CN104347648A - 固体摄像装置的制造方法以及固体摄像装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 130
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 244000287680 Garcinia dulcis Species 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000003705 background correction Methods 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
- H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
Abstract
本发明的一个实施方式的目的在于，提供一种能够降低暗电流的固体摄像装置的制造方法以及固体摄像装置。根据本发明的一个实施方式，提供一种固体摄像装置的制造方法。在固体摄像装置的制造方法中，通过在第一导电型的半导体层上矩阵状地二维排列第二导电型的半导体区域，来形成多个光电转换元件。通过以划分半导体层的方式形成俯视格子状的槽，来将光电转换元件整形为俯视矩形形状。将被整形为俯视矩形形状的光电转换元件整形为角的数量比矩形多的俯视凸多边形形状。在由绝缘膜覆盖了槽的内周面之后，在被绝缘膜覆盖的槽中设置遮光部件来形成元件分离区域。
Description
技术领域
本发明的实施方式涉及一种固体摄像装置的制造方法以及固体摄像装置。
背景技术
以前，数字摄像机或带摄像机功能的便携式终端等电子设备具备具有固体摄像装置的摄像机组件。固体摄像装置具备对应于摄像图像的各像素矩阵状地二维排列的多个光电转换元件。各光电转换元件将入射光光电转换成与受光量相应的量的电荷，并作为表示各像素亮度的信号电荷进行累积。
另外，在各光电转换元件之间设置有将光电转换元件彼此之间电气性地进行元件分离的元件分离区域。例如，通过在形成有多个光电转换元件的半导体层上形成以俯视矩形形状包围各光电转换元件的格子状的槽（沟），并在槽的内部填充绝缘材料，来形成元件分离区域。
元件分离用的槽一般利用RIE（Reactive Ion Etching：反应离子刻蚀技术）来形成。但是，在利用RIE形成的槽的表面有时会产生悬空键，因悬空键而产生的电子，与入射的光的有无无关地产生，因此，就会在摄像图像中出现白色缺陷，成为画质变差的原因。
发明内容
本发明所要解决的问题在于提供一种能降低暗电流的固体摄像装置的制造方法以及固体摄像装置。
一个实施方式的固体摄像装置的制造方法的特征在于，包括以下步骤：通过在第一导电型的半导体层上矩阵状地二维排列第二导电型的半导体区域，来形成多个光电转换元件，通过以划分所述半导体层的方式形成俯视格子状的槽，来将所述光电转换元件整形为俯视矩形形状，将已被整形为俯视矩形形状的所述光电转换元件整形为角的数量比矩形多的俯视凸多边 形形状，在由绝缘膜覆盖了所述槽的内周面之后，在被该绝缘膜覆盖的槽中设置遮光部件而形成元件分离区域。
另外的实施方式的固体摄像装置的特征在于，具备：第一导电型的半导体层；多个光电转换元件，由在所述半导体层上矩阵状地二维排列的第二导电型的半导体区域形成，形成为角的数量比矩形多的俯视凸多边形形状；以及元件分离区域，所述元件分离区域被设置成划分所述半导体层，并具有与所述光电转换元件之间的界面被绝缘膜覆盖的遮光部件。
发明效果
根据上述结构的固体摄像装置的制造方法以及固体摄像装置，能降低暗电流。
附图说明
图1是示出具备实施方式涉及的固体摄像装置的数字摄像机的概略结构的框图。
图2是示出实施方式涉及的固体摄像装置的概略结构的框图。
图3是示出实施方式涉及的在像素阵列中排列的光电转换元件的俯视形状的说明图。
图4是模式地示出沿图3所示的A－A'线剖开的截面的说明图。
图5是示出实施方式涉及的固体摄像装置的制造工序的截面模式图。
图6是示出实施方式涉及的固体摄像装置的制造工序的截面模式图。
图7是示出实施方式涉及的固体摄像装置的制造工序的截面模式图。
图8是在表面照射型图像传感器中采用了实施方式涉及的光电转换元件和元件分离区域结构的情况下的说明图。
具体实施方式
以下，参照附图，详细地说明实施方式涉及的固体摄像装置的制造方法以及固体摄像装置。再有，本发明并不限定于该实施方式。
图1是示出具备实施方式涉及的固体摄像装置14的数字摄像机1的概略结构的框图。如图1所示，数字摄像机1具备摄像机组件11和后段处理部12。
摄像机组件11具备摄像光学系统13和固体摄像装置14。摄像光学系 统13取入来自被摄体的光，并使被摄体像成像。固体摄像装置14对由摄像光学系统13成像的被摄体像进行摄像，并向后段处理部12输出摄像所得的图像信号。除了数字摄像机1以外，这样的摄像机组件11还适用于例如带摄像机的便携式终端等电子设备。
后段处理部12具备ISP（Image Signal Processor：图像信号处理器）15、存储部16和显示部17。ISP15进行从固体摄像装置14输入的图像信号的信号处理。这样的ISP15进行例如噪声去除处理、缺陷像素修正处理、分辨率转换处理等高画质化处理。
然后，ISP15将信号处理后的图像信号输出到存储部16、显示部17和摄像机组件11内的固体摄像装置14所具备的后述的信号处理电路21（参照图2）。从ISP15向摄像机组件11反馈的图像信号被用于固体摄像装置14的调整或控制。
存储部16将从ISP15输入的图像信号作为图像进行存储。另外，存储部16按照用户的操作等，向显示部17输出已存储的图像的图像信号。显示部17按照从ISP15或者存储部16输入的图像信号来显示图像。这样的显示部17例如是液晶显示器。
下面，参照图2，对摄像机组件11具备的固体摄像装置14进行说明。图2是示出实施方式涉及的固体摄像装置14的概略结构的框图。如图2所示，固体摄像装置14具备图像传感器20和信号处理电路21。
在此，对图像传感器20是在将入射光进行光电转换的光电转换元件的与入射光入射的面相反的一面上形成布线层的所谓的背面照射型CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体）图像传感器的情况进行说明。
再有，本实施方式涉及的图像传感器20并不限定于背面照射型CMOS图像传感器，也可以是表面照射型CMOS图像传感器或CCD（charge coupled device：电荷耦合器件）图像传感器等这种任意的图像传感器。
图像传感器20具备周边电路22和像素阵列23。另外，周边电路22具备垂直移位寄存器24、定时控制部25、CDS（相关双重采样部）26、ADC（模拟数字转换部）27和线存储器28。
像素阵列23设置在图像传感器20的摄像区域中。在这样的像素阵列23中，向水平方向（行方向）和垂直方向（列方向）二维阵列状（矩阵状） 地配置有与摄像图像的各像素相对应的多个光电转换元件。并且，像素阵列23使与各像素相对应的各光电转换元件产生与入射光量相应的信号电荷（例如，电子）并进行累积。
定时控制部25是对垂直移位寄存器24输出成为动作定时的基准的脉冲信号的处理部。垂直移位寄存器24是向像素阵列23输出选择信号的处理部，所述选择信号用于以行为单位从阵列（矩阵）状二维排列的多个光电转换元件之中依次选择读取信号电荷的光电转换元件。
像素阵列23将根据从垂直移位寄存器24输入的选择信号并以行为单位选择的各光电转换元件中所累积的信号电荷，作为表示各像素的亮度的像素信号，从光电转换元件向CDS26输出。
CDS26是利用相关双重采样，从由像素阵列23输入的像素信号中去除噪声并向ADC27进行输出的处理部。ADC27是将从CDS26输入的模拟的像素信号转换为数字的像素信号并向线存储器28进行输出的处理部。线存储器28是暂时保持从ADC27输入的像素信号，并按照像素阵列23中的光电转换元件的每一行，向信号处理电路21进行输出的处理部。
信号处理电路21是对从线存储器28输入的像素信号进行规定的信号处理并向后段处理部12进行输出的处理部。信号处理电路21对像素信号进行例如透镜遮光修正、缺陷修正、降低噪声处理等信号处理。
像这样地，在图像传感器20中，通过由配置在像素阵列23中的多个光电转换元件将入射光光电转换成与受光量相应的信号电荷进行累积，并由周边电路22读取各光电转换元件中累积的信号电荷作为像素信号，来进行摄像。
在本实施方式中，通过对配置在这样的图像传感器20的像素阵列23中的多个光电转换元件的形状进行优化，就能降低暗电流。下面，参照图3，对像素阵列23中排列的光电转换元件的俯视形状进行说明。
图3是示出实施方式涉及的在像素阵列23中排列的光电转换元件的俯视形状的说明图。再有，图3中示出了光电转换元件的俯视形状，因此，对关于与光电转换元件相比靠向光入射一侧设置的结构要素，省略图示。
如图3所示，像素阵列23矩阵状地二维排列多个光电转换元件40。各光电转换元件40具备角的数量比矩形多的俯视凸多边形（在此是八边形）形状的受光面。
另外，在各光电转换元件40之间设置元件分离区域43。元件分离区域43由设置在与光电转换元件40之间的界面上的绝缘膜41和被绝缘膜41覆盖的遮光部件42构成。
这样地，在本实施方式中，通过将各光电转换元件40的形状整形为俯视凸多边形形状，就降低了暗电流。具体而言，在形成光电转换元件40时，首先形成图3中虚线所示的俯视矩形形状的光电转换元件。再有，这样的俯视矩形形状的光电转换元件的形状是在一般的固体摄像装置中所采用的形状。
在形成俯视矩形形状的光电转换元件时，例如，向第一导电型（在此设为P型）半导体层中的光电转换元件的形成位置离子注入第二导电型（在此设为N型）杂质而形成N型半导体区域，并形成由P型半导体层与N型半导体区域之间的PN结所构成的多个光电二极管。这样就形成了矩阵状地二维排列的多个光电二极管。
接着，例如利用RIE（Reactive Ion Etching：反应离子刻蚀），以例如矩形形状地包围各光电二极管的方式，在半导体层上形成格子状的槽，并利用绝缘部件填埋槽。这样就形成图3中虚线所示的俯视矩形形状的光电转换元件。
在这样形成的俯视矩形形状的光电转换元件的侧面，因为进行了RIE而产生表面粗糙，从而产生悬空键。因这样的悬空键而产生的电子，与入射的光的有无无关地产生，因此，就会在摄像图像中出现白色缺陷，成为画质变差的原因。并且，因悬空键而产生的电子数与光电转换元件的面积成比例地增大。
因此，在本实施方式中，通过降低光电转换元件侧面的面积，从而降低了因悬空键而产生的电子数，从而成为了能降低暗电流的光电转换元件40。
具体而言，在形成了图3中虚线所示的俯视矩形形状的光电转换元件之后，通过将这样的俯视矩形形状的光电转换元件的4个角倒角，而形成俯视八边形的光电转换元件40。再有，参照图6，对这样的光电转换元件40的具体形成工序进行叙述。
在此，在将光电转换元件40的俯视下的各部位的长度如图3所示地设为L1、L2、L3的情况下，图3中虚线所示的光电转换元件的俯视下的外 周长度等于（L1＋2×L2）×4。
另一方面，光电转换元件40的俯视下的外周长度成为（L1＋L3）×4。由于因此，光电转换元件40的俯视下的外周长度就比图3中虚线所示的光电转换元件的俯视下的外周长度短
并且，光电转换元件40在半导体层的深度与图3中虚线所示的光电转换元件在半导体层的深度相等。从而，光电转换元件40侧面的面积比图3中虚线所示的俯视矩形形状的光电转换元件的侧面面积小。
这样地，由于光电转换元件40能够比图3中虚线所示的光电转换元件降低了侧面的面积，因此，降低因悬空键而产生的电子数，由此，能够降低暗电流。
而且，光电转换元件40在俯视下的构成外周的各边中的一对相对的边的距离，与图3中虚线所示的光电转换元件的构成外周的一对相对的边的距离相等。从而，光电转换元件40相对于图3中虚线所示的光电转换元件，由于受光面积并没有大幅降低，因此，能够确保与图3中虚线所示的光电转换元件同等的受光灵敏度。
下面，参照图4，对实施方式涉及的像素阵列23的截面构造进行说明。图4是模式地示出沿图3所示的A－A'线剖开的截面的说明图。再有，图4中也示出了与光电转换元件40相比靠向光入射一侧上设置的结构要素。
如图4所示，像素阵列23从光入射一侧开始依次具备微型透镜31、滤色器32、波导33、第一导电型（P型）半导体（在此设为Si：硅）层34、绝缘层35、粘接层36和支撑基板37。
微型透镜31是聚集入射的光的平凸透镜。滤色器32是使红、绿、蓝或者白的某种颜色的光选择性地透过的滤光器。波导33是将透过了滤色器32的光引导到P型的Si层34一侧的区域，例如由氮化硅来形成。在波导33的周围设置例如由氧化硅形成的保护膜38。
P型的Si层34是例如使掺杂有硼等P型杂质的Si外延生长而形成的区域。再有，P型的Si层34也可以是向Si晶片离子注入P型杂质而形成的区域。
在P型的Si层34的内部的光电转换元件40的形成位置上设置有第二导电型（N型）Si区域39。在像素阵列23中，由P型的Si层34与N型的Si区域39之间的PN结形成的光电二极管成为光电转换元件40。
再有，在绝缘层35的内部设置从光电转换元件40读取信号电荷的读取栅极44和多层布线45等。关于粘接层36和支撑基板37以后进行叙述。
另外，在各光电转换元件40之间设置元件分离区域43。元件分离区域43被设置成按照每个光电转换元件40划分P型的Si层34，并具有与光电转换元件40之间的界面被绝缘膜41覆盖的遮光部件42。
更具体而言，元件分离区域43被设置成在俯视时以角的数量比矩形多的凸多边形形状包围光电转换元件40（参照图3）。通过在各光电转换元件40之间的P型的Si层34上形成俯视格子状的槽，并在实施了使用碱性药液的各向异性湿法刻蚀处理之后，用绝缘膜41覆盖槽的内周然后填入遮光部件42，来形成这样的元件分离区域43。
下面，参照图5～图7，对包括这样的元件分离区域43的形成方法在内的固体摄像装置14的制造方法进行说明。再有，固体摄像装置14中的除像素阵列23以外的部分的制造方法与一般的CMOS图像传感器同样。因此，以下对固体摄像装置14中的像素阵列23部分的制造方法进行说明。
图5～图7是示出实施方式涉及的固体摄像装置14的制造工序的截面模式图。再有，在图5～图7中选择性地示出了像素阵列23中的图4所示部分的制造工序。
如图5（a）所示，在制造像素阵列23时，在Si晶片等半导体基板4上形成P型的Si层34。这时，例如通过在半导体基板4上使掺杂有硼等P型杂质的Si层进行外延生长而形成P型的Si层34。再有，这样的P型的Si层34也可以通过向Si晶片的内部离子注入P型杂质并进行退火处理来形成。
接着，通过向P型的Si层34中的光电转换元件40的形成位置上离子注入例如磷等N型杂质并进行退火处理，在P型的Si层34上矩阵状地二维排列N型的Si区域39。这样，就在像素阵列23中由P型的Si层34与N型的Si区域39之间的PN结形成作为光电二极管的光电转换元件40。
之后，如图5（b）所示地，在P型的Si层34上，与读取栅极44或多层布线45等一起形成绝缘层35。在这样的工序中，反复进行下述工序：在P型的Si层34的上表面形成读取栅极44等之后形成氧化硅层的工序；在氧化硅层上形成规定的布线图案的工序；以及在布线图案内埋入Cu等形成多层布线45的工序。这样就形成了在内部设置有读取栅极44或多层布 线45等的绝缘层35。
接着，如图5（c）所示地，在绝缘层35的上表面涂覆粘接剂而设置粘接层36，在粘接层36的上表面贴上例如Si晶片等支撑基板37。之后，使如图5（d）所示的构造体上下翻转后，利用例如研磨机等研磨装置，从背面侧（在此是上表面侧）对半导体基板4进行研磨，将半导体基板4磨薄到规定的厚度。
再利用例如CMP（Chemical Mechanical Polishing：化学机械抛光），对半导体基板4的背面侧进一步进行研磨，如图5（d）所示地使P型的Si层34的成为受光面的背面（在此是上表面）露出。
之后，如图6（a）所示地，在P型的Si层34中的元件分离区域43（参照图4）的形成位置、即各N型的Si区域39之间的位置上，利用例如RIE形成元件分离用的槽5。
这时，通过形成俯视格子状的槽5（参照图3），使得按照每个光电转换元件40划分P型的Si层34，就如图6（b）所示地将各光电转换元件40整形为俯视矩形形状。这样，各光电转换元件40中的密勒指数为[100]的面40a和与密勒指数为[100]的面等效的面40b、40c、40d露出。再有，在此形成的槽5的底面是密勒指数为[111]的面。
之后，对光电转换元件40进行使用碱性药液的各向异性湿法刻蚀。在使用碱性药液的各向异性湿法刻蚀中，与Si中的密勒指数为[100]的面40a上的刻蚀速率相比，密勒指数为[110]的面上的刻蚀速率非常高。
因此，当对光电转换元件40进行上述各向异性湿法刻蚀时，就如图6（c）所示地，各光电转换元件40中的密勒指数为[110]的面40e和与密勒指数[110]等效的面40f、40g、40h露出。即，在形成了槽5的阶段，俯视矩形形状的各光电转换元件40被整形为角的数量比矩形多的俯视凸多边形（在此是八边形）形状。
这样一来，在本实施方式中，不大幅地缩小各光电转换元件40中的有效受光面的面积，就能够降低各光电转换元件40的侧面（周面）的面积。这样地，由于能够在像素阵列23中降低在各光电转换元件40中存在产生悬空键的危险的侧面（周面）的面积，因此，能够降低因悬空键而引起并与入射光的有无无关地产生的电子数。从而，根据像素阵列23，能够降低暗电流。
另外，在使用碱性药液的各向异性湿法刻蚀中，与Si中的密勒指数为[110]的面40e上的刻蚀速率相比，密勒指数为[111]的面上的刻蚀速率非常低。因此，能够利用各向异性湿法刻蚀来抑制槽5的深度被形成得深到必要以上的程度。
另外，在本实施方式中，由于在由利用RIE的干法刻蚀形成了槽5之后进行湿法刻蚀，因此，能够修复由RIE产生的槽5的表面粗糙。这样，由于能够在像素阵列23中降低悬空键，因此能够降低暗电流。
接着，如图7（a）所示地，在槽5的内周面上使用例如CVD（Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积）或溅射等形成氧化硅等绝缘膜41，并使用例如CVD，向被绝缘膜41覆盖了内周面的槽5的内部埋入铝等遮光部件42。这样就形成元件分离区域43。
这样地，在本实施方式中，由于在由绝缘膜41覆盖了槽5的内周面之后，在槽5的内部埋入遮光部件42而形成元件分离区域43，因此，能够将各光电转换元件40之间电气性和光学性地元件分离。
从而，根据像素阵列23，能够防止从相邻设置的光电转换元件40一侧向光电转换元件40侵入光或电子，因此，能够抑制在摄像图像中产生混色。
另外，被元件分离区域43包围的光电转换元件40中的P型的Si层34的光折射率是4左右，构成元件分离区域43的周面的由氧化硅构成的绝缘膜41的光折射率是1.5左右。
并且，如上所述地，元件分离区域43以俯视八边形形状包围光电转换元件40。因此，向光电转换元件40入射的光在元件分离区域43的周面上进行全反射。从而，根据实施方式的元件分离区域43，能够提高受光灵敏度。
接着，如图7（b）所示地，在P型的Si层34的上表面，通过使用例如CVD层叠氧化硅而形成保护膜38，如图7（c）所示地选择性地去除光电转换元件40上的保护膜38。
然后，如图7（c）所示地，通过向被选择性地去除了保护膜38而形成的开口的内部，使用例如CVD层叠氮化硅，而形成波导33。之后，通过在波导33的上面依次形成滤色器32和微型透镜31，而形成图4所示的像素阵列23。
再有，到此为止，对实施方式涉及的图像传感器20是背面照射型图像传感器的情况进行了说明，但上述的光电转换元件40和元件分离区域43的结构也可以在表面照射型图像传感器中采用。
图8是在表面照射型图像传感器中采用了实施方式涉及的光电转换元件40和元件分离区域43的结构的情况下的说明图。图8中示出了表面照射型图像传感器中的像素阵列23a的模式截面的一部分。再有，针对图8所示的结构要素中的、与图4所示的结构要素具有同样功能的结构要素，通过标注与图4所示的附图标记相同的附图标记来省略其说明。
如图8所示，像素阵列23a除了在半导体基板4上设置P型的Si层34这点、以及在P型的Si层34的受光面（上表面）一侧配置设置有读取栅极44或多层布线45的绝缘层35这点以外，是与图4所示的像素阵列23同样的结构。
这样地在表面照射型图像传感器中采用实施方式涉及的光电转换元件40和元件分离区域43的结构的情况下，光电转换元件40和元件分离区域43的形成方法以及结构，也与图4所示的像素阵列23同样。
从而，利用图8的像素阵列23a，也可以不大幅地缩小各光电转换元件40中的有效受光面的面积，而能够降低各光电转换元件40的侧面（周面）的面积，因此，能够降低暗电流。
如上所述，在实施方式涉及的固体摄像装置的制造方法中，在通过将元件分离用槽形成为俯视格子状，来使光电转换元件成为俯视矩形形状之后，对光电转换元件进行使用了碱性药液的各向异性湿法刻蚀。
这样，由于光电转换元件被整形为角的数量比矩形多的俯视凸多边形形状，因此，能够降低光电转换元件的侧面（周面）的面积。这样地，由于能够降低在各光电转换元件40中存在产生悬空键的危险的侧面（周面）的面积，因此，能够降低因悬空键而引起并与入射光的有无无关地产生的电子数。从而，能够降低暗电流。
另外，根据实施方式涉及的角的数量比矩形多的俯视凸多边形形状的光电转换元件，能够确保与构成外周的一对相对的边的距离相同的俯视矩形形状的光电转换元件大致同等的受光灵敏度。
再有，在上述实施方式中举出了使光电转换元件成为俯视八边形形状的情况为例进行了说明，但也可以整形为角的数量比矩形多的任意俯视凸 多边形形状，也可以是俯视圆形形状。在这样的情况下，例如，通过使用设置在各光电转换元件上的掩模进行刻蚀，来形成成为期望的俯视形状的开口。
这样，光电转换元件的俯视凸多边形形状的角的数量越多，还有越是接近于俯视圆形的形状，就越能够比图3所示的光电转换元件缩窄侧面的面积，因此，就能够更进一步降低暗电流。
已经说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式是作为例子而提出的，并不是想限定发明范围。这些新的实施方式可以以其他各种各样的方式实施，可以在不脱离发明主旨的范围内进行各种各样的省略、置换和变更。这些实施方式或其变形包含在发明范围或主旨内，并且也包含在权利要求范围中记载的发明及其均等的范围内。
附图标记的说明
1 数字摄像机、11 摄像机组件、12 后段处理部、13摄像光学系统、14 固体摄像装置、15 ISP、16 存储部、17 显示部、20 图像传感器、21 信号处理电路、22 周边电路、23 像素阵列、24 垂直移位寄存器、25 定时控制部、26 CDS、27 ADC、28 线存储器、31 微型透镜、32 滤色器、33 波导、34 P型的Si层、35 绝缘层、36 粘接层、37 支撑基板、38 保护膜、39 N型的Si区域、40 光电转换元件、41 绝缘膜、42 遮光部件、43 元件分离区域、44 读取栅极、45 多层布线、4 半导体基板、5 槽、40a 密勒指数为[100]的面、40e 密勒指数为[110]的面。
Claims (9)
1.一种固体摄像装置的制造方法，包括以下步骤：
在第一导电型的半导体层上矩阵状地二维排列第二导电型的半导体区域，来形成多个光电转换元件，
通过以划分所述半导体层的方式形成俯视格子状的槽，来将所述光电转换元件整形为俯视矩形形状，
将被整形为俯视矩形形状的所述光电转换元件整形为角的数量比矩形多的俯视凸多边形形状，
在被绝缘膜覆盖了所述槽的内周面之后，在被该绝缘膜覆盖的槽中设置遮光部件，来形成元件分离区域。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置的制造方法，包括以下步骤：
利用使用了碱性药液的各向异性湿法刻蚀，将所述光电转换元件整形为所述俯视凸多边形形状。
3.根据权利要求2所述的固体摄像装置的制造方法，包括以下步骤：
通过形成所述槽，使所述光电转换元件中的密勒指数为[100]的面和与密勒指数[100]等效的面露出，
通过进行所述各向异性湿法刻蚀，使所述光电转换元件中的密勒指数为[110]的面和与密勒指数[110]等效的面露出。
4.根据权利要求1所述的固体摄像装置的制造方法，包括以下步骤：
利用各向同性干法刻蚀，将所述光电转换元件整形为所述俯视矩形形状。
5.根据权利要求1所述的固体摄像装置的制造方法，
所述俯视凸多边形形状是俯视八边形形状。
6.根据权利要求1所述的固体摄像装置的制造方法，
所述槽的底面是密勒指数为[111]的面。
7.一种固体摄像装置，具备：
第一导电型的半导体层；
多个光电转换元件，由在所述半导体层上矩阵状地二维排列的第二导电型的半导体区域形成，形成为角的数量比矩形多的俯视凸多边形形状；以及
元件分离区域，被设置成划分所述半导体层，并具有与所述光电转换元件之间的界面被绝缘膜覆盖的遮光部件。
8.根据权利要求7所述的固体摄像装置，
所述光电转换元件被形成为俯视八边形形状，对从所述光电转换元件的与设置有布线层的一侧相反的一侧的受光面入射的光进行光电转换。
9.根据权利要求7所述的固体摄像装置，
俯视凸多边形形状的所述光电转换元件具备密勒指数为[100]的侧面、与密勒指数[100]等效的侧面、密勒指数为[110]的侧面以及与密勒指数[110]等效的侧面。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013159858A JP2015032636A (ja) | 2013-07-31 | 2013-07-31 | 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置 |
| JP2013-159858 | 2013-07-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104347648A true CN104347648A (zh) | 2015-02-11 |
Family
ID=52426915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410052699.6A Pending CN104347648A (zh) | 2013-07-31 | 2014-02-17 | 固体摄像装置的制造方法以及固体摄像装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9269734B2 (zh) |
| JP (1) | JP2015032636A (zh) |
| KR (1) | KR101609439B1 (zh) |
| CN (1) | CN104347648A (zh) |
| TW (1) | TWI531052B (zh) |
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- 2013-07-31 JP JP2013159858A patent/JP2015032636A/ja not_active Abandoned
-
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- 2014-02-07 US US14/175,040 patent/US9269734B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-02-11 TW TW103104404A patent/TWI531052B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-02-13 KR KR1020140016434A patent/KR101609439B1/ko not_active IP Right Cessation
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150211 |