CN104391239B - 集成高压开关管的集成电路及测试开关卡电路 - Google Patents
集成高压开关管的集成电路及测试开关卡电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104391239B CN104391239B CN201410632392.3A CN201410632392A CN104391239B CN 104391239 B CN104391239 B CN 104391239B CN 201410632392 A CN201410632392 A CN 201410632392A CN 104391239 B CN104391239 B CN 104391239B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- type
- injectron
- high voltage
- integrated
- switching tube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
一种集成高压开关管的集成电路，包括数量相等且相互配合的P型高压开关管和N型高压开关管，所述N型高压开关管的高电位端与P型高压开关管的低电位端连接；所述N型高压开关管的控制端与P型高压开关管的控制端分别用于外接不同的程控开关，所述P型高压开关管的高电位端用于外接程控电源，所述N型高压开关管的低电位端用于外接导通测量电路和绝缘测量电路。还公开一种测试开关卡电路。本发明有利于设备体积小型化设计且成本低。
Description
技术领域
本发明涉及电子测试技术应用领域，特别是涉及一种集成高压开关管的集成电路及测试开关卡电路。
背景技术
随着科技的发展和电子工业的进步，PCB线路密集程度越来越高，导致1块PCB上的被测试点更多，对应测试设备上的测试点数量需求更大。
目前，PCB测试设备的测试开关卡模块一般使用分立的晶体管元件通过程控进行开启和闭合，程控电源把测试用的电流和电压通过连接开关管的测试点加载到被测试的PCB上，再由相应的导通测量电路、绝缘测量电路、对比软件设定的阀值，判断被测试PCB的好坏，线路有无开路、断路。
然而，分立的晶体管元件数量增加对应测试开关卡模块的面积增加、设备运转电机功率变大，不符合现代PCB高度集成、设备体积小型化、节约成本的趋势。
发明内容
基于此，有必要提供一种有利于设备体积小型化设计且成本低的集成高压开关管的集成电路。
此外，还提供一种测试开关卡电路。
一种集成高压开关管的集成电路，包括数量相等且相互配合的P型高压开关管和N型高压开关管，所述N型高压开关管的高电位端与P型高压开关管的低电位端连接；所述N型高压开关管的控制端与P型高压开关管的控制端分别用于外接不同的程控开关，所述P型高压开关管的高电位端用于外接程控电源，所述N型高压开关管的低电位端用于外接导通测量电路和绝缘测量电路。
在其中一个实施例中，还包括ESD防护器件，所述ESD防护器件数量与所述P型高压开关管和N型高压开关管的总数量相等，所述ESD防护器件的一端与P型高压开关管或N型高压开关管的控制端连接，所述ESD防护器件的另一端对应地外接程控电源或外接导通测量电路和绝缘测量电路。
在其中一个实施例中，所述ESD防护器件为双向TVS保护二极管。
在其中一个实施例中，所述N型高压开关管和P型高压开关管分别为NPN型高压晶体管和PNP型高压晶体管；
所述NPN型高压晶体管的基极为所述N型高压开关管的控制端，所述NPN型高压晶体管的集电极为所述N型高压开关管的高电位端，所述NPN型高压晶体管的发射极为所述N型高压开关管的低电位端；
所述PNP型高压晶体管的基极为所述P型高压开关管的控制端，所述PNP型高压晶体管的集电极为所述N型高压开关管的低电位端，所述PNP型高压晶体管的发射极为所述N型高压开关管的高电位端。
在其中一个实施例中，所述N型高压开关管和P型高压开关管分别为N型高压MOS管和P型高压MOS管；
所述N型高压MOS管的栅极为所述N型高压开关管的控制端，所述N型高压MOS管的漏极为所述N型高压开关管的高电位端，所述N型高压MOS管的源极为所述N型高压开关管的低电位端；
所述P型高压MOS管的栅极为所述P型高压开关管的控制端，所述P型高压MOS管的漏极为所述P型高压开关管的低电位端，所述P型高压MOS管的源极为所述P型高压开关管的高电位端。
在其中一个实施例中，所述P型高压开关管、N型高压开关管及ESD防护器件的数量分别为1、1、2。
在其中一个实施例中，所述P型高压开关管和N型高压开关管集成在同一芯片上。
在其中一个实施例中，所述集成高压开关管的集成电路采用的封装类型为DFN、LCC、LGA、TCSP或QFN。
一种测试开关卡电路，包括程控开关、程控电源、导通测量电路和绝缘测量电路，还包括上述集成高压开关管的集成电路，所述程控开关用于连接所述N型高压开关管的控制端或P型高压开关管的控制端，所述程控电源与所述P型高压开关管的高电位端连接，所述导通测量电路和绝缘测量电路所述N型高压开关管的低电位端连接。
上述集成高压开关管的集成电路及测试开关卡电路，通过将P型高压开关管和N型高压开关管集成为1个集成电路，在线路板上占据面积明显减少，同一数量测试点的线路板采用集成电路方式布线面积减少30％～40％，有利于测试开关卡的小型化设计，降低设备结构设计和电机设计成本。
附图说明
图1为一实施例的集成高压开关管的集成电路原理图；
图2为一实施例中集成高压开关管的集成电路封装示意图；
图3为一实施例的测试开关卡电路原理图。
具体实施方式
一种集成高压开关管的集成电路，包括数量相等且相互配合的P型高压开关管和N型高压开关管，所述N型高压开关管的高电位端与P型高压开关管的低电位端连接；所述N型高压开关管的控制端与P型高压开关管的控制端分别用于外接不同的程控开关，所述P型高压开关管的高电位端用于外接程控电源，所述N型高压开关管的低电位端用于外接导通测量电路和绝缘测量电路。
请参照图1，为一实施例的集成高压开关管的集成电路原理图。
该集成高压开关管的集成电路包括一个P型高压开关管Q1、一个N型高压开关管Q2及两个ESD防护器件(第一ESD防护器件D1和第二ESD防护器件D2)。
可以理解，在其他实施例中，所述P型高压开关管、N型高压开关管及ESD防护器件的数量还可以分别为N、N、2N(N表示大于1的任意自然数)。这时，还是以本实施例中一个P型高压开关管Q1、一个N型高压开关管Q2及两个ESD防护器件的连接方式为基础单元进行连接，形成的N个相同的基础单元再以并联的方式进行连接。
N型高压开关管Q2的高电位端与P型高压开关管Q1的低电位端连接，N型高压开关管Q2的控制端与P型高压开关管Q1的控制端分别用于外接不同的程控开关，P型高压开关管Q1的高电位端用于外接程控电源，N型高压开关管Q2的低电位端用于外接导通测量电路和绝缘测量电路。
在本实施例中，P型高压开关管Q1和N型高压开关管Q2分别为PNP型高压晶体管和NPN型高压晶体管。
其中，所述NPN型高压晶体管的基极为N型高压开关管Q2的控制端，所述NPN型高压晶体管的集电极为N型高压开关管Q2的高电位端，所述NPN型高压晶体管的发射极为N型高压开关管Q2的低电位端。
所述PNP型高压晶体管的基极为P型高压开关管Q1的控制端，所述PNP型高压晶体管的集电极为N型高压开关管Q1的低电位端，所述PNP型高压晶体管的发射极为N型高压开关管Q1的高电位端。
可以理解，在其他实施例中，P型高压开关管Q1和N型高压开关管Q2还可以分别为N型高压MOS管和P型高压MOS管。
其中，所述N型高压MOS管的栅极为N型高压开关管Q2的控制端，所述N型高压MOS管的漏极为N型高压开关管Q2的高电位端，所述N型高压MOS管的源极为N型高压开关管Q2的低电位端。
所述P型高压MOS管的栅极为P型高压开关管Q1的控制端，所述P型高压MOS管的漏极为P型高压开关管Q1的低电位端，所述P型高压MOS管的源极为P型高压开关管Q1的高电位端。
ESD(Electro-Static discharge，静电释放)是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此，国际上习惯将用于静电防护的器件统称为ESD。
第一ESD防护器件D1的一端与P型高压开关管Q1的控制端连接，第一ESD防护器件D1的另一端外接程控电源。对应地，第二ESD防护器件D2的一端与N型高压开关管Q2的控制端连接，第二ESD防护器件D2的另一端外接导通测量电路和绝缘测量电路。
在本实施例中，第一ESD防护器件D1和第二ESD防护器件D2均为双向TVS保护二极管，其抵御静电电压范围±8千伏～±30千伏。这样使得该集成高压开关管的集成电路工作时前级程控芯片坏率下降，工作更稳定。
进一步地，P型高压开关管Q1和N型高压开关管Q2集成在同一芯片上，这样使得两者物理和电气特性更一致，P型高压开关管Q1和N型高压开关管Q2的内部阻抗特性一致，测量欧姆级别的线路阻抗精度提高。
在本实施例中，该集成高压开关管的集成电路采用的封装类型为DFN，尺寸为4毫米*3毫米～10毫米*8毫米，引脚数10～12个，具体示意图如图2所示。
可以理解，在其他实施例中，该集成高压开关管的集成电路采用的封装类型还可以为其他形式，如LCC、LGA、TCSP或QFN封装类型。
一种测试开关卡电路，包括程控开关、程控电源、导通测量电路和绝缘测量电路，还包括上述集成高压开关管的集成电路，所述程控开关用于连接所述N型高压开关管的控制端或P型高压开关管的控制端，所述程控电源与所述P型高压开关管的高电位端连接，所述导通测量电路和绝缘测量电路所述N型高压开关管的低电位端连接。
具体请参照图3，为一实施例的测试开关卡电路。
该测试开关卡电路包括程控电源110、导通测量电路120和绝缘测量电路130、四个程控开关(142、144、146、148)，还包括两个集成高压开关管的集成电路(U1、U2)。
程控开关142与集成高压开关管的集成电路U1中P型高压开关管的控制端连接。程控开关144与集成高压开关管的集成电路U1中N型高压开关管的控制端连接。程控开关146与集成高压开关管的集成电路U2中P型高压开关管的控制端连接。程控开关148与集成高压开关管的集成电路U2中N型高压开关管的控制端连接。
程控电源110与集成高压开关管的集成电路U1、U2中P型高压开关管的高电位端连接，用于提供测试用的电流和电压。
导通测量电路120和绝缘测量电路130与集成高压开关管的集成电路U1、U2中N型高压开关管的低电位端连接。
被测试PCB线路板150的一端连接在高压开关管的集成电路U1中N型高压开关管与P型高压开关管之间，被测试PCB线路板150的另一端连接在高压开关管的集成电路U2中N型高压开关管与P型高压开关管之间。
上述集成高压开关管的集成电路及测试开关卡电路，通过将P型高压开关管和N型高压开关管集成为1个集成电路，在线路板上占据面积明显减少，同一数量测试点的线路板采用集成电路方式布线面积减少30％～40％，有利于测试开关卡的小型化设计，降低设备结构设计和电机设计成本。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种集成高压开关管的集成电路，其特征在于，包括数量相等且相互配合的P型高压开关管和N型高压开关管，所述N型高压开关管的高电位端与P型高压开关管的低电位端连接；所述N型高压开关管的控制端与P型高压开关管的控制端分别用于外接不同的程控开关，所述P型高压开关管的高电位端用于外接程控电源，所述N型高压开关管的低电位端用于外接导通测量电路和绝缘测量电路；
还包括ESD防护器件，所述ESD防护器件数量与所述P型高压开关管和N型高压开关管的总数量相等，所述ESD防护器件的一端与P型高压开关管或N型高压开关管的控制端连接，所述ESD防护器件的另一端对应地外接程控电源或外接导通测量电路和绝缘测量电路；
所述P型高压开关管、N型高压开关管及ESD防护器件的数量分别为1、1、2，所述P型高压开关管和N型高压开关管集成在同一芯片上。
2.根据权利要求1所述的集成高压开关管的集成电路，其特征在于，所述ESD防护器件为双向TVS保护二极管。
3.根据权利要求2所述的集成高压开关管的集成电路，其特征在于，所述N型高压开关管和P型高压开关管分别为NPN型高压晶体管和PNP型高压晶体管；
所述NPN型高压晶体管的基极为所述N型高压开关管的控制端，所述NPN型高压晶体管的集电极为所述N型高压开关管的高电位端，所述NPN型高压晶体管的发射极为所述N型高压开关管的低电位端；
所述PNP型高压晶体管的基极为所述P型高压开关管的控制端，所述PNP型高压晶体管的集电极为所述P型高压开关管的低电位端，所述PNP型高压晶体管的发射极为所述P型高压开关管的高电位端。
4.根据权利要求2所述的集成高压开关管的集成电路，其特征在于，所述N型高压开关管和P型高压开关管分别为N型高压MOS管和P型高压MOS管；
所述N型高压MOS管的栅极为所述N型高压开关管的控制端，所述N型高压MOS管的漏极为所述N型高压开关管的高电位端，所述N型高压MOS管的源极为所述N型高压开关管的低电位端；
所述P型高压MOS管的栅极为所述P型高压开关管的控制端，所述P型高压MOS管的漏极为所述P型高压开关管的低电位端，所述P型高压MOS管的源极为所述P型高压开关管的高电位端。
5.根据权利要求1所述的集成高压开关管的集成电路，其特征在于，所述集成高压开关管的集成电路采用的封装类型为DFN、LCC、LGA、TCSP或QFN。
6.一种测试开关卡电路，包括程控开关、程控电源、导通测量电路和绝缘测量电路，其特征在于，还包括权利要求1～5任一项所述的集成高压开关管的集成电路，所述程控开关用于连接所述N型高压开关管的控制端或P型高压开关管的控制端，所述程控电源与所述P型高压开关管的高电位端连接，所述导通测量电路和绝缘测量电路与所述N型高压开关管的低电位端连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410632392.3A CN104391239B (zh) | 2014-11-11 | 2014-11-11 | 集成高压开关管的集成电路及测试开关卡电路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410632392.3A CN104391239B (zh) | 2014-11-11 | 2014-11-11 | 集成高压开关管的集成电路及测试开关卡电路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104391239A CN104391239A (zh) | 2015-03-04 |
| CN104391239B true CN104391239B (zh) | 2017-09-19 |
Family
ID=52609164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410632392.3A Active CN104391239B (zh) | 2014-11-11 | 2014-11-11 | 集成高压开关管的集成电路及测试开关卡电路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104391239B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101697002A (zh) * | 2009-10-16 | 2010-04-21 | 陈俊堂 | 一种低阻值印刷线路板测试装置 |
| CN201514421U (zh) * | 2009-09-17 | 2010-06-23 | 陈俊堂 | 一种印刷线路板低阻值测试开关卡 |
| CN102291005A (zh) * | 2010-06-18 | 2011-12-21 | 上海威曼电气科技发展有限公司 | 一种交流斩波器 |
| CN103323724A (zh) * | 2012-03-19 | 2013-09-25 | 华邦电子股份有限公司 | 熔丝侦测电路 |
-
2014
- 2014-11-11 CN CN201410632392.3A patent/CN104391239B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN201514421U (zh) * | 2009-09-17 | 2010-06-23 | 陈俊堂 | 一种印刷线路板低阻值测试开关卡 |
| CN101697002A (zh) * | 2009-10-16 | 2010-04-21 | 陈俊堂 | 一种低阻值印刷线路板测试装置 |
| CN102291005A (zh) * | 2010-06-18 | 2011-12-21 | 上海威曼电气科技发展有限公司 | 一种交流斩波器 |
| CN103323724A (zh) * | 2012-03-19 | 2013-09-25 | 华邦电子股份有限公司 | 熔丝侦测电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104391239A (zh) | 2015-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5972473B2 (ja) | スタック型マルチチップ集積回路の静電気保護 | |
| WO2008123076A1 (ja) | 接続用ボード、プローブカード及びそれを備えた電子部品試験装置 | |
| CN106019126A (zh) | 一种半导体测试装置及其测试方法 | |
| CN107910858B (zh) | 低压静电保护电路、芯片电路及其静电保护方法 | |
| MY147709A (en) | Device for testing electronic components, in particular ics, having a sealing board arranged inside a pressure test chamber | |
| CN103839926B (zh) | 三维集成电路封装 | |
| CN102569290A (zh) | 多电源集成电路的静电放电保护电路 | |
| CN208092121U (zh) | 一种基于复位芯片的电压监控电路 | |
| CN104391239B (zh) | 集成高压开关管的集成电路及测试开关卡电路 | |
| CN204721706U (zh) | 具有防静电功能的柔性电路板 | |
| CN105301516A (zh) | 一种便于bga芯片电源测试治具和方法 | |
| CN102739164A (zh) | 噪声过滤电路以及集成电路 | |
| CN205809276U (zh) | 一种互感器二次端子短接装置 | |
| CN103472346A (zh) | 测试装置 | |
| CN210780091U (zh) | 一种esd保护电路 | |
| CN104750922B (zh) | Soi四端口网络及其系统 | |
| CN209182442U (zh) | 一种功率器件漏电流及可靠性测试仪 | |
| CN102692526A (zh) | 辅助测试装置 | |
| CN102543995B (zh) | 负电源集成电路的静电放电保护电路 | |
| CN104375544B (zh) | 毫米波放大器时序直流电源 | |
| CN102759697A (zh) | Mos晶体管封装级测试方法以及mos晶体管制造方法 | |
| CN203084059U (zh) | 一种基于半导体分立器件测试系统的高压测试装置 | |
| CN207964127U (zh) | 温度传感器电路 | |
| CN216696508U (zh) | 一种适用于三相三角形供电的cs101和cs106试验装置 | |
| CN109541424B (zh) | 一种测试pdfn封装mos管电应力装置及开关电源 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20200612 Address after: 518051 area a on the first floor, area a on the second, third and fifth floors of the third factory building of antuoshan high tech Industrial Park, Xinsha Road, Shajing street, Bao'an District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: SHENZHEN MASON ELECTRONICS Co.,Ltd. Address before: 518055, the Han Dynasty laser building, No. 9 West West Road, Nanshan District hi tech park, Guangdong, Shenzhen Co-patentee before: SHENZHEN MASON ELECTRONICS Co.,Ltd. Patentee before: HAN'S LASER TECHNOLOGY INDUSTRY GROUP Co.,Ltd. |