CN104342622A - 溅射装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种溅射装置和使用该溅射装置形成薄膜的方法。溅射装置包括：室，包括沉积空间，在沉积空间中，设置有基板并执行与基板相关的沉积工序；柱状目标单元，定位在室中并被设置为面对基板；防护单元，围绕柱状目标单元以暴露柱状目标单元的外表面的一部分；外部磁体元件，设置在防护单元外部以平行于所述柱状目标单元。根据以上装置和方法，可有效地执行薄膜形成工序并可容易地改善沉积膜的性质。

Description

溅射装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年7月24日提交给韩国知识产权局的第10-2013-0087601号韩国专利申请的权益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明的一个或多个实施方式涉及溅射装置和通过使用该溅射装置形成薄膜的方法。更具体地，本发明涉及能够有效执行薄膜形成工序并容易地改善沉积膜性质的溅射装置和使用该溅射装置形成薄膜的方法。

背景技术

半导体设备、显示装置、以及其它电子设备包括多个薄膜。存在多种形成多个薄膜的方法。气相沉积方法为其中之一。

沉积方法包括，例如，溅射、化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）、以及其它各种方法。

另一方面，在显示装置之中，有机发光显示（OLED）装置不仅具有宽视角和出色的对比度，而且响应快速，这使其作为下一代显示装置而备受关注。

OLED装置分别包括中间层，中间层包括位于彼此面对的第一电极与第二电极之间的有机发光层，除此之外，OLED装置还包括一个或多个各种薄膜。在这种情况下，为了形成OLED装置的薄膜，可使用溅射工序。

在这种溅射工序中，等离子体放电出现在目标与基板之间。困难的是提高等离子体放电性质的一致性。

具体地，随着有机发光显示装置的变大并且高分辨率是必需的，需要包括在有机发光显示装置中的薄膜的一致性质。然而，由于难以在使用溅射工序形成薄膜时维持等离子体放电性质，形成具有期望性质的薄膜存在限制。

发明内容

本发明的一个或多个实施方式包括溅射装置以及使用该溅射装置形成薄膜的方法，该溅射装置能够有效地执行薄膜形成工序并容易地改善沉积膜的性质。

其它方面将在下面的说明书中部分地陈述并且将通过描述变得显而易见，或可通过所呈现的实施方式的实践来学习。

根据本发明的一个或多个实施方式，溅射装置，包括：室，包括沉积空间，在沉积空间中设置有基板并执行与基板相关的沉积工序；定位在室中并被设置为面对基板的柱状目标单元；围绕柱状目标单元以暴露柱状目标单元的外表面的一部分的防护单元；设置在防护单元外侧以平行于柱状目标单元的外部磁体元件。

柱状目标单元可用作阴极，防护单元可用作阳极。

基板和室可处于浮动状态。

柱状目标单元可包括彼此平行的第一目标部分和第二目标部分。

第一目标部分和第二目标部分可作为阴极，防护单元可作为阳极，基板可处于浮动状态。

第一目标部分可作为阴极，第二目标部分可作为阳极。

基板和防护单元可处于浮动状态。

防护单元可围绕第一目标部分和第二目标部分以暴露第一目标部分的外表面的一部分和第二目标部分的外表面的一部分。

柱状目标单元与防护单元之间的距离可小于柱状目标单元或防护单元的离子鞘层的厚度。

外部磁体元件可包括设置在柱状目标单元两侧的第一外部磁体元件和第二外部磁体元件。

柱状目标单元中可设置有平行于外部磁体元件的内部磁体元件。

内部磁体元件可包括第一内部磁体元件和定位在第一内部磁体元件两侧的一对第二内部磁体元件。

柱状目标单元可形成为中空柱形，在该柱状目标单元中设置有支承柱状目标单元的支持板。

根据本发明的一个或多个实施方式，溅射装置，包括：室，包括沉积空间，在沉积空间中，设置有基板并执行与基板相关的沉积工序；定位在室中并被设置为面对基板的柱状目标单元；围绕柱状目标单元以暴露柱状目标单元的外表面的一部分的防护单元；设置在防护单元外侧以平行于柱状目标单元的外部磁体元件。在这种情况下，柱状目标单元在面对基板的区域处暴露，柱状目标单元与防护单元之间的距离小于柱状目标单元或防护单元的离子鞘层的厚度。

柱状目标单元可作为阴极，防护单元可作为阳极，基板可处于浮动状态。

柱状目标单元可包括彼此平行的第一目标部分和第二目标部分。

防护单元可围绕第一目标部分和第二目标部分以暴露第一目标部分的外表面的一部分和第二目标部分的外表面的一部分。

外部磁体元件可包括第一外部磁体元件和第二外部磁体元件，第一外部磁体元件设置在第一目标部分的一侧，第二外部磁体元件设置在第二目标部分的与第一目标部的上述一侧相反的一侧。

第一目标部分和第二目标部分可作为阴极，防护单元可作为阳极，基板可处于浮动状态。

第一目标部分可作为阴极，第二目标部分可作为阳极，防护单元可处于浮动状态。

根据本发明的一个或多个实施方式，形成薄膜的方法，包括：将基板放置在室中；以及使用柱状目标单元将沉积材料沉积在基板上，柱状目标单元设置在室中以面对基板并通过防护单元在柱状目标单元的外表面的一部分处被暴露。在这种情况下，将沉积材料沉积在基板上在如下状态中进行：柱状目标单元与防护单元之间的距离被确定为小于柱状目标单元或防护单元的离子鞘层的厚度，使得柱状目标单元外围的放电被控制并且基板维持在浮动状态下。

将沉积材料沉积在基板上可包括：使用外部磁体元件控制柱状目标单元周围的磁场，外部磁体元件设置在防护单元外侧以平行于柱状目标单元。

附图说明

通过结合附图的以下实施方式的描述，本发明的这些和/或其他方面将变得显而易见且更加易于理解，在附图中：

图1是示出根据本发明实施方式的溅射装置的示意性立体图；

图2是示出沿图1的线II-II截取的部分的剖视图；

图3是示出沿图1的线III-III截取的部分的剖视图；

图4是示出图1的溅射装置的修改实施例的剖视图；

图5A和图5B是示出图4的溅射装置中取决于外部磁体元件的存在的磁力线的剖视图；

图6和图7是示出图1的溅射装置的修改实施例的剖视图；

图8是示出使用溅射装置制造的有机发光显示装置的示意性剖视图；以及

图9是图8中示出的部分“F”的放大图。

具体实施方式

下面将详细描述实施方式，附图中示出了实施方式的示例，在全文中，相同的参考标号指代相同的元件。就此而言，所描述的实施方式可具有不同形式并且不应被解释为受文中描述的限制。因此，下面仅参照附图描述实施方式以说明本发明的方面。

由于本发明可具有多种修改和若干实施方式，所以在附图中示出了示例性实施方式并将详细描述这些示例性实施方式。然而，本发明不限于示例性实施方式并且应被理解为包括本发明的精神和范围内所包括的所有修改、等同和替换。在描述实施方式时，当现有技术的详细描述可能使本实施方式的观点不清楚时，将省略其详细描述。

应理解，虽然本文中使用用语“第一”、“第二”等来描述多个部件，但这些部件不应由这些用语限制。这些用语仅用于将一个部件与另一部件区分开。

应理解，当层、膜、区域或板被认为形成在另一层、膜、区域或板“上”时，其可以直接或间接地形成在其他层、膜、区域或板上。例如，可以存在中间的层、膜、区域或板。

在下文中，将参照附图详细描述本发明的实施方式，其中相同的参考标号指代相同的元件，并且将省略重复的说明。在附图中，多个层和区域的厚度被放大以便清楚地示出它们。此外，为了便于描述，一些层和区域的厚度被放大。

图1是示出根据本发明的实施方式的溅射装置100的示意性立体图，图2是示出沿图1的线II-II截取的部分的剖视图，图3是示出沿图1的线III-III截取的部分的剖视图。

参照图1至图3，溅射装置100可包括室101、柱状目标单元130、防护单元140，其中室101包括沉积空间，在沉积空间中，基板S被设置并且与基板S相关的沉积工序被执行，柱状目标单元130设置在室101中以面对基板S，防护单元140围绕柱状目标单元130。

室101可连接至泵（未示出）以控制沉积工序的压强环境并容纳和保护基板S和柱状目标单元130。此外，室101可包括供基板S进入和离开的一个或多个门（未示出）。虽然图1中仅示出了室101的下表面，但这仅为了便于描述，室101可呈类似于盒子的形状。

基板S可设置在支承装置105的表面上。支承装置105允许基板S在执行与基板S有关的沉积工序时不移动或不摇晃。为此，支承装置105可包括夹具（未示出）。此外，为了支承装置105与基板S之间的吸附，支承装置105可包括一个或多个吸附孔（未示出）。此外，支承装置105可由具有高耐热性和高耐久性的材料形成以防止在沉积工序期间由热能导致的变形和破坏。

柱状目标单元130设置为与基板S相对。在沉积工序期间，柱状目标单元130在旋转时向基板S提供沉积材料，从而在基板S上形成沉积膜。为此，柱状目标单元130的长度可至少与基板S在一个方向上的宽度相等，或更长。

柱状目标单元130可由支持板120支承。支持板120的形状可以类似于具有中空柱形的柱状目标单元130的形状，并且可设置在柱状目标单元130中以支承柱状目标单元130。此外，在沉积工序期间支持板120可维持柱状目标单元130的温度并且功率可经由功率供应装置（未示出）施加至支持板120。例如，直流电流（DC）或无线电频率（RF）的功率可施加至支持板120，并且支持板120可作为阴极。通过这种方法，连接至支持板120的柱状目标单元130可作为阴极。然而，柱状目标单元130可在没有支持板120的情况下使用。在这种情况下，功率可施加至柱状目标单元130。

在柱状目标单元130中，可设置内部磁体元件150。内部磁体元件150可呈在柱状目标单元130的纵向方向上延伸以平行于柱状目标单元130的形状。在柱状目标单元130旋转并执行沉积工序时，内部磁体元件150不旋转。也就是说，内部磁体元件150不连接至柱状目标单元130和支持板120。

内部磁体元件150生成能够控制等离子体放电的磁场。例如，内部磁体元件150可包括第一内部磁体元件152和位于第一内部磁体元件152两侧的一对第二内部磁体元件154。在这种情况下，由于第一内部磁体元件152和一对第二内部磁体元件154被设置为具有彼此不同的磁场方向，由内部磁体元件150生成的磁场可在柱状目标单元130的一部分上会聚，从而将等离子体放电控制为会聚在柱状目标单元130的一部分上。

支持板120和柱状目标单元130可通过驱动轴122旋转。更具体地，驱动轴122连接至驱动单元124（诸如驱动带）并接收驱动力，从而使支持板120和柱状目标单元130旋转。在这种情况下，上述功率供应装置连接至驱动轴122并且功率可通过驱动轴122施加至支持板120。

驱动轴122形成为从支持板120两端纵向延伸的形状并且可容纳在壳体129中。此外，支持板120和驱动轴122可通过支持管125连接并紧固。但是示例性实施方式不限于此。在没有支持管125的情况下，支持板120和驱动轴122可形成为一体。

冷却水流入管126和冷却水排放管127可形成在壳体中并且可连接至柱状目标单元130的内部以允许冷却水进行循环。因此，在溅射工序期间由柱状目标单元130生成的热通过支持板120被吸收至冷却水中，从而允许柱状目标单元130的温度保持恒定。因此，可提高溅射工序的效率。

防护单元140围绕柱状目标单元130以暴露柱状目标单元130的外表面的一部分。避免将沉积材料沉积在柱状目标单元130的由防护单元140围绕的表面上，从而减少电弧的出现。

柱状目标单元130的面对基板S的部分被暴露，该部分成为溅射区域。防护单元140不与柱状目标单元130一起旋转而是被紧固。因此，柱状目标单元130的溅射区域不断被新区域替换，从而提高了使用柱状目标单元130的效率并增加了使用柱状目标单元130的时间。

防护单元140设置为允许柱状目标单元130与防护单元140之间的距离小于离子鞘层的厚度。离子鞘层指的是在电极周围生成的离子的空间电子层。当柱状目标单元130与防护单元140之间的距离如上所述小于离子鞘层的厚度时，防护单元140与柱状目标单元130之间不发生放电。因此，可防止由在溅射区域之外的其它位置中出现的异常放电所导致的电弧。

防护单元140由具有传导率的材料形成以作为阳极。也就是说，因为用于生成等离子体的电压被施加至柱状目标单元130和防护单元140，基板S和室101可维持在浮动状态。

当基板S和室101维持在浮动状态时，虽然由于等离子体的出现而生成的负离子和电子朝着阳极前进，但基板S位于负离子和电子的运动路径之外，从而防止由负离子和电子导致的电弧的出现和基板S的损坏。此外，由于基板S被维持在浮动状态，虽然减小了基板S与柱状目标单元130之间的距离，但可防止基板S的损坏，从而增大了沉积速度以提高沉积工序的效率。

将简要描述根据本实施方式的溅射装置100的操作和效果。

基板S沉积在溅射装置100的室101中，能够提供用于在基板S上形成沉积膜的材料的柱状目标单元130被设置为与基板S相对。

此外，通过向柱状目标单元130和防护单元140施加电压而生成等离子体。在这种情况下，等离子体中的正离子等通过柱状目标单元130与防护单元140之间的电势差加速，从而与柱状目标单元130碰撞。由于这种碰撞沉积材料与柱状目标单元130分离，然后到达基板S处并在基板S上形成沉积膜。

另一方面，由于在旋转柱状目标单元130时执行沉积工序，所以可使用柱状目标单元130的整个表面一致地执行该沉积工序。通过这样做，通过提高使用柱状目标单元130的效率，增加了柱状目标单元130的工作周期，并且有效地执行使用溅射装置100的沉积工序。

此外，通过在柱状目标单元130中包括内部磁体元件150，可增加与基板S有关的沉积的效率，并且防护单元140防止沉积材料沉积在柱状目标单元130的表面上，从而减少了电弧的出现。在这种情况下，柱状目标单元130与防护单元140之间的距离被确定为小于离子鞘层的厚度，从而控制柱状目标单元130的外围的放电。

此外，防护单元140被用作阳极以抑制由于等离子体的生成而生成的负离子和电子朝着基板S的前进。也就是说，可执行沉积工序并且基板S维持在浮动状态。通过这样做，可防止基板S的损坏和电弧的出现，并且可以提高沉积工序的效率。

图4是示出图1的溅射装置100的修改实施例的剖视图，图5A和图5B是示出图4的溅射装置200中取决于外部磁体元件290的存在的磁力线的剖视图。

图4的溅射装置包括室201、柱状目标单元230、防护单元240以及外部磁体元件290，其中室201具有沉积空间，在沉积空间中，设置有基板S被并且执行与基板S相关的沉积工序，柱状目标单元230设置在室201中以面对基板S，防护单元240围绕柱状目标单元230，外部磁体元件290设置在防护单元240的外侧以平行于柱状目标单元230。

由于室201、柱状目标单元230和防护单元240与参照图1至3描述的室101、柱状目标单元130和防护单元140相同，故将省略其详细描述。

基板S可设置在支承装置205的表面上。柱状目标单元230被设置为面对基板S并且可由位于其中的支持板220支承。柱状目标单元230可作为阴极。

防护单元240围绕柱状目标单元230以暴露柱状目标单元230的一部分并且可作为阳极。因此，基板S可维持在浮动状态，从而防止在沉积工序期间由负离子和电子所导致的电弧的出现和基板S的损坏，并提高了沉积工序的效率。

外部磁体元件290设置在柱状目标单元230外侧以面对基板S并且将与柱状目标单元230分离。

外部磁体元件290包括第一外部磁体元件291和第二外部磁体元件292。第一外部磁体元件291和第二外部磁体元件292分别设置在柱状目标单元230两侧。具体地，第一外部磁体元件291设置为面对柱状目标单元230的一侧区域，第二外部磁体元件292设置为面对柱状目标单元230的另一侧区域（与面对第一外部磁体元件291的上述一侧区域相反）。

此外，第一外部磁体元件291和第二外部磁体元件292可呈纵向延伸以平行于柱状目标单元230的纵向方向的形状。具体地，第一外部磁体元件291和第二外部磁体元件292可设置为平行于内部磁体元件250的纵向方向。

上述外部磁体元件290可抑制可能出现在柱状目标单元230的侧表面上以形成不一致的等离子体的不一致的磁场。

图5A和图5B仅示出溅射装置200的柱状目标单元230。图5A示出当不存在外部磁体元件290时磁力线的分布，图5B示出当存在外部磁体元件290时磁力线的分布。

如图5A可知，由内部磁体元件250生成的磁场在柱状目标单元230的外围P1生成不一致的磁场。该不一致的磁场导致异常的等离子体放电，这可导致柱状目标单元230的不一致的磨损、基板S的沉积膜的不一致的厚度、以及柱状目标单元230的损坏。

如上所述，这些情况可通过防护单元240克服。也就是说，防护单元240与柱状目标单元230之间的距离被确定为小于离子鞘层的厚度，从而防止防护单元240与柱状目标单元230之间的放电。

此外，当第一外部磁体元件291和第二外部磁体元件292设置在防护单元240的两侧时，如图5B所示，可抑制柱状目标单元230外围P2的不一致的磁场的出现。因此，可形成更一致的等离子体并且更容易提供改善沉积膜性质的效果。

另一方面，柱状目标单元230周围的磁场可使用外部磁体元件290控制。例如，可通过调节外部磁体元件290与柱状目标单元230之间的距离和磁力容易地控制柱状目标单元230周围的磁场密度。

图6和图7是示出图1的溅射装置100的修改实施例的剖视图。

参照图6，溅射装置300A包括室301、柱状目标单元330、以及防护单元340，其中室301具有沉积空间，在沉积空间中，基板S被设置并且与基板S相关的沉积工序被执行，柱状目标单元330设置在室301中以面对基板S，防护单元340围绕柱状目标单元330。

基板S可设置在室301中的支承装置305上，并且柱状目标单元330可设置为面对基板S并作为阴极。

另一方面，柱状目标单元330可包括彼此平行的第一目标部分332和第二目标部分334。由于第一目标部分332和第二目标部分334具有与参照图1至图3描述的柱状目标单元130相同的配置，所以将省略其重复描述。当同时使用第一目标部分332和第二目标部分334时，可改善沉积效率。

防护单元340可定位为围绕第一目标部分332和第二目标部分334，以暴露第一目标部分332的外表面的一部分和第二目标部分334的外表面的一部分。此外，第一目标部分332与防护单元340之间的距离和第二目标部分334与防护单元340之间的距离分别被确定为小于离子鞘层的厚度。因此，可控制第一目标部分332和第二目标部分334周围的不必要的放电。

此外，防护单元340可作为阳极。因此，当形成等离子体的电压被施加至第一目标部分332和第二目标部分334时，基板S和室301可维持在浮动状态。因此，在溅射工序期间，抑制了电子、负离子等朝着基板S前进，从而防止基板S的损坏和电弧的出现。

图7的溅射装置300B具有与图6的溅射装置300A相同的配置。也就是说，柱状目标单元330可包括彼此平行的第一目标部分332和第二目标部分334。

但是，在图7的溅射装置300B的情况下，第一目标部分332作为阴极，第二目标部分334作为阳极。因此，基板S、室301和防护单元340可维持在浮动状态。

此外，第一目标部分332与防护单元340之间的距离和第二目标部分334与防护单元340之间的距离可分别被确定为小于离子鞘层的厚度。因此，可控制第一目标部分332和第二目标部分334周围的不必要的放电。

此外，图7的溅射装置300B还包括设置在防护单元340外侧的外部磁体元件390。

外部磁体元件390包括第一外部磁体元件391和第二外部磁体元件392，其中第一外部磁体元件391设置在第一目标部分332的一侧，第二外部磁体元件392设置在第二目标部分334的与第一目标部332的上述一侧相反的一侧。

外部磁体元件390可抑制柱状目标单元330周围的不一致的磁场的出现。另一方面，由于柱状目标单元330周围的不一致的磁场的出现在第一目标部分332和第二目标部分334之间通过分别包括在第一目标部分332和第二目标部分334中的内部磁体元件350被抑制，所以外部磁体元件390可不设置在第一目标部分332和第二目标部分334之间。

另一方面，上述外部磁体元件390可包括在图6的溅射装置300A中。此外，不同于图6和图7，柱状目标单元330可包括三个或更多目标部分。

图8是示出使用溅射装置100、200、300A和300B之一制造的有机发光显示装置10的示意性剖视图，图9是示出图8的部分F的放大图。

参照图8和图9，有机发光显示装置10形成在基板30上。基板30可由玻璃材料、塑料材料和金属材料之一形成。

平的表面设置在基板30的顶部上，并且含有绝缘材料以防止水和外来物质穿透的缓冲层31可形成为朝向基板30。

薄膜晶体管（TFT）40、电容器50和有机发光设备（OLED）60可形成在缓冲层31上。TFT40主要包括有源层41、栅电极42、以及源电极/漏电极43。OLED60可包括第一电极61、第二电极62和中间层63。电容器50可包括第一电容电极51和第二电容电极52。

详细地，形成为预定图案的有源层41可设置在缓冲层31的顶面上。有源层41可包括无机半导体材料（如硅）、有机半导体材料和氧化物半导体材料之一，并可通过选择性地注入p型掺杂物或n型掺杂物来形成。

栅绝缘膜32可形成在有源层41的顶部上。栅电极42可形成在栅绝缘膜32的顶部上以与有源层41相对应。第一电容电极51可形成在栅绝缘层32的顶部上，并且可由与栅电极42相同的材料形成。

层间电介质33可形成为覆盖栅电极42，并且源电极/漏电极43形成在层间电介质33上以与有源层41的特定区域接触。第二电容电极52可形成在层间电介质33的顶部上，并可由与源电极/漏电极43相同的材料形成。

钝化层34可形成为覆盖源电极/漏电极43，并且额外的绝缘膜还可形成在钝化层34的顶部上以将TFT40平面化。

第一电极61形成在钝化层34上。第一电极61可形成为电连接至源电极/漏电极43的任一个。此外，像素限定膜35形成为覆盖第一电极61。特定的开口64形成在像素限定膜35上。然后，包括有机发光层的中间层63形成在由开口64限定的区域内。第二电极62形成在中间层63上。

封装层70形成在第二电极62上。封装层70可包括有机材料或无机材料，并可具有通过交替沉积有机材料和无机材料形成的结构。

例如，封装层70可由上述溅射装置100和200之一形成。也就是说，形成有第二电极62的基板30被放入室101和201之一中，随后，可使用溅射装置100和200之一形成期望的层。

详细地，封装层70包括无机层71和有机层72。无机层71包括多个层71a、71b和71c，而有机层72包括多个层72a、72b和72c。在这种情况下，可使用溅射装置100和200之一形成无机层71的多个层71a、71b和71c。

然而，本发明并不限于此。也就是说，可以使用上述溅射装置100和200之一形成有机发光显示装置10的电极，如栅电极42、源电极/漏电极43、第一电极61和第二电极62。

此外，可使用溅射装置100和200之一形成其他绝缘膜，如缓冲层31、栅绝缘层32、层间电介质33、钝化层34、像素限定膜35等。

如上所述，当使用溅射装置100和200之一时，通过改善形成在有机发光显示装置10上的沉积膜的性质，可增强有机发光显示装置10的电性能和图像质量。

如上所述，根据本发明的上述实施方式中的一个或多个，溅射装置、形成薄膜的方法和制造有机发光显示装置的方法可允许薄膜成形工序被有效地执行并可容易地改善沉积膜的性质。

此外，由于在形成薄膜时基板维持在浮动状态，所以可避免由溅射致使的基板的损坏。

应理解，本文中描述的示例性实施方式应在仅被视为描述性含义而不是用于限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应在被视为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。

虽然参照附图描述了本发明的一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员应当理解，在不脱离由所附权利要求书限定的本发明的精神和范围的情况下，可在形式和细节上对本发明进行多种改变。

Claims (20)

1.溅射装置，包括：

室，包括沉积空间，在所述沉积空间中设置有基板并且执行与所述基板相关的沉积工序；

柱状目标单元，位于所述室中并设置为面对所述基板；

防护单元，围绕所述柱状目标单元以暴露所述柱状目标单元的外表面的一部分；以及

外部磁体元件，设置在所述防护单元外侧以平行于所述柱状目标单元。

2.如权利要求1所述的溅射装置，其中所述柱状目标单元作为阴极，所述防护单元作为阳极。

3.如权利要求2所述的溅射装置，其中所述基板和所述室处于浮动状态。

4.如权利要求1所述的溅射装置，其中所述柱状目标单元包括彼此平行的第一目标部分和第二目标部分。

5.如权利要求4所述的溅射装置，其中所述第一目标部分和所述第二目标部分作为阴极，所述防护单元作为阳极，所述基板处于浮动状态。

6.如权利要求4所述的溅射装置，其中所述第一目标部作为阴极，所述第二目标部作为阳极。

7.如权利要求6所述的溅射装置，其中所述基板和所述防护单元处于浮动状态。

8.如权利要求4所述的溅射装置，其中所述防护单元围绕所述第一目标部分和所述第二目标部分，以暴露所述第一目标部分的外表面的一部分和所述第二目标部分的外表面的一部分。

9.如权利要求1所述的溅射装置，其中所述柱状目标单元与所述防护单元之间的距离小于所述柱状目标单元或所述防护单元的离子鞘层的厚度。

10.如权利要求1所述的溅射装置，其中所述外部磁体元件包括设置在所述柱状目标单元两侧的第一外部磁体元件和第二外部磁体元件。

11.如权利要求1所述的溅射装置，在其中所述柱状目标单元中设置有平行于所述外部磁体元件的内部磁体元件。

12.如权利要求11所述的溅射装置，其中所述内部磁体元件包括第一内部磁体元件和定位在所述第一内部磁体元件两侧的一对第二内部磁体元件。

13.如权利要求1所述的溅射装置，其中所述柱状目标单元形成为呈中空柱形，在所述柱状目标单元中设置有支承所述柱状目标单元的支持板。

14.溅射装置，包括：

室，包括沉积空间，在所述沉积空间中设置有基板并执行关于所述基板的沉积工序；

柱状目标单元，位于所述室中并被设置为面对所述基板；

防护单元，围绕所述柱状目标单元以暴露所述柱状目标单元的外表面的一部分；

外部磁体元件，设置在所述防护单元外侧，以平行于所述柱状目标单元，

其中所述柱状目标单元在面对所述基板的区域处被暴露，并且所述柱状目标单元与所述防护单元之间的距离小于所述柱状目标单元或所述防护单元的离子鞘层的厚度。

15.如权利要求14所述的溅射装置，其中所述柱状目标单元作为阴极，所述防护单元作为阳极，所述基板处于浮动状态。

16.如权利要求14所述的溅射装置，其中所述柱状目标单元包括彼此平行的第一目标部分和第二目标部分。

17.如权利要求16所述的溅射装置，其中所述防护单元围绕所述第一目标部分和所述第二目标部分，以暴露所述第一目标部分的外表面的一部分和所述第二目标部分的外表面的一部分。

18.如权利要求17所述的溅射装置，其中所述外部磁体元件包括第一外部磁体元件和第二外部磁体元件，其中所述第一外部磁体元件设置在所述第一目标部分一侧，所述第二外部磁体元件设置在所述第二目标部分的与所述第一目标部分的所述一侧相反的一侧。

19.如权利要求17所述的溅射装置，其中所述第一目标部分和所述第二目标部分作为阴极，所述防护单元作为阳极，所述基板处于浮动状态。

20.如权利要求17所述的溅射装置，其中所述第一目标部分作为阴极，所述第二目标部分作为阳极，所述防护单元处于浮动状态。