CN104345546A

CN104345546A - 光刻掩膜版及其制作方法

Info

Publication number: CN104345546A
Application number: CN201310315233.6A
Authority: CN
Inventors: 蔡博修
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date: 2013-07-24
Filing date: 2013-07-24
Publication date: 2015-02-11
Also published as: US9348215B2; US20150037714A1

Abstract

一种光刻掩膜版及其制作方法，其中光刻掩膜版，包括：所述基板，所述基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，基板的第一表面为曝光光线的入射面；所述基板内具有若干散射辅助图形；基板的第二表面上具有分立的若干掩膜图形。本发明的光刻掩模板减小了经过掩膜图形后不同方向的光强分布的不对称性，增大了光刻工艺窗口。

Description

光刻掩膜版及其制作方法

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种光刻掩膜版及其制作方法。

背景技术

光刻是集成电路制作的主要工艺，光刻工艺的任务是实现掩膜版上的图形向硅片上的光刻胶层的转移。投影光通过掩膜图形后传播到硅片上，掩膜图形对光波来说，相当于传播路径上的障碍，从而在硅片上得到与掩膜图形相关的光刻图形。根据光波的衍射和干涉原理，光波通过掩膜版时会发生衍射，掩膜版不同位置之间的光波还会发生干涉，因此，实际投射到硅片上的光强分布是这些衍射光波的叠加结果，在硅片上形成的光刻图形与掩模图形并不是完全相同的。

根据光波的衍射原理，当障碍的尺寸远大于光波的波长时，有衍射产生的图形的偏差可以忽略不计，也就是说，当掩模图形的尺寸（集成电路的特征尺寸）远大于光波波长时，硅片上的光刻图形与掩膜图形基本相同。但在超深亚微米工艺下，集成电路的特征尺寸在0.13微米甚至0.09微米一下，已经接近甚至小于光波波长的情况下，光的衍射效果将非常明显，硅片上的光刻图形与掩膜图形之间的偏差不可以忽略，随着集成电路特征尺寸的不断减小，这种光刻图形的变形和偏差变得越来越严重，成为影响芯片的性能和成品率的重要因素。

特别是在图形相互邻近的部位，由于光波和衍射的作用明显，图形的偏差相对较大，例如，在线段的顶端和图形的拐角处的偏差就比较明显，又例如：当要形成行列规则排布的图形（比如：通孔）时，曝光光线经过掩膜版上的行列排布的掩膜图形后的光强分布在横向和对角线方向的光强分布是不均匀的，使得在光刻胶中形成的图形（比如：通孔）是变形的，在集成电路的制作中，某些图形部位往往对电路的电学性能和电路功能起关键作用的地方，从而影响了整个芯片的性能，甚至导致电路的失效。这种由于光波的衍射、干涉而使光刻图形与掩膜图形产生偏差的现象称为光学邻近效应（OPE：optical proximity effect）。在光刻工艺中，光学邻近效应是不可避免的，因此必须采取相应的措施尽可能的减小掩膜图形到硅片上形成的光刻图形的变形和偏差，以保证芯片的性能和成品率。

目前工业界普遍采用的方法是在传统的物理设计与掩膜版制作间加入成品率驱动的掩膜版矫正，在这一步骤中，通过改变掩膜版上的图形的形状和/或密度分布或者图形透光的相位来弥补光刻工艺中的光刻图形的变形，使得硅片上光刻得到的图形与预期的图形基本符合。这种掩膜版的图形的补偿机制称为光刻增强技术（RET：reticle enhancement technology）。常用的两种方法是光学邻近效应矫正方法（optical proximity correction，OPC）和相位移向掩膜（phase shift mask），其中OPC是一种有效的光刻增强技术。

采用辅助图形的矫正方法作为现有的比较成熟的光学邻近效应矫正方法得到了广泛的应用。采用辅助图形的矫正方法是在掩膜版上先布局主图形（或掩模图形），然后在主图形周围加入辅助图形，辅助图形的尺寸一般小于曝光光线的波长，采用此方法的设计，在曝光时，主图形在光刻胶中解析出来，而辅助图形在曝光时不会再光刻胶中解析出来，通过加入辅助图形可以使得稀疏的布局图形与高密的布局图形具有相同的布局环境，并且使得曝光光线透过掩膜图形后的在不同方向的光强分布比较对称，不但可以增加光刻工艺窗口，也可以提高图形的对比度。

在行列分布的掩膜版图形中，通常也会加入辅助图形以提高对比度，具体请参考图1，在掩膜版上形成行列分布的主图形101，在四个主图形101的对角线的交点位置加入辅助图形102。通过加入辅助图形102，曝光光线经过掩膜图形后，减小了横向的光强Ix与对角线的光强Ic的不对称性，使得光刻胶中形成的图形与预期的图形差异减小（而在不加辅助图形时，当曝光光线照射主图形101时，由于主图形101之间的横向距离和对角线距离不相等或相差较大，曝光光线在横向和对角线方向的衍射和干涉的作用强度不相同，使得透过主图形后的光线在横向和对角线上的光强分布不对称或差异较大，会使得光刻胶中形成的图形与预期的图形差异较大）。

但是，随着图形临界尺寸的逐渐缩小，掩膜图形与掩膜图形之间的空间也越来越小，这给辅助图形的布局和光刻的工艺窗口带来新的挑战。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种能增大光刻工艺窗口的光刻掩膜版。

为解决上述问题，本发明提供了一种光刻掩膜版，包括：基板，所述基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，基板的第一表面为曝光光线的入射面；所述基板内具有若干散射辅助图形；基板的第二表面上具有分立的若干掩膜图形。

可选的，散射辅助图形区域的折射系数小于基板的折射系数。

可选的，所述散射辅助图形为基板中的真空球体或改质区。

可选的，所述散射辅助图形的直径为50～100纳米。

可选的，所述改质区的晶体结构与基板的晶体结构不相同，所述基板为单晶结构，所述改质区为多晶结构、无定形结构、或者包括多晶和无定形两种结构。

可选的，所述散射辅助图形的为实体的结构，实体结构的材料与基板的材料不相同。

可选的，所述实体结构材料的折射系数小于基板材料的折射系数。

可选的，所述实体结构材料为MgF₂、TiO₂、ZnSe、ZnS或石墨。

可选的，所述散射辅助图形与基板的第二表面的距离大于等于100纳米。

可选的，多个相邻的掩膜图形的对应的多个相邻的顶角之间的连线构成一个多边形，散射辅助图形位于多边形的中心的正上方的基板内。

可选的，所述掩膜图形为移相掩膜图形、不透明的MoSi掩膜图形、二相掩膜图形。

可选的，所述基板的材料为石英。

本发明还提供了一种光刻掩膜版的制作方法，包括：提供基板，所述基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，基板的第一表面为曝光光线的入射面；在所述基板中形成散射辅助图形；在所述基板的第二表面上形成掩膜图形。

可选的，散射辅助图形的形成过程为：将激光聚焦在基板的内部，在基板内部的聚焦点处形成散射辅助图形。

可选的，所述散射辅助图形为真空球体或改质区。

可选的，所述激光的脉冲宽度为1ns～200ns，脉冲频率为80～200KHz，激光在聚焦点处的能量大于1E18W/cm²。

可选的，散射辅助图形的形成过程为：所述基板包括第一基板和第二基板；刻蚀所述第一基板，形成第一孔洞；在真空的环境中，将第二基板与第一基板键合在一起，第二基板封闭第一孔洞的开口，封闭的第一孔洞构成散射辅助图形。

可选的，散射辅助图形的形成过程为：所述基板包括第一基板和第二基板；刻蚀所述第一基板，形成第一孔洞；在第一孔洞内填充散射材料；将第二基板与第一基板键合在一起，第二基板覆盖散射材料表面，在基板中形成散射辅助图形。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明的光刻掩膜版，散射辅助图形位于基板中，而掩膜图形位于基板的第二表面上，散射辅助图形和掩膜图形是在一个空间上分布，即散射辅助图形和掩膜图形不是位于同一水平面，因此散射辅助图形不会占据掩膜图形之间的空间，使得掩膜图形之间的间距可以更小，可以提高器件的集成度，同时还增大了光刻的工艺窗口。另外散射辅助图形具有调节经过掩膜图形后的光线的光强作用，使得曝光光线在经过掩膜图形后的在不同方向上的光强分布比较对称或在不同方向上的光强差异性减小，因而在光刻胶中形成的图形与预定图形的差异性变小。

进一步，所述散射辅助图形区域的折射系数小于基板的折射系数，当曝光光线在经过散射辅助图形时，散射辅助图形对经过该区域的曝光光线的折射作用较大，散射辅助图形对入射光线光强的削弱作用加强，使得经过散射辅助图形后的曝光光线的光强减小。

进一步，所述散射辅助图形直径为50～100纳米，一方面散射辅助图形对整体光强的影响不至于太大，另一方面是散射辅助图形的尺寸小于密集区域的掩膜图形之间的间距，再一方面是使得散射辅助图形在焦平面不存在成像的可能性。

本发明的光刻掩模板的制作方法能形成具有散射辅助中心的光刻掩模板。

附图说明

图1为现有的光刻掩模板的主图形和辅助图形的布局结构图。

图2～图3为本发明实施例光刻掩膜版的结构示意图；

图4～图8为本发明实施例光刻掩膜版的制作过程的结构示意图。

具体实施方式

现有的掩膜版上的掩膜图形（或主图形）和辅助图形均是位于同一水平面上，辅助图形是位于主图形之间，当图形之间的特征尺寸不断减小时，主图形与主图形之间的间距也不断减小，主图形之间没有更多的空间加入辅助图形，这样给主图形与辅助图形的布局以及掩膜图形在光刻胶中的正常解析带来挑战，限制了光刻的工艺窗口。

为此，本发明提供了一种光刻掩膜版，散射辅助图形位于基板中，掩膜图形位于基板的表面，散射辅助图形和掩膜图形是在一个空间上分布，即散射辅助图形和掩膜图形不是位于同一水平面，使得散射辅助图形不会占据掩膜图形之间的空间，使得掩膜图形之间的间距可以更小，可以提高器件的集成度，同时还增大了光刻的工艺窗口，另外，散射辅助图形可以使得曝光光线透过掩膜图形后的在不同方向的光强分布比较对称，使得光刻胶中形成的图形与预定图形的差异性变小。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。在详述本发明实施例时，为便于说明，示意图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明的保护范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

图2～图3为本发明实施例光刻掩膜版的结构示意图；图4～图8为本发明实施例光刻掩膜版的制作过程的结构示意图。

首先，请参考图2和图3，图3为图2沿切割线AB方向的剖面结构示意图，所述光刻掩膜版包括：基板300，所述基板300具有第一表面31和与第一表面31相对的第二表面32，基板300的第一表面31为曝光光线的入射面；

所述基板300内具有若干散射辅助图形302；

基板300的第二表面32上具有分立的若干掩膜图形301。

具体的，所述基板300为透明基板，本实施例中，所述基板300的材料为石英。基板300的第二表面32用于放置掩膜图形301，第一基板300中具有散射辅助图形302，在进行曝光时，曝光光线从基板300的第一表面31入射，掩膜图形301阻挡一部分光线的透过，另一部分光线透过基板的第二表面32，然后通过光刻机的光学投影系统，聚焦在硅片上的光刻胶层，从而将光刻掩膜版上的掩膜图形转移到硅片上的光刻胶层中。

所述散射辅助图形302用于在曝光时调节经过掩膜图形301（或者透过基板300的第二表面）后的光线的光学强度，使得不同方向上光学强度不对称性减小或者不同方向上光学强度的差异性减小，比如：图2中，减小经过掩膜图形301后的沿ox方向的光学强度和沿oc方向的光学强度的差异性（需要说明的是图2中掩膜图形301是位于xy平面内，直线oc位于xy平面内）。散射辅助图形302对经过掩膜图形301后的光线的光学强度调节作用的实现：一方面是散射辅助图形302对光线的反射作用，使得照射在散射辅助图形302上的部分光线被反射，减小了散射辅助图形302下方的入射光线的强度；另一方面，散射辅助图形302在掩膜图形301所在平面上的投影，可以调节掩膜图形之间的密度，以减小不同区域的掩膜图形的密度差异，提高图形的对比度。

所述散射辅助图形302位于基板300内部，所述散射辅助图形302区域的折射系数小于基板300的折射系数，当曝光光线在经过散射辅助图形302时，散射辅助图形302对经过该区域的曝光光线的折射作用较大，使得经过散射辅助图形302后的曝光光线的光强减小。所述散射辅助图形302为基板300中的真空球体或改质区，散射辅助图形302位于行列排布的四个掩模图形301的相邻的四个顶角构成的四边形的中心的正上方的基板300，因此所述散射辅助图形302能够调节经过掩膜图形302后的光线的光强分布，减小掩膜图形301的对角线方向（oc方向）的光强与横向方向（ox方向）的光强之间的差异，使得后续在硅片上的光刻胶层中形成的图形与预定图形的差异减小。

所述散射辅助图形302直径为50～100纳米，所述散射辅助图形302与基板300的第二表面32的距离大于等于100纳米，一方面散射辅助图形302对整体光强的影响不至于太大，另一方面是散射辅助图形302的尺寸小于密集区域的掩膜图形之间的间距，再一方面是使得散射辅助图形302在焦平面不存在成像的可能性。所述散射辅助图形302的直径是指散射辅助图形在xy平面内的最大横向的尺寸，应用具有上述尺寸的散射辅助图形的光刻掩模板的光刻机的光学系统的焦深小于100纳米。需要说明的是，在本发明的其他实施例中，还可以散射辅助的直径还可以为其他数值的直径，散射辅助图形与基板的第二表面的距离还可以为其他数值的距离，应用其的光刻机的光线系统的焦深也可以为其他数值的焦深。

散射辅助图形302为基板300中的改质区时，所述改质区的晶体结构与基板的晶体结构不相同，所述基板为单晶结构，所述改质区为多晶结构、无定形结构、或者包括多晶和无定形两种结构。改质区为基板300的单晶结构转变形成，改质区的晶体结构与基板的晶体结构不同，使得改质区的折射率与基板300的折射率不相同。

散射辅助图形302为基板300内的真空球体时，真空球体内的环境为真空，因而真空球体区域的折射率与基板300的折射率不相同，所述真空球体可以为圆球体、类圆球体、椭球体、类椭球体或不规则球体。所述真空球体还可以为圆柱体、类圆柱体、圆台、类圆台、圆锥、类圆锥、立方体、类立方体或者其他规则或不规则的立体结构。

散射辅助图形302与掩膜图形301的还可以为其他的排布方式，在一具体的实施例中，当相邻的掩膜图形的数量大于等于3个时，多个相邻的掩膜图形的对应的多个相邻的顶角之间的连线构成一个多边形，散射辅助图形位于多边形的中心的正上方的基板内。

在另一具体的实施例中，当基板的第二表面上的掩膜图形具有疏区和密区的分布时，所述散射辅助图形位于密区的掩膜图形的周边区域的正上方的基板内。

需要说明的是，散射辅助图形与掩膜图形的排布方式除了上述支出的排布方式外，还可以具有其他的散射辅助图形与掩膜图形在空间上分布的排布方式。

在本发明的其他实施例中，所述散射辅助图形的为实体的结构，实体结构的材料与基板的材料不相同。所述实体结构材料的折射系数小于基板材料的折射系数。实体结构材料可以为透明或不透明或半透明的材料。

所述实体结构材料为MgF₂、TiO₂、ZnSe、ZnS或石墨等。

在本发明的其他实施例中，所述散射辅助图形区域的折射系数可以大于基板的折射系数。

请参考图3，本实施例中，所述掩模图形301为不透明的MoSi掩膜图形，所述掩模图形301包括位于基板300的第二表面32上MoSi层33、和位于MoSi层33上的铬金属层34。

在本发明的其他实施例中，所述述掩膜图形还可以为移相掩膜图形、二相掩膜图形等。

本发明实施例提供的光刻掩膜版，散射辅助图形302具有调节经过掩膜图形301后的光线的光强作用，使得曝光光线在经过掩膜图形后的在不同方向上的光强分布比较对称或在不同方向上的光强差异性减小，因而在光刻胶中形成的图形与预定图形的差异性变小，另外，由于散射辅助图形302是位于基板300中，而掩膜图形301是位于基板300的第二表面32上，散射辅助图形302和掩膜图形301是在一个空间上分布，即散射辅助图形302和掩膜图形301不是位于同一水平面，因此散射辅助图形302不会占据掩膜图形301之间的空间，使得掩膜图形301之间的间距可以更小，可以提高器件的集成度，同时还增大了光刻的工艺窗口。

本发明实施例中还提供了上述光刻掩膜版的形成方法。

请参考图4，提供基板300，所述基板300具有第一表面31和与第一表面31相对的第二表面32，基板300的第一表面31为曝光光线的入射面；在所述基板300中形成散射辅助图形302。

所述基板300的材料为石英，在基板300中形成散射辅助图形302的方法为激光熔融，散射辅助图形302的形成过程为：将激光聚焦在基板300的内部，在基板300内部的聚焦点处形成散射辅助图形302。

所述激光的脉冲宽度为1ns～200ns，脉冲频率为80～200KHz，所述激光在聚焦点处的能量大于1E18W/cm²。

基板300中形成的散射辅助图形302为真空球体。通过激光照射聚集在基板300的内部，基板300内部发生有多光子吸收引起的光损伤现象，由于该光损伤在基板内部产生热畸变，形成真空球体。

基板300中形成的散射辅助图形302为改质区。通过激光照射聚集在基板300的内部，该区域的通过多光子吸收被局部的加热，加热的部分变成熔融状态，再次固化后形成改质区，改质区的晶体结构与基板300的晶体结构不相同，所述基板为单晶结构，所述改质区为单晶结构转换的多晶结构、单晶结构转换的无定形结构、或者单晶结构转换的多晶和无定形两种结构组合。

散射辅助图形302区域的折射系数小于基板300的折射系数。所述真空球体的直径为50～100纳米。散射辅助图形302与基板300的第二表面32的距离大于100纳米。

所述散射辅助图形302为改质区。

接着，请参考图5，在所述基板300的第二表面32上形成掩膜图形301。

所述掩模图形301为不透明的MoSi掩膜图形，所述掩模图形301包括位于基板300的第二表面32上MoSi层33、和位于MoSi层33上的铬金属层34。

本发明还提供了另外一种形成上述光刻掩膜版的方法。

请参考图6，提供第一基板201；刻蚀所述第一基板201，形成第一孔洞302。

第一基板201的材料为石英。

在刻蚀所述第一基板201之前，在第一基板201上形成具有开口的掩膜层，掩膜层中开口的位置与第一基板201中形成的第一孔洞302的位置相对应。刻蚀所述第一基板201采用湿法或干法刻蚀工艺。

所述第一孔洞302的侧壁和底部具有一定的弧度，后续将第一孔洞302作为散射辅助图形时，第一孔洞302侧壁和底部对垂直入射光的折射作用较强。

在本发明的其他实施例中，在形成第一孔洞302后，还可以在第一孔洞302内填充散射材料。散射材料的折射系数小于或大于第一基板201的折射系数，通过填充散射材料的方法，实现散射图形折射系数与基板折射系数差异化的选择。

所述实体结构材料的折射系数小于基板材料的折射系数。实体结构材料可以为透明或不透明或半透明的材料。

所述实体结构材料为MgF₂、TiO₂、ZnSe、ZnS或石墨等。

接着，请参考图7，提供第二基板202；在真空的环境中，将第二基板202与第一基板201键合在一起，第二基板202封闭第一孔洞302的开口，封闭的第一孔洞302构成散射辅助图形，第一基板201和第二基板202构成基板300。

第二基板202的材料为石英。

在真空的环境中，将第二基板202和第一基板201键合在一起，使得封闭后第一孔洞302中环境为真空，因而，封闭后的第一孔洞302的折射系数小于第一基板201和第二基板202的折射系数。

第二基板202和第一基板201键合工艺为直接键合或硅熔键合工艺。

在本发明的其他实施例中，在第二基板内形成第二孔洞，第二孔洞与第一基板内的第一孔洞的形状相同，位置相对应，在将第二基板与第一基板键合后，第二基板内的第二孔洞和第一基板内的第一孔洞构成一个孔洞作为散射辅助图形。

在本发明的其他实施例中，在第二基板内形成第二孔洞，第二孔洞与第一基板内的第一孔洞的形状相同，位置相对应，在第二孔洞内填充散射材料；然后将将第二基板与第一基板键合后，第二孔洞内的散射材料与第一孔洞内的散射材料共同构成散射辅助图形。第二孔洞内填充的散射材料与第一孔洞内填充的散射材料可以相同或不相同。

然后，请参考图8，在所述第一基板201上形成掩膜图形301.

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims

1.一种光刻掩膜版，其特征在于，包括：

基板，所述基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，基板的第一表面为曝光光线的入射面；

所述基板内具有若干散射辅助图形；

基板的第二表面上具有分立的若干掩膜图形。

2.如权利要求1所述的光刻掩膜版，其特征在于，散射辅助图形区域的折射系数小于基板的折射系数。

3.如权利要求1所述的光刻掩膜版，其特征在于，所述散射辅助图形为基板中的真空球体或改质区。

4.如权利要求3所述的光刻掩膜版，其特征在于，所述散射辅助图形的直径为50～100纳米。

5.如权利要求3所述的光刻掩膜版，其特征在于，所述改质区的晶体结构与基板的晶体结构不相同，所述基板为单晶结构，所述改质区为多晶结构、无定形结构、或者包括多晶和无定形两种结构。

6.如权利要求1所述的光刻掩膜版，其特征在于，所述散射辅助图形为实体的结构，实体结构的材料与基板的材料不相同。

7.如权利要求6所述的光刻掩膜版，其特征在于，所述实体结构材料的折射系数小于基板材料的折射系数。

8.如权利要求7所述的光刻掩膜版，其特征在于，所述实体结构材料为MgF₂、TiO₂、ZnSe、ZnS或石墨。

9.如权利要求1所述的光刻掩膜版，其特征在于，所述散射辅助图形与基板的第二表面的距离大于等于100纳米。

10.如权利要求1所述的光刻掩膜版，其特征在于，多个相邻的掩膜图形的对应的多个相邻的顶角之间的连线构成一个多边形，散射辅助图形位于多边形的中心的正上方的基板内。

11.如权利要求1所述的光刻掩膜版，其特征在于，所述掩膜图形为移相掩膜图形、不透明的MoSi掩膜图形、二相掩膜图形。

12.如权利要求1所述的光刻掩膜版，其特征在于，所述基板的材料为石英。

13.一种光刻掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，所述基板具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，基板的第一表面为曝光光线的入射面；

在所述基板中形成散射辅助图形；

在所述基板的第二表面上形成掩膜图形。

14.如权利要求13所述的光刻掩膜版的制作方法，其特征在于，散射辅助图形的形成过程为：将激光聚焦在基板的内部，在基板内部的聚焦点处形成散射辅助图形。

15.如权利要求14所述的光刻掩膜版的制作方法，其特征在于，所述散射辅助图形为真空球体或改质区。

16.如权利要求15所述的光刻掩膜版的制作方法，其特征在于，所述改质区的晶体结构与基板的晶体结构不相同，所述基板为单晶结构，所述改质区为多晶结构、无定形结构、或者包括多晶和无定形两种结构。

17.如权利要求14所述的光刻掩膜版的制作方法，其特征在于，所述激光的脉冲宽度为1ns～200ns，脉冲频率为80～200KHz，激光在聚焦点处的能量大于1E18W/cm²。

18.如权利要求13所述的光刻掩膜版的制作方法，其特征在于，散射辅助图形区域的折射系数小于基板的折射系数。

19.如权利要求13所述的光刻掩膜版的制作方法，其特征在于，散射辅助图形的形成过程为：所述基板包括第一基板和第二基板；刻蚀所述第一基板，形成第一孔洞；在真空的环境中，将第二基板与第一基板键合在一起，第二基板封闭第一孔洞的开口，封闭的第一孔洞构成散射辅助图形。

20.如权利要求13所述的光刻掩膜版的制作方法，其特征在于，散射辅助图形的形成过程为：所述基板包括第一基板和第二基板；刻蚀所述第一基板，形成第一孔洞；在第一孔洞内填充散射材料；将第二基板与第一基板键合在一起，第二基板覆盖散射材料表面，在基板中形成散射辅助图形。