CN104120391B - 溅射装置、薄膜形成方法及有机发光显示装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于对基板进行沉积工序的溅射装置，提供一种溅射装置、薄膜形成方法及有机发光显示装置的制造方法，溅射装置包括：腔室，配置有基板并且包括实现基板的沉积工序的沉积空间；旋转型靶，在所述腔室内配置为与所述基板相对；内部磁铁部件，配置在所述旋转型靶内；以及外部磁铁部件，在所述腔室内与所述基板相对并且在所述旋转型靶的外部配置为与所述旋转型靶相隔开。

Description

溅射装置、薄膜形成方法及有机发光显示装置的制造方法

技术领域

本发明涉及一种溅射装置、利用该装置的薄膜形成方法及有机发光显示装置的制造方法，更为详细地涉及一种能够有效进行薄膜形成工序并且易于提高沉积膜特性的溅射装置、利用该装置的薄膜形成方法及有机发光显示装置的制造方法。

背景技术

半导体元件、显示装置以及其他电子元件等具备多个薄膜。这种多个薄膜的形成方法有多种，沉积方法是其中的一种方法。

沉积方法例如有溅射（sputtering）、化学气相沉积（CVD：chemical vapordeposition）、原子层沉积（ALD：atomic layer deposition）以及其他多种方法。

另外，在显示装置中有机发光显示装置不仅具有视角宽、对比度高的优点，还具有响应速度快的优点，因此作为下一代显示装置备受瞩目。

有机发光显示装置在彼此相对的第一电极和第二电极之间包括具备有机发光层的中间层，此外还具备一个以上的多种薄膜。此时，为了形成有机发光显示装置的薄膜，有时利用溅射工序。

进行这种溅射工序时，在靶和基板之间发生等离子放电，不易确保这种等离子放电特性的均匀度。

特别是，随着有机发光显示装置的大型化、要求高清晰度，对包括在有机发光显示装置中的薄膜要求均匀的特性。但是，在利用溅射工序形成薄膜时，因难以维持等离子的放电特性，形成具有期望特性的薄膜是有限的。

发明内容

本发明能够提供一种溅射沉积装置、利用该装置的薄膜形成方法及有机发光显示装置的制造方法，该溅射沉积装置、薄膜形成方法及有机发光显示装置的制造方法能够有效进行薄膜形成工序并且易于提高沉积膜特性。

本发明公开一种溅射装置，用于对基板进行沉积工序，包括：腔室，用于配置基板，所述腔室包括对基板进行沉积工序的沉积空间；旋转型靶，在所述腔室内配置为与所述基板相对；内部磁铁部件，配置在所述旋转型靶内；以及外部磁铁部件，在所述腔室内配置为与所述基板相对，并且在所述旋转型靶的外部与所述旋转型靶相隔开。

在本发明中，所述外部磁铁部件可具备以所述旋转型靶为中心配置在两侧的第一磁铁部件及第二磁铁部件。

在本发明中，所述第一磁铁部件可配置为与所述旋转型靶的一侧面区域相对，所述第二磁铁部件可配置为与所述旋转型靶的所述一侧面区域的相反侧面区域相对。

在本发明中，所述外部磁铁部件可具有与所述旋转型靶的长度方向并排延长的形状。

在本发明中，所述外部磁铁部件可配置为与所述内部磁铁部件平行。

在本发明中，所述外部磁铁部件可配置为与所述基板平行。

在本发明中，所述外部磁铁部件可配置为相对于所述基板按规定的角度倾斜，使得所述外部磁铁部件和所述基板之间的距离逐渐变化。

在本发明中，所述外部磁铁部件可包括多个分割磁铁部件，并且所述多个分割磁铁部件可分别相互独立地配置，从而独立控制所述多个分割磁铁部件和所述基板之间的距离。

在本发明中，所述外部磁铁部件至少可具有与所述内部磁铁部件对应的长度。

在本发明中，所述旋转型靶形成为中空的圆柱形状，并且所述旋转型靶的内部可配置有支撑所述旋转型靶的衬板。

在本发明中，所述旋转型靶可发挥阴极功能。

在本发明中，可包括电极部件，所述电极部件配置在所述旋转型靶的外部，并与所述基板相对且与所述旋转型靶相隔开。

在本发明中，所述电极部件可包括以所述旋转型靶为中心配置在两侧的第一电极部件及第二电极部件。

在本发明中，所述电极部件可配置在所述外部磁铁部件和所述旋转型靶之间。

在本发明中，所述电极部件可发挥阳极功能。

根据本发明的另一方面，公开一种薄膜形成方法，利用溅射装置在基板上形成薄膜，所述薄膜形成方法包括如下步骤：在腔室内装入所述基板；以及利用旋转型靶将沉积材料沉积在所述基板上，所述旋转型靶在所述腔室内配置为与所述基板相对，且在内部配置有内部磁铁部件，所述将沉积材料沉积在所述基板上的步骤包括利用外部磁铁部件控制所述旋转型靶的周边磁场的步骤，所述外部磁铁部件配置为与所述基板相对并且在所述旋转型靶的外部与所述旋转型靶相隔开。

在本发明中，可进一步包括如下步骤：配置电极部件，所述电极部件配置在所述旋转型靶的外部并与所述基板相对且与所述旋转型靶相隔开，并且在将所述沉积材料沉积在所述基板的步骤中对所述电极部件施加电压。

根据本发明的再一方面，公开一种有机发光显示装置的制造方法，利用溅射装置形成有机发光显示装置，包括如下步骤：在腔室内装入基板；以及利用旋转型靶将沉积材料沉积在所述基板上，所述旋转型靶在所述腔室内配置为与所述基板相对，且在内部配置有内部磁铁部件，所述将沉积材料沉积在所述基板上的步骤包括利用外部磁铁部件控制所述旋转型靶的周边磁场的步骤，所述外部磁铁部件配置为与所述基板相对并且在所述旋转型靶的外部与所述旋转型靶相隔开。

本发明的特征可为，所述有机发光显示装置包括：第一电极、第二电极、配置在所述第一电极和第二电极之间且具备有机发光层的中间层以及形成在所述第二电极上的密封层；通过进行将所述沉积材料沉积在所述基板中的步骤，形成所述密封层。

本发明的特征可为，所述密封层包括一个以上的有机层以及一个以上的无机层，通过进行将所述沉积材料沉积在所述基板上的步骤，形成所述密封层的所述无机层中的至少一层。

本发明的沉积装置、利用该装置的薄膜形成方法及有机发光显示装置的制造方法，能够有效进行薄膜形成工序并且易于提高沉积膜特性。

附图说明

图1是示意地图示本发明的一实施例的溅射装置的立体图。

图2是图1的Ⅱ-Ⅱ向剖视图。

图3是图1的Ⅲ-Ⅲ向剖视图。

图4及图5是图示图1的溅射装置的外部磁铁部件的变形例的图。

图6是示意地图示本发明的另一实施例的溅射装置的图。

图7是示意地图示利用本发明的溅射装置制造的有机发光显示装置的图。

图8是图7中F部分的放大图。

附图标记说明

S、30：基板

100、200：溅射装置

101、201：腔室

120、220：衬板

130、230：旋转型靶

150、250：内部磁铁部件

190、290：外部磁铁部件

具体实施方式

以下，参照附图中图示的有关本发明的实施例，详细说明本发明的结构及作用。

图1是示意地图示本发明的一实施例的溅射装置的立体图，图2是图1的Ⅱ-Ⅱ向剖视图，图3是图1的Ⅲ-Ⅲ向剖视图。

参照图1至图3，溅射装置100大致包括腔室101、旋转型靶130、内部磁铁部件150及外部磁铁部件190。

腔室101可连接在泵（未图示）上，以控制沉积工序的压力气氛，并且收容及保护基板S、靶130及外部磁铁部件190等。此外，腔室101可包括用于使基板S进出的一个以上的出入口（未图示）。图1仅图示了腔室101的底面，但这是为了说明上的方便，腔室101可具有类似箱子的形状。

基板S可配置在支撑部105上。支撑部105在进行对基板S的沉积工序期间，避免基板S移动或者摇晃。为此，支撑部105可具备夹具（未图示）。此外，为了支撑部105和基板S之间的吸附，支撑部105也可具备一个以上的吸附孔（未图示）。此外，优选地支撑部105由耐热性及耐用性高的材质形成，使得防止在沉积工序中由热引起的变形及破损。

旋转型靶130配置为与基板S相对。在沉积工序中，旋转型靶130在旋转的同时向基板S提供沉积材料，使得在基板S上形成沉积膜。为此，优选地旋转型靶130的长度至少与基板S的一方向的宽度相同或者大于该宽度。

衬板（backing plate）120可配置为支撑旋转型靶130。即，形成为与中空圆柱形状的旋转型靶130类似形状的衬板120可配置在旋转型靶130的内部，并且支撑旋转型靶130。此外，在沉积工序中，衬板120能够将旋转型靶130的温度保持为稳定不变，可通过电源（未图示）对衬板120施加功率。例如，可对衬板120施加RF或者DC电源的功率，衬板120可发挥阴极功能。由此，与衬板120连接的旋转型靶130可发挥阳极功能。

当然，没有衬板120也能够使用旋转型靶130，此时，可对旋转型靶130施加功率。

一个以上的内部磁铁部件150配置在旋转型靶130内。内部磁铁部件150可具有与旋转型靶130的长度方向并排延长的形状。在前述旋转型靶130旋转的同时进行沉积工序的期间，内部磁铁部件150不旋转。即，内部磁铁部件150不与旋转型靶130及衬板120连接。

内部磁铁部件150在旋转型靶130和基板S之间产生磁场。内部磁铁部件150的个数可确定为各种各样，使得易于控制对于基板S的沉积膜的特性。此外，可进行配置变更，使得内部磁铁部件150的N极或S极有选择地与基板S相对。此外，在配置多个内部磁铁部件150时，当然能够自由地进行各个极性的配置。

驱动轴122配置为发挥衬板120及旋转型靶130的旋转轴的功能。具体来讲，驱动轴122可连接在如驱动带等驱动部124上，并接受传来的驱动力，使衬板120及旋转型靶130旋转。此时，前述电源（未图示）连接在驱动轴122上，并可通过驱动轴122对衬板120施加功率。

驱动轴122形成为在衬板120的两端延长的形状，可由外壳129收容。

可配置衬管125，使得衬板120和驱动轴122连接及固定。当然，可以省略衬管125，将衬板120和驱动轴122形成为一体。

冷却水输入管126及冷却水排出管127连接于旋转型靶130的内部。由此，维持旋转型靶130、衬板120以及驱动轴122的内部温度。

外部磁铁部件190配置在旋转型靶130的外部，并与基板S相对且与旋转型靶130相隔开。外部磁铁部件190包括第一磁铁部件191及第二磁铁部件192。第一磁铁部件191及第二磁铁部件192分别以旋转型靶130为中心，配置在旋转型靶130的两侧。具体来讲，第一磁铁部件191配置为与旋转型靶130的一侧面区域相对，第二磁铁部件192配置为与旋转型靶130的侧面区域中对应第一磁铁部件191的区域的相反侧区域相对。

此外，第一磁铁部件191及第二磁铁部件192具有与旋转型靶130的长度方向并排延长的形状。具体来讲，第一磁铁部件191及第二磁铁部件192可与内部磁铁部件150的延长方向并排配置。

对于本实施例的溅射装置100的操作及效果进行简略说明。

将基板S配置在溅射装置100的腔室101内，并将能够提供用于在基板S上形成沉积膜的材料的旋转型靶130配置为与基板S相对。并且，通过向腔室101内注入的气体等形成等离子状态后激发的粒子与旋转型靶130碰撞，从而从旋转型靶130脱落的粒子到达基板S上而形成沉积膜。

本实施例的溅射装置100包括旋转型靶130。在沉积工序中，在旋转型靶130旋转的同时进行沉积工序。因此，能够均匀地使用旋转型靶130的全部表面并执行沉积工序。由此，提高旋转型靶130的使用效率而增加旋转型靶130的使用周期，有效地进行通过溅射装置100的沉积工序。

此外，旋转型靶130的内部具有内部磁铁部件150，以提高对基板S的沉积效率。

此外，在本实施例中，以旋转型靶130为中心，在旋转型靶130的两侧配置有外部磁铁部件190，从根本上切断由于内部磁铁部件150而可产生的非正常的放电，以增大沉积效率。即，由于内部磁铁部件150，在旋转型靶130和基板S之间产生磁场，而在这种区域中产生等离子放电。但是内部磁铁部件150在旋转型靶130的周边，特别在侧面产生不均匀的磁场。这种在旋转型靶130侧面产生的不均匀的磁场引起非正常的等离子放电，从而产生旋转型靶130的不均匀的磨损、基板S的沉积膜厚度不均匀以及旋转型靶130的损伤等问题。但是，在本实施例中，将外部磁铁部件190配置为与旋转型靶130的两侧侧面对应，从而抑制这种不均匀的磁场的产生。

由此，切断在旋转型靶130的侧面产生的非正常的磁场，以易于实现旋转型靶130的均匀的使用、提高沉积膜特性的效果。

优选地，外部磁铁部件190至少具有与内部磁铁部件150的长度对应的长度，以增大这种效果。

图4及图5是图示图1的溅射装置的外部磁铁部件的变形例的图。

前述外部磁铁部件190沿与配置在旋转型靶130内部的内部磁铁部件150平行的方向配置。

但是，本发明并不限于此。首先，参照图4，外部磁铁部件191’配置为具有相对于内部磁铁部件150’按规定的角度倾斜的形状。即，外部磁铁部件191’相对于基板S不维持固定的间隔，而是按区域相对于基板S具有不同的间隔。即，外部磁铁部件191’和基板S之间的距离逐渐变化。由此，能够易于调整旋转型靶130周边的磁场的密度。此外，可通过调整旋转型靶130周边的磁场的密度来控制沉积在基板S上的沉积膜的厚度。即，以图4为准，当基板S的右侧区域沉积膜的厚度大于左侧区域沉积膜的厚度，从而有必要使其均匀时，如图4所示，可配置外部磁铁部件191’，以降低旋转型靶130’的右侧区域的磁场密度，从而使基板S的右侧区域的沉积速度与左侧区域相比减小。

此外，参照图5，外部磁铁部件191”具备多个分割磁铁部件191”A、191”B、191”C、191”D、191”E。多个分割磁铁部件191”A、191”B、191”C，191”D，191”E）可彼此分割并可彼此独立地配置。由此，能够不同地控制多个分割磁铁部件191”A、191”B、191”C、191”D、191”E中的每一个与基板S之间的距离。

由此，能够按旋转型靶130”的区域，不同地调整旋转型靶130”周边的磁场的密度。此外，通过调整旋转型靶130”周边的磁场的密度，能够控制沉积在基板S上的沉积膜的厚度。

图6是示意地图示本发明的另一实施例的溅射装置的图。

参照图6，溅射装置200大致包括腔室201、旋转型靶230、内部磁铁部件250、外部磁铁部件290及电极部件270。

腔室210可连接在泵（未图示）上，以控制沉积工序的压力气氛，并且收容及保护基板S、靶230及外部磁铁部件290等。此外，腔室201可具有用于使基板S进出的一个以上的出入口（未图示）。

基板S可配置在支撑部205上。支撑部205在进行对基板S的沉积工序的期间，防止基板S移动或摇晃。为此，支撑部205可具备夹具（未图示）。此外，为了支撑部205和基板S之间的吸附，支撑部205也可具备一个以上的吸附孔（未图示）。此外，优选地支撑部205由耐热性及耐用性高的材质形成，以防止在沉积工序中由热产生的变形及破损。

旋转型靶230配置为与基板S相对。在沉积工序中，旋转型靶230在旋转的同时向基板S提供沉积材料，从而在基板S上形成沉积膜。为此，优选地旋转型靶230的长度至少与基板S的一方向的宽度相同或者大于该宽度。

衬板（backing plate）220可配置为支撑旋转型靶230。即，形成为与中空圆柱形状的旋转型靶230类似形状的衬板220可配置在旋转型靶230的内部，并且支撑旋转型靶230。此外，在沉积工序中，衬板220可将旋转型靶230的温度保持为稳定不变，可通过电源（未图示）对衬板220施加功率。例如，可对衬板220施加RF或者DC电源的功率，衬板220可发挥阴极功能。

当然，没有衬板220也能够使用旋转型靶230，此时，可对旋转型靶230施加功率。

一个以上的内部磁铁部件250配置在旋转型靶230内。内部磁铁部件250可具有与旋转型靶230的长度方向并排延长的形状。在前述旋转型靶230旋转的同时进行沉积工序的期间，内部磁铁部件250不旋转。即，内部磁铁部件250不与旋转型靶230及衬板220连接。

内部磁铁部件250在旋转型靶230和基板S之间产生磁场。内部磁铁部件250的个数可确定为各种各样，使得易于控制对于基板S的沉积膜的特性。此外，可进行配置变更使得内部磁铁部件250的N极或S极有选择地与基板S相对。此外，在配置多个内部磁铁部件250时，当然能够自由地进行各极性的配置。

驱动轴（未图示）、外壳（未图示）、衬管（未图示）、冷却水输入管（未图示）以及冷却水排出管（未图示）与前述实施例相同，因此省略具体说明。

外部磁铁部件290配置在旋转型靶230的外部并与基板S相对且与旋转型靶230相隔开。外部磁铁部件290具备第一磁铁部件291及第二磁铁部件292。第一磁铁部件291及第二磁铁部件292分别以旋转型靶230为中心配置在旋转型靶230的两侧。具体来讲，第一磁铁部件291配置为与旋转型靶230的一侧面区域相对，第二磁铁部件292配置为与旋转型靶230的侧面区域中对应第一磁铁部件291区域的相反侧区域相对。

此外，第一磁铁部件291及第二磁铁部件292具有与旋转型靶230的长度方向并排延长的形状。具体来讲，第一磁铁部件291及第二磁铁部件292可与内部磁铁部件250的延长方向并排配置。

虽然未图示，但本实施例的溅射装置200，当然可适用图4及图5的结构。

电极部件270配置在旋转型靶230的外部，并与基板S相对且与旋转型靶230相隔开。电极部件270连接在电源280上。

电极部件270具备第一电极部件271及第二电极部件272。第一电极部件271及第二电极部件272分别以旋转型靶230为中心，配置在旋转型靶230的两侧。具体来讲，第一电极部件271及第二电极部件272配置为分别比第一电磁部件291及第二电磁部件292更加接近旋转型靶230。此外，第一电极部件271及第二电极部件272分别对应于第一电磁部件291及第二电磁部件292的上表面，并且对应于在第一电磁部件291及第二电磁部件292的侧面中朝向旋转型靶230的侧面。通过这种第一电极部件271及第二电极部件272的形状，第一电极部件271及第二电极部件272还能够执行防止第一电磁部件291及第二电磁部件292的损伤及污染的功能。

此外，第一电极部件271配置为与旋转型靶230的一侧面区域相对，第二电极部件272配置为与旋转型靶230的侧面区域中对应第一电极部件271的区域的相反侧区域相对。

此外，第一电极部件271及第二电极部件272可具有与第一电磁部件291及第二电磁部件292的长度相同或大于该长度的长度。由此，第一电极部件271及第二电极部件272能够有效地保护第一电磁部件291及第二电磁部件292，特别是第一电极部件271及第二电极部件272优选具有大于第一电磁部件291及第二电磁部件292的长度的长度。

电极部件270具有与衬板220相反的极性。即，电极部件270发挥阳极功能。

如前所述，衬板220发挥阴极功能。此时，在旋转型靶230和基板S之间，为了沉积工序而产生的等离子会给基板S带来损伤。即，由于等离子的产生而产生的阴离子、电子等碰撞在基板S上。特别是，对腔室201或者支撑部205施加正电压时，增加了这种阴离子、电子等碰撞在基板S上的次数而可能会产生基板S的损伤。

但是，在本实施例中，电极部件270发挥阳极功能，因此抑制由于等离子的产生而产生的阴离子、电子等向基板S的移动。即，能够在将基板S保持在一种浮动状态的情况下进行沉积工序。由此，防止基板S的损伤及电弧（arc）的产生等，并且提高沉积工序的效率性。

此外，通过外部磁铁部件290和电极部件270的组合，部分增加在旋转型靶230和基板S之间的空间中产生的等离子的密度，从而即使施加低功率也能够进行沉积工序。

对于本实施例的溅射装置200的操作及效果进行简略说明。

将基板S配置在溅射装置200的腔室201中，并且将能够提供用于在基板S上形成沉积膜的材料的旋转型靶230配置为与基板S相对。并且，通过向腔室201内注入的气体形成等离子状态后激发的粒子与旋转型靶230碰撞，从而从旋转型靶230脱落的粒子到达基板S上而形成沉积膜。

本实施例的溅射装置200包括旋转型靶230。在沉积工序中，在旋转型靶230旋转的同时进行沉积工序。因此，能够均匀地使用旋转型靶230的全部表面并执行沉积工序。由此，提高旋转型靶230的使用效率而增加旋转型靶130的使用周期，有效地进行通过溅射装置200的沉积工序。

此外，旋转型靶230的内部具备内部磁铁部件250，以提高对于基板S的沉积效率。

此外，在本实施例中，以旋转型靶230为中心，在旋转型靶230的两侧配置外部磁铁部件290，从根本上切断由于内部磁铁部件250而可能会产生的非正常的放电，以增大沉积效率。即，由于内部磁铁部件250，在旋转型靶230和基板S之间产生磁场，在这种区域中产生等离子放电。但是内部磁铁部件250在旋转型靶230的周边，特别在侧面产生不均匀的磁场。这种在旋转型靶230侧面产生的不均匀的磁场引起非正常的等离子放电，从而产生旋转型靶230的不均匀的磨损、基板S的沉积膜厚度不均匀以及旋转型靶230的损伤等问题。但是，在本实施例中，将外部磁铁部件290配置为与旋转型靶230的两侧侧面对应，以抑制这种不均匀的磁场的产生。

由此，切断在旋转型靶230的侧面产生的非正常的磁场，以易于实现旋转型靶230的均匀使用、提高沉积膜特性的效果。

此外，利用电极部件270抑制由于等离子的产生而产生的阴离子、电子等向基板S的移动。即，能够在将基板S保持在一种浮动状态的情况下进行沉积工序。由此，防止基板S的损伤、电弧（arc）的产生等，并且提高沉积工序的效率性。

此外，通过外部磁铁部件290和电极部件270的组合，部分增加在旋转型靶230和基板S之间的空间中产生的等离子的密度，从而即使施加了低功率也能够进行沉积工序。

图7是示意地图示利用本发明的溅射装置制造的有机发光显示装置的剖视图，图8是图7的F部分的放大图。

参照图7及图8，有机发光显示装置10（organic light emitting displayapparatus）形成在基板30上。基板30可由玻璃材料、塑料材料或者金属材料形成。

在基板30上形成有含有绝缘物的缓冲层31，所述缓冲层31在基板30上方提供平坦面，并且防止水分及异物向基板30方向的浸透。

在缓冲层31上形成有薄膜晶体管40（TFT:thin film transistor）、电容器50、有机发光元件（organic light emitting device）60。薄膜晶体管40大体包括活性层41、栅电极42、源极/漏极电极43。有机发光元件60包括第一电极61、第二电极62以及中间层63。电容器50具备第一电容器电极51及第二电容器电极52。

具体来讲，在缓冲层31的上表面配置有以规定的图案形成的活性层41。活性层41可含有硅等无机半导体材料、有机半导体材料或者氧化物半导体材料，也可以有选择地注入p型或者n型掺杂材料形成。

在活性层41的上方形成有栅绝缘膜32。栅绝缘膜32的上方形成有栅电极42，该栅电极42与活性层41对应。栅绝缘膜32的上方可形成有第一电容器电极51，且可以与栅电极42相同的材质形成。

以覆盖栅电极42的方式形成有层间绝缘膜33，并且在层间绝缘膜33上形成有源极/漏极电极43，该源极/漏极电极43形成为与活性层41的规定的区域接触。在层间绝缘膜33上可形成有第二电容器电极52，且可以与源极/漏极电极43相同的材质形成。

以覆盖源极/漏极电极43的方式形成有钝化层34，并且为了薄膜晶体管40的平坦化，在钝化层34上还可形成其他绝缘膜。

在钝化层34上形成有第一电极61。第一电极61形成为与源极/漏极电极43中的任一个电极电连接。并且，以覆盖第一电极61的方式形成有像素限定膜35。在该像素限定膜35中形成规定的开口64之后，在由该开口64限定的区域内形成具备有机发光层的中间层63。在中间层63上形成有第二电极62。

在第二电极62上形成有密封层70。密封层70可含有有机物或者无机物，可以是有机物和无机物交替地层压的结构。

作为具体例子，密封层70可利用前述溅射装置100、200形成。即，将形成有第二电极62的基板30装入腔室101、201内之后，可利用溅射装置100、200形成期望的层。

特别是，密封层70具备无机层71及有机层72，并且无机层71具备多个层71a、71b、71c，有机层72具备多个层72a、72b、72c。此时，可利用溅射装置100、200形成无机层71的多个层71a、71b、71c。

但是本发明并不限于此。即，也可利用前述溅射装置100、200形成有机发光显示装置10的如栅电极42、源极/漏极电极43、第一电极61及第二电极62等电极。

此外，当然可以利用前述溅射装置100、200形成缓冲层31、栅绝缘膜32、层间绝缘膜33、钝化层34以及像素限定膜35等其他绝缘膜。

如前所述，当利用本实施例的溅射装置100、200时，能够提高形成在有机发光显示装置10的沉积膜的特性，结果是能够提高有机发光显示装置10的电特性以及图像质量特性。

本发明参照图中图示的实施例进行了说明，但这只不过是本发明的示例，在所属技术领域的技术人员应能理解，基于上述实施例可进行各种变形以及其他等同的实施例。因此，本发明真正的技术保护范围应由所附的权利要求书的技术思想来确定。

Claims (16)

1.一种溅射装置，用于对基板进行沉积工序，包括：

腔室，用于配置基板，所述腔室包括对基板进行沉积工序的沉积空间；

旋转型靶，在所述腔室内配置为与所述基板相对；

内部磁铁部件，配置在所述旋转型靶内；以及

外部磁铁部件，在所述腔室内配置为与所述基板相对并且在所述旋转型靶的外部与所述旋转型靶相隔开，

所述外部磁铁部件配置为相对于所述基板按规定的角度倾斜，使得所述外部磁铁部件和所述基板之间的距离逐渐变化。

2.根据权利要求1所述的溅射装置，

所述外部磁铁部件包括以所述旋转型靶为中心配置在两侧的第一磁铁部件及第二磁铁部件。

3.根据权利要求2所述的溅射装置，

所述第一磁铁部件配置为与所述旋转型靶的一侧面区域相对，所述第二磁铁部件配置为与所述旋转型靶的所述一侧面区域的相反侧面区域相对。

4.根据权利要求1所述的溅射装置，

所述外部磁铁部件具有与所述旋转型靶的长度方向并排延长的形状。

5.根据权利要求1所述的溅射装置，

所述外部磁铁部件至少具有与所述内部磁铁部件对应的长度。

6.根据权利要求1所述的溅射装置，

所述旋转型靶形成为中空的圆柱形状，并且在所述旋转型靶的内部配置有支撑所述旋转型靶的衬板。

7.根据权利要求1所述的溅射装置，

所述旋转型靶发挥阴极功能。

8.根据权利要求1所述的溅射装置，

包括电极部件，配置在所述旋转型靶的外部并与所述基板相对且与所述旋转型靶相隔开。

9.根据权利要求8所述的溅射装置，

所述电极部件包括以所述旋转型靶为中心配置在两侧的第一电极部件及第二电极部件。

10.根据权利要求8所述的溅射装置，

所述电极部件配置在所述外部磁铁部件和所述旋转型靶之间。

11.根据权利要求8所述的溅射装置，

所述电极部件发挥阳极功能。

12.一种薄膜形成方法，利用溅射装置在基板上形成薄膜，所述薄膜形成方法包括如下步骤：

在腔室内装入所述基板；以及

利用旋转型靶将沉积材料沉积在所述基板上，所述旋转型靶在所述腔室内配置为与所述基板相对并且在内部配置有内部磁铁部件，

所述将沉积材料沉积在所述基板上的步骤包括利用外部磁铁部件控制所述旋转型靶的周边磁场的步骤，所述外部磁铁部件配置为与所述基板相对并且在所述旋转型靶的外部与所述旋转型靶相隔开，

所述外部磁铁部件配置为相对于所述基板按规定的角度倾斜，使得所述外部磁铁部件和所述基板之间的距离逐渐变化。

13.根据权利要求12所述的薄膜形成方法，进一步包括如下步骤：

配置电极部件，所述电极部件配置在所述旋转型靶的外部并与所述基板相对且与所述旋转型靶相隔开；

在将所述沉积材料沉积在所述基板上的步骤中对所述电极部件施加电压。

14.一种有机发光显示装置的制造方法，利用溅射装置形成有机发光显示装置，包括如下步骤：

在腔室内装入基板；以及

利用旋转型靶将沉积材料沉积在所述基板上，所述旋转型靶在所述腔室内配置为与所述基板相对，且在内部配置有内部磁铁部件，

所述将沉积材料沉积在所述基板上的步骤包括利用外部磁铁部件控制所述旋转型靶的周边磁场的步骤，所述外部磁铁部件配置为与所述基板相对并且在所述旋转型靶的外部与所述旋转型靶相隔开，

所述外部磁铁部件配置为相对于所述基板按规定的角度倾斜，使得所述外部磁铁部件和所述基板之间的距离逐渐变化。

15.根据权利要求14所述的有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，

所述有机发光显示装置包括：

第一电极、第二电极、配置在所述第一电极和所述第二电极之间且具备有机发光层的中间层以及形成在所述第二电极上的密封层，

通过进行将所述沉积材料沉积在所述基板上的步骤，形成所述密封层。

16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置的制造方法，其特征在于，

所述密封层包括一个以上的有机层以及一个以上的无机层，

通过进行将所述沉积材料沉积在所述基板上的步骤，形成所述密封层的所述无机层中的至少一层。