CN209182442U - 一种功率器件漏电流及可靠性测试仪 - Google Patents
一种功率器件漏电流及可靠性测试仪 Download PDFInfo
- Publication number
- CN209182442U CN209182442U CN201821101783.2U CN201821101783U CN209182442U CN 209182442 U CN209182442 U CN 209182442U CN 201821101783 U CN201821101783 U CN 201821101783U CN 209182442 U CN209182442 U CN 209182442U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- socket
- triode
- leakage current
- power device
- electrically connected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 208000032750 Device leakage Diseases 0.000 title claims abstract description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000013480 data collection Methods 0.000 claims description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种功率器件漏电流及可靠性测试仪，其包括插头、插座和测试仪主体；所述插头封装有MOS电容，并通过插接方式与所述插座电连接；所述测试仪主体内部设置有测试电路，并与所述插座电连接。本实用新型基于威尔逊镜像电流原理进行设计制作，极大的降低了造价成本；同时，能够至少可同时测量30个以上的MOS电容，提高了测试效率，节省了大量的金钱与时间成本。
Description
技术领域
本实用新型属于半导体功率器件设计技术领域，尤其涉及一种功率器件漏电流及可靠性测试仪。
背景技术
在半导体功率器件(例如场效应管MOSFET)设计与制作过程中，金属氧化物半导体电容(MOS Capacitor)是其中一个最重要的组成部分。MOS电容的漏电流及可靠性参数是决定场效应管设计成败的基础。所以，MOS电容的漏电流大小及其可靠性需要得到正确与有效的测量与检测。
目前各无尘实验室主要使用高端昂贵的半导体器件检测仪(例如Agilent B1500Asemiconductor device analyzer)，单位售价超过50万人民币且每一次只能测量一个电容。
实用新型内容
本实用新型的目的是：为了解决现有技术中存在的以上问题，本实用新型提出了一种功率器件漏电流及可靠性测试仪。
本实用新型的技术方案是：一种功率器件漏电流及可靠性测试仪，包括插头、插座和测试仪主体；所述插头封装有MOS电容，并通过插接方式与所述插座电连接；所述测试仪主体内部设置有测试电路，并与所述插座电连接。
进一步地，所述MOS电容采用半导体裸晶。
进一步地，所述插头包括PCB板，所述PCB板中心设置有电容区域，侧边设置有多个引脚；所述电容区域周围设置有多个触点；所述MOS电容封装在电容区域内，并通过引线键合连接到触点上；所述触点与所述引脚电连接。
进一步地，所述插座包括电路板，所述电路板侧边设置有多个接头；所述电路板与插头的引脚插接的孔位通过PCB布线与接头电连接。
进一步地，所述测试仪主体的测试电路的第一三极管和第二三极管的发射极均接外部电源，所述第一三极管的基极、第二三极管的基极和集电极均与第三三极管的发射极连接，所述第一三极管的集电极分别与第二电阻和第三三极管的基极连接，所述第二电阻通过MOS电容接地，所述第三三极管的集电极分别与第三电阻和增益运算放大器的同相端连接，所述第三电阻接地；所述增益运算放大器的反相端通过第一电阻与其输出端连接，并通过第四电阻接地；所述增益运算放大器的输出端与数据采集端口连接。
本实用新型具有以下有益效果：(1)基于威尔逊镜像电流原理进行设计制作，极大的降低了造价成本；
(2)至少可同时测量30个以上的MOS电容，提高了测试效率，节省了大量的金钱与时间成本；
(3)可连续运行时间完全满足可靠性测试要求，并实现全自动化处理，无需人员守候；
(4)结构简单，方便使用，可以根据用户要求进行定制。
附图说明
图1为本实用新型的功率器件漏电流及可靠性测试仪的结构示意图；
图2为本实用新型实施例中测试电路的结构示意图。
附图标记为：1、插头，11、电容区域，12、触点，13、引脚，2、插座，21、孔位，22、接头，3、测试仪主体。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
如图1所示，为本实用新型的功率器件漏电流及可靠性测试仪的结构示意图。一种功率器件漏电流及可靠性测试仪，包括插头1、插座2和测试仪主体3；所述插头1封装有MOS电容，并通过插接方式与所述插座2电连接；所述测试仪主体3内部设置有测试电路，并与所述插座2电连接。
在本实用新型的一个可选实施例中，上述插头1包括PCB板，在PCB板的中心设置有电容区域11，PCB板的外侧边缘设置有多个引脚13；同时，在电容区域11周围设置有多个触点12分别与MOS电容和引脚13一一对应；MOS电容采用半导体裸晶，固定在电容区域11内，再分别通过引线键合连接到触点12上，从而封装在电容区域11内；触点12通过引线与引脚13连接，从而实现MOS电容到触点12到引脚13的电连接。
在本实用新型的一个可选实施例中，上述插座2包括电路板，在电路板上设置有网格孔位21，同时在电路板的外侧边缘设置有多个接头22；插头1采用插接的方式，将引脚13穿过插座2的孔位21，电路板与插头1的引脚13插接的孔位21通过PCB布线将引脚13与接头22电连接；接头22通过导线与测试仪主体3内部设置的测试电路连接，从而将MOS电容接入测试电路。
为了适应用户的测试数量和应用条件等需求，本实用新型可以根据需求增加或减少MOS电容的数量，或者更改插头1和插座2的使用材料，从而适应不同的使用环境。
在本实用新型的一个可选实施例中，如图2所示，为本实用新型实施例中测试电路的结构示意图。上述测试仪主体3的测试电路包括威尔逊电流镜电路和增益运算放大器电路；威尔森电流镜电路的第一三极管Q1和第二三极管Q2的发射极均接外部电源VCC，所述第一三极管Q1的基极、第二三极管Q2的基极和集电极均与第三三极管Q3的发射极连接，所述第一三极管Q1的集电极分别与第二电阻R2和第三三极管Q3的基极连接，所述第二电阻R2通过接入的MOS电容接地，所述第三三极管Q3的集电极分别与第三电阻R3和增益运算放大器的同相端连接，所述第三电阻R3接地；所述增益运算放大器的反相端通过第一电阻R1与其输出端连接，并通过第四电阻R4接地；所述增益运算放大器的输出端与数据采集端口DAQ连接。
本领域的普通技术人员将会意识到，这里所述的实施例是为了帮助读者理解本实用新型的原理，应被理解为本实用新型的保护范围并不局限于这样的特别陈述和实施例。本领域的普通技术人员可以根据本实用新型公开的这些技术启示做出各种不脱离本实用新型实质的其它各种具体变形和组合，这些变形和组合仍然在本实用新型的保护范围内。
Claims (3)
1.一种功率器件漏电流及可靠性测试仪，其特征在于，包括插头(1)、插座(2)和测试仪主体(3)；所述插头(1)封装有MOS电容，并通过插接方式与所述插座(2)电连接；所述测试仪主体(3)内部设置有测试电路，并与所述插座(2)电连接；所述插头(1)包括PCB板，所述PCB板中心设置有电容区域(11)，侧边设置有多个引脚(13)；所述电容区域(11)周围设置有多个触点(12)；所述MOS电容封装在电容区域(11)内，并通过引线键合连接到触点(12)上；所述触点(12)与所述引脚(13)电连接；所述插座(2)包括电路板，所述电路板侧边设置有多个接头(22)；所述电路板与插头(1)的引脚(13)插接的孔位(21)通过PCB布线与接头(22)电连接。
2.如权利要求1所述的功率器件漏电流及可靠性测试仪，其特征在于，所述MOS电容采用半导体裸晶。
3.如权利要求1所述的功率器件漏电流及可靠性测试仪，其特征在于，所述测试仪主体(3)的测试电路的第一三极管和第二三极管的发射极均接外部电源，所述第一三极管的基极、第二三极管的基极和集电极均与第三三极管的发射极连接，所述第一三极管的集电极分别与第二电阻和第三三极管的基极连接，所述第二电阻通过MOS电容接地，所述第三三极管的集电极分别与第三电阻和增益运算放大器的同相端连接，所述第三电阻接地；所述增益运算放大器的反相端通过第一电阻与其输出端连接，并通过第四电阻接地；所述增益运算放大器的输出端与数据采集端口连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821101783.2U CN209182442U (zh) | 2018-07-12 | 2018-07-12 | 一种功率器件漏电流及可靠性测试仪 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201821101783.2U CN209182442U (zh) | 2018-07-12 | 2018-07-12 | 一种功率器件漏电流及可靠性测试仪 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN209182442U true CN209182442U (zh) | 2019-07-30 |
Family
ID=67357574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201821101783.2U Active CN209182442U (zh) | 2018-07-12 | 2018-07-12 | 一种功率器件漏电流及可靠性测试仪 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN209182442U (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110398661A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-01 | 合肥中恒微半导体有限公司 | 一种多通道高精度SiC功率模块门极漏电测试系统 |
-
2018
- 2018-07-12 CN CN201821101783.2U patent/CN209182442U/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110398661A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-01 | 合肥中恒微半导体有限公司 | 一种多通道高精度SiC功率模块门极漏电测试系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110045208A (zh) | 一种用于快速检测电连接器的通用装置及方法 | |
| CN101231322B (zh) | 集成电路开路/短路的测试连接方法 | |
| CN101206603A (zh) | 基于pci的ad信号接口卡 | |
| CN209182442U (zh) | 一种功率器件漏电流及可靠性测试仪 | |
| CN111816242B (zh) | 一种测试治具转接板及记忆体测试装置 | |
| CN102809722A (zh) | 唤醒信号测试系统及其测试卡 | |
| CN114019216B (zh) | 一种弹性压接igbt器件芯片电流在线测量系统 | |
| CN200976023Y (zh) | Cmos电池电压检测电路 | |
| CN211878070U (zh) | 测试模组 | |
| CN108226840A (zh) | 一种微弱电荷校准系统 | |
| CN101566667A (zh) | 一种mos器件的测试方法 | |
| JP2004333459A (ja) | コンタクトプローブ、これを用いた半導体及び電気検査装置 | |
| TWM255509U (en) | Testing board component of semiconductor device | |
| CN207611103U (zh) | 一种有源信息组件测试装置及测试夹具 | |
| CN201060242Y (zh) | 多芯同轴电缆组件通断路检测器 | |
| CN210572606U (zh) | 一种内存条vref电路的短路测试仪 | |
| CN211627669U (zh) | 一种适用于ate测试的皮安级小电流测试电路 | |
| CN109461730A (zh) | 静电防护电路及静电防护装置 | |
| CN103472346A (zh) | 测试装置 | |
| CN108717389A (zh) | 板卡、机箱、板卡通信系统及板卡在位检测方法 | |
| CN102692526A (zh) | 辅助测试装置 | |
| CN100582798C (zh) | 包含各向异性导电膜的用于测试功率模块的测试装置 | |
| CN103901249A (zh) | 接口信号测试装置 | |
| CN107741561A (zh) | 一种测量电路板波纹和噪声信号的装置及其测量方法 | |
| TW201321762A (zh) | 測試治具 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |