的剖面示意图。在此，如图10A中所示，L/S表示PET基材(易滑层)61上所形成的涂料1的涂膜层(格子状印刷物)的格子状(网眼状)的图案部63的Line(图案的线宽；L)/Space(格子的开口宽度；S)。另外，镀敷后的比较试样205的剖面构成，为如图10B中所示，形成以下剖面构成：在PET基材(易滑层)61上形成有膜厚100nm的涂料1的涂膜层(格子状印刷物)的格子状(网眼状)的图案部63，进而在图案部63的表面(侧面及上面)形成有膜厚100nm的铜镀敷(层)65。另外，对涂料1的涂膜层(格子状印刷物)63的膜厚测定方法而言，通过以下的FIB(聚焦离子束)加工装置将试样制成薄片后，进行TEM(透射型电子显微镜)观察，求出膜厚。
(FIB加工)
·装置：SII制SMI2050
·加工离子：(Ga 30kV)
·试样厚度：200nm
(TEM观察)
·装置：日本电子制JEM2000FX(加速电压：200kV)
·电子束照射时间：30秒。
[比较试样206的制作]
在试样101中，将基底原料设为下述的spiro-DPVBi，除此以外同样地制作比较试样206。
[化学式12]
<评价>
具有透光性的导电图案部的总光线透射率、导电性，通过对试样上所形成了的评价用的3cm见方的具有透光性的导电膜的实体部进行测定来求出。
分别使用电阻率计(ロレスタGP(MCP-T610型)：(株)ダイヤインスツルメンツ公司制)和东京电色公司制HAZE METER NDH5000测定薄层电阻值(表面比电阻率)和总光线透射率。将得到的结果示于表1。
<电磁波屏蔽性评价>
求出用KEC法在10MHz～1GHz的频带中测定了的结果的平均值，以以下的指标(评价标准)对电磁波屏蔽性进行评价。将评价结果示于表1。
○：15db以上
△：10以上且低于15
△×：5以上且低于10
×：低于5。
<可见性评价>
将试样置于桌子上的视窗，从50cm的距离观察。以以下的指标(评价标准)评价可见性。将评价结果示于表1。
○：无法识别图案
○△：若仔细看，则能识别图案
△：虽然可识别图，但不成问题
×：可清楚地识别图案,成问题。
[表1]
实施例2
[频率选择性电磁波屏蔽部件的制作]
在试样107中，将掩模的图案变更为以线状天线元件的单位长度79mm、线宽40μm、线状天线元件间隔300μm的方式所形成的光掩模(该光掩模(负)的图案为图3A的线状天线图案的相反(负)的图案)，除此以外同样地制作频率选择性电磁波屏蔽部件，结果，可确认2G带(1.90GHz；波长158mm)的反射特性。
予以说明，作为反射特性的评价方法，用以下的方法对衰减率进行评价。在图11中示出表示衰减率的评价装置的配置的示意图。如图11中所示，将矢量网络分析仪(HP公司制8150B)73连接于对向设置了的一对电介质透镜71、72，在其间放置制作了的选择性电磁波屏蔽膜样品74，通过频率1.90GHz(波长158mm)下的衰减率(dB)来确认。图中，将向样品74的入射电磁波表记为λ1，将来自样品74的透过电磁波表记为λ2。
实施例3
[透光性天线部件的制作]
在试样107中，将掩模的图案变更为以成为图4中所示的线宽2mm、尺寸：70mm×130mm的四角形型的天线图案41的相反(负)的图案的方式所形成的光掩模，除此以外同样地制作透光性天线部件。可以在非接触IC卡、无线标记中利用。
实施例4
[透光性触摸面板用电极图案的制作]
在试样107中，将掩模的图案以可形成图5～7中所示的2张触摸面板用透明电极5-1、5-2的方式变更，除此以外同样地制作透光性触摸面板用电极图案(透光性导电图案部件)5-1、5-2。分别重叠2张透光性触摸面板用电极图案来制作简易式的各触摸面板。可见性良好且触摸的耐久性也良好。
本申请，基于2012年4月18日所申请的日本专利申请号2012-094984号，参照其公开内容，以整体引入。
符号的说明
1-1 第1触摸面板用透明电极、
1-2 第2触摸面板用透明电极、
3-1 第1含氮层、
3-2 第2含氮层、
5-1 第1电极层、
5-2 第2电极层、
5x1、5x2、…各x电极图案、
5y1、5y2、…各y电极图案、
11 透光性导电图案部件、
13 (具有脱模性的)基材、
14 保护层、
15 基底层、
17 具有透光性的导电图案部、
18 粘接层、
19 基体、
21 触摸面板、
23 透明基板、
25 前面板、
27 粘接剂(层)
29x x配线、
29y y配线、
41 四角形型的天线图案、
51 PET基材、
52 具有透光性的导电图案部、
53 具有透光性的实体部、
61 基底层至PET基材(易滑层)、
63 (具有透光性的导电)图案部、
71、72 电介质透镜、
73 矢量网络分析仪、
74 选择性电磁波屏蔽膜样品、
λ1 入射电磁波、
λ2 透过电磁波。

Claims (14)

1.一种透光性导电图案部件，其具备：
使用含有氮原子的化合物而构成的基底层、
使用银或以银为主要成分的合金而在所述基底层上的至少一部分上设置的具有透光性的导电图案部。
2.如权利要求1所述的透光性导电图案部件，其中，所述导电图案部的膜厚为4nm以上且9nm以下。
3.如权利要求1或2所述的透光性导电图案部件，其特征在于，所述含有氮原子的化合物具有以氮原子作为杂原子的杂环。
4.如权利要求1～3的任一项所述的透光性导电图案部件，其特征在于，所述含有氮原子的化合物含有具有吡啶环的基团。
5.如权利要求1～4的任一项所述的透光性导电图案部件，其特征在于，所述含有氮原子的化合物为由下述通式(1)表示的化合物；
[化学式1]
通式(1)
(Ar1)n1-Y1
在通式(1)的式中，n1表示1以上的整数，Y1在n1为1的情况下表示取代基、在n1为2以上的情况下表示单纯的连接键或n1价的连接基团；Ar1表示由下述通式(A)表示的基团，在n1为2以上的情况下，多个Ar1可以相同也可以不同；其中，所述由通式(1)表示的化合物在分子内具有至少2个由3环以上的环进行稠合而成的稠合芳香族杂环，
[化学式2]
通式(A)
在通式(A)的式中，X表示-N(R)-、-O-、-S-或-Si(R)(R’)-，E1～E8表示-C(R1)＝或-N＝，R、R’及R1表示氢原子、取代基或与Y1的连接部位；*表示与Y1的连接部位，Y2表示单纯的连接键或2价的连接基团；Y3及Y4分别表示由5元或6元的芳香族环衍生的基团，至少一者表示由含有氮原子作为环构成原子的芳香族杂环衍生的基团；n2表示1～4的整数。
6.如权利要求5所述的透光性导电图案部件，其中，所述由通式(1)表示的化合物为由下述通式(2)表示的化合物；
[化学式3]
通式(2)
在上述通式(2)的式中，Y5表示亚芳基、亚杂芳基或由这些的组合构成的2价的连接基团；E51～E66分别表示-C(R3)＝或-N＝，R3表示氢原子或取代基；Y6～Y9分别表示由芳香族烃环衍生的基团或由芳香族杂环衍生的基团，Y6或Y7的至少一者及Y8或Y9的至少一者表示由含有N原子的芳香族杂环衍生的基团；n3及n4表示0～4的整数，但n3+n4为2以上的整数。
7.如权利要求6所述的透光性导电图案部件，其中，所述由通式(2)表示的化合物为由下述通式(3)表示的化合物；
[化学式4]
通式(3)
在上述通式(3)的式中，Y5表示亚芳基、亚杂芳基或由这些的组合构成的2价的连接基团；E51～E66、E71～E88分别表示-C(R3)＝或-N＝，R3表示氢原子或取代基；其中，E71～E79的至少1个及E80～E88的至少1个表示-N＝；n3及n4表示0～4的整数，但n3+n4为2以上的整数。
8.如权利要求1～7的任一项所述的透光性导电图案部件，其特征在于，其形成于透明树脂膜上。
9.一种透光性导电图案部件的制造方法，其特征在于，其为具备使用含有氮原子的化合物而构成的基底层、和使用银或以银为主要成分的合金而在所述基底层上的至少一部分上设置的具有透光性的导电图案部的透光性导电图案部件的制造方法，其中，
在所述基底层上通过蒸镀法而形成银或以银为主要成分的合金层。
10.一种透光性导电图案部件的制造方法，其特征在于，其为具备使用含有氮原子的化合物而构成的基底层、和使用银或以银为主要成分的合金而在所述基底层上的至少一部分上设置的具有透光性的导电图案部的透光性导电图案部件的制造方法，
在所述基底层上形成了的银或以银为主要成分的合金层是经由形成了图案的掩模而通过蒸镀法来形成为导电图案部的。
11.一种透光性导电图案部件的制造方法，其特征在于,其为具备使用含有氮原子的化合物而构成的基底层、和使用银或以银为主要成分的合金而在所述基底层上的至少一部分上设置的具有透光性的导电图案部的透光性导电图案部件的制造方法，
在所述基底层上形成银或以银为主要成分的合金层后，
在所述导电图案部以外的区域将脱银液进行图案印刷，
接着，进行水洗，由此形成导电图案部。
12.一种透光性电磁屏蔽部件，其特征在于，使用有权利要求1～8的任一项所述的透光性导电图案部件。
13.一种透光性频率选择性电磁屏蔽部件，其特征在于，使用有权利要求1～8的任一项所述的透光性导电图案部件。
14.一种透光性天线部件，其特征在于，使用有权利要求1～8的任一项所述的透光性导电图案部件。
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